JPH01258249A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録に用いられる光磁気記録媒体に関す
るもので、特にその光磁気記録層の材料に関わる。

〔従来の技術〕

従来公知である光磁気記録媒体は、案内溝を有するガラ
ス、又は樹脂製の円盤状基板と、その上に製膜した記録
層からなり、記録層としてはＴｂＷｅＪｐＴｂＦｅｏｏ
、ＧｄＴｂＦｅ等の非晶質の重希土類と遷移金属の非晶
質合金膜が用いられる。これらの膜はキエリー温度が１
００〜２００℃と半導体レーザーの収束光による記録、
消去に適しており、又、非晶質であることから、ＭｎＢ
１等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光磁気記録
材料としては望ましい特性を備えている。

しかしながら、これらの材料には次のような欠点がある
。即ち、光磁気記録においては情報の再生はカー効果や
ファラデー効果を用いて行われるが、これらの材料にお
いてはこの磁気光学効果が非常に小さい。一方、磁気光
学効果は動作温度においては記録膜のキエリー温度と正
の相関が経験的に知られている。したがって、記録膜の
キュリー温度を高めることによって磁気光学効果を大き
くすることができる。ところがキエリー温度が高くなる
と記録、消去に必要なレーザーパワーが高くなってしま
うるそこで、このような欠点を改善するために重希土−
鉄系合金に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案さ
れている（特開昭５９−１７８１５４２）。この材料に
よって記録感度を低下せしめることなく、光再生特性を
向上させることができる。

〔発明が解決しようとする課頂〕

しかしながらこの材料には次に示すよ５　ｊｘ改善すべ
き問題点が残されている。

光磁気記録においては情報の記録のためにはバイアス磁
界を必要とする。このような材料を記録層に用いた場合
、最低５０００ｅ　程度以上のバイアス磁界を記録ピッ
ト周囲に発生させないと、良好な記録を行うことができ
ない。記録、再生装置の小型化、低消費電力化を実現す
るためには、低バイアス磁界での記録、消去が可能な材
料が待望されている。一方、光磁気記録における重ね書
きを実現する方法として、磁界変調記録法が提案されて
いるが、この方式においても磁場感度の高い記録媒体が
望ましい。即ち、従来の光磁気記録媒体を用いた場合、
大きな磁界を高速でスイッチソゲする必要からコイルに
高電圧をかけることになる。さらに高磁界を高周波で得
るためにコイルを媒体面より数μｍ程度まで近付けると
、光磁気記録の光メモリーとしての利点の大半を失うこ
とになる。

本発明はこのような従来の光磁気記録媒体の課題を解決
するもので、その目的とするところは、低バイアス磁界
でも良好な記録、消去を行うことができ本光磁気記録媒
体を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質膜薄膜であって、組成を原
子比で、 Ｎｄ、ｚ（ＳｍｚＴｂｌ−２）ｙ（Ｆｅ、ＯＯ，Ｎ１）
１０（１−，２；−ｙと表わしたとき、口＜ｘ＜１０　
ｙ　１５＜、、ｘ　＋　ｙり４０　、　Ｏ（ｚ＜：（Ｌ
　５０であることを特徴とする。

ここで、ＩＦｅ、Ｏｏ、Ｎｉの比率は媒体の記録、再生
条件によってキエリー温度、補償温度等の物性を所望の
値にするため、任意に設定できる。

ただし、この組成系において、光磁気記録媒体として必
要条件である垂直磁化膜であるためには、’　＋　’Ｊ
　ｅ即ち、膜中の全希土類の比率を１５αｔ％から４０
αｔ％の範囲にする必要がある。

〔実施例〕

以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する（実施例
１） Ｎｄａｏ（Ｓｍｏ、１ｓＴｂｏ、ａｓ）ｚｓ、ｏ（？ｅ
ｏ、ａｓＯｏｏ、ｔｓ）７ｔ、ｏ　　なる組成の非晶質
膜な記録層とする光磁気記録媒体を、１．６μｍピッチ
のスパイラル状の案内溝を有する直径１２０ｍｍのポリ
カーボネート基板を用いて作成した。また比較例として
（Ｓｍｏ、ｚｓＴｂａ、５ｓ）２３．ｏ（’Ｐｅｏ、５
ｓ０００．１５）７７．０の組成の記録膜を有する光磁
気記録媒体を作成した。

