JPH034593A - 薄膜基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 セラミック材より成るベースに絶縁層を介して複数の導
体層が積層される薄膜基板に関し、極力、導体層の表面
を空気中に露出させ、誘電率を・低くすることで導体層
における信号伝播速度の向上を図ることを目的とし、 第１と第２の導体層の表面が空気中に露出されるが如く
、該第１と第２の導体層との間に介在する第１の絶縁層
が該第２の導体層をマスクとして、該第２と第３の導体
層との間に介在する第２の絶縁層が該第３の導体層をマ
スクとしてそれぞれエツチングされることで除去され、
該第１の絶縁層と、該第２の導体層との形状および該第
２の絶縁層と、該第３の導体層との形状がそれぞれ同じ
に形成されるように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明はセラミック材より成るベースに絶縁層を介して
複数の導体層が積層される薄膜基板に関する。

近年、電子計算機の高速化、高機能化の推進に伴い、こ
れらの構成に用いられる回路基板の高密度化が強く要求
されるようになった。

したがって、このような回路基板としては薄膜によるパ
ターン形成が行われ、パターンの層間を絶縁体により絶
縁することで多層化した高密度の薄膜基板が使用されて
いる。

〔従来の技術〕

従来は第４図の従来の斜視図に示すように構成されてい
た。

第４図に示すように、セラミ・レフ材より成るベースｌ
の表面１Ａに導電材の金属をスパッタまたは蒸着によっ
て形成される薄膜の第１の導体層２を張架し、ポリイミ
ド樹脂材などの有機絶縁材による第１の絶縁層１０を介
在することで第１の導体層２に交差するように第１の導
体層２と同様の薄膜による第２の導体層３が張架され、
更に、同様の有機絶縁材による第２の絶縁層１１を介在
することで第２の導体層３に交差するように第１の導体
層２と同様の薄膜による第３の導体層４が張架されるよ
うに構成されている。

したがって、第１と第２と第３の導体層２．３．４をそ
れぞれ第１と第２の絶縁層１０．１１を介することで積
層し、ベース１に多層のパターンを形成することが行わ
れていた。

また、このような積層は第５図の（ａ）〜（ｅ）の従来
の製造工程図に示す工程によって製造が行われていた。

第５図の（ａ）に示すように、ベース１の表面１Ａに第
１の導体層２を積層し、（ｂ）に示すように、第１の導
体層２を覆うように、第１の絶縁層１０の積層を行う。

次に、（ｃ）に示すように、第１の絶縁層１０の上層１
０Ａに第２の導体層３を積層し、（ｄ）に示すように、
第２の導体層３を覆うように、第２の絶縁層１１の積層
を行い、最後に、第２の絶縁層１１の上層１１Ａに第３
の導体順番を積層することで製造が行われていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

このような第１と第２の絶縁層ｉｏ、ｔｔ　としては、
通常、セラミック材などの無機絶縁材またはポリイミド
樹脂材などの有機絶縁材が用いられている。

無機絶縁材を用いた場合は、絶縁体として低熱抵抗であ
り、導体層との密着強度が強（、かつ、物理的強度が大
きいが、比誘電率が高いため、信号伝播速度が遅くなる
欠点がある。

一方、有機絶縁材を用いた場合は、低熱抵抗物理的強度
などの点では無機絶縁材より劣るが、比誘電率が低いた
め、信号伝播速度が緩和され、高速化に関して有利とな
る。

しかし、最近の電子計算機の高速度化の厳しい要求では
、有機絶縁材による絶縁でも信号伝播速度の遅れが無視
できない状況にある。

したがって、有機絶縁材による絶縁が用いられていでも
、パターンを形成する導電層に対する誘電率を低下させ
、より信号伝播速度の向上が図れることが要求されてい
る。

そこで、本発明では、極力、導体層の表面を空気中に露
出させ、導体層に対する誘電率を低くすることで信号伝
播速度の向上を図ることを目的とする。

（課題を解決するための手段〕 第１図は本発明の原理説明図である。

第１図に示すように、第１と第２の導体層２．３の表面
２Ａ、３Ａが空気中に露出されるが如く、該第１と第２
の導体層（２，３）との間に介在する第１の絶縁層５が
該第２の導体層３をマスクとして、該第２と第３の導体
層３．４との間に介在する第２の絶縁層６が該第３の導
体層４をマスクとしてそれぞれエツチングされることで
除去され、該第１の絶縁層５と、該第２の導体層３との
形状および該第２の絶縁層６と、該第３の導体層４との
形状がそれぞれ同じに形成されるように構成する。

二のように構成することによって前述の課題は解決され
る。

〔作用〕

即ち、第１の導体層２に交差されるように、第１の絶縁
層５を介在することで張架される第２の導体層３をマス
クにすることで、第１の絶縁層５をエツチングにより除
去し、第１の導体層２を空気中に露出させることが行え
、また、第２の導体層３に交差されるように、第２の絶
縁層６を介在することで張架される第３の導体層４をマ
スクにすることで、第２の絶縁層６をエツチングにより
除去し、第２の導体層３を空気中に露出させることが行
えるようにしたものである。

したがって、第１と第２と第３の導体層２．３．４のそ
れぞれの表面は交差個所を除いて空気中に露出されるこ
とになり、従来のような、第１と第２の導体層２．３が
第１と第２の絶縁層１０．１１によって覆われる構成に
比較して、第１と第２の導体層２．３に対する誘電率を
低下させることができ、信号伝播速度の向上が図れる。

