JPH0473149B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は光導電性組成物に関し、詳しくはレー
ザ特に長波長側に発振波長を有する半導体レーザ
を光源とした電子写真方式プリンター用電子写真
感光体に適した光導電性組成物に関するものであ
る。 レーザを光源とした電子写真方式プリンター
は、画像情報に応じた電気信号によつて、レーザ
の変調を行なわせ、この変調されたレーザをガル
バノミラーなどによつて感光体上に光走査して静
電潜増を形成した後、トナー現像および転写を順
次施すことにより、所望の再生画像を形成するこ
とができる。この際に用いられていたレーザは、
一般にヘリウム−カドミウム（発振波長：
441.6nm）やヘリウム−ネオン（発振波長：
632.8nm）などのガスレーザであつた。従つて、
この様な光源に対して用いられる感光体は、
650nm程度までに分光増感されていればよく、例
えばポリビニルカルバゾールとトリニトロフルオ
レノンとの電荷移動錯体を感光層に用いたもの、
セレンによつて増感させたテルル蒸着層を感光体
に用いたもの、電荷輪送層としてセレン蒸着層を
導電層上に形成し、このセレン蒸着層上にセレン
−テルル蒸着層を形成させたことからなる感光層
を用いたもの、増感色素によつて分光増感させた
硫化カドミウムを感光層に用いたもの、また有機
顔料を含有した電荷発生層と電荷輸送層に機能分
離し、その感光波長域を長波長側まで増感した感
光層を用いたものなどが知られている。 ところで、近年レーザとして小型でしかも低コ
ストの上、直接変調が可能な半導体レーザが開発
されているが、このレーザの発振波長が750nm以
上の波長を有していることが多い。従つて、この
様な半導体レーザを用いて電子写真画像の形成を
行なう場合には、レーザ感応被膜の吸収特性は長
波長側に吸収ピーク（一般に750nm〜850nmの領
域）を有する必要がある。 しかし、これまでのレーザ感応被膜、特に無機
材料を主成分として形成した被膜は、レーザ光に
対する反射率が高いため、レーザの利用率が低く
なり、高感度特性が得られない欠点を有してお
り、しかも感応波長域を750nm以上とすること
は、レーザ感応被膜の層構成を複雑化したり、さ
らには繰り返し帯電−露光を行なつているうち
に、使用した増感染料が退色してしまうなどの欠
点を有している。 また、赤外線に対して光導電性を示す化合物と
して米国特許第4315983号公報や「Reseach
Disclosure」（リサーチ・デイスクロジヤー）
20517（1981，５）に開示のピリウム化合物が提案
されているが、一般に有機化合物は長波長側に吸
収特性を有するものほど、熱に対して不安定なも
のが多く、しかも高感度特性を得るには技術的に
困難なことが多い。 本発明の目的は、熱に対して安定し、しかも
750nm以上の波長光に対して高感度特性を有する
光導電性組成物を提供することにある。 本発明の別の目的は、長波長光を光源とした電
子写真方式プリンターに使用できる電子写真感光
体を提供することにある。 本発明のかかる目的は、下記一般式(1)で示され
るシアニン化合物を含有する光導電性組成物およ
びかかる光導電性組成物を用いた電子写真感光体
によつて達成される。 一般式 (1) Z₁およびZ₂は、置換または未置換の含窒素複素
環、例えば、チアゾール系列の核（例えばチアゾ
ール、４−メチルチアゾール、４−フエニルチア
ゾール、５−メチルチアゾール、５−フエニルチ
アゾール、４，５−ジメチルチアゾール、４，５
−ジフエニルチアゾール、４−（２−チエニル）−
チアゾールなど），ベンゾチアゾール系列の核
（例えばベンゾチアゾール、５−クロロベンゾチ
アゾール、５−メチルベンゾチアゾール、６−メ
チルベンゾチアゾール、５，６−ジメチルベンゾ
チアゾール、５−ブロモベンゾチアゾール、５−
フエニルベンゾチアゾール、５−メトキシベンゾ
チアゾール、６−メトキシベンゾチアゾール、
５，６−ジメトキシベンゾチアゾール、５，６−
ジオキシメチレンベンゾチアゾール、５−ヒドロ
キシベンゾチアゾール、６−ヒドロキシベンゾチ
アゾール、４，５，６，７−テトラヒドロベンゾ
チアゾールなど）、ナフトチアゾール系列の核
（例えばナフト〔２，１−ｄ〕チアゾール、ナフ
ト〔１，２−ｄ〕チアゾール、５−メトキシナフ
ト〔１，２−ｄ〕チアゾール、５−エトキシナフ
ト〔１，２−ｄ〕チアゾール、８−メトキシナフ
ト〔２，１−ｄ〕チアゾール、７−メトキシナフ
ト〔２，１−ｄ〕チアゾールなど）、チオナフテ
ン〔７，６−ｄ〕チアゾール系列の核（例えば７
−メトキシチオナフテン〔７，６−ｄ〕チアゾー
ル）、オキサゾール系列の核（例えば４−メチル
オキサゾール、５−メチルオキサゾール、４−フ
エニルオキサゾール、４，５−ジフエニルオキサ
ゾール、４−エチルオキサゾール、４，５−ジメ
チルオキサゾール、５−フエニルオキサゾール）、
ベンゾオキゾール系列の核（例えばベンゾオキサ
ゾール、５−クロロベンゾオキサゾール、５−メ
チルベンゾオキサゾール、５−フエニルベンゾオ
