JPH03190144A - テープキャリア方式の半導体装置 - Google Patents
テープキャリア方式の半導体装置Info
- Publication number
- JPH03190144A JPH03190144A JP1327166A JP32716689A JPH03190144A JP H03190144 A JPH03190144 A JP H03190144A JP 1327166 A JP1327166 A JP 1327166A JP 32716689 A JP32716689 A JP 32716689A JP H03190144 A JPH03190144 A JP H03190144A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tape carrier
- semiconductor device
- carrier type
- type semiconductor
- chip
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、テープキャリア（ＴＡＢ）方式の半導体装置
（ｒｃ）の構造に関するものである。
（ｒｃ）の構造に関するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば（１）特
開平１−１１４０６１号、（２）「エレクトロニクス実
装技術Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」１９８９年７月、 Ｖｏｌ、５
Ｎｏ、７ Ｐ、３４〜３７ ■情報調査会発行に記
載されるようなものがあった。
開平１−１１４０６１号、（２）「エレクトロニクス実
装技術Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」１９８９年７月、 Ｖｏｌ、５
Ｎｏ、７ Ｐ、３４〜３７ ■情報調査会発行に記
載されるようなものがあった。
第３図はかかる従来のテープキャリア方式の半導体装置
の断面図、第４図は従来のテープキャリア方式の半導体
装置を配線基板に実装した例を示す断面図である。
の断面図、第４図は従来のテープキャリア方式の半導体
装置を配線基板に実装した例を示す断面図である。
これらの図において、ＩＣチップ１はＡｕハンプ２を有
しており、フィルムキャリア（ポリイミドフィルム）３
に支持されたＴＡＢリード４力ぐ、前記Ａｕバンプ２に
接続されるようになっている。
しており、フィルムキャリア（ポリイミドフィルム）３
に支持されたＴＡＢリード４力ぐ、前記Ａｕバンプ２に
接続されるようになっている。
このテープキャリア方式の半導体装置は、配線基板７上
に実装される。そして、ＴＡＢリード４には導体を介し
て終端抵抗としてのチップ抵抗器５が接続され、更に、
導体６を介して入出力端子８へと接続されている。
に実装される。そして、ＴＡＢリード４には導体を介し
て終端抵抗としてのチップ抵抗器５が接続され、更に、
導体６を介して入出力端子８へと接続されている。
（発明が解決とする課題）
しかしながら、高周波領域でテープキャリア方式の半導
体装置を使用する場合、信号線の終端抵抗はＩＣチップ
のパッドから少なくともＴＡＢＩＪ−ド４の長さ分、離
れているため、終端抵抗のＩＣチップのバンド側の端子
とＩＣチップ１のパッドとの間にオープン・スタブ（ｏ
ｐｅｎ ５ｔｕｂ）が形成され、それによるインピーダ
ンスの不整合で反射が起こるという問題点があった。
体装置を使用する場合、信号線の終端抵抗はＩＣチップ
のパッドから少なくともＴＡＢＩＪ−ド４の長さ分、離
れているため、終端抵抗のＩＣチップのバンド側の端子
とＩＣチップ１のパッドとの間にオープン・スタブ（ｏ
ｐｅｎ ５ｔｕｂ）が形成され、それによるインピーダ
ンスの不整合で反射が起こるという問題点があった。
本発明は、以上述べた終端抵抗とＩＣチップのパッド間
に形成されるオープン・スタブの影響を除去するため、
ＩＣチップ側のパッドの近くに終端抵抗を設けることに
より、インピーダンスの不整合点をなくすようにしたテ
ープキャリア方式の半導体装置を提供することを目的と
する。
に形成されるオープン・スタブの影響を除去するため、
ＩＣチップ側のパッドの近くに終端抵抗を設けることに
より、インピーダンスの不整合点をなくすようにしたテ
ープキャリア方式の半導体装置を提供することを目的と
する。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、半導体チップの
バンプにインナボンディングされるテープキャリア方式
の半導体装置において、前記半導体チップのバンプと接
続されるテープキャリア方式のリードの接触面と反対側
のリード面に終端抵抗モジュール基板を接続し、信号を
終端させるようにしたものである。
バンプにインナボンディングされるテープキャリア方式
の半導体装置において、前記半導体チップのバンプと接
続されるテープキャリア方式のリードの接触面と反対側
のリード面に終端抵抗モジュール基板を接続し、信号を
終端させるようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、第１図に示すように、Ａｇペーストで
形成されたバンプ１６をＴＡＢリード４に接続して、テ
ープキャリア方式の半導体チップ１のパッド近傍に終端
抵抗を設けるようにしたので、テープキャリア式のリー
ドで形成されていたオープン・スタブによるインピーダ
ンスの不整合を除去することができ、反射損失の減少を
図ることができる。
形成されたバンプ１６をＴＡＢリード４に接続して、テ
ープキャリア方式の半導体チップ１のパッド近傍に終端
抵抗を設けるようにしたので、テープキャリア式のリー
ドで形成されていたオープン・スタブによるインピーダ
ンスの不整合を除去することができ、反射損失の減少を
図ることができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示すテープキャリア方式の半
導体装置の断面図、第２図はそのテープキャリア方式の
半導体装置の抵抗モジュール基板の斜視図である。
導体装置の断面図、第２図はそのテープキャリア方式の
半導体装置の抵抗モジュール基板の斜視図である。
これらの図において、１〜４は前記したものと同様のも
のであり、ここでは同一番号を付して、それらの説明を
省略する。
のであり、ここでは同一番号を付して、それらの説明を
省略する。
これらの図に示すように、抵抗モジュール基板１０は、
アルミナ基板１１、導体１２、抵抗体１３を有している
。そこで、アルミナ基板１１の表面側に導体１２を設け
、この導体１２に抵抗体１３を接続すると共に、Ａｇペ
ーストで形成されたバンプ１６を形成する。更に、スル
ーホール１４を介して、アルミナ基板１１の裏面側にも
導体１５を設ける。
アルミナ基板１１、導体１２、抵抗体１３を有している
。そこで、アルミナ基板１１の表面側に導体１２を設け
、この導体１２に抵抗体１３を接続すると共に、Ａｇペ
ーストで形成されたバンプ１６を形成する。更に、スル
ーホール１４を介して、アルミナ基板１１の裏面側にも
