JPH0529546A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH0529546A JPH0529546A JP3182540A JP18254091A JPH0529546A JP H0529546 A JPH0529546 A JP H0529546A JP 3182540 A JP3182540 A JP 3182540A JP 18254091 A JP18254091 A JP 18254091A JP H0529546 A JPH0529546 A JP H0529546A
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- semiconductor integrated
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体集積装置に関し、デイジィ・
チェーン回路をチップ上で構成する半導体集積回路を提
供することを目的としている。 【構成】 所定の機能を有する論理セルが配置されるコ
ア領域部と、該コア領域部の論理セルと外部との間の信
号を伝達する入出力セルが配置されるI/Oセル領域部
と、該I/Oセル領域部の入出力セルの入出力端子とな
るパッドが配置されるパッド領域部とからなるチップ領
域を有する半導体集積回路であって、前記パッド領域部
には所定サイズのパッドを前記チップ領域の各辺に対し
てほぼ水平位置に複数配設してなるパッド列を複数列形
成し、該各パッド列の任意のパッドを接続してデイジィ
・チェーン回路を形成し、この場合、パッドの形状を長
方形とし、前記複数列のパッド列はパッドの長手方向に
対して互いに所定量ずらして配置するように構成する。
チェーン回路をチップ上で構成する半導体集積回路を提
供することを目的としている。 【構成】 所定の機能を有する論理セルが配置されるコ
ア領域部と、該コア領域部の論理セルと外部との間の信
号を伝達する入出力セルが配置されるI/Oセル領域部
と、該I/Oセル領域部の入出力セルの入出力端子とな
るパッドが配置されるパッド領域部とからなるチップ領
域を有する半導体集積回路であって、前記パッド領域部
には所定サイズのパッドを前記チップ領域の各辺に対し
てほぼ水平位置に複数配設してなるパッド列を複数列形
成し、該各パッド列の任意のパッドを接続してデイジィ
・チェーン回路を形成し、この場合、パッドの形状を長
方形とし、前記複数列のパッド列はパッドの長手方向に
対して互いに所定量ずらして配置するように構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路に係
り、詳しくは、半導体回路の試験・評価の分野に用いて
好適な、内部に試験回路を備えた半導体集積回路に関す
る。近年、半導体集積回路(以下、IC:Integrated C
ircuitという)の大規模化とともに、パッケージの小型
化のため、ICの外部端子となるピン数の増大、及びピ
ン間ピッチの少ピッチ化が進行している。
り、詳しくは、半導体回路の試験・評価の分野に用いて
好適な、内部に試験回路を備えた半導体集積回路に関す
る。近年、半導体集積回路(以下、IC:Integrated C
ircuitという)の大規模化とともに、パッケージの小型
化のため、ICの外部端子となるピン数の増大、及びピ
ン間ピッチの少ピッチ化が進行している。
【0002】これらのICをプリント配線基板に実装し
て量産するためには、システムメーカ側では事前にサン
プルICを使用して実際に実装し、ピン間でのショート
や、プリント配線基板のハガレ等の不具合がないことを
確認する必要がある。
て量産するためには、システムメーカ側では事前にサン
プルICを使用して実際に実装し、ピン間でのショート
や、プリント配線基板のハガレ等の不具合がないことを
確認する必要がある。
【0003】
【従来の技術】従来のこの種の半導体集積回路として
は、例えば、図5に示すようなものがある。この半導体
集積回路は、デイジィ・チェーン(daisy chain)と呼
ばれる回路を内蔵したサンプルICであり、デイジィ・
チェーン回路は、リードフレームに直接ボンディングを
行うことにより構成されている。
は、例えば、図5に示すようなものがある。この半導体
集積回路は、デイジィ・チェーン(daisy chain)と呼
ばれる回路を内蔵したサンプルICであり、デイジィ・
チェーン回路は、リードフレームに直接ボンディングを
行うことにより構成されている。
【0004】以上の構成において、ピン間でのショート
や、プリント配線基板のハガレ等の不具合がないことを
確認するためには、まず、サンプルICがプリント配線
基板に実際に実装され、ボンディングにより接続されて
いないリードフレームの外部ピンが接続されてチェーン
が形成され、外部ピンのいずれかに通電することにより
チェーンに電流が通じるか否かで前述の不具合がチェッ
クされる。
や、プリント配線基板のハガレ等の不具合がないことを