第１図は本実施例のＮｄＳｍＴｂ１ＦｅＯｏ（・）と比
較例のＳｍＴｂＩＦθ０ｏ（−）を記録膜とした光磁気
記録媒体の再生ａ　／　Ｎ比の記録バイアス磁界依存性
を示したものである。本実施例の媒体のｏ　／　Ｎ比が
約１００００で飽和するのに対し、比較例のＮｄを含有
しない媒体は飽和するのに約３００　ｏｅ　のバイアス
磁界が必要なことがわかる、また、再生ａ　／　Ｎ比の
値も本発明の実施例の方が約２ｄＢ高く再生特性も優れ
ている。

（実施例２） Ｎｄ、（ＳｍｏｌｏＴｂｏ、５ｏ）２２．ｏ　（ｒｅｏ
、ａｏｏ□１ｌＬ２ｏ）ｙｓ、ｏ−ｘ　　なる組成にお
いて、Ｎｄ量Ｘを変化させて光磁気記録媒体を作成した
。

第２図はＮｄ量Ｘに対して、Ｏ／　Ｎ比の飽和に要する
記録バイアス磁界の大きさをプロットしたものである。

飽和バイアス磁界はＮｄｉの増加に伴い減少し、ｘ；６
（０６％）で最少となった後、増大する。一方、第３図
に示すように光磁気記録媒体の再生０　／　Ｎ比はｘ＝
８（０６％）程度まで斬増した後、急激に低下する。こ
のようなことを総合すると％Ｎｄｉとしては１０αｔ％
以下であれば、Ｎｄ添加の効果であるところの記録バイ
アス磁界の減少を再生信号の劣化を伴わずに実現するこ
とができる。

（実施例３） 本発明の実施例として第１表に示した組成の記録膜を有
する光磁気記録媒体を作成した。

さらに比較のために第２表に示す組成の記録膜を有する
光磁気記録媒体を作成した。

これらの実施例並びに比較例の記録媒体の０／Ｎ比の飽
和に要する記録バイアス磁界とｏ　／　Ｎ比を第３表に
示す。

第　　１　　表 第　　２　　表 第　　３　　表 本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいず゛れも比
較例Ｎα１１よりも小さい。またｏ　／　Ｎ比もＮｄの
入らないＮα１１の試料と同等か、それ以上の値が得ら
れる。さらに、希土類の比率が１５αｔ％未満であった
り４０αｔ％を越えると、或いはＳｍとＴｂの比率が３
＝７を越えた場合やＮｄ＃Ｌが１０αｔ％を越えたとき
、いずれの場合も飽和バイアス磁界の改善は認められる
が、大幅な０／Ｎ比の低下を伴うため好ましくないこと
がわかる〔発明の効果〕 以上に述べたように本発明によれば、光磁気記録媒体の
ｏ　／　Ｎ比の低下を伴うことなく、Ｏ／Ｎ比の飽和バ
イアス磁界の低減を行うことができる。従っ【、低バイ
アス磁界でも良好な記録、消去が可能な高性能な光磁気
記録媒体を供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＮｄＳｍＴｂ”Ｆｅ０ＯＩＪ（・）と
従来例のＳｍＴｂＦｅ０ｏ膜（論）を記録膜とする光磁
気記録媒体のａ　／　Ｎ比と記録バイアス磁界の関係を
示す図である。 第２図は本発明のＮｄｒ（ＳｍＯ，１０ＴＭ、９０）２
２．０　（Ｆｅｏ、ａ。 ００Ｇ、２０）７８．０−□を用いた光磁気記録媒体の
Ｎ　ｄ　量”と飽和バイアス磁界の関係を表わす図であ
る。 第３図は同じ＜　Ｈｄ量：ｔとＧ　／　Ｎ比の関係を表
わす図である。 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　上柳雅誉（他１名） 第１図 ０　　　　ダ　　　ｌＯ害 Ｎｄ量　ｘ（，２矛−／、） 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であって、組成を原子比で Ｎｄ＿ｘ（Ｓｍ＿ｚＴｂ＿１＿−＿ｚ）＿ｙ（Ｆｅ，Ｃ
   ｏ，Ｎｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙと表わしたと
   き ０＜ｘ≦１０ １５＜ｘ＋ｙ≦４０ ０＜ｚ≦０．３ であることを特徴とする光磁気記録媒体。