JPH01207282A - 3,4−ジ置換−ベンゾチアゾール−2−オン誘導体の新しい製造方法 - Google Patents
3,4−ジ置換−ベンゾチアゾール−2−オン誘導体の新しい製造方法Info
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- JPH01207282A JPH01207282A JP63107371A JP10737188A JPH01207282A JP H01207282 A JPH01207282 A JP H01207282A JP 63107371 A JP63107371 A JP 63107371A JP 10737188 A JP10737188 A JP 10737188A JP H01207282 A JPH01207282 A JP H01207282A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D277/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-thiazole or hydrogenated 1,3-thiazole rings
- C07D277/60—Heterocyclic compounds containing 1,3-thiazole or hydrogenated 1,3-thiazole rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
- C07D277/62—Benzothiazoles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thiazole And Isothizaole Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は次の構造式(1)で示される3、4−ジ置換−
ヘンジチアゾール−2−オン誘導体(以下“ベンゾチア
ゾロン誘導体”という)の新しい製造方法に関するもの
である。
ヘンジチアゾール−2−オン誘導体(以下“ベンゾチア
ゾロン誘導体”という)の新しい製造方法に関するもの
である。
ここにて、R8はCi2.Br、F’またはメチル基で
あり、R2はメチル基またはエチル基である。
あり、R2はメチル基またはエチル基である。
ベンゾチアゾロン誘導体は稲の稲熱病(pyricul
aria oryzae)及び茎腐敗病(Healm
in thostorium sigmoideu
m)の防除に特1ど効果的で・あり、葉、根および土壌
のいずれ によっても適用し得るという特徴を有する。
aria oryzae)及び茎腐敗病(Healm
in thostorium sigmoideu
m)の防除に特1ど効果的で・あり、葉、根および土壌
のいずれ によっても適用し得るという特徴を有する。
更に、既存の殺菌剤より防除が速く、持続性の長い、な
おかつ強い薬効果を有し、温血動物(例えば、二十日鼠
、鼠、ひよこ)及び魚類(例えば、鯉、北米産の小さい
魚)に対しては極めて低い毒性を表わし、生物体内に有
毒性が殆ど残らない。
おかつ強い薬効果を有し、温血動物(例えば、二十日鼠
、鼠、ひよこ)及び魚類(例えば、鯉、北米産の小さい
魚)に対しては極めて低い毒性を表わし、生物体内に有
毒性が殆ど残らない。
遣方法としては、ドイツ連邦共和国公開特許第292’
4712号は下記の一般式(II)の4−置換−2−ア
ミノベンゾチアゾールをジアゾ化して一般式(III)
の4=置換−2−ハロベンゾチアゾールを作った後、低
級アルコールと塩基性縮合剤の存在下で反応して一般式
(IV)の4−置換−2−アルコキシベンゾチアゾール
を作った後、触媒を利用し熱転位させて一般式(1)の
ベンゾチアゾロン誘導体を合成する。
4712号は下記の一般式(II)の4−置換−2−ア
ミノベンゾチアゾールをジアゾ化して一般式(III)
の4=置換−2−ハロベンゾチアゾールを作った後、低
級アルコールと塩基性縮合剤の存在下で反応して一般式
(IV)の4−置換−2−アルコキシベンゾチアゾール
を作った後、触媒を利用し熱転位させて一般式(1)の