確認するためには、まず、サンプルICがプリント配線
基板に実際に実装され、ボンディングにより接続されて
いないリードフレームの外部ピンが接続されてチェーン
が形成され、外部ピンのいずれかに通電することにより
チェーンに電流が通じるか否かで前述の不具合がチェッ
クされる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体集積回路にあっては、リードフレーム
に直接ボンディングを行うことによってデイジィ・チェ
ーン回路を構成していたため、以下に述べるような問題
点があった。すなわち、本来、ICのボンディングは、
リードフレーム対チップであり、リードフレーム対リー
ドフレームで行った場合、歩留りの悪化に伴って量産性
が悪化するという問題点があり、また、デイジィ・チェ
ーン回路の構成としては、例えば、図6の左下部分に示
すようなオープンチェック用の回路と、同図、右上部分
に示すようなオープンショートチェック用の回路とがあ
り、リードフレームに直接ボンディングを行う方法では
オープンショートチェック用の回路は構成できないとい
う問題点があった。
うな従来の半導体集積回路にあっては、リードフレーム
に直接ボンディングを行うことによってデイジィ・チェ
ーン回路を構成していたため、以下に述べるような問題
点があった。すなわち、本来、ICのボンディングは、
リードフレーム対チップであり、リードフレーム対リー
ドフレームで行った場合、歩留りの悪化に伴って量産性
が悪化するという問題点があり、また、デイジィ・チェ
ーン回路の構成としては、例えば、図6の左下部分に示
すようなオープンチェック用の回路と、同図、右上部分
に示すようなオープンショートチェック用の回路とがあ
り、リードフレームに直接ボンディングを行う方法では
オープンショートチェック用の回路は構成できないとい
う問題点があった。
【0006】さらに、現時点ではデイジィ・チェーン回
路を、リードフレームに直接ボンディングを行うことに
よって構成可能であるが、将来、多ピン・少ピッチ化が
進むとリードフレームに直接ボンディングを行う方法で
はデイジィ・チェーン回路を構成することが難しくなっ
てくるであろうと考えられる。 [目的]そこで本発明は、デイジィ・チェーン回路をチ
ップ上で構成する半導体集積回路を提供することを目的
としている。
路を、リードフレームに直接ボンディングを行うことに
よって構成可能であるが、将来、多ピン・少ピッチ化が
進むとリードフレームに直接ボンディングを行う方法で
はデイジィ・チェーン回路を構成することが難しくなっ
てくるであろうと考えられる。 [目的]そこで本発明は、デイジィ・チェーン回路をチ
ップ上で構成する半導体集積回路を提供することを目的
としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体集積
回路は上記目的達成のため、所定の機能を有する論理セ
ルが配置されるコア領域部と、該コア領域部の論理セル
と外部との間の信号を伝達する入出力セルが配置される
I/Oセル領域部と、該I/Oセル領域部の入出力セル
の入出力端子となるパッドが配置されるパッド領域部と
からなるチップ領域を有する半導体集積回路であって、
前記パッド領域部には所定サイズのパッドを前記チップ
領域の各辺に対してほぼ水平位置に複数配設してなるパ
ッド列を複数列形成し、該各パッド列の任意のパッドを
接続してデイジィ・チェーン回路を形成するように構成
している。
回路は上記目的達成のため、所定の機能を有する論理セ
ルが配置されるコア領域部と、該コア領域部の論理セル
と外部との間の信号を伝達する入出力セルが配置される
I/Oセル領域部と、該I/Oセル領域部の入出力セル
の入出力端子となるパッドが配置されるパッド領域部と
からなるチップ領域を有する半導体集積回路であって、
前記パッド領域部には所定サイズのパッドを前記チップ
領域の各辺に対してほぼ水平位置に複数配設してなるパ
ッド列を複数列形成し、該各パッド列の任意のパッドを
接続してデイジィ・チェーン回路を形成するように構成
している。
【0008】この場合、パッドの形状を長方形とし、前
記複数列のパッド列はパッドの長手方向に対して互いに
所定量ずらして配置することが有効である。
記複数列のパッド列はパッドの長手方向に対して互いに
所定量ずらして配置することが有効である。
【0009】
【作用】本発明では、パッド領域部に所定サイズのパッ
ドがチップ領域の各辺に対してほぼ水平位置に複数配設
されてパッド列が複数列形成され、該各パッド列の任意
のパッドが接続されることによりデイジィ・チェーン回
路が形成される。また、パッドの形状が長方形とされ、
複数列のパッド列がパッドの長手方向に対して互いに所
定量ずらして配置することにより、容易にオープンショ
ートチェック用のデイジィ・チェーン回路が形成され
る。
ドがチップ領域の各辺に対してほぼ水平位置に複数配設
されてパッド列が複数列形成され、該各パッド列の任意