キサゾール、６−メチルベンゾオキサゾール、
５，６−ジメチルベンゾオキサゾール、５−メト
キシベンゾオキサゾール、６−メトキシベンゾオ
キサゾール、５−ヒドロキシベンゾオキサゾー
ル、６−ヒドロキシベンゾオキサゾールなど）、
ナフトオキサゾール系列の核（例えばナフト
〔２，１−ｄ〕オキサゾール、ナフト〔１，２−
ｄ〕オキサゾールなど）、セレナゾール系列の核
（例えば４−メチルセレナゾール、４−フエニル
セレナゾールなど）、ベンゾセレナゾール系列の
核（例えばベンゾセレナゾール、５−クロロベン
ゾセレナゾール、５−メチルベンゾセレナゾー
ル、５，６−ジメチルベンゾセレナゾール、５−
メトキシベンゾセレナゾール、５−メチル−６−
メトキシベンゾセレナゾール、５，６−ジオキシ
メチレンベンゾセレナゾール、５−ヒドロキシベ
ンゾセレナゾール、４，５，６，７−テトラヒド
ロベンゾセレナゾールなど）、ナフトセレナゾー
ル系列の核（例えばナフト〔２，１−ｄ〕セレナ
ゾール、ナフト〔１，２−ｄ〕セレナゾール）、
チアゾリン系列の核（例えばチアゾリン、４−メ
チルチアゾリン、４−ヒドロキシメチル−４−メ
チルチアゾリン４，４−ビス−ヒドロキシメチル
チアゾリンなど）、オキサゾリン系列の核（例え
ばオキサゾリン）、セレナゾリン系列の核（例え
ばセレナゾリン）、２−キノリン系列の核（例え
ばキノリン、６−メチルキノリン、６−クロロキ
ノリン、６−メトキシキノリン、６−エトキシキ
ノリン、６−ヒドロキシキノリン）、４−キノリ
ン系列の核（例えばキノリン、６−メトキシキノ
リン、７−メチルキノリン、８−メチルキノリ
ン）、１−イソキノリン系列の核（例えばイソキ
ノリン、３，４−ジヒドロイソキノリン）、３−
イソキノリン系列の核（例えばイソキノリン）、
３，３−ジアルキルインドレニン系列の核（例え
ば３，３−ジメチルインドレニン、３，３−ジメ
チル−５−クロロイソドレニン、３，３，５−ト
リメチルイソドレニン、３，３，７−トリメチル
インドレニン）、ピリジン系列の核（例えばピリ
ジン、５−メチルピリジン）、ベンゾイミダゾー
ル系列の核（例えば１−エチル−５，６−ジクロ
ロベンゾイミダゾール、１−ヒドロキシエチル−
５，６−ジクロロベンゾイミダゾール、１−エチ
ル−５−クロロベンゾイミダゾール、１−エチル
−５，６−ジブロモベンゾイミダゾール、１−エ
チル−５−フエニルベンゾイミダゾール、１−エ
チル−５−フルオロベンゾイミダゾール、１−エ
チル−５−シアノベンゾイミダゾール、１−（β
−アセトキシエチル）−５−シアノベンゾイミダ
ゾール、１−エチル−５−クロロ−６−シアノベ
ンゾイミダゾール、１−エチル−５−フルオロ−
６−シアノベンゾイミダゾール、１−エチル−５
−アセチルベンゾイミダゾール、１−エチル−５
−カルボキシベンゾイミダゾール、１−エチル−
５−エトキシカルボニルベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−スルフアミルベンゾイミダゾー
ル、１−エチル−５−Ｎ−エチルスルフアミルベ
ンゾイミダゾール、１−エチル−５，６−ジフル
オロベンゾイミダゾール、１−エチル−５，６−
ジシアノベンゾイミゾール、１−エチル−５−エ
チルスルホニルベンゾイミダゾール、１−エチル
−５−メチルスルホニルベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−トリフルオロメチルベンゾイミダ
ゾール、１−エチル−５−トリフルオロメチルス
ルホニルベンゾイミダゾール、１−エチル−５−
トリフルオロメチルスルフイニルベンゾイミダゾ
ールなど）を完成するに必要な非金属原子群を表
わす。 A₁およびA₂は、置換又は未置換の５員若しく
は６員環を形成する２価の炭化水素基（−CH₂−
−CH₂−、−CH₂−CH₂−CH₂−、

【式】−CH＝CH−など）を示し、 これらの５員又は６員環はベンゼン環、ナフタレ
ン環などと縮合されていてもよい。 R₁およびR₂は、水素原子又はアルキル基（例
えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso
−プロピル基、ｎ−ブチル基、sec−ブチル基、
iso−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、
ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル
基、ｔ−オクチル基など）を示し、さらに他のア
ルキル基、例えば置換アルキル基（例えば、２−
ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル
基、４−ヒドロキシブチル基、２−アセトキシエ
チル基、カルボキシメチル基、２−カルボキシエ
チル基、３−カルボキシプロピル基、２−スルホ
エチル基、３−スルホプロピル基、４−スルホブ
チル基、３−スルフエートプロピル基、４−スル
フエートブチル基、Ｎ−（メチルスルホニル）−カ
ルバミルメチル基、３−（アセチルスルフアミル）
プロピル基、４−（アセチルスルフアミル）ブチ
