JPH03183039A - 光ディスク及びその製造方法 - Google Patents

光ディスク及びその製造方法

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JPH03183039A
JPH03183039A JP1321003A JP32100389A JPH03183039A JP H03183039 A JPH03183039 A JP H03183039A JP 1321003 A JP1321003 A JP 1321003A JP 32100389 A JP32100389 A JP 32100389A JP H03183039 A JPH03183039 A JP H03183039A
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layer
adhesive
optical disc
recording layer
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JP1321003A
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Masahiro Yatake
正弘 矢竹
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Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ディスク及びその製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来の光ディスクの構造は、特開昭６３−９４１４０の
様に記録層の側面がセラミック保護膜又は金属反射膜等
によって覆われていない。又、ＵＳＰ４，７３１，６２
０の様に紫外線硬化性樹脂による接着層は記録層が形成
されていない領域に限られる。更に、ＵＳＰ４，７３１
，６２０の様に熱硬化性樹脂による接着層は基板の外周
領域では基板と直接接合されている。
一方、従来の光ディスクの製造方法は紫外線硬化性又は
熱硬化の何れか一つを用いているに過ぎない。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、前述の光ディスクの構造は ■　基板の内周部及び外周部の接着強度が低い■　記録
層の側面が劣化しやすいという欠点がある。
更に、前述の光ディスクの製造方法は、■　熱硬化工程
で基板を平置きするため基板に歪みが生じ易い ■　接着剤の硬化工程等で接着剤が基板の側面にはみ出
す という欠点がある。
そこで、本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは記録層の耐候性を高めることで
あり、第２の目的は熱硬化工程での基板の縦置を可能に
することであり、第３の目的は熱硬化工程等における接
着剤のはみ出しを防止することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の光ディスクは （１）第１の基板、第２の基板、前記第１の基板と前記
第２の基板とを貼り合わせる接着層とを有する光ディス
クにおいて、 前記基板の上に延在する第１の保護層、該第１の保護層
の上に設けられた記録層、該記録膜の上に延在する第２
の保護層、該第２の保護層の上に延在し巨つ前記基板に
設けられたセンター穴より外側でしかも前記基板の外径
より内側の領域に設けられた前記反射層、及び該反射層
の上に延在し且つ前記反射層及び前記記録層の内径より
小さい径と前記反射層及び前記記録層の外径より大きい
径とに囲まれた領域に延在するセラミック層を有するこ
とを特徴とする。
（２）第１の基板、第２の基板、前記第１の基板と前記
第２の基板とを貼り合わせる接着層とを有する光ディス
クにおいて、 前記接着層が熱硬化性樹脂と紫外線硬化性樹脂とからな
ることを特徴とする特 （３）基板が、該基板の上に延在する第１の保護層、該
第１の保護層の上に設けられた記録層、前記記録膜の上
に延在する第２の保護層、該第２の保護層の上に延在し
月つ前記センター穴より外側でしかも前記基板の外径よ
り内側の領域に設けられた反射層を有することを特徴と
する。
（４）記録層が希土類−遷移金属合金からなることを特
徴とする。
（５）記録層が前記第１の基板又は前記第２の基板の一
方に形成されたことを特徴とする。
又、本発明の光ディスクの製造方法は （６）第１の基板、第２の基板、前記第１の基板と前記
第２の基板とを貼り合わせる接着層とからなり、前記基
板の上に薄膜を形成する工程と前記第１の基板と前記第
２の基板とを貼り合わせる工程とを有する光ディスクの
製造方法において、前記第１の基板又は前記第２の基板
に熱硬化性樹脂及び紫外線硬化性樹脂からなる接着剤を
塗布する工程、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼
り合わせる工程、前記貼り合わせた基板に紫外線を照射
する紫外線照射工程、該紫外線照射工程の後に前記貼り
合わせた基板を加熱する工程とを有することを特徴とす
る。
（７）基板の上に薄膜を形成する工程が、前記基板の上
に延在する第１の保護層を形成する工程、前記第１の保
護層の上に記録層を形成する工程、該記録膜の上に延在
する第２の保護層を形成する工程、前記第２の保護層の
上に延在し且つ前記基板に設けられたセンター穴より外
側でしかも前記基板の外径より内側の領域に反射層を形
成する工程、前記反射層の上に延在し且つ前記反射層及
び前記記録層の内径より内側でしかも前記反射層及び前
記記録層の外径より外側の領域に延在するセラミック層
を形成する工程とを有することを特徴とする。
（８）記録層が希土類−遷移金属合金からなることを特
徴とする。
（９）記録層が前記第１−の基板又は前記第２の基板の
一方に形成されたことを特徴とする。
〔実　施　例〕
〔実施例１〕 以下本発明について図面に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明になる光ディスクの概略図である。１お
よび９はポリカーボネートの基板、２および１０はＳｉ
ＡｇＮの第１の保護層、３および１１はＮｄＤｙＦｅＣ
ｏの記録層、４および１２は５ｉＡｊ７Ｎの第２の保護
層、５および１３はＡｇ層、６および１４はＳｉＡ、Ｑ
層Ｏ層、７は接着層、８および１５はハードコート層、
