JPH02216641A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野ｊ 本発明は９光磁気記録に用いられる光磁気記録媒体に関
するもので、特に、その光磁気記録層の材料に関する。

〔従来の技術） 従来公知である光磁気記録媒体は、案内溝を有するガラ
ス、または樹脂製の円盤状基鈑と、その上に成膜した記
録層から成り、記録層としてはＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ
、ＧｄＦｅＣｏ等の非晶質の重希土類と遷移金属の非晶
質合金膜が用いられる。これらの膜はキュリー温度が１
００〜２００℃と半導体レーザーの集束光による記録・
消去に適しており、また非晶質であることから、ＭｎＢ
１等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光磁気記録
材料としては望ましい特性を備えている。

しかしながら、これらの材料には次の様な欠点がある。

即ち、光磁気記録においては情報の再生はカー効果もし
くはファラデー効果を用いて行われるが、これらの材料
においてはこの磁気光学効果が非常に小さい、一方、磁
気光学効果は動作温度においては記録膜のキュリー温度
と正の相関が経験的に知られている。したがって、記録
膜のキュリー温度を高めることによって６Ｒ気光学効果
な大きくすることができる。ところが、キュリー温度が
高くなると記録・消去に必要なレーザーパワーが高（な
る、そこで、このような欠点を改善するために重希土−
鉄系合金に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案さ
れている。（特開昭５９−１７８６４１＞この材料によ
って記録感度を低下せしめることなく、光再生特性を向
上させることができる。

〔発明が解決しようとする課題１ しかしながら、この材料には次に示すような改善すべき
問題点が残されている。

光磁気記録においては情報の記録のためにはバイアス磁
界を必要とする。このような材料を記録層に用いた場合
、最低３０００ｅ程度以上のバイアス６１１界を記録ビ
ット周囲に印加させないと、良好な記録を行うことがで
きない、また、記録・再生装置の小型化・低消費電力化
を実現するためには、低バイアス磁界での記録・消去が
可能な材料が要求されている。一方、光磁気記録におけ
る重ね書きを実現する方法として、磁界変調記録法が提
案されているが、この方式においても磁場感度の高い記
録媒体が望ましい、即ち、従来の光ｆｔｉ気記録媒体を
用いた場合、大きな６１１界を高速でスイッチングする
必要からコイルに高電圧を印加することになる。さらに
、高磁界を高周波で得るためにコイルを媒体面より数μ
ｍ程度まで近づけると、光磁気記録の光メモリーとして
の利点の大半を失うことになる。

本発明はこのような従来の光Ｉ気記録媒体の課題を解決
するもので、その目的とするところは。

低バイアス磁界でも良好な記録・消去を行うことができ
る光磁気記録媒体を提供するところにある。

〔課題を解決するための手段］ 本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質膜であって、組成を原子比
で、 （Ｎｄ、Ｐｒ１ｘ　（ＳｍＪｂ＋−ｚｌｙ　ｆＦｅ、（
：ｏ、Ｎｉｌ　＋０Ｏ−Ｘ−２と表した時。

０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３　である事を特徴とする。

ここで、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの比率は媒体の記録・再生条
件によって、キュリー温度及び補償温度等の物性を所望
値にするため、任意に設定できる。但し、この組成系に
おいては光磁気記録媒体として必要条件である垂直…化
膿であるためには、（ｘ＋ｙ）即ち膜中の全希土類の比
率を１５ａｔ％から４０ａｔ％の範囲にする必要がある
。

［実　施　例］ 以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

（実施例１） （Ｎｄｏ、　ａＰｒｏ、　８１１１．　ｏ　ｆｓｍｏ、
　＋５Ｔｂａ、　ａ５１　ａｓ、　ｏ　ｆＦｅｏ、　ｅ
ｓｃ。

。１８１７１．１１なる組成の非晶質膜を記録層とする
光６ｆ１気記録媒体を１．６μｍピッチのスパイラル状
の案内溝を有する直径１２０ｍｍのポリカーボネート基
板を用いて作製した。また、比較例として（Ｓｎｌｏ、
　＋５Ｔｂｏ、５ｓｌｚｓ、ｏｆＦｅｏ、５ｓＣＯｏ、
　＋１ｌｙｙ、ｏの組成の記録膜を有する光磁気記録媒
体を作製した。

第１図は、本実施例のＮｄＰｒＳｍＴｂＦｅＣｏ（０）
と比較例のＳｍＴｂＦｅＣｏ　（Ｘ）を記録膜とした光
磁気記録媒体の再生ＣＮ比の記録バイアス磁界依存性を
示したものである０本実施例の光磁気記録媒体のＣＮ比
が約７０００ｅで飽和するのに対し、比較例のＮｄ、Ｐ
ｒを含有しない光磁気記録媒体は飽和するのに約３００
０ｅのバイアス磁界が必要なことがわかる。また、再生
ＣＮ比も本発明の実施例における光磁気記録媒体の方が
約２ｄＢ高く再生特性も（優れている。