のパッドが接続されることによりデイジィ・チェーン回
路が形成される。また、パッドの形状が長方形とされ、
複数列のパッド列がパッドの長手方向に対して互いに所
定量ずらして配置することにより、容易にオープンショ
ートチェック用のデイジィ・チェーン回路が形成され
る。
【0010】すなわち、デイジィ・チェーン回路がチッ
プ上で構成され、たとえ、ピン間ピッチが小さくなって
も量産性が保たれる。
プ上で構成され、たとえ、ピン間ピッチが小さくなって
も量産性が保たれる。
【0011】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
1,2は本発明に係る半導体集積回路の一実施例を示す
図であり、図1はその全体構成を示す平面図、図2はそ
の要部構成を示す拡大平面図である。まず、構成を説明
する。
1,2は本発明に係る半導体集積回路の一実施例を示す
図であり、図1はその全体構成を示す平面図、図2はそ
の要部構成を示す拡大平面図である。まず、構成を説明
する。
【0012】半導体集積回路のチップ領域1は、大別し
て、コア領域部2、I/Oセル領域部3、パッド領域部
4があり、コア領域部2には所定の機能を有する論理セ
ルが配置され、I/Oセル領域部3にはコア領域部2の
論理セルと外部との間の信号を伝達する入出力セルとし
てのバッファ回路等(図示せず)が配置され、パッド領
域部4にはI/Oセル領域部3のバッファ回路等の入出
力端子となるパッドが配置されている。
て、コア領域部2、I/Oセル領域部3、パッド領域部
4があり、コア領域部2には所定の機能を有する論理セ
ルが配置され、I/Oセル領域部3にはコア領域部2の
論理セルと外部との間の信号を伝達する入出力セルとし
てのバッファ回路等(図示せず)が配置され、パッド領
域部4にはI/Oセル領域部3のバッファ回路等の入出
力端子となるパッドが配置されている。
【0013】本実施例では、従来、ほぼ正方形であった
パッド領域部4に配設するパッド5の形状を、短手方向
は従来パッドとほぼ同じで、長手方向は従来パッドのほ
ぼ3個分の長さを有する長方形としている。そして、図
2に示すように、パッド5はチップ領域1の各辺に対し
てほぼ水平位置に複数配設してなる4列のパッド列6a
〜6dを形成しており、各パッド列6a〜6dはパッド
5の長手方向に対して互いに長手方向のパッド長の1/
3、すなわち、従来パッドのほぼ一辺の長さずつ、ずれ
て配置された状態で形成されている。
パッド領域部4に配設するパッド5の形状を、短手方向
は従来パッドとほぼ同じで、長手方向は従来パッドのほ
ぼ3個分の長さを有する長方形としている。そして、図
2に示すように、パッド5はチップ領域1の各辺に対し
てほぼ水平位置に複数配設してなる4列のパッド列6a
〜6dを形成しており、各パッド列6a〜6dはパッド
5の長手方向に対して互いに長手方向のパッド長の1/
3、すなわち、従来パッドのほぼ一辺の長さずつ、ずれ
て配置された状態で形成されている。
【0014】以上の構成において、図3,4に基づいて
デイジィ・チェーン回路の形成を説明する。なお、図
中、7a〜7eはリードフレーム、A〜Hはパッド5上
の任意エリア(以下、パッドエリアという)であり、パ
ッドエリアA〜Hのサイズは従来パッドのサイズとほぼ
一致している。
デイジィ・チェーン回路の形成を説明する。なお、図
中、7a〜7eはリードフレーム、A〜Hはパッド5上
の任意エリア(以下、パッドエリアという)であり、パ
ッドエリアA〜Hのサイズは従来パッドのサイズとほぼ
一致している。
【0015】まず、図6の左下部分に示すようなオープ
ンチェック用の回路を形成する場合、図3に示すよう
に、リードフレーム7bとパッドエリアF、同様に、リ
ードフレーム7cとパッドエリアG、リードフレーム7
dとパッドエリアD、リードフレーム7eとパッドエリ
アEがボンディングにより接続されることにより形成さ
れる。
ンチェック用の回路を形成する場合、図3に示すよう
に、リードフレーム7bとパッドエリアF、同様に、リ
ードフレーム7cとパッドエリアG、リードフレーム7
dとパッドエリアD、リードフレーム7eとパッドエリ
アEがボンディングにより接続されることにより形成さ
れる。
【0016】また、図6の右上部分に示すようなオープ
ンショートチェック用の回路を形成する場合、図4に示
すように、リードフレーム7aとパッドエリアA、同様
に、リードフレーム7bとパッドエリアF、リードフレ
ーム7cとパッドエリアC、リードフレーム7dとパッ
ドエリアHがボンディングにより接続されることにより
形成される。
ンショートチェック用の回路を形成する場合、図4に示
すように、リードフレーム7aとパッドエリアA、同様
に、リードフレーム7bとパッドエリアF、リードフレ
ーム7cとパッドエリアC、リードフレーム7dとパッ
ドエリアHがボンディングにより接続されることにより
形成される。
【0017】このように本実施例では、パッド領域部4
に所定サイズのパッド5を複数配設してパッド列を複数