１６はセンター穴である。
１−および９のポリカーボネートの基板は射出圧縮成形
によって形成した。１や９のポリカーボネートの基板の
内外周部に記録層及び反射層がまわらないようにマスク
治具を取り付けて、ＳｉＡｇＮｏ層、ＮｄＤｙＦｅＣｏ
層、５ｔＡｊ７Ｎ層、Ａｇ層の順に連続成膜した。２お
よび１０の５ｉＡＩＮの第１の保護層は５ｉＡＪ７の焼
結ターゲットを用いて、窒素とアルゴンの混合ガスを用
いることによるＲＦ反応マグネトロンスパッタ法によっ
て成膜したものである。３および１１のＮｄＤｙＦｅＣ
ｏの記録層はＮｄＤｙＦｅＣｏの合金ターゲットを用い
たＤＣマグネトロンスパッタ法によって成膜したもので
ある。４及び１２の５ｉＡｐＮの第２の保護層は２およ
び１０のＳｉＡｇＮの第１の保護層と同様に、窒素とア
ルゴンの混合ガスを導入することによるＲＦ反応マグネ
トロンスパッタ法によって成膜したものである。５およ
び１３のＡ、Ｑ層はＡＮのターゲットを用いてアルゴン
ガスを導入することによるＤＣマグネトロンスパッタ法
によって成膜したものである。６および１４ＳｉＡＩＮ
の層はＳｉＡｇの合金ターゲットを用いて窒素と酸素と
アルゴンの混合ガスを用いることによるＲＦ反応マグネ
トロンスパッタ法によって成膜したものである。５や１
３のＡｇ層を成膜した後、真空系を一旦リークして、デ
ィスクの内外周を覆っていたマスク治具を取り外して成
膜した。７の接着層は大日本インキ化学工業のエピクロ
ンＳ−１２９と油化シェルエポキシのエビキュアーＩＢ
ＭＩ−１２と１，６−ヘキサンジオ−ルジアクリレート
とｔ−ブチルパーオキシイソブチレートとチバガイギー
社製のイルガキュアー９０７の混合物を、記録層が成膜
された側にリング状に塗布した。その後真空系内で別の
基板と合わせて、その貼り合わせた基板をホットプレー
ト上に乗せて加熱して接着剤を広げた。接着剤が均一に
広げられた後、メタル／ヘライドランプで紫外線を照射
して、記録層が成膜されていない部分の紫外線硬化接着
剤を硬化させて、それから５０℃で３時間６０℃で８時
間加熱して接着層を硬化させた。８および１５のｌ＼−
ドコート層はトリメチロールプロパントリアクリレート
と１．６−ヘキサンジオールジアクリレートとチバガイ
ギー社製のイルガキュアー９０７の混合物を基板表面に
スピンコードした後、高圧水銀灯により紫外線を照射し
て硬化させたものである。
次に、本発明になる光ディスクの貼り合わせ方法を従来
の方法を用いて作成した光ディスクを耐候性試験したと
きの性状を表１に示す。
表 比較例のエポキシ系の接着剤を用いて貼り合わせたもの
では、第１図の構造で反射層の上のセラミックス層がな
く、後はすべて同一の構造及び製造方法を用いて作成し
たものである。比較例のロールコートはホットメルト型
の接着剤をロールコート法によって塗布して貼り合わせ
たものである。
表１の結果をみると明らかなように、本発明になる光デ
ィスク及びその製造方法によれば高温高湿下に長時間放
置しても変化がない長期信頼性のある光ディスクになる
ことがわかる。
本発明はこれらの実施例の他に次の実施例でも同様な効
果をすることができる。
例えば実施例１ではＡＩの反射層の上のセラミックス層
は５ｉＡｆＩＮＯ層を例にとっているが、これらはＳ　
１Ａ１ｔ　ＢＮＯ，Ｓ　ｉ／ｌ　ＰＮＯＳＳ　ｆＰＯ等
のオキシナイトライド、ＳｉＮ、ＡρＮ１８Ｎ、ＳｔＡ
ρＮＳＳ　ｉＡｇＰＮＳＳ　ｉ／ｌ　ＢＮ等の窒化物の
他にＡ　ｉ）　Ｏｓ　Ｓ　１０−　Ｍ　ｇ　Ｏｚ　Ｂ　
ｅＯ等の酸化物、その他フッ化物、カーバイト硅化物等
透明、不透明にかかわらずほとんど全てのセラミックス
を用いることができる。
また、実施例１では、基板に第１の保護層、記録層、第
２の保護層、反射層の順に、その基板の外周部と内周部
に前記記録層が成膜されないようにした例について述べ
たが、記録層を保護層で挟んだ構造にした後、すなわち
反射層のない構造の上にセラミックス層を形成する構造
でも構わない。
又、第１及び第２の保護層が、記録層及び反射層より大
きく、例えば基板表面を全て覆っていても良い。
基板材料としてポリカーボネイト樹脂以外に、アクリル
樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹
脂及びそれらの重合樹脂でも良い。
〔実施例２〕 光ディスクの構造を第１図に示す。
接着層に用いたエポキシは主剤として大日本インキ化学
工業のエビクロンＳ−１２９を用いて、硬化剤は油化シ
ェルエポキシ（株）のＢＭＩ−１２を用いた。主剤と硬
化剤の配合比は重量で２０：１とした。光硬化性樹脂は
重量比でトリメチロールプロパントリアクリレート２０
と１．６−ヘキサンジオールジアクリレート１０の混合
物にチバガイギー社のイルガキュアー９０７を１、日本
化薬のＫＡＹＡＲＡＤ　　ＤＥＴＸを０，３、ジクミル
パーオキシドを１添加したものを用いた。エポキシ樹脂
と光硬化性樹脂の配合割合は重量比でエポキシ樹脂７０
に対して光硬化性樹脂３０である。
次に表２に、第１図に示す構成の光学的情報記録媒体に
おいて、接着剤を種々変更して貼り合わせたときの８０
℃９０％ＲＨ下で３０００時間耐候性試験後のピットエ
ラーレートを耐候性試験前のピットエラーレートで規格
化した値及びその時の性状を示す。
光ディスクの製造方法を以下に示す。射出圧縮成型によ
り１．６μピツチでスパイラル状のトラッキング用の溝
を形成したポリカーボネートの基板の溝を形成した側に
５ＬＡｊ７の焼結ターゲットを用いたＲＦ反応マグネト
ロンスパッタ法により８００人成膜した後、ＮｄＤｙＦ
ｅＣｏの合金ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパ
ッタ法により９００Ａ成膜して、さらにその上に５ｉＡ
Ｉの合金ターゲットを用いたＲＦ反応マグネトロンスパ
ッタ法により８００人成膜したものを２枚用いて接着剤
を種々変更して貼り合わせた。貼り合わせ方法は、ロー
ルコート法以外は基板の記録層部が形成され、ている側
に接着剤をドーナツ状に塗布した後、真空系内において
脱泡して真空系内で別の基板と貼り合わせて、上下の基
板の中心（センター）穴が合うようにして、超高圧水銀
灯を用いて８０ｍＷ／（７）のパワーで１５秒間照射し
紫外線接着剤を硬化させたあと、６０℃で５時間加熱し
て熱硬化性接着剤を仮硬化させて、１００℃で２時間加
熱して硬化させた。