（実施例２） （Ｎｒｌｏ、　ａＰｒｏ、　４１　ｘ　（Ｓｍｏ、　ｌ
　ｏＴｂｏ、ｏ）ｚｚ、　ｏ　（Ｆｅｏ、　ｇｏｃ。

Ｏ，ｏｌ　ｔｓ、　ｏ−’Ｘなる組成において、ＮｄＰ
ｒ量Ｘを変化させて光磁気記録媒体を作製した。

第２図はＮ　ｄ　Ｐ　ｒ　ｊｉｘに対して、ＣＮ比の飽
和に要する記録バイアス磁界の大きさをプロットしたも
のである。飽和バイアス磁界はＮ　ｄ　Ｐ　ｒ　！ｘの
増加に伴い減少し、ｘ＝６　（ａｔ％）で最小となった
後、増大する。一方、第３図に示す様に光磁気記録媒体
の再生ＣＮ比はｘ＝８　（ａｔ％）程度まで漸増した後
、急激に低下する。この様なことを総合するとＮｄＰｒ
量としては１０（ａｔ％）以下であれば、ＮｄＰｒ添加
の効果であるところの記録消去バイアス磁界の減少を再
生信号の劣化を伴わずに実現することができる。

（実施例３） ＩＮｄａＰｒｌ−ａ）　ｓ、　ｏ　ｌ５ｒｎｏ、　＋　
ａＴｂｏ、　ｓｏｌ　ａｘ、　ｏ　ｆＦｅｏ、　ｓｏｃ
。

。２゜ｌ？ｌｏなる組成において、ＮｄとＰｒの量比ａ
を変化させて光磁気記録媒体を作製した。

第４図はＮ　ｄ　Ｊｌ　ａに対して、ＣＮ比の飽和に必
要な記録バイアス磁界の大きさを表したものである。飽
和バイアス磁界は全域にわたってＮｄのみの場合やＰｒ
のみの場合よりも小さく、ＮｄとＰｒの両方の元素を混
合することによって、各々を単独で用いるよりもより小
さな印加磁場での記録及び消去とより大きな磁気光学効
果が得られる事がわかる。

（実施例４） 本発明の実施例として、第１表に示した組成の記ｆｊｌ
ｌｌｌを有する磁性膜を作製した。

更に、比較のために第２表に示す組成の記！！膜を有す
る光磁気記録媒体を作製した。

これらの実施例並びに比較例の光磁気記録媒体のＣＮ比
の飽和に要する記録バイアス磁界とＣＮ比を第３表に示
した。

第　　３　　表 に、希土類の比率が１５（ａｔ％）未満もしくは４０（
ａｔ％）を超えたり、ＳｍとＴｂの比率が３ニアを超え
た場合やＮｄ、Ｐｒｌが１０（ａｔ％）を超えたいずれ
の場合も飽和バイアス磁界の斂善は認められるものの、
大幅なＣＮ比の低下を伴うため好ましくないことがわか
る。

［発明の効果１ 以上に述べた様に本発明によれば、光磁気記録媒体のＣ
Ｎ比の低下を伴うことなく、ＣＮ比の飽和バイアス磁界
の低減を行うことができる。従って、低バイアス磁界で
も良好な記録及び、消去が可能な高性能な光磁気記録媒
体を供することができる。

本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいずれも比較
例試料番号６よりも小さい、また、ＣＮ。

比もＮｄ及びＰｒの入らない比較例試料番号６と同等も
しくは、それ以上の値が得られている。更

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例におけるＮｄＰｒＳｍＴｂＦ
ｅＣｏ！Ｉｌと従来例のＳｍＴｂＦｅＣ。 膜を記ＨＭとする光ｍ気記録媒体のＣＮ比と記録バイア
スＥｆｉ界の関係を示す図。 第２図は１本発明の（Ｎｄｏ、　、ｐｒ。４１１１　ｆ
ｓｍｏ’、　＋　ｏ丁ｂ０、９０＋　２１０　ｆＦｅｏ
、　５ｏｃＯｏ、　ｗｏ）ｔｍ−ｗを用いた光磁気記録
媒体の（ＮｄＰｒ）ｌＬｘと飽和バイアス磁界の関係を
示す図。 第３図は、同じ＜　（ＮｄＰｒ）量ＸとＣＮ比の関係を
示す図。 第４図は、［ＮｄａＰｒ＋−ａｌｓ、　０（Ｓｌ１１６
．　＋ｏＴｂｏ、　ｓｏｌ　ｓｍ。 （Ｆｅｎ、　ａｏｃＱａ２ｏｌ　、ｓ、　ｏなる組成式
においてＮ　ｄ　ｌ　ａとＣＮ比の関係を示す図。 １　□　・ＮｄＰｒＳｍＴｂＦｅＣｏ組成の記録膜。 ２−−　ＳｍＴｂＦｅ’Ｃｏ組成の記録膜。 以 上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であつて、組成を原子比で、 （Ｎｄ，Ｐｒ）＿ｘ（Ｓｍ＿ｚＴｂ＿１＿−＿ｚ）＿ｙ
   （Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙと
   表した時、 ０＜ｘ≦１０ １５≦ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ である事を特徴とする光磁気記録媒体。