〔実施例〕

以下本発明を第２図および第３図を参考に詳細に説明す
る。第２図は本発明による一実施例の斜視図、第３図の
（ａ）〜軸）は本発明の製造工程図である。企図を通じ
て、同一符号は同一対象物を示す。

第２図に示すように、セラミック材より成るベースの表
面１Ａに張架された第１の導体層２には、第１の絶縁層
５を介して交差されるように第２の導体層３が張架され
、更に、第２の導体層３には第２の絶縁層６を介して交
差されるように第３の導体層４が張架され、第１の絶縁
層５の形状が第２の導体層３の形状と同じに、また、第
２の絶縁層６の形状が第３の導体層４と同じにそれぞれ
形成されるように構成したものである。

そこで、第１の導体層２は第２の導体層３と交差する個
所を除いて表面２Ａが空気中に露出され、また、第２の
導体層３は第３の導体層４と交差する個所を除いて表面
３Ａが空気中に露出されるように形成されている。

したがって、第１と第２の導体層２．３は第１と第２の
絶縁層５．６によって覆われることがないため、第１と
第２の導体層２．３に於ける誘電率を低下させることが
できる。

また、このような積層は第３図に示す製造工程によって
容易に行うことができる。

第２図の（ａ）に示すように、ベースｌの表面１Ａに第
１の導体層２を形成し、（ｂ）に示すように、第１の導
体層２を覆うように第１の絶、像層５の積層を行う。

この場合の第１の絶縁層５の積層は、例えば、ポリイミ
ド樹脂の溶液を所定の膜厚に塗布、硬化させることで行
われる。

次に、（ｃ）に示すように、第１の絶縁層５の上層５Ａ
に第２の導体層３の形成を行い、（ｄ）に示すように第
２の導体層３をマスクとしてウェットエツチングまたは
ドライエツチングによって第１の絶縁層５の除去を行い
、第２の導体層３が張架された真下にのみ第１の絶縁層
５が残るようにする。

更に、（ｅ）に示すように、全体を覆うように第２の絶
縁層６の積層を前述の第１の絶縁層５の積層と同様に行
い、第２の絶縁層６の積層された上層６Ａには（ｆ）に
示すように、第３の導体層４を形成し、前述の第１の絶
縁層５の除去と同様の要領によって第３の導体層４をマ
スクにして第２の絶縁層６の除去を行うことで（ｇ）に
示すように、第３の導体層４が張架された真下にのみ第
２の絶縁層６が残るように形成することができる。

このように形成するとベースｌの表面１Ａに積層される
第１．第２および第３の導体層２．３．４の全ての表面
２Ａ、３Ａ、４Ａは空気中に露出されることになり、従
来のような導体層の全てが絶縁層に埋設されるのと比較
して導体層に対する誘電率が低くなることは明らかであ
る。

したがって、それぞれの導体層に於ける信号伝播速度を
アップさせることが行える。

尚、本発明では第１．第２および第３の導体層２．３．
４を積層することで説明を行ったが、同様の積層により
第３の導体層４の上層に、更に第３と第４の絶縁層を介
在されせることで第４と第５の導体層を積層するように
形成した場合でも同様に構成することが可能であり、こ
のように構成した場合でも同等の効果を得ることができ
る。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、導体層間に積層
される絶縁層を上層の導体層をマスクとして除去するこ
とで所定の導体層の表面を空気中に露出させるように形
成することができる。

したがって、導体層に於ける誘電率を低（し、信号伝播
速度の向上が図れ、特に、高速化が要求される電子計算
機に於いて、実用的効果は大である。

第４図は従来の斜視図。

第５図の（ａ）〜（ｅ）は従来の製造工程図を示す。

図において、 ■はベース、　　　　　　２は第１の導体層。

３は第２の導体層、　　４は第３の導体層。

５は第１の絶縁層、　　６は第２の絶縁層。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理説明図。 第２図は本発明による一実施例の斜視図。 第３図の（ａ）〜（ｇ）は本発明の製造工程図。 ４第３の′４俸贋 ｇ！Ｉｊ１　　図 第　２　■ （３） 杢−８月の製ミニ程図 ６第２の矩恨警 従来の剖惺図 第　４　（￥ｌ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　セラミック材より成るベース（１）の表面（１Ａ）に
   張架された第１の導体層（２）と、該第１の導体層（２
   ）に積層された第１の絶縁層（５）を介在して該第１の
   導体層（２）に交差するよう張架される第２の導体層（
   ３）と、該第２の導体層（３）に積層された第２の絶縁
   層（６）を介在して該第２の導体層（３）に交差するよ
   う張架される第３の導体層（４）とを備えた薄膜基板で
   あって、 前記第１と第２の導体層（２，３）の表面（２Ａ，３Ａ
   ）が空気中に露出されるが如く、前記第１の絶縁層（５
   ）が前記第２の導体層（３）をマスクとして、前記第２
   の絶縁層（６）が前記第３の導体層（４）をマスクとし
   てそれぞれエッチングされることで除去され、該第１の
   絶縁層（５）と、該第２の導体層（３）との形状および
   該第２の絶縁層（６）と、該第３の導体層（４）との形
   状がそれぞれ同じに形成されることを特徴とする薄膜基
   板。