エピクロン　Ｓ−１２９ エピクロン　８３０ エピクロン　８３０−Ｓ エピクロン　８５５ エピクロン　５２０ エピコート　８０７ エピコート　８０２ エピコート　８１５ エビキュア　ＩＢＭＩ−１，２ エビキュア　ＢＭＩ−１２ エビキュア　ＥＭＴ−２４ ＫＡＹＡＲＡＤ　ＩＩＤＤＡ ＫＡＹＡＲＡＤ　ＴＭＰＴＡ ＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＩＩＡ ＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＣＡ−６Ｏ ＮＫエステル　・ＴＭＰＴ ＮＫエステル　ＨＤ イルガキュア　６５１ 大日本インキ化学工業 油化シェルエポキシ 日本化薬 新中村化学工業 チバガイギ− イルガキュア　９０７　　　　チバガイギーグロキュア
　１１（６メルク ＫＡＹＡＣＵＲＥ　ＢＩＢＥ　　　　　　　日本化薬Ｋ
ＡＹＡＣＵＲＥ　ＤＥＴＸ　　　　　　　　　〃表２か
ら分かるように、本発明の光ディスクは８０℃９０％Ｒ
Ｈという条件下でもピットエラーレートが変化しないの
で長期信頼性があることがわかる。
尚、本発明は実施例２に限定されるものではなく、例え
ば記録層としてＮｄＤｙＦｅＣｏ層を用いたが、ＮｄＤ
ｙＴｂＦｅＣｏ層、ＧｄＴｂＦｅＣｏ層、ＴｂＦｅＣｏ
層等の光磁気記録層の他にＴｅ−ＴｅＯｘ層、Ｉｎ−Ａ
ｇ層等の光層変化型の記録層を用いても何等問題はない
。また保護層も５ｉＡＤＮ層の他にＳｉＮ層、Ｓｉ０層
、ＡＪ７Ｎ層等を用いてもよい。さらに本実施例では両
面型の光記録媒体を例にとっているが、例えば記録層を
成膜した基板と記録層のない基板とを貼り合わせるよう
な片面型の光記録媒体であってもよい。
本発明においては接着剤は主に主剤と硬化剤のみの組合
せであったが、硬化物の物性があまり変化しない程度に
反応性希釈剤、硬化促進剤、充填剤、シランカップリン
グ剤、レベリング剤、安定剤などの添加剤を添加しても
よい。
接着剤を加熱硬化させる時、基板の置き方によっては基
板に歪が入る。基板の平置きの場合著しく歪が生じるが
、縦置きでは歪はほとんど生じない。
また接着剤は、基板の外周部と内周部を紫外線で硬化さ
れているので、加熱硬化工程で接着剤がはみだすことは
ない。
エポキシ樹脂の主剤はビスフェノールＦ系やビスフェノ
ールＡ系に少量の反応性希釈剤を加えたもののように常
温において粘度が５０００ｃｐｓ以下のものを用いた方
が作業性がよく、貼り合わせやすいし脱泡も容易である
。泡を多く含んだままで貼り合わせると、接着剤の硬化
に伴う応力により信号に悪影響を及ぼしたり、信頼性の
低下をきたす。また、エポキシの硬化剤はイミダゾール
系やメンタンジアミンのような環状脂肪族アミン系を用
いた方が硬化物の耐熱性や接着剤のポットライフの点か
ら好ましい。この添加量は主剤に対して１％から１０％
が適当である。１％以下では接着剤の硬化に時間がかか
ったり、接着剤の硬化が不完全となりやすい。１０％以
上では接着剤のポットライフが短くなり機械を用いた塗
布が難しくなったり、硬化物の耐熱性が低下したりする
。
この添加量と主剤の成分により硬化物の特性が維持でき
て、ポットライフが５時間以上になるように調節すると
よい。硬化剤は常温で液体のものが主剤との混合が容易
になるため、常温で固形物のものは常温で液体のものと
混合したりして用いるとよい。
また、本発明で用いる光硬化性樹脂としては反応性が高
く、常温での粘度が低い方がよいので、光硬化性樹脂の
主成分はアクリレートモノマーやオリゴマーがよく、そ
の例としてはヘキサンジオールジアクリレート、ネオペ
ンチルグリコールジアクリレート、ブタンジオールジア
クリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリス
リトールトリ（テトラ）アクリレート、ジペンタエリス
リトールへキサアクリレートなどから選ばれた１種もし
くは２種以上の混合物を用いるとよい。硬化剤は３００
ｎｍより長い波長の吸収をもつものを用いる必要があり
、その例としてはメルク社のダロキュア−１１１６，２
２７３やチバガイギー社のイルガキュアー６５１．９０
７やベンゾインイソプロピルエーテルやベンゾインイソ
ブチルエーテルなどを用いるとよい。また、光の当たら
ないところも硬化させる必要な両面媒体の場合はジクミ
ルパーオキシドやベンゾイルパーオキシドのような過酸
化物を添加して光硬化性に熱硬化性を付与してもよい。
さらに、少量の増感剤、例えばジエチルチオキサント、
アントラセン、イソプロビルチオキザントンなどを加え
るのもよい。
〔実施例３〕 光ディスクの構造として第１図に示す構造を用いた。
ハードコート層はジペンタエリスリトールヘキサアクリ
レート３０％、１６−ヘキサンジオールジアクリレート
３０％、ウレタンアクリレート３５％、ベンジルジメチ
ルケタール３％、γ−グリシドキシプロビルトリメトキ
シシラン２％、ジアルキルスルホ琥珀酸ナトリウム１１
００ｐｐの混合物をスピンコード法によって基板の片面
に塗布した後、高圧水銀灯により光を照射して硬化させ
たものである。
次に、接着剤について説明する。（）は配合時の重量部
を示す。エポキシ環と（メタ）アクリロイル基を有する
化合物は、ビスフェノールＦの一方にアクリロイル基も
う一方にエポキシ環があるものと、ビスフェノールＦの
両側にエポキシ環を有するものの混合物（３０）を用い
た。エポキシの重合開始剤として、２−エチル−４−メ
チルイミダゾール（２）を用いた。
光重合開始剤として、チバガイギー社のイルガキュアー
９０７　（１）を用いた。有機過酸化物としてｔ−ブチ
ルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート（１）を用い
た。その他シランカップリング剤としてγ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン（１）を用いた。貼り合
わせは以下のようにして行なった。接着剤を光ディスク
の記録層が成膜されている側にリング状に塗布した後、
別の光ディスクと真空系内で貼り合わせて、取り出して
遠赤外線ランプでディスクを加熱して接着剤を広げて、
紫外線を照射してディスクを仮止めして、６０℃で５時
間加熱して光が透過しない部分の接着剤を硬化させた。
次に、第１図に示す構造の光ディスクを接着剤を変えて
貼り合わせたときの７０℃９０％ＲＨでの耐候性試験結
果を表１に示す。表１の結果を見ると明らかなように本
発明になる接着剤を用いて貼り合わせた光ディスクは耐
候性に優れ、長期信頼性があることがわかる。