導体１５を設ける。
次に、抵抗モジュール基板１０に、ＩＣチップ１のＡｕ
バンプ２にフィルムキャリア（ポリイミドフィルム）３
に支持されたＴＡＢＩＪ−ド４が接続された半導体装置
を載せ、Ａｇペーストで形成されたバンプ１６を硬化さ
せる。つまり、Ａｇペーストで形成されたバンプ１６を
ＴＡＢリード４に接続することにより、テープキャリア
方式のＩＣチップ１のパッド近傍に終端抵抗を設けるよ
うにする。
バンプ２にフィルムキャリア（ポリイミドフィルム）３
に支持されたＴＡＢＩＪ−ド４が接続された半導体装置
を載せ、Ａｇペーストで形成されたバンプ１６を硬化さ
せる。つまり、Ａｇペーストで形成されたバンプ１６を
ＴＡＢリード４に接続することにより、テープキャリア
方式のＩＣチップ１のパッド近傍に終端抵抗を設けるよ
うにする。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、テープ
キャリア方式の半導体チップのパッド近傍に終端抵抗を
設けるようにしたので、テープキャリア式のリードで形
成されていたオープン・スタブによるインピーダンスの
不整合を除去することができ、反射損失の減少を図るこ
とができる。つまり、信号を確実に終端させることがで
きる。
キャリア方式の半導体チップのパッド近傍に終端抵抗を
設けるようにしたので、テープキャリア式のリードで形
成されていたオープン・スタブによるインピーダンスの
不整合を除去することができ、反射損失の減少を図るこ
とができる。つまり、信号を確実に終端させることがで
きる。
また、終端抵抗をテープキャリア式の半導体チップのア
ウタリードの外側に付ける必要がないので、実装面積を
削減することができる。
ウタリードの外側に付ける必要がないので、実装面積を
削減することができる。
更に、前記半導体チップのバンプと接続されるテープキ
ャリア方式のリードの接触面と反対側のリード面に終端
抵抗モジュール基板を接続するだけの簡単な構成で済み
、そのモジュール基板の裏面にはベタ層の裏面導体を形
成するだけでよい。
ャリア方式のリードの接触面と反対側のリード面に終端
抵抗モジュール基板を接続するだけの簡単な構成で済み
、そのモジュール基板の裏面にはベタ層の裏面導体を形
成するだけでよい。
第１図は本発明の実施例を示すテープキャリア方式の半
導体装置の断面図、第２図は本発明の実施例を示すテー
プキャリア方式の半導体装置の抵抗モジュール基板の斜
視図、第３図は従来のテープキャリア方式の半導体装置
の断面図、第４図は従来のテープキャリア方式の半導体
装置の配線基板への実装状態断面図である。 １・・・ＩＣチップ、２・・・Ａｕバンプ、３・・・フ
ィルムキャリア、４・・・ＴＡＢリード、１０・・・抵
抗モジュール基板、１１・・・アルミナ基板、１２・・
・導体、１３・・・抵抗体、１４・・・スルーホール、
１５・・・裏面導体、１６・・・バンプ。
導体装置の断面図、第２図は本発明の実施例を示すテー
プキャリア方式の半導体装置の抵抗モジュール基板の斜
視図、第３図は従来のテープキャリア方式の半導体装置
の断面図、第４図は従来のテープキャリア方式の半導体
装置の配線基板への実装状態断面図である。 １・・・ＩＣチップ、２・・・Ａｕバンプ、３・・・フ
ィルムキャリア、４・・・ＴＡＢリード、１０・・・抵
抗モジュール基板、１１・・・アルミナ基板、１２・・
・導体、１３・・・抵抗体、１４・・・スルーホール、
１５・・・裏面導体、１６・・・バンプ。
Claims (1)
- 半導体チップのバンプにインナボンディングされるテー
プキャリア方式の半導体装置において、前記半導体チッ
プのバンプと接続されるテープキャリア方式のリードの
接触面と反対側のリード面に終端抵抗モジュール基板を
接続するようにしたことを特徴とするテープキャリア方
式の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1327166A JPH07114217B2 (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | テープキャリア方式の半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1327166A JPH07114217B2 (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | テープキャリア方式の半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190144A true JPH03190144A (ja) | 1991-08-20 |
| JPH07114217B2 JPH07114217B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=18196046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1327166A Expired - Lifetime JPH07114217B2 (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | テープキャリア方式の半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07114217B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04113440U (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-05 | 日本電気株式会社 | フイルムキヤリア |
| US6091318A (en) * | 1999-06-22 | 2000-07-18 | Dallas Semiconductor Corporation | Integral bump technology sense resistor |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP1327166A patent/JPH07114217B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04113440U (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-05 | 日本電気株式会社 | フイルムキヤリア |
| US6091318A (en) * | 1999-06-22 | 2000-07-18 | Dallas Semiconductor Corporation | Integral bump technology sense resistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07114217B2 (ja) | 1995-12-06 |
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