JPH02183513A - ホールパターンの形成方法 - Google Patents
ホールパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH02183513A JPH02183513A JP1003216A JP321689A JPH02183513A JP H02183513 A JPH02183513 A JP H02183513A JP 1003216 A JP1003216 A JP 1003216A JP 321689 A JP321689 A JP 321689A JP H02183513 A JPH02183513 A JP H02183513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- hole
- dimensions
- hole pattern
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、段差を有する基板の段差上部、及び、下部に
、ホールパターンを形成する方法に関する。
、ホールパターンを形成する方法に関する。
［従来の技術］
段差を有する基板上に塗布されたポジレジストへ、マス
ク上のホールパターンを、投影ｇ先決で転写し、現像す
る方法により、前記基板の段差上部、及び、下部に、ホ
ールパターンを形成する際、従来は前記段差上、下部に
位置するホールのマスク寸法が、共に、設計寸法どおり
のマスクを用いていた。
ク上のホールパターンを、投影ｇ先決で転写し、現像す
る方法により、前記基板の段差上部、及び、下部に、ホ
ールパターンを形成する際、従来は前記段差上、下部に
位置するホールのマスク寸法が、共に、設計寸法どおり
のマスクを用いていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では、以下なる問題点を有する
。
。
第５図は、段差を有する基板５１上に、ポジレジスト６
２を塗布した時の断面図であるが、段差下部のレジスト
膜厚３５に比べ、段差上部のレジスト膜厚６４は薄くな
る。
２を塗布した時の断面図であるが、段差下部のレジスト
膜厚３５に比べ、段差上部のレジスト膜厚６４は薄くな
る。
また、第２図は、０．５μｍの段差を有する基板上に塗
布されたポジレジストへ、マスク上のホールパターンを
、投影露光法で転写し、現像する方法により、前記段差
の上、下部に、ホールパターンを形成する時の、露光時
間と、ホール寸法の関係を示した図である。ここで、前
記ホールの設計寸法は、段差上、下部共に、直径１．０
μｍであり、マスク寸法も設計寸法どおりのマスクを用
いている。第５図のように、段差上、下部のレジスト膜
厚が異なるために、第５図に示される、露光時間と、゛
ホール寸法の関係は、段差上、下部で大きく異なる。そ
して、段差下部のホール径を、設計寸法どおり１．０μ
ｍにするには、Ｑ、２５秒の露光が必要で、この時、段
差上、下部のホール径は、１．０５μｍと、設計寸法に
比べ、α０５μｍ大きくなってしまう。
布されたポジレジストへ、マスク上のホールパターンを
、投影露光法で転写し、現像する方法により、前記段差
の上、下部に、ホールパターンを形成する時の、露光時
間と、ホール寸法の関係を示した図である。ここで、前
記ホールの設計寸法は、段差上、下部共に、直径１．０
μｍであり、マスク寸法も設計寸法どおりのマスクを用
いている。第５図のように、段差上、下部のレジスト膜
厚が異なるために、第５図に示される、露光時間と、゛
ホール寸法の関係は、段差上、下部で大きく異なる。そ
して、段差下部のホール径を、設計寸法どおり１．０μ
ｍにするには、Ｑ、２５秒の露光が必要で、この時、段
差上、下部のホール径は、１．０５μｍと、設計寸法に
比べ、α０５μｍ大きくなってしまう。
このように、従来のホールパターン形成方法では、段差
上、下部でレジスト膜厚が異なるために、段差上部、及
び、下部に、それぞれ設計寸法どおりのホールパターン
を、同時に形成することができなかった。
上、下部でレジスト膜厚が異なるために、段差上部、及
び、下部に、それぞれ設計寸法どおりのホールパターン
を、同時に形成することができなかった。
そこで、本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、段差の上、下部に、それぞれ
設計寸法どおりのホールパターンな同時に得られるホー
ルパターン形成方法を提供するところにある。
その目的とするところは、段差の上、下部に、それぞれ
設計寸法どおりのホールパターンな同時に得られるホー
ルパターン形成方法を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明のホールパターン形成方法は、段差を有する基板
上に塗布されたポジレジストへ、マスク上のホールパタ
ーンを、投影露光法で転写し、現像する方法により、前
記基板の段差上部、及び、下部にホールパターンを形成
する際、前記段差上部に位置するホールのマスク寸法の
みを、設計寸法より小さくしたマスクを用いることを特
徴とする。
上に塗布されたポジレジストへ、マスク上のホールパタ
ーンを、投影露光法で転写し、現像する方法により、前
記基板の段差上部、及び、下部にホールパターンを形成
する際、前記段差上部に位置するホールのマスク寸法の
みを、設計寸法より小さくしたマスクを用いることを特
徴とする。
［実施例］
第１図は、０．５μｍの段差を有する基板上に塗布すし
たポジレジストへ、マスク上のホールパターンを、投影
露光法で転写し、現像する方法により、前記段差の上、
下部に、ホールパターンを形成する時の、露光時間と、
ホール寸法の関係を示した図である。ここで、前記ホー
ルの設計寸法は段差上、下部共に、直径１．０μｍであ
るが、段差上部に位置するホールのマスク寸法のみを、
基板上で１０５μｍに相当する分だけ、設計寸法より小
さくしたマスクを用いた。
たポジレジストへ、マスク上のホールパターンを、投影
露光法で転写し、現像する方法により、前記段差の上、
下部に、ホールパターンを形成する時の、露光時間と、
ホール寸法の関係を示した図である。ここで、前記ホー
ルの設計寸法は段差上、下部共に、直径１．０μｍであ
るが、段差上部に位置するホールのマスク寸法のみを、
基板上で１０５μｍに相当する分だけ、設計寸法より小
さくしたマスクを用いた。
第１図によると、段差下部のホールを、設計寸法どおり