ベンゾチアゾロン誘導体を合成する。
(エエ) (エエエ)上
記式において、RI、 R2は前記にて定義した通りで
、XはCQ又はBrである。
記式において、RI、 R2は前記にて定義した通りで
、XはCQ又はBrである。
一方、日本公開特許第82−6953号および82−6
972号は下記の一般式(V)の2−置換−N−アルキ
ルアニリンを三扱塩基存在下で下記の一般式(Vl)の
クロロカルボニルサルフェニルクロライドと反応し、下
記の一般式(■)のサルフェニルクロライド誘導体を作
った後、これをアルミニウムクロライドや濃い硫酸で閉
環反応させ一般式(1)のベンゾチアゾール誘導体を合
成する。
972号は下記の一般式(V)の2−置換−N−アルキ
ルアニリンを三扱塩基存在下で下記の一般式(Vl)の
クロロカルボニルサルフェニルクロライドと反応し、下
記の一般式(■)のサルフェニルクロライド誘導体を作
った後、これをアルミニウムクロライドや濃い硫酸で閉
環反応させ一般式(1)のベンゾチアゾール誘導体を合
成する。
(V)(■)
(Vl工)(1)
の反応時間か長時間を所要するばかりでなく、操作が難
しく、なお収率が70−80%で低いため、工業的規模
により実施することが困難であるという短所がある。
しく、なお収率が70−80%で低いため、工業的規模
により実施することが困難であるという短所がある。
一方、本発明者により出願された方法(大韓民国特許出
願第86−4682号、第86−5387号)によると
、下記の一般式(■)の4−置換一2−アミノベンゾチ
アゾール誘導体を出発物質として酸又は塩基触媒下でア
ルキル化剤と反応して一般式(IX)又は−数式(X)
の四級塩を作った後、これを加水分解して一般式(1)
のベンゾチアゾロン誘導体を合成する。
願第86−4682号、第86−5387号)によると
、下記の一般式(■)の4−置換一2−アミノベンゾチ
アゾール誘導体を出発物質として酸又は塩基触媒下でア
ルキル化剤と反応して一般式(IX)又は−数式(X)
の四級塩を作った後、これを加水分解して一般式(1)
のベンゾチアゾロン誘導体を合成する。
(Xl
上記式において、R+ 、 Rtは前記にて定義したも
のと同様で、R3とR4は相違するかあるいは同一に水
素、C,−C4のアルキル基、C4−C4,のシクロア
ルキル基、又は酸素や窒素が含まれたシクロアルキル基
であり、Yはヨード、臭素、塩素またはアルキル化剤イ
オンである。
のと同様で、R3とR4は相違するかあるいは同一に水
素、C,−C4のアルキル基、C4−C4,のシクロア
ルキル基、又は酸素や窒素が含まれたシクロアルキル基
であり、Yはヨード、臭素、塩素またはアルキル化剤イ
オンである。
本発明者は繰返された研究の結果、既存の方法上り高収
率(90−97%)、高純度(95%以上)で容易に一
般式(1)化合物を合成できる新しい方法を知るに至り
、本発明を完成することとなった。
率(90−97%)、高純度(95%以上)で容易に一
般式(1)化合物を合成できる新しい方法を知るに至り
、本発明を完成することとなった。
即ち、本発明は一般式(If)の4−置換−2−アミノ
ベンゾチアゾール誘導体を酸触媒存在下でDMF(N、
N−ジメチルホルムアミド)及びアルキル化剤と反応さ
せ一般式(XI)の3.4−ジ置換−2−ポルムイミド
(2,3−ジヒドロ)ベンゾチアゾール誘導体を作った
後、これを加水分解させることを特徴とする一般式(I
)の3.4−ジ置換−ベンゾチアゾール−2−オン誘導
体の製造方法である。
ベンゾチアゾール誘導体を酸触媒存在下でDMF(N、
N−ジメチルホルムアミド)及びアルキル化剤と反応さ
せ一般式(XI)の3.4−ジ置換−2−ポルムイミド
(2,3−ジヒドロ)ベンゾチアゾール誘導体を作った
後、これを加水分解させることを特徴とする一般式(I
)の3.4−ジ置換−ベンゾチアゾール−2−オン誘導
体の製造方法である。
IR2
上記式において、R,、R2は前記にて定義したものと
同一である。
同一である。
本発明の方法による反応経路を表1に図示して説明する
と、次の通りである。
と、次の通りである。
一般式(II)の4−置換−2−アミノベンゾデアゾー
ル誘導体がDMFによりホルミル化された後、アルキル
