JPH0555408A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0555408A JPH0555408A JP3212560A JP21256091A JPH0555408A JP H0555408 A JPH0555408 A JP H0555408A JP 3212560 A JP3212560 A JP 3212560A JP 21256091 A JP21256091 A JP 21256091A JP H0555408 A JPH0555408 A JP H0555408A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- concave portion
- semiconductor element
- lead
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂封止型半導体装置において、実装時に急激
な加熱を受け樹脂内の水分が気化し、その圧力により樹
脂に内部応力が生じこれに起因するクラックが発生する
のを防止する。 【構成】半導体素子搭載部９から導出されるウイングリ
ード３上で板厚方向に折れ曲がる凹部６を設け、その凹
部６の最下面を樹脂２の下面に露出させる。 【効果】半導体装置加熱時に発生する水分がウイングリ
ード上の凹部の露出面から外部へ放出されるため、樹脂
クラック発生率を従来の１０〜２０％から２〜３％に改
善できる。
な加熱を受け樹脂内の水分が気化し、その圧力により樹
脂に内部応力が生じこれに起因するクラックが発生する
のを防止する。 【構成】半導体素子搭載部９から導出されるウイングリ
ード３上で板厚方向に折れ曲がる凹部６を設け、その凹
部６の最下面を樹脂２の下面に露出させる。 【効果】半導体装置加熱時に発生する水分がウイングリ
ード上の凹部の露出面から外部へ放出されるため、樹脂
クラック発生率を従来の１０〜２０％から２〜３％に改
善できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特に樹脂封止される半導体素子搭載部を支持する
吊りリードを有する樹脂封止型半導体装置に関する。
関し、特に樹脂封止される半導体素子搭載部を支持する
吊りリードを有する樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の本発明に対応する先行技術として
はウイングリードと呼ばれる吊りリードの一種を設けた
樹脂封止型半導体装置（以下、半導体装置と記す）があ
る。この半導体装置に用いるリードフレームを図４に示
す。
はウイングリードと呼ばれる吊りリードの一種を設けた
樹脂封止型半導体装置（以下、半導体装置と記す）があ
る。この半導体装置に用いるリードフレームを図４に示
す。
【０００３】図４に示すように、この構成は、半導体素
子１と半導体素子１を搭載する半導体素子搭載部（以
下、素子搭載部と記す）９と素子搭載部９を支持する吊
りリード７と素子搭載部９に近接するように配置された
複数本のインナーリード８と半導体素子１上の電極１１
とインナーリード８を電気的に接続するための金線１２
とこれらを封止する樹脂２からなっている。また、素子
搭載部９は、吊りリード７のほかにウイングリード３に
より支持されている。
子１と半導体素子１を搭載する半導体素子搭載部（以
下、素子搭載部と記す）９と素子搭載部９を支持する吊
りリード７と素子搭載部９に近接するように配置された
複数本のインナーリード８と半導体素子１上の電極１１
とインナーリード８を電気的に接続するための金線１２
とこれらを封止する樹脂２からなっている。また、素子
搭載部９は、吊りリード７のほかにウイングリード３に
より支持されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した最近の本発明
に対応する先行技術の半導体装置を基板に実装する場
合、赤外線リフロー等により外部端子の半田を溶融させ
て行うのが主流となっている。このとき、半導体装置も
急激に加熱される。この半導体装置の急激な温度上昇は
樹脂内に侵入している水分の気化を招く。このとき、水
蒸気圧により樹脂に内部応力が発生しクラックが生じる
可能性がある。
に対応する先行技術の半導体装置を基板に実装する場
合、赤外線リフロー等により外部端子の半田を溶融させ
て行うのが主流となっている。このとき、半導体装置も
急激に加熱される。この半導体装置の急激な温度上昇は
樹脂内に侵入している水分の気化を招く。このとき、水
蒸気圧により樹脂に内部応力が発生しクラックが生じる
可能性がある。
【０００５】上述した半導体装置のウイングリードは、
水蒸気をウイングリードと樹脂の界面を通じて樹脂の側
面から外部へ逃がす働きがある。しかしながら、ウイン