ル基など）、環式アルキル基（例えば、シクロヘ
キシル基など）、アリル基（CH₂＝CH−CH₂−）、
アラルキル基（例えば、ベンジル基、フエネチル
基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル
基など），置換アラルキル基（例えば、カルボキ
シベンジル基、スルホベンジル基、ヒドロキシベ
ンジル基など）を包含する。 R₃およびR₄は水素原子又はハロゲン原子（塩
素原子、臭素原子、沃素原子）を示す。 Ｘ は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ
化物イオン、過塩素酸塩イオン、ベンゼンスルホ
ン酸塩イオン、Ｐ−トルエンスルホン酸塩イオ
ン、メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、
プロピル硫酸塩イオンなどの陰イオンを表わし、
Ｘ はR₁および（または）R₂自体が陰イオン
基、例えば−SO₃ ，OSO₂ 、−COO 、
SO₂ NH−、−SO₂−Ｎ −CO−、−SO₂−
Ｎ −SO₂−を含むときには存在しない。ｍお
よびｎは、０又は１を示し、ｌは１又は２を示
す。 次に、前記一般式(1)で示されるシアニン化合物
の代表例を挙げる。 本発明の好ましい具体例では、感光層を電荷発
生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光体
における電荷発生物質に前記一般式(1)に示すシア
ニン化合物を用いることができる。電荷発生層
は、十分な吸光度を得るために、できる限り多く
の前記シアニン化合物を含有し、且つ発生した電
荷キヤリアの飛程を短かくするために、薄膜層、
例えば５ミクロン以下、好ましくは0.01ミクロン
〜１ミクロンの膜厚をもつ薄膜層とすることが好
ましい。このことは、入射光量の大部分が電荷発
生層で吸収されて、多くの電荷キヤリアを生成す
ること、さらに発生した電荷キヤリアを再結合や
補護（トラツプ）により欠活することなく電荷輸
送層に注入する必要があることに帰因している。 電荷発生層は、前述のシアニン化合物を適当な
バインダーに分散させ、あるいはバインダーとと
もに溶解させこれを基体の上に塗工することによ
つて形成できる。電荷発生層を塗工によつて形成
する際に用いうるバインダーとしては広範な絶縁
性樹脂から選択でき、またポリーＮ−ビニルカル
バゾール、ポリビニルアントラセンやポリビニル
ピレンなどの有機光導電性ポリマーから選択でき
る。好ましくは、ポリビニルブチラール、ポリア
リレート（ビスフエノールＡとフタル酸の縮重合
体など）、ポリカーボネート、ポリエステル、フ
エノキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、
ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド、ポリビニ
ルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、
エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙
げることができる。電荷発生層中に含有する樹脂
は、80重量％以下、好ましくは40重量％以下が適
している。 これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類に
よつて異なり、また下述の電荷輸送層や下引層を
溶解しないものから選択することが好ましい。具
体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどのアルコール類、アセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサンなど
のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類、
ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸
メチル、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホ
ルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化
炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン
化炭化水素類あるいはベンゼン、トルエン、キシ
レン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロ
ルベンゼンなどの芳香族類などを用いることがで
きる。 塗工は、浸漬コーテイング法、スプレーコーテ
イング法、スピンナーコーテイング法、ビードコ
ーテイング法、マイヤーバーコーテイング法、ブ
レードコーテイング法、ローラーコーテイング
法、カーテンコーテイング法などのコーテイング
法を用いて行なうことができる。乾燥は、室温に