化されて一般式(刈)の3.4−ジ置換−2−ホルムイ
ミド(2,3−ジヒドロ)ベンゾチアゾール誘導体が製
造される。
ル誘導体がDMFによりホルミル化された後、アルキル
化されて一般式(刈)の3.4−ジ置換−2−ホルムイ
ミド(2,3−ジヒドロ)ベンゾチアゾール誘導体が製
造される。
次いで、−数式(XI)の化合物が加水分解されて一般
式(Xl)の3.4−ジ置換−2−イミノベンゾデアゾ
ール誘導体と目的化合物である一般式(1)の3.4−
ン置換−ベンゾチアゾール−2−オン誘導体になる。
式(Xl)の3.4−ジ置換−2−イミノベンゾデアゾ
ール誘導体と目的化合物である一般式(1)の3.4−
ン置換−ベンゾチアゾール−2−オン誘導体になる。
この時、一般式(■)の3,4−ジ置換−2−イミノベ
ンゾチアゾール誘導体は再びホルミル化され、加水分解
される繰返し過程を通じて全部一般式(1)の目的化合
物となる。この時、使用したアルキル化剤はDMFを活
性化してホルミル化を促進する。
ンゾチアゾール誘導体は再びホルミル化され、加水分解
される繰返し過程を通じて全部一般式(1)の目的化合
物となる。この時、使用したアルキル化剤はDMFを活
性化してホルミル化を促進する。
本発明の出発物質である一般式(H)の4−置換−2−
アミノベンゾチアゾール誘導体は公知の方法[ジャーナ
ル ヘテロサイクリック ケミストリー(J 、Het
orocyclic、 chem、 )、 I 7 、
I 325(+980)]により製造することが出来
る。
アミノベンゾチアゾール誘導体は公知の方法[ジャーナ
ル ヘテロサイクリック ケミストリー(J 、Het
orocyclic、 chem、 )、 I 7 、
I 325(+980)]により製造することが出来
る。
本発明にて使用する酸触媒は塩酸、硫酸、臭化水素酸、
硝酸の様な無機酸や蟻酸、酢酸、好酸、P−1−ルエン
スルホン酸の様な有機酸を使用することが出来る。
硝酸の様な無機酸や蟻酸、酢酸、好酸、P−1−ルエン
スルホン酸の様な有機酸を使用することが出来る。
その使用量は一般式(II)化合物に対し0.1−5.
0モル倍である。
0モル倍である。
尚、本発明にて使用する溶媒であるDMF(N。
N−ジメチルホルムアミド)の使用量は一般式(II)
化合物1モル当りl−10(である。
化合物1モル当りl−10(である。
又、本発明の反応にて使用するアルキル化剤としてはヨ
ードメチル、ヨードエタン、ブロモメタン、ブロモメタ
ン、クロロメタン、クロロエタン、ジメチルサルフェー
ト、ジエチルサルフェート、トリメチルホスフェート及
びトリエヂルポスフェートであり、その使用mは一般式
(II)化合物の1゜0−10.0モル倍であり、望ま
しくは2.0−5゜0モル倍である。
ードメチル、ヨードエタン、ブロモメタン、ブロモメタ
ン、クロロメタン、クロロエタン、ジメチルサルフェー
ト、ジエチルサルフェート、トリメチルホスフェート及
びトリエヂルポスフェートであり、その使用mは一般式
(II)化合物の1゜0−10.0モル倍であり、望ま
しくは2.0−5゜0モル倍である。
また、反応温度は0℃以上であり、望ましくは室温乃至
153℃以内にて反応させる。
153℃以内にて反応させる。
反応に使用される水の量は一般式(n)化合物の1.0
モル倍以上で、望ましくは1.0−5.0モル倍である
。
モル倍以上で、望ましくは1.0−5.0モル倍である
。
以下、実施例によりさらに詳細に説明する。
及嵐散上;4−クロロー3−メチルベンゾデアゾール−
2−オンの製造。
2−オンの製造。
2−アミノ−4−クロロベンゾチアゾール18゜479
(0,10モル)を300ccのN、N−ジメチルホル
ムアミド(DMF)に溶かし、P−トルエンスルポン酸
9.519(0,05モル)及びジメチルサルフェート
50.459(0,40モル)を入れて加熱する。次い
で、135°Cにて6時間撹拌した後、1.8g(0,
10モル)の水を入れて6時間還流して反応を完結する
。
(0,10モル)を300ccのN、N−ジメチルホル
ムアミド(DMF)に溶かし、P−トルエンスルポン酸
9.519(0,05モル)及びジメチルサルフェート
50.459(0,40モル)を入れて加熱する。次い