表 ビスＡ−ＥＰ−ＡＣ：ビスフェノールＡにエピクロルヒ
ドリンとアクリル酸 を付加した化合物 ビスＡ−ＥＰ−ＥＰ　：ビスフェノールＡの両側にエピ
クロルヒドリンを付加 した化合物 ビスＦ−ＥＰ−ＡＣ：ビスフェノールＦにエビクロヒド
リンとアクリル酸を 付加した化合物 ビスＩ−ＥＰ−ＥＰ　：ビスフェノールＦの両側にエピ
クロルヒドリンを付加 した化合物 ビスＦ−ＡＣ−ＡＣ：ビスフェノールＦの両側にアクリ
ル酸を付加した化合 物 Ｈ−ＥＰ−ＡＣ：ヘキサンジオールにエピクロルヒドリ
ンとアクリル酸 を付加した化合物 パーブチルＯ：日本油脂製 バーロイル３５５　：　　ｌ〆 バーロイルＡ　　　：日本油脂製 イルガキュア９０７：チバガイギー社製イルガキュア６
５１：　　〃 ダロキュア２２７３　：メルク社製 ダロキュア１１６４：　　／／ ＩＢＭ！−１２：油化シェルエポキシのエビキュアＩＢ
ＭＩ−１２ ８ＭＩ−１２：　　　〃　　　　　　　エビキュアＢＭ
Ｉ−１２ 本発明において、接着剤に少なくともエポキシ環と（メ
タ）アクリロイル基またはメタクリロイル基を有する化
合物を用いると１、光照射によって硬化することができ
、熱によっても硬化することができる。熱硬化のみの性
質では、接着剤は貼り合わせて熱をかけたりすると、硬
化する前に粘度が低下して端の方からあふれるので、作
業性が悪い。従って、熱以外の方法で接着剤を仮止めし
ておく必要がある。本発明においては、記録層が戊辰さ
れていない部分まで接着層が回るようにして光を照射す
ることによってディスクを仮止めすることができるので
作業性がよい。光が透過しない記録層が戊辰されている
部分の接着剤は熱によって硬化することができるので問
題はない。以上のように本発明になる接着剤は光により
仮止めして熱により硬化する用途に向くことがわかる。
尚、本発明はこれらの実施例に限定されると考えられる
べきではなく、例えば本発明では記録層がＮｄＤｙＦｅ
Ｃｏの光磁気記録層について述べたが、ＴｂＦｅＣｏＳ
ＤｇＴｂＦｅＣｏや、ＧｄＴｂＦｅ等の他に、Ｔｅ−Ｔ
ｅ０ｘＳＴｅ　Ｉ　ｎＳｂ、Ｉ　ｎＡｇ等の光相変化型
、シアニン等の有機色素を用いた系でも適用できる。保
護層も５ｉＡＩＮＯ層の他に、ＳｉＮ層、ＡｇＮ層、Ｓ
ｉＯ層複合酸化物、複合酸窒化物等でも構わない。構造
も記録層を保護層で挟んだものに限らず、基板に直接記
録層を形成するものや、コンパクトディスクのように基
板に反射層を形成した構造でも構わない。
また、本実施例で示した接着剤の他に、エポキシ環を複
数あるいはアクリレート基を複数有する化合物を用いて
も良いし、アクリレートも、トリメチロールプロパント
リアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールへキサアクリレート等の多
官能の他に単官能アクリレートを用いても構わない。有
機過酸化物も作業性を考えて、室温から８０℃程度に分
解温度のあるものであれば構わない。シランカップリン
グ剤も、作業性を考えて、蒸気圧が比較的低く、８０℃
以下で反応可能なものであればよい。
本発明で用いるエポキシ環と（メタ）アクリロイル基を
有する化合物の例としては、エポキシ環の割合がアクリ
ロイル基またはメタクリロイル基の割合より多い方が接
着剤の硬化収縮率、耐熱性、密着力などの点から優れる
。より好ましくは、エポキシ環とアクリロイル基または
メタクリロイル基の比が９０：１０から７０　：　３０
の間にあった方がよい。
エポキシの硬化剤としては酸、アミン、アミドがあるが
、使用目的によって変えた方がよく、例えば、比較的透
明性を要求される場合は酸系の硬佐剤、低温で硬化させ
る場合はアミンやアミド系、常温で硬化させたい場合は
脂肪族または芳香族アミンを用いるとよく、液体の硬化
剤の方が作業性がよいので、固形物は液体の硬化剤と混
合したりして液状にして使用するとよい。
本発明で用いることのできるエポキシ環と（メタ）アク
リロイル基を有する化合物の例としては、ビスフェノー
ルＡやビスフェノールＦの両側にエポキシ環や（メタ）
アクリロイル基を有するような芳香族化合物やヘキサン
ジオールやブタンジオールの両側にエポキシ環や（メタ
）アクリロイル基を有するような脂肪族化合物などがあ
る。エポキシの重合開始剤の例としては常温硬化型とし
て脂肪族ポリアミン、ポリアミド樹脂、第３級アミン、
アミン塩などがあり、高温硬化型として芳香族ジアミン
、酸無水物、ルイス酸錯化合物などがある。その他イミ
ダゾール類などもある。
〔実施例４〕 以下本発明の製造方法について図面に基づいて詳細に説
明する。
第２図（ａ）から第２図（ｆ）は本発明になる光ディス
クの製造方法を説明するための概略図である。第２図（
ａ）は光ディスクを示し２１は基板の外周部の記録層が
成膜されない部分、２２は基板の内周部の記録層が成膜
されない部分、２３はディスクのセンターホール部であ
る。第２図（ｂ）は２４のデイスペンサーを用いて接着
剤を塗布している図である。第２図（Ｃ）は接着剤が塗
布された基板と別の基板を貼り合わせるところを示す図
で、２５はリング状に塗布された接着層である。第２図
（ｄ）は第２図（ｃ）で貼り合わせたディスクの接着剤
を２６のヒーターで広げるところを示す図である。第２
図（ｅ）は２７のメタルハライドランプを用いて、２８
の紫外線を照射して、２１や２２の部分の接着剤を硬化
させるところを示す図である。第２図（ｆ）は第２図（
ｅ）で硬化しなかった、２１や２２の部分以外の接着層
を熱で硬化させるもので、２つはオープンである。この
工程は（ａ）〜（ｆ）の順に進行する。
第３図は本発明になる光ディスクの基本構成図であり、
３０及び３６はポリカーボネートの基板、３１及び３７
はＳｉＡｇＮ層、３２及び３８はＴｂＦｅＣｏ層、３３
及び３つは５ｉＡｐＮ層、３４及び４０はＡ、Ｑ層、３
５は接着層、４１及び４２はハードコート層である。３
０及び３６のポリカーボネートの基板は射出圧縮成形に
よって形成した。３１及び３７のＳｉＡ、９Ｎ層はＳｉ
Ａ、Ｑの焼結ターゲットを用いて、窒素とアルゴンの混
合ガスを用いることによるＲＦ反応マグネトロンスパッ
タ法によって成膜したものである。３２及び３８のＴｂ
ＦｅＣｏ層はＴｂＦｅＣｏの合金ターゲットを用いたＤ
Ｃマグネトロンスパッタ法によって成膜したものである
。３３及び３つの５ｉＡＩＩＮ層は３１及び３７の５ｔ
Ａｊ７Ｎ層と同様に、窒素とアルゴンの混合ガスを導入
することによるＲＦ反応マグネトロンスパッタ法によっ