おける指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好まし
い。加熱乾燥は、30℃〜200℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なう
ことができる。 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接
続されており、電界の存在下で電荷発生層から注
入された電荷キヤリアを受け取るとともに、これ
らの電荷キヤリアを表面まで輸送できる機能を有
している。この際、この電荷輸送層は、電荷発生
層の上に積層されていてもよく、またその下に積
層されていてもよい。しかし、電荷輸送層は、電
荷発生層の上に積層されていることが望ましい。 電荷輸送層における電荷キヤリアを輸送する物
質（以下、単に電荷輸送物質という）は、前述の
電荷発生層が感応する電磁波の波長域に実質的に
非感応性であることが好ましい。ここで言う「電
磁波」とは、γ線、Ｘ線、紫外線、可視光線、近
赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する広義の
「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応
性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーバ
ーラツプする時には、両者で発生した電荷キヤリ
アが相互に補護し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。 電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸
送性物質があり、電子輸送性物質としては、クロ
ルアニル、ブロモアニル、テトラシアノエチレ
ン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−ト
リニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−
テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，７−
トリニトロ−９−ジシアノメチレンフルオレノ
ン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン等の電子
吸引性物質やこれら電子吸引物質を高分子化した
もの等がある。 正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチル
カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、
Ｎ−メチル−Ｎ−フエニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフ
エニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチル
カルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジノ−
３−メチリデン−10−エチルフエノチアジン、
Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラジノ−３−メチリデン
−10−エチルフエノキサジン、Ｐ−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒドラ
ゾン、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ
−α−ナフチル−Ｎ−フエニルヒドラゾン、Ｐ−
ピロリジノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニ
ルヒドラゾン、１，３，３−トリメチルインドレ
ニン−ω−アルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフエニルヒド
ラゾン、Ｐ−ジエチルベンズアルデヒド−３−メ
チルベンズチアゾリノン−２−ヒドラゾン等のヒ
ドラゾン類、２，５−ビス（Ｐ−ジエチルアミノ
フエニル）−１，３，４−オキサジアゾール、１
−フエニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリ
ン、１−〔キノリル(2)〕−３−（Ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニ
ル）ピラゾリン、１−〔ピリジル(2)〕−３−（Ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルア
ミノフエニル）ピラゾリン、１−〔６−メトキシ
−ピリジル(2)〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾ
リン、１−〔ピリジル(3)〕−３−（Ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニ
ル）ピラゾリン、１−〔レピジル(2)−３−（Ｐ−ジ
エチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミ
ノフエニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル(2)〕−３
−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−
５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、
１−〔ピリジル(2)−３−（α−メチル−Ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフ
エニル）ピラゾリン、１−フエニル−３−（Ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５−（Ｐ
−ジエチルアミノフエニル）ピラゾリン、１−フ
エニル−３−（α−ベンジル−Ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニ
ル）ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾ
リン類、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６
−ジエチルアミノベンズオキサゾール、２−（Ｐ
−ジエチルアミノフエニル）−４−（Ｐ−ジメチル
アミノフエニル）−５−（２−クロロフエニル）オ
キサゾール等のオキサゾール系化合物、２−（Ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−６−ジエチルアミ
ノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合物、ビ
ス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフエニル）
−フエニルメタン等のトリアリールメタン系化合
物、１，１−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ
−２−メチルフエニル）ヘプタン、１，１，２，
２−テトラキス（４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−
２−メチルフエニル）エタン等のポリアリールア
ルカン類、トリフエニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニル
アントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９
−ビニルフエニルアントラセン、ピレン−ホルム
アルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアル
デヒド樹脂等がある。 これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セ
レン−テルル、アモルフアスシリコン、硫化カド
ミウムなどの無機材料も用いることができる。 また、これらの電荷輸送物質は、１種または２
種以上組合せて用いることができる。 電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、
適当なバインダーを選択することによつて被膜形
成できる。バインダーとして使用できる樹脂は、
例えばアクリル樹脂、ポリアリレート、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリ
ロニトリル−スチレンコポリマー、アクリロニト
リル−ブタジエンコポリマー、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂、あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピ
レンなどの有機光導電性ポリマーを挙げることが
できる。 電荷輸送層は、電荷キヤリアを輸送できる限界
があるので、必要以上に膜厚を厚くすることがで
きない。一般的には、５ミクロン〜30ミクロンで
あるが、好ましい範囲は８ミクロン〜20ミクロン
である。塗工によつて電荷輸送層を形成する際に
は、前述した様な適当なコーテイング法を用いる
ことができる。 この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造か
らなる感光層は、導電層を有する基体の上に設け
られる。導電層を有する基体としては、基体自体
が導電性をもつもの、例えばアルミニウム、アル
ミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、チタン、ニツケル、イ
シジウム、金や白金などを用いることができ、そ
の他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金