で、135°Cにて6時間撹拌した後、1.8g(0,
10モル)の水を入れて6時間還流して反応を完結する
。
N、N−ジメチルホルムアミドを蒸留により除去した後
、冷却して苛性ソーダ水で中和しトルエンで抽出する。
、冷却して苛性ソーダ水で中和しトルエンで抽出する。
その後、有機層を減圧蒸留して溶媒を除去して出来た白
い固体をエタノールで再結晶−白い沈澱゛状固体の目的
化合物19.539を得る。
い固体をエタノールで再結晶−白い沈澱゛状固体の目的
化合物19.539を得る。
収率:96.1%、 純度、98.2%実施例2;4
−クロロー3−エチルベンゾチアゾール−2−オンの製
造。
−クロロー3−エチルベンゾチアゾール−2−オンの製
造。
2−アミノ−4−クロロベンゾチアゾール18゜479
(0,10モル)を250cc(7)N、N−ジメチル
ポルムアミドに溶かし、 蟻酸4.609(0゜1モ
ル)及びジエチルサルフェート46.25g(0゜3モ
ル)を入れて加熱する。+30’Cにて4時間撹拌した
後、3.60g(0,20モル)の水を入れて8時間還
流して反応を完結する。その後、実施例1と同様な方法
を遂行し、目的化合物19.959を得る。
(0,10モル)を250cc(7)N、N−ジメチル
ポルムアミドに溶かし、 蟻酸4.609(0゜1モ
ル)及びジエチルサルフェート46.25g(0゜3モ
ル)を入れて加熱する。+30’Cにて4時間撹拌した
後、3.60g(0,20モル)の水を入れて8時間還
流して反応を完結する。その後、実施例1と同様な方法
を遂行し、目的化合物19.959を得る。
収率:90.9%、 純度・97.3%実施例3.3
.4−ジメチルベンゾチアゾール−2−オンの製造。
.4−ジメチルベンゾチアゾール−2−オンの製造。
2−アミノ−4−メチルベンゾチアゾール16゜429
(0,10モル)をN、N−ツメデルポルムアミド25
0ccに溶かし、P−トルエンスルホン酸9.51g(
0,05モル)とジメチルサルフェート50.459(
0,40モル)を入れて加熱する。
(0,10モル)をN、N−ツメデルポルムアミド25
0ccに溶かし、P−トルエンスルホン酸9.51g(
0,05モル)とジメチルサルフェート50.459(
0,40モル)を入れて加熱する。
135℃にて5時間撹拌した後、1.8g(0,10モ
ル)の水を入れて5時間還流して反応を完結する。
ル)の水を入れて5時間還流して反応を完結する。
その後、実施例1と同様な方法を遂行し、目的化合物I
7.449を得る。
7.449を得る。
収率:94.3%、 純度+96.8%実施例・1;
4−ブロモ−3−メチルベンゾデアゾール−2−オンの
製造。
4−ブロモ−3−メチルベンゾデアゾール−2−オンの
製造。
2−アミノ−4−ブロモベンゾチアゾール22゜971
?(0,10モル)を300ccのN、N−ツメチルポ
ルムアミドに溶かし、硫酸4.909(0,05モル)
とトリメチルホスフェート28.02(0,20モル)
を入れて加熱する。
?(0,10モル)を300ccのN、N−ツメチルポ
ルムアミドに溶かし、硫酸4.909(0,05モル)
とトリメチルホスフェート28.02(0,20モル)
を入れて加熱する。
135℃にて4時間撹拌した後、3.60y(0゜20
モル)の水を入れて10時間還流して反応を完結する。
モル)の水を入れて10時間還流して反応を完結する。
その後、実施例1と同様な方法により、目的化合物22
.49gを得る。
.49gを得る。
収率:90.1%、 純度:97.8%実施例5;4
−フルオロー3−メチルベンゾチアゾール−2−オンの
製造。
−フルオロー3−メチルベンゾチアゾール−2−オンの
製造。
2−アミノ−4−フルオロベンゾデアゾール16.88
y(0,+oモル)を200ccのN、N−ジメチルホ
ルムアミドに溶かし、蟻酸4.60g(0、i0モル)
及びジメチルサルフェート50.459(0゜40モル
)を入れて130°Cにて・1時間撹拌する。
y(0,+oモル)を200ccのN、N−ジメチルホ
ルムアミドに溶かし、蟻酸4.60g(0、i0モル)
及びジメチルサルフェート50.459(0゜40モル
)を入れて130°Cにて・1時間撹拌する。