て成膜したものである。３４及び４０の１１層はＡＩの
ターゲットを用いてアルゴンガスを導入することによる
ＤＣマグネトロンスパッタ法によって成膜したものであ
る。３５の接着層は大日本インキ化学工業のエビクロン
Ｓ−１２９と油化シェルエポキシのエビキュアーＩＢＭ
Ｉ−１２と１，６−ヘキサンジオールジアクリレートと
ｔ−ブチルパーオキシイソブチレートとチバガイギー社
製のイルガキュアー９０７の混合物を、記録層が成膜さ
れた側にリング状に塗布した後、真空系内で別の基板と
合わせて、その貼り合わせた基板をホットプレート上に
乗せて加熱に接着剤を広げて、メタルハライドランプで
紫外線を照射して、記録層が成膜されていない部分の接
着剤を仮硬化させて、それから５０℃で３時間６０℃で
８時間加熱して接着層を硬化させた。４１及び４２のハ
ードコート層はトリメチロールプロパントリアクリレー
トと１６−ヘキサンジオールジアクリレートとチバガイ
ギー社製のイルガキュアー９０７の混合物を基板表面に
スピンコードした後、高圧水銀灯により紫外線を照射し
て硬化させたものである。
次に、従来の方法で光ディスクを作成した例について説
明する。ロールコート法で貼り合わせた光ディスクは、
７０℃９０％ＲＨで１０００時間耐候性試験したところ
、記録層が酸化してピットエラーレートが増大した。本
発明の光ディスクを同時に試験したがピットエラーレー
トの変化はなかった。通常のエポキシ樹脂を用いて貼り
合わせた光ディスクは貼り合わせ時の粘度が高かったた
め接着層が厚めになり、面振れ量が本発明になる光ディ
スクより大きくなった。通常のエポキシ樹脂を用いたも
のが最大７ミリラジアン、光ディスクが最大２ミリラジ
アンであった。また、通常のエポキシ樹脂を用いて貼り
合わせた光ディスクは、接着剤硬化時にディスクの外周
から溢れ出して光ディスクの概観を損なった。接着剤が
熱で硬化するタイプでは温度制御が難しく、基板が接着
層硬化時に動かないようにしておく必要があり、常温硬
化型の接着剤で貼り合わせると接着層硬化時に記録層に
応力がかかり再生信号のエンベロープが乱れ、エラーが
増加した。以上の様に従来の方法で作成した光ディスク
は耐候性が弱かったり、作成方法が難しく歩留りが低い
等の問題点を有している。しかし、本発明では従来発生
していた問題がない、信頼性が高く作成が容易な光ディ
スクであることがわかる。
実施例４に於て接着剤には少なくともエポキシの主剤及
び硬化剤、紫外線硬化樹脂の主剤及び硬化剤の混合物に
有機過酸化物を添加したものを用いるとよい。
エポキシの主剤の例としては、ビスフェノールＡ系、ビ
スフェノールＦ系、ノボラック系等に、低粘度エポキシ
である反応性希釈剤を添加したり、添加しなかったりす
るものを用いるとよい。反応性希釈剤の含有量が多くな
ると、接着剤の粘度が低下して作業性はよくなるが、接
着剤の耐熱性、反応性などが低下するので接着層の特性
が悪くなるので添加量はひかえた方がよい。
エポキシの硬化剤としては酸無水物、芳香族アミン、脂
肪族アミン、アミド等あるが、その中でポットライフが
常温で１から５０時間にあるものを用いるとよく、４０
℃から８０℃で硬化できる硬化剤を選択するとよい。そ
の例としては、２−エチル−４−メチルイミダゾール、
１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−イソブチ
ル−２−メチルイミダゾール等のイミダゾール系、メン
タンジアミン等の環状脂肪族アミンなどがある。
紫外線硬化樹脂の主剤としては常温で比較的低粘度のも
のがよく、しかも反応性の高いものをもちいるとよく、
その例としては１．６−ヘキサンジオールジアクリレー
ト、トリメチロールプロパントリアクリレート、ネオペ
ンチルグリコールジアクリレート、ジペンタエリスルト
ールへキサアクリレート、トリメチロールプロパンジア
クリレート等があるのでこれらを主成分にするとよい。
紫外線硬化樹脂の硬化剤の例としては３０００ｍより長
い波長に吸収があるものを用いる。その例としてはベン
ジルジメチルケタール、１−ヒドロキシシクロへキシル
フェニルケトン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フ
ェニルコース−モルフォリノ−１−プロパノン、ベンゾ
イン、ベンゾンエチルエーテル、ベンゾインイソブチル
エーテル、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒ
ドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２−ヒドロ
キシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、
３．３−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等が挙
げられる。
有機過酸化物の例としては４０℃から７０’Ｃに加熱す
ると数時間で分解するものが好ましく、その例としては
、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ミ
リスチルパーオキシジカーボネート、クミルパーオキシ
ネオヘキサノエート、ジ（２−エトキシエチル）パーオ
キシジカーボネート、（ジ（メトキシイソプロピル）パ
ーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシル）パ
ーオキシジカーボネート、ｔ−へキシルパーオキシネオ
デカノエート、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキシ
ド、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパ
ーオキシピバレート、３．５゜５−トリメチルヘキサノ
イルパーオキシド、オクタノイルパーオキシド、デカノ
イルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、クミルパ
ーオキシオクトエート、サクシン酸パーオキシド、アセ
チルバ−オキシド、ｔ−ブチルパーオキシ（２−エチル
ヘキサノエート）、ｍ−トルイルパーオキシド、ベンゾ
イルパーオキシド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレー
ト、１．１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）３，３．５