列形成するとともに、各パッド列6a〜6dの任意のパ
ッド5をボンディングにより接続することによってデイ
ジィ・チェーン回路を形成することができる。また、パ
ッド5の形状を長方形として複数列のパッド列6a〜6
dをパッド5の長手方向に対して互いに所定量ずらして
配置することによって容易にオープンショートチェック
用のデイジィ・チェーン回路を形成することができ、2
種類のデイジィ・チェーン回路を容易に形成することが
できる。
に所定サイズのパッド5を複数配設してパッド列を複数
列形成するとともに、各パッド列6a〜6dの任意のパ
ッド5をボンディングにより接続することによってデイ
ジィ・チェーン回路を形成することができる。また、パ
ッド5の形状を長方形として複数列のパッド列6a〜6
dをパッド5の長手方向に対して互いに所定量ずらして
配置することによって容易にオープンショートチェック
用のデイジィ・チェーン回路を形成することができ、2
種類のデイジィ・チェーン回路を容易に形成することが
できる。
【0018】したがって、デイジィ・チェーン回路をチ
ップ上で構成することができ、将来の多ピン・少ピッチ
化による量産性の問題を解決することができる。なお、
上記実施例によるパッドの形状、サイズ、並びにパッド
列の数はあくまでも一例であり、これらの値は任意であ
ることはいうまでもない。
ップ上で構成することができ、将来の多ピン・少ピッチ
化による量産性の問題を解決することができる。なお、
上記実施例によるパッドの形状、サイズ、並びにパッド
列の数はあくまでも一例であり、これらの値は任意であ
ることはいうまでもない。
【0019】
【発明の効果】本発明では、パッド領域部に所定サイズ
のパッドをチップ領域の各辺に対してほぼ水平位置に複
数配設してパッド列を複数列形成するとともに、各パッ
ド列の任意のパッドを接続することによってデイジィ・
チェーン回路を形成することができる。
のパッドをチップ領域の各辺に対してほぼ水平位置に複
数配設してパッド列を複数列形成するとともに、各パッ
ド列の任意のパッドを接続することによってデイジィ・
チェーン回路を形成することができる。
【0020】また、パッドの形状が長方形として複数列
のパッド列をパッドの長手方向に対して互いに所定量ず
らして配置することによって容易にオープンショートチ
ェック用のデイジィ・チェーン回路を形成することがで
きる。したがって、デイジィ・チェーン回路をチップ上
で構成することができ、たとえ、ピン間ピッチが小さく
なっても量産性を保つことができる。
のパッド列をパッドの長手方向に対して互いに所定量ず
らして配置することによって容易にオープンショートチ
ェック用のデイジィ・チェーン回路を形成することがで
きる。したがって、デイジィ・チェーン回路をチップ上
で構成することができ、たとえ、ピン間ピッチが小さく
なっても量産性を保つことができる。
【図1】本発明の半導体集積回路の全体構成を示す平面
図である。
図である。
【図2】本実施例の要部構成を示す拡大平面図である。
【図3】オープンチェック用の回路形成を説明するため
の図である。
の図である。
【図4】オープンショートチェック用の回路形成を説明
するための図である。
するための図である。
【図5】従来例のデイジィ・チェーン回路の形成を説明
するための図である。
するための図である。
【図6】デイジィ・チェーン回路を説明するための図で
ある。
ある。
1 チップ領域
2 コア領域部
3 I/Oセル領域部
4 パッド領域部
5 パッド5
6a〜6d パッド列
7a〜7e リードフレーム
A〜H パッドエリア
Claims (2)
- 【請求項1】所定の機能を有する論理セルが配置される
コア領域部と、 該コア領域部の論理セルと外部との間の信号を伝達する
入出力セルが配置されるI/Oセル領域部と、 該I/Oセル領域部の入出力セルの入出力端子となるパ
ッドが配置されるパッド領域部と、 からなるチップ領域を有する半導体集積回路であって、 前記パッド領域部には所定サイズのパッドを前記チップ
領域の各辺に対してほぼ水平位置に複数配設してなるパ
ッド列を複数列形成し、該各パッド列の任意のパッドを
接続してデイジィ・チェーン回路を形成することを特徴
とする半導体集積回路。 - 【請求項2】前記パッドの形状を長方形とし、前記複数
列のパッド列はパッドの長手方向に対して互いに所定量
ずらして配置することを特徴とする請求項1の半導体集