その後、1.80g(0,10モル)の水を入れて10
時間還流し、反応を完結する。その後、実施例1と同様
な方法により、目的化合物17.60gを得ろ。
時間還流し、反応を完結する。その後、実施例1と同様
な方法により、目的化合物17.60gを得ろ。
収率:92.6%、 純度:96.4%特許出願人
株式会社 ラッキー
株式会社 ラッキー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式(II)の4−置換−2−アミノベンゾチアゾ
ール誘導体を酸触媒の存在下でN,N−ジメチルホルム
アミド(DMF)及びアルキル化剤と反応させ一般式(
X I )の3,4−ジ置換−2−ホルムイミド(2,3
−ジヒドロ)ベンゾチアゾール誘導体を作った後、これ
を加水分解することを特徴とする一般式( I )の3,
4−ジ置換−ベンゾチアゾール−2−オン誘導体の製造
方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼−( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼−(II) ▲数式、化学式、表等があります▼−(X I ) 上記式において、R_1は弗素、塩素、臭化水素酸又は
メチル基であり、R_2はメチル基又はエチル基である
。 2、第1項において、酸触媒が臭化水素酸、塩酸、硫酸
、硝酸、蟻酸、酢酸、修酸、P−トルエンスルフォン酸
であることを特徴とする一般式( I )の3,4−ジ置
換−ベンゾチアゾール−2−オン誘導体の製造方法。 3、第1項において、アルキル化剤がジメチルサルフェ
ート、ジエチルサルフェート、トリメチルホスフェート
、トリエチルホスフェート、ヨードメタン、ヨードエタ
ン、ブロモメタン、ブロモエタン、クロロメタン、クロ
ロエタンであることを特徴とする一般式( I )の3,
4−ジ置換−ベンゾチアゾール−2−オン誘導体の製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1987-4299 | 1987-05-01 | ||
| KR1019870004299A KR900000553B1 (ko) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 3,4-디치환-벤조티아졸-2-온 유도체의 새로운 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01207282A true JPH01207282A (ja) | 1989-08-21 |
| JPH0416472B2 JPH0416472B2 (ja) | 1992-03-24 |
Family
ID=19261138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63107371A Granted JPH01207282A (ja) | 1987-05-01 | 1988-04-28 | 3,4−ジ置換−ベンゾチアゾール−2−オン誘導体の新しい製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01207282A (ja) |
| KR (1) | KR900000553B1 (ja) |
-
1987
- 1987-05-01 KR KR1019870004299A patent/KR900000553B1/ko not_active Expired
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63107371A patent/JPH01207282A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0416472B2 (ja) | 1992-03-24 |
| KR900000553B1 (ko) | 1990-01-31 |
| KR880013911A (ko) | 1988-12-22 |
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