−トリメチルシクロヘキサン、１１−ビス（ｔ−ブチル
パーオキシ）シクロヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシマ
レイン酸、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔ−ブチ
ルパーオキシ３，５．５−トリメチルヘキサノエート、
シクロヘキサノンパーオキシド、ｔ−ブチルパーオキシ
アリルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピ
ルカーボネート、２，５−ジメチル２．５−ジ（ベンゾ
イルパーオキシ）へ牛サン、２．２−ビス（ｔ−ブチル
パーオキシ）オクタン、（−ブチルパーオキシアセテー
ト、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔ
−ブチルパーオキシベンゾエート等が挙げられる。
本発明において、貼り合わせ時の温度は接着剤の粘度に
より変える必要があり、常温より高くすることが好まし
いが、定状温度を得やすくするため、７０℃以下にする
ことが好ましい。より好ましくは４０℃から６０℃であ
る。接着剤を硬化させるための基板加熱は接着剤の硬化
温度に合わせて、４０℃から８０℃が好ましい。より好
ましくは５０℃から７０℃である。
本発明に於て、エポキシと紫外線硬化樹脂の配合割合は
エポキシ樹脂の配合割合が多い方が接着剤としての特性
がよく、エポキシと紫外線硬化樹脂の比が重量比で９５
；５から７０　：　３０が好ましい。ここでエポキシと
はエポキシの主剤と硬化剤のことを示し、紫外線硬化樹
脂とは紫外線硬化樹脂の主剤と硬化剤に有機過酸化物を
添加したものを示す。
本発明に於て、貼り合わせを減圧下で行なうと接着剤の
脱泡も容易になり、接着層に気泡を取り込みにくくなる
。
更に接着層について説明する。エポキシの主剤として大
日本インキ化学工業のエビクロンＳ−１２９を、エポキ
シの硬化剤として油化シェルエポキシのエビキュアーＢ
ＭＩ−１２を、光または熱カチオン重合開始剤としてチ
バガイギーのイルガキュアー２６１を、有機過酸化物と
してクメンヒドロパーオキシドを、シランカップリング
剤としてγ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン
を用いた。貼り合わせ方法はＢＭＩ−１２を３にイルガ
キュアー２６１を１、クメンヒドロパーオキシドを１、
γ−グリシドキシプロビルトリメトキシシランを２溶解
した硬化剤７重量％と、Ｓ−１２９を９３重量％とを混
合して、片方のディスクの記録層が成膜されている側の
記録半径のほぼ中心にドーナツ状に塗布して、真空系内
でもう片方のディスクと貼り合わせて、系をリークして
ディスクを回転させながら紫外線を照射してディスクを
仮止めした後、６０℃で５時間加熱して硬化させた。デ
ィスクは紫外線によって仮止めできるように、外周部と
内周部に記録層が形成されない部分がある。
次に、第１図において接着層を変えたときの７０℃９０
％ＲＨで３０００時間耐候性試験の結果を表１に示す。
表１の結果から分かるように、本発明になる光記録円板
は耐候性試験後も性状やピットエラーレートの変化がな
く、長期信頼性があることが分かる。また、本実施例で
は紫外線によってディスクの外周部と内周部を仮止めで
きるので量産性があることが分かる。
エピクロンＳ−１２９ エビクロン８３０−Ｓ　　大日本インキ化学工業、エビ
クロン５２０ イルガキュア２６１；　チバガイギー エビコート８０８　　　油化シェルエピキシエピコート
８０７ アデカドール５Ｏ−１２０；旭電化 尚、本発明はこれらの実施例に限定されると考えられる
べきではなく、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の変
更は可能である。例えば本発明ではＰＣ基板上にセラミ
ックス層、記録層、セラミックス層、金属層の４層構造
としたが、セラミックス層、記録層、セラミックス層の
３層構造を貼り合わせた構造でも全く問題はなく、セラ
ミックス層、記録層、セラミックス層を成膜したものを
セラミックス層１層だけ成膜されたＰＣ基板、あるいは
何も成膜されていないＰＣ基板と貼り合わせた片面構造
でも構わないし、接着層の成分にエポキシの硬化剤を含
まない系でも構わない。
また、セラミックス層の例としては、ＳｉＡ、ＱＮ層の
他に、ＳｉＮ層、Ａ４７Ｎ層、５ｉＡｌｔＮＯ層などで
もよく記録層を挟むセラミックス層の材質が異なってい
ても問題ない。記録層としてはＴｂＦｅＣｏ層の他に、
ＮｄＤｙＦｅＣｏ層、ＧｄＴｂＦｅ層等の光磁気記録層
の他に、Ｔｅ−ＴｅＯｘ層、Ｔｅ５ｂＡｓ等の相変化型
、シアニン等の有機色素を用いたものでも適用できる。
記録層の種類によってはセラミックス層は必要ない場合
もある。
さらに、本発明では紫外線を用いて仮止めをした例を示
したが、熱により硬化できる開始剤を用いると熱によっ
ても仮止めが可能となり、赤外線、マイクロ波、高周波
等を用いて硬化させることもできる。
本発明ではシランもしくは金属系のカップリング剤の添
加量は接着剤全重量の０．　５％から８％としたが、０
．５％未満では高温高湿下での密着力が弱くなるため信
頼性が劣り、逆に８％より多く添加するとカップリング
剤の分解によって生じる、アルコール、水、その他の低
分子量成分の影響によって耐候性が悪くなる傾向になる
。しかし、０．５％未満および８％より多く添加しては
いけないというのではなく、０．５％から８％の間が適
当というものである。より好ましくは、１％から５％程
度の添加量がよい。また、本発明では有機過酸化物を０
．　１から５重量％添加するが、０゜１％未満では接着
剤の硬化に時間がかかり、５％より多いと接着剤の物性
が悪くなる傾向にある。
ここでも、０．１％未満及び５％より多く添加してはい
けないというのではなく、０．１％から５％程度が適当
というものである。より好ましくは０、　５％から３％
の添加がよい。
エポキシの主剤としては低粘度のものが作業性がよいの
で、ビスフェノールＦ型、フェノールノボラック型やビ
スフェノールＡ型のエポキシに反応性希釈剤として少量
のグリシジルエーテル、ジグリシジルエーテル等を添加
したものを用いるとよい。この反応性希釈剤は硬化した
後のエボキシの物性を悪くするので、添加量は控えた方
がよく、３０重量％以下にした方がよい。