などを真空蒸着法によつて被膜形成された層を有
するプラスチツク（例えば、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレ
フタレート、アクリル樹脂、ポリフツ化エチレン
など）、導電性粒子（例えば、カーボンブラツク、
銀粒子など）を適当なバインダーとともにプラス
チツクの上に被覆した基体、導電性粒子をプラス
チツクや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有
するプラスチツクなどを用いることができる。 導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着
機能をもつ下引層を設けることもできる。下引層
は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセ
ルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポ
リアミド（ナイロン６、ナイロン66、ナイロン
610、共重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイ
ロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、酸化アル
ミニウムなどによつて形成できる。 下引層の膜厚は、0.1ミクロン〜５ミクロン、
好ましくは0.5ミクロン〜３ミクロンが適当であ
る。 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層し
た感光体を使用する場合において電荷輸送物質が
電子輸送性物質からなるときは、電荷輸送層表面
を正に帯電する必要があり、帯電後露光すると露
光部では電荷発生層において生成した電子が電荷
輸送層に注入され、そのあと表面に達して正電荷
を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間
に静電コントラストが生じる。この様にしてでき
た静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視
像が得られる。これを直接定着するか、あるいは
トナー像を紙やプラスチツクフイルム等に転写
後、現像し定着することができる。 また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上
に転写後現像し、定着する方法もとれる。現像剤
の種類や現像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれを採用しても良く、特定のものに
限定されるものではない。 一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場
合、電荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、
帯電後、露光すると露光部では電荷発生層におい
て生成した正孔が電荷輸送層に注入され、その後
表面に達して負電荷を中和し、表面電位の減衰が
生じ未露光部との間に静電コントラストが生じ
る。現像時には電子輸送物質を用いた場合とは逆
に正電荷性トナーを用いる必要がある。 本発明の別の具体例としては、前述のシアニン
化合物を電荷輸送物質とともに同一層に含有させ
た電子写真感光体を挙げることができる。この
際、前述の電荷輸送物質の他にポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾールとトリニトロフルオレノンからなる
電荷移動錯化合物を用いることができる。 この例の電子写真感光体は、前述のシアニン化
合物と電荷移動錯化合物を適当な有機溶媒に溶解
されたポリエステル溶液中に分散あるいは溶解さ
せた後、被膜形成させて調製できる。 いずれの感光体においても、用いる光導電性組
成物は一般式(1)で示されるシアニン化合物を含有
するものから選ばれ、この際、シアニン化合物は
少なくとも１種類含有し、必要に応じて光吸収の
異なるシアニン化合物を組合せて、使用した感光
体の感度を高めたり、パンクロマチツクな感光体
を得るなどの目的で一般式(1)で示されるシアニン
化合物を２種類以上組合せたり、または公知の染
料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合せて使
用することも可能である。 本発明の電子写真感光体はレーザープリンター
に利用するのみならず、RTプリンター等の電子
写真応用分野にも広く用いることができる。 また、本発明の光導電性組成物は、前述の電子
写真感光体の他に、太陽電池や光センサーに用い
ることもできる。太陽電池は、例えば酸化インジ
ウムとアルミニウムによつて前述の光導電性組成
物をサンドイツチすることによつて調製できる。 以下、本発明を実施例に従つて説明する。 実施例 １ アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモ
ニア水溶液（カゼイン11.2ｇ、28％ アンモニア
水１ｇ、水222ml）を浸漬コーテイング法で塗工
し、乾燥して塗工量1.0ｇ／m²の下引層を形成し
た。 次に、前述の化合物No.(1)の化合物１重量部とブ
チラール樹脂（エスレツクBM−２：積水化学(株)
製）１重量部をイソプロピルアルコール30重量部
に加えた後、攪拌して溶解させた。この溶液を先
に形成した下引層の上に浸漬コーテイング法で塗
工し、乾燥して電荷発生層を形成した。この時の
膜厚は0.3μであつた。 次に、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
Ｎ−フエニル−Ｎ−α−ナフチルヒドラゾン１重
量部、ポリスルホン樹脂（P1700：ユニオンカー
バイド社製）１重量部とモノクロルベンゼン６重
量部を混合し、攪拌機で攪拌溶解した。この液を
電荷発生層の上に浸漬コーテイング法で塗工し、
乾燥して電荷輸送層を形成した。この時の膜厚
は、12μであつた。 こうして調製した感光体に−5KVのコロナ放
電を行なつた。この時の表面電位を測定した（初
期電位Vo）。さらに、この感光体を５秒間暗所で
放置した後の表面電位を測定した（暗減衰Vs）。
感度は、暗減衰した後の電位Vsを1/2に減衰する
に必要な露光量（Ｅ1/2マイクロジユール／cm²）
を測定することによつて評価した。この際、光源
としてガリウム、アルミニウム・ヒ索半導体レー
ザー（発振波長780nm）を用いた。これらの結果
は、次のとおりであつた。 Vo： −580ボルト Vs： −550ボルト Ｅ1/2： 12.5マイクロジユール／cm² 実施例 ２〜14 実施例１で用いた化合物No.(1)の化合物に代え
て、第１表に示す化合物をそれぞれ用いたほか
は、実施例１と全く同様の方法で感光体を調製
し、この感光体の特性を測定した。これらの結果
を第１表に示す。

【表】 実施例 15 厚さ100ミクロン厚のアルミ板上にカゼインの
アンモニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚1.1ミ
クロンの下引層を形成した。 次に、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレ
ノン５ｇとポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平
均分子量300000）５ｇをテトラヒドロフラン70ml
に溶かして電荷移動錯化合物を形成した。 この電荷移動錯化合物と前述の化合物No.(1)の化
合物１ｇをポリエステル樹脂（バイロン：東洋紡
製）５ｇをテトラヒドロフラン70mlに溶かした液
に加え、分散した。この分散液を下引層の上に乾
燥後の膜厚が12ミクロンとなる様に塗布し、乾燥
した。 こうして調製した感光体の帯電特性を実施例１
と同様の方法で測定した。これの結果は、次のと
おりであつた。但し、帯電極性はとした。 Vo： 520ボルト Vs： 470ボルト Ｅ1/2： 25.4マイクロジユール／cm² 実施例 16 アルミ蒸着ポリエチレンフタレートフイルムの
アルミ面上に膜厚1.1ミクロンのポリビニルアル
コールの被膜を形成した。 次に、実施例１で用いた前述の化合物No.(1)を含
有したポリビニルブチラール液を先に形成したポ
リビニルアルコール層の上に乾燥後の膜厚が0.5
ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布し、乾燥
して電荷発生層を形成した。 次に、構造式 のピラゾリン化合物５ｇとポリアリレート樹脂
（ビスフエノールＡとテレフタル酸−イソフタル
酸の縮重合体）５ｇをテトラヒドロフラン70mlに
溶かした液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が10
ミクロンとなる様に塗布し、乾燥して電荷輸送層
を形成した。 こうして調製した感光体の帯電特性を実施例１
と同様の方法によつて測定した。これの結果は、
次のとおりであつた。 Vo： −560ボルト Vs： −520ボルト Ｅ1/2： 9.4マイクロジユール／cm² 前述の各実施例から判るとおり、本発明の電子
写真感光体は、750nm以上の波長域で著しい高感
度特性を有するとともに、初期電位や暗減衰など
の帯電特性に優れている。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 下記一般式(1)で示される化合物を含有するこ
   とを特徴とする光導電性組成物。 一般式 (1) （式中、Z₁およびZ₂は置換又は未置換の含窒素
   複素環を完成するに必要な原子群を示す。A₁お
   よびA₂は置換又は未置換の５員若しくは６員環
   を形成する２価の炭化水素基を示す。R₁および
   R₂は、水素原子又は置換もしくは未置換のアル
   キル基を示す。R₃およびR₄は、水素原子又はハ
   ロゲン原子を示す。Ｘ は、陰イオンを示す。
   ｍおよびｎは０又は１を示し、ｌは１又は２を示
   す。）