積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3182540A JPH0529546A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3182540A JPH0529546A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529546A true JPH0529546A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16120081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3182540A Pending JPH0529546A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529546A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5746292A (en) * | 1994-10-28 | 1998-05-05 | Hino Jidosha Kogyo Kabushiki Kaisha | Disk brake device for reducing brake noise |
| US5751015A (en) * | 1995-11-17 | 1998-05-12 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor reliability test chip |
| US6116493A (en) * | 1997-12-25 | 2000-09-12 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Flip-chip bonding parts, flip-chip bonding confirmation parts and a flip-chip bonding method |
| US6302313B1 (en) | 1998-02-20 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Flip-chip bonding method and apparatus |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP3182540A patent/JPH0529546A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5746292A (en) * | 1994-10-28 | 1998-05-05 | Hino Jidosha Kogyo Kabushiki Kaisha | Disk brake device for reducing brake noise |
| US5751015A (en) * | 1995-11-17 | 1998-05-12 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor reliability test chip |
| US5936260A (en) * | 1995-11-17 | 1999-08-10 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor reliability test chip |
| US6157046A (en) * | 1995-11-17 | 2000-12-05 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor reliability test chip |
| US6320201B1 (en) | 1995-11-17 | 2001-11-20 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor reliability test chip |
| US6538264B2 (en) | 1995-11-17 | 2003-03-25 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor reliability test chip |
| US6770906B2 (en) | 1995-11-17 | 2004-08-03 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor reliability test chip |
| US6116493A (en) * | 1997-12-25 | 2000-09-12 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Flip-chip bonding parts, flip-chip bonding confirmation parts and a flip-chip bonding method |
| US6302313B1 (en) | 1998-02-20 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Flip-chip bonding method and apparatus |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000111 |