エポキシの硬化剤としては用いる環状脂肪族アミンとし
ては、１−イソブチル−２−メチルイミダゾール、２−
エチル−４（５）−メチルイミダゾール、１−ベンジル
−２−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、
イミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル４（５）
−メチルイミダゾール、メンタンジアミン、Ｎ−アミノ
メチルピペラジン、Ｎ−メチルモルホリン、１，３−ジ
アミノサイクロヘキサン、イソホロンジアミン等から選
んだ１種または２種以上の混合物を用いるとよい。なか
でもエポキシの主剤と混合したときのポットライフを比
較的長くするために、メンタンジアミンやイミダゾール
系を用いるとよく、その添加量は２％から７％程度が適
当である。２％以下ではエポキシの硬化が不十分になり
、７％以上ではポットライフが短くなる。より好ましく
は３％から５％が適当である。
本発明で接着剤のなかに添加するカップリング剤の例と
してはγ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメ
トキシシラン、γ−（アミノエチル）アミノプロピルメ
チルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロビルト
リメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミ
ノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、
γ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン、γ−メ
ルカプトプロピルトリメトキシシラン、メチルトリメト
キシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリア
セトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピル
メチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチ
ルジメトキシシラン、メチルトリクロロシラン、ジメチ
ルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、ビニルト
リクロルシラン、ビニルトリス（βメトキシエトキシ）
シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチ
ルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロビルメチ
ルジェトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、メチルジクロロシラ
ン、フェニルトリクロロシラン、ジフェニルジクロロシ
ラン、テトラメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラ
ンフェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシ
シラン、デシルトリメトキシシラン、テトラエトキシシ
ラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジェトキシ
シラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジェ
トキシシラン、ビストリメチルアセトアミドトリメチル
シリルアセトアミド、ビストリメチルシリルウレア、ｔ
ｅｒｔ−ブチルジメチルクロロシラン、イソプロピルト
リイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデ
シルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリ
ス（ジオクチルパイロフォスフェート）チタネート、テ
トライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタ
ネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルフォスファ
イト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメ
チル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）フォスファイ
トチタネート、ビス（ジオクチルパイロフォスフェート
）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイル
チタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイ
ルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリ
ルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルフォスフ
ェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニル
チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミドエチル◆ア
ミノエチル）チタネート、ジクミルフェニルオキシアセ
テートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネ
ート、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピエー
トなどが挙げられる。
これらのカップリング剤のなかでも、特にγ−グリシド
キプロピルトリメトキシシランやγ−メタクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン等のように沸点が１５０℃以
上あるものが取扱が容易である。
また、本発明で接着剤のなかに添加する有機過酸化物の
例としては、ベンゾイルパーオキシド、イソノナノイル
パーオキシド、ラウロイルバーオキシド、ｔ−ブチルパ
ー−２−エチルヘキサノエート、１．１−ビス（ｔ−ブ
チルパーオキシ）３．３．５、−１リメチルシクロヘキ