に形成する露光時間０．２５秒の時に、段差上、下部の
レジスト膜厚の相異から生ずる、段差上部のホール寸法
と設計寸法とのズレ０．０５μｍ分を、あらかじめ、マ
スク側に補正しであるために、段差下部のホール径を、
設計寸法どおり直径１．０μ扉にする露光時間０．２５
秒で、段差上部のホール寸法も、同じく、設計寸法どお
り直径１．０μｍにすることができる。このように、段
差上部に位置するホールパターンのマスク寸法のみを、
小さくする方向に補正されたマスクを用いることにより
、段差上部、及び、下部に、それぞれ、設計寸法どおり
のホールパターンを、同時に形成することができる。
に形成する露光時間０．２５秒の時に、段差上、下部の
レジスト膜厚の相異から生ずる、段差上部のホール寸法
と設計寸法とのズレ０．０５μｍ分を、あらかじめ、マ
スク側に補正しであるために、段差下部のホール径を、
設計寸法どおり直径１．０μ扉にする露光時間０．２５
秒で、段差上部のホール寸法も、同じく、設計寸法どお
り直径１．０μｍにすることができる。このように、段
差上部に位置するホールパターンのマスク寸法のみを、
小さくする方向に補正されたマスクを用いることにより
、段差上部、及び、下部に、それぞれ、設計寸法どおり
のホールパターンを、同時に形成することができる。
以上、本実施例では、段差上、下部に位置するホールパ
ターンの設計寸法が、共に、直径１．０μ専の場合につ
いて述べたが、設計寸法が、段差上。
ターンの設計寸法が、共に、直径１．０μ専の場合につ
いて述べたが、設計寸法が、段差上。
下部で異なる場合についても有効であり、また、本実施
例以外の、寸法や、形状を有するホールパターンに対し
ても、同様な効果が得られる。
例以外の、寸法や、形状を有するホールパターンに対し
ても、同様な効果が得られる。
［発明の効果コ
以上述べたように、本発明によれば、段差を有する基板
上に塗布されたポジレジストへ、マスク上のホールパタ
ーンを、投影露光法で転写し、現像する方法により、前
記基板の段差上部、及び、下部に、ホールパターンを形
成する際、前記段差上部に位置するホールのマスク寸法
のみを、設計寸法より小さ（したマスクを用いることに
より、段差の上、下部に、それぞれ、設計寸法どおりの
ホールパターンを、同時に形成できるという効果を有し
、更に本発明は、マスクに補正を加えるだけで、ホール
パターン形成時の工程数が増えないことから、製造効率
的にも優れた効果を有するものである。
上に塗布されたポジレジストへ、マスク上のホールパタ
ーンを、投影露光法で転写し、現像する方法により、前
記基板の段差上部、及び、下部に、ホールパターンを形
成する際、前記段差上部に位置するホールのマスク寸法
のみを、設計寸法より小さ（したマスクを用いることに
より、段差の上、下部に、それぞれ、設計寸法どおりの
ホールパターンを、同時に形成できるという効果を有し
、更に本発明は、マスクに補正を加えるだけで、ホール
パターン形成時の工程数が増えないことから、製造効率
的にも優れた効果を有するものである。
第１図は、本発明のホールパターン形成方法により、段
差を有する基板上へホールパターンを形成した時の露光
時間とホール寸法の関係を示す図である。 第２図は、従来のホールパターン形成方法により、段差
を有する基板上へホールパターンを形成した時の露光時
間とホール寸法の関係を示す図である。 第５図は、段差を有する基板上へポジレジストを塗布し
た時の断面１である。 ３１・・・・・・・・・基 板 ３２・・・・・・・・・ポジレジスト ６５・・・・・・・・・段差下部のレジスト膜厚５４・
・・・・・・・・段差上部のレジスト膜厚以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳雅誉（他１名） １１咽 １２１回
差を有する基板上へホールパターンを形成した時の露光
時間とホール寸法の関係を示す図である。 第２図は、従来のホールパターン形成方法により、段差
を有する基板上へホールパターンを形成した時の露光時
間とホール寸法の関係を示す図である。 第５図は、段差を有する基板上へポジレジストを塗布し
た時の断面１である。 ３１・・・・・・・・・基 板 ３２・・・・・・・・・ポジレジスト ６５・・・・・・・・・段差下部のレジスト膜厚５４・
・・・・・・・・段差上部のレジスト膜厚以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳雅誉（他１名） １１咽 １２１回
Claims (1)
- 段差を有する基板上に塗布されたポジレジストへ、マス
ク上のホールパターンを投影露光法で転写し、現像する
方法により、前記基板の段差上部及び下部に、ホールパ
ターンを形成する際、前記段差上部に位置するホールの
マスク寸法のみを、設計寸法より小さくしたマスクを用
いることを特徴とするホールパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003216A JPH02183513A (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | ホールパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003216A JPH02183513A (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | ホールパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02183513A true JPH02183513A (ja) | 1990-07-18 |
Family
ID=11551245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1003216A Pending JPH02183513A (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | ホールパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02183513A (ja) |
-
1989
- 1989-01-10 JP JP1003216A patent/JPH02183513A/ja active Pending
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