サン、ｔ−ブチルパーオキシイソプロビルカーボネート
、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、メチルエチルケ
トンパーオキシド、ｔ−ブチルハイドロパーオキシド、
ジクミルパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、ジ
−ｔ−ブチルバーオキシド等があげられる。これらの有
機過酸化物のなかでも半減期温度が６０℃から１００℃
にあるものがよく、その例としてはベンゾイルパーオキ
シド、イソノナノイルパーオキシド、ｔ−ブチルパー２
−エチルヘキサノエート、クメンヒドロパーオキシド、
］。
］１−ビスターシャリ−ブチルパーオキシ）３゜３．５
−トリメチルシクロヘキサン等である。
さらに、本発明ではこれらの添加剤の他に、濡れ性を改
善するための界面活性剤や、安定剤、酸化防止剤などを
添加しても問題ない。
〔発明の効果〕 以上述べたように発明によれば、 ■　耐候性に優れかつ長期信頼性のある光ディスクを工
業的に供給することが出来るようになった。
■　接着剤の加熱硬化工程で基板の変形及び歪みの発生
を防止でき信頼性の高い光ディスクを歩留良く製造する
ことが出来るようになった。
■　接着剤の加熱硬化工程で接着剤が基板の間からはみ
出すことが無くなり、はみ出した接着剤の除去工程が不
要となり製造工程が簡素化でき更に接着剤の除去に伴う
不良の発生を絶滅させることができた。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光ディスクの一実施例を示す主要断面
図。 第２図は本発明の光ディスクの製造方法の一実施例を示
す主要工程図。 第３図は従来の光ディスクを示す主要断面図。 １．９・・ポリカーボネートの基板 ２．１０・ＳｔＡρＮの第１保護層 １１・ＮｄＤｙＦｅＣｏの記録層 １２・５ｉＡ（ＩＮの第２保護層 １３・Ａ、１７層 １４・５ｉＡＩＮｏ層 ・・・接着層 １５・ハードコート層 ・・・センター穴 ・・・基板の外周部の記録層が成膜されない部分 ・・基板の内周部の記録層が成膜され ない部分 ・ディスクのセンター穴部 ・デイスペンサー ・リング状に塗布された接着層 ・ヒーター ・メタルハライドランプ ・紫外線 ◆オーブン ・ポリカーボネートの基板 ・５ｉＡＪ７Ｎ層 ２３・　・　・ ２４　・　・　・ ２５　・　・　・ ２６　・　・　・ ２７　・　・　・ ２８・　・　・ ２９　・　・　・ ３０．３６ ３１．３７ ２２・　・ ３２． ３３． ３４． ３５・ ４１． ４３　・ ３８・ＴｂＦｅＣｏ層 ３つ・５ｉＡｐＮ層 ４０・Ａ１層 ・・・接着層 ４２・ハードコート層 ・・・センター穴

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）第１の基板、第２の基板、前記第１の基板と前記
    第２の基板とを貼り合わせる接着層とを有する光ディス
    クにおいて、 前記基板の上に延在する第１の保護層、該第１の保護層
    の上に設けられた記録層、該記録膜の上に延在する第２
    の保護層、該第２の保護層の上に延在し且つ前記基板に
    設けられたセンター穴より外側でしかも前記基板の外径
    より内側の領域に設けられた前記反射層、及び該反射層
    の上に延在し且つ前記反射層及び前記記録層の内径より
    小さい径と前記反射層及び前記記録層の外径より大きい
    径とに囲まれた領域に延在するセラミック層を有するこ
    とを特徴とする光ディスク。
  2. （２）第１の基板、第２の基板、前記第１の基板と前記
    第２の基板とを貼り合わせる接着層とを有する光ディス
    クにおいて、 前記接着層が熱硬化性樹脂と紫外線硬化性樹脂とからな
    ることを特徴とする光ディスク。
  3. （３）基板が、該基板の上に延在する第１の保護層、該
    第１の保護層の上に設けられた記録層、前記記録膜の上
    に延在する第２の保護層、該第２の保護層の上に延在し
    且つ前記センター穴より外側でしかも前記基板の外径よ
    り内側の領域に設けられた反射層を有することを特徴と
    する請求項２記載の光ディスク。
  4. （４）記録層が希土類−遷移金属合金からなることを特
    徴とする請求項１又は３記載の光ディスク。
  5. （５）記録層が前記第１の基板又は前記第２の基板の一
    方に形成されたことを特徴とする請求項１又は３記載の
    光ディスク。
  6. （６）第１の基板、第２の基板、前記第１の基板と前記
    第２の基板とを貼り合わせる接着層とからなり、前記基
    板の上に薄膜を形成する工程と前記第１の基板と前記第
    ２の基板とを貼り合わせる工程とを有する光ディスクの
    製造方法において、前記第１の基板又は前記第２の基板
    に熱硬化性樹脂及び紫外線硬化性樹脂からなる接着剤を
    塗布する工程、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼
    り合わせる工程、前記貼り合わせた基板に紫外線を照射
    する紫外線照射工程、該紫外線照射工程の後に前記貼り
    合わせた基板を加熱する工程とを有することを特徴とす
    る光ディスクの製造方法。
  7. （７）基板の上に薄膜を形成する工程が、前記基板の上
    に延在する第１の保護層を形成する工程、前記第１の保
    護層の上に記録層を形成する工程、該記録膜の上に延在
    する第２の保護層を形成する工程、前記第２の保護層の
    上に延在し且つ前記基板に設けられたセンター穴より外
    側でしかも前記基板の外径より内側の領域に反射層を形
    成する工程、前記反射層の上に延在し且つ前記反射層及
    び前記記録層の内径より内側でしかも前記反射層及び前
    記記録層の外径より外側の領域に延在するセラミック層
    を形成する工程とを有することを特徴とする請求項６記
    載の光ディスクの製造方法。
  8. （８）記録層が希土類−遷移金属合金からなることを特
    徴とする請求項７記載の光ディスクの製造方法。
  9. （９）記録層が前記第１の基板又は前記第２の基板の一
    方に形成されたことを特徴とする請求項７記載の光ディ
    スクの製造方法。
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