グリードが長くなると水蒸気の外部への放出が十分に行
なわれないため、水蒸気圧の上昇による内部応力で樹脂
にクラックを生じ外観上製品の価値を著しくおとしめる
という問題点があった。
水蒸気をウイングリードと樹脂の界面を通じて樹脂の側
面から外部へ逃がす働きがある。しかしながら、ウイン
グリードが長くなると水蒸気の外部への放出が十分に行
なわれないため、水蒸気圧の上昇による内部応力で樹脂
にクラックを生じ外観上製品の価値を著しくおとしめる
という問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、樹脂にクラックの発生の
ない半導体装置を提供することにある。
ない半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子
と、該半導体素子を搭載する半導体素子搭載部と、該半
導体素子搭載部を支持する吊りリードと、前記半導体素
子を封止する樹脂とを有する樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記吊りリードが板厚方向に形成された凹部と凸
部とのうちの少くともいずれか一方を有し、前記凹部の
底面と前記凸部の上面がそれぞれ前記樹脂面に露出して
いる。
と、該半導体素子を搭載する半導体素子搭載部と、該半
導体素子搭載部を支持する吊りリードと、前記半導体素
子を封止する樹脂とを有する樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記吊りリードが板厚方向に形成された凹部と凸
部とのうちの少くともいずれか一方を有し、前記凹部の
底面と前記凸部の上面がそれぞれ前記樹脂面に露出して
いる。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１は本発明の第１の実施例に用いるリー
ドフレームの平面図である。
ドフレームの平面図である。
【００１０】第１の実施例のリードフレームは、図１に
示すように、半導体素子１を搭載する素子搭載部９は吊
りリード７とウイングリード３により支持される。ウイ
ングリード３にはプレス加工による凹部６が形成されて
いる。
示すように、半導体素子１を搭載する素子搭載部９は吊
りリード７とウイングリード３により支持される。ウイ
ングリード３にはプレス加工による凹部６が形成されて
いる。
【００１１】図２は本発明の第１の実施例の図１Ａ−
Ａ′部の線断面図である。
Ａ′部の線断面図である。
【００１２】第１の実施例は、図２に示すように、半導
体素子１はＡｇペーストなどの固着剤４により素子搭載
部９に固着されボンディングしたのち樹脂２により封止
される。ウイングリード３は、その途中で板厚方向に折
曲げて凹部６が形成されており、凹部６底面が樹脂２の
底面より露出している。
体素子１はＡｇペーストなどの固着剤４により素子搭載
部９に固着されボンディングしたのち樹脂２により封止
される。ウイングリード３は、その途中で板厚方向に折
曲げて凹部６が形成されており、凹部６底面が樹脂２の
底面より露出している。
【００１３】半導体装置実装時の半田リフロー等による
加熱により樹脂２内の水分は気化する。気化した水分
は、素子搭載部９の裏面，ウイングリード３，及び凹部
６と樹脂２の界面を通り外部へ抜ける。水蒸気の抜け易
さはウイングリード３の素子搭載部９から外部までの距
離が短かい程よい。
加熱により樹脂２内の水分は気化する。気化した水分
は、素子搭載部９の裏面，ウイングリード３，及び凹部
６と樹脂２の界面を通り外部へ抜ける。水蒸気の抜け易
さはウイングリード３の素子搭載部９から外部までの距
離が短かい程よい。
【００１４】本実施例のように、ウイングリード３に凹
部６を設け、外部に露出させることにより素子搭載部９
から外部までの距離を短くし、水蒸気を抜け易くする。
水蒸気が抜け易くなった半導体装置は、水蒸気圧の内部
応力による樹脂２のクラックを防止でき、外観上製品価
値をおとすこともなくなる。
部６を設け、外部に露出させることにより素子搭載部９
から外部までの距離を短くし、水蒸気を抜け易くする。
水蒸気が抜け易くなった半導体装置は、水蒸気圧の内部
応力による樹脂２のクラックを防止でき、外観上製品価
値をおとすこともなくなる。
【００１５】図３は本発明の第２の実施例の断面図であ
る。
る。
【００１６】第２の実施例は、図３に示すように、ウイ
ングリード３に凹部６と凸部５を備え、凹部６の底面と
凸部５の上面がそれぞれ樹脂２の面に露出している。
ングリード３に凹部６と凸部５を備え、凹部６の底面と
凸部５の上面がそれぞれ樹脂２の面に露出している。
【００１７】本実施例では、凹部６により実装時の水蒸
気の外部放出を容易にするとともに、凸部５により樹脂
封入時に樹脂流動による素子搭載部９の浮き上がりを防
止し、半導体素子１の縁端と半導体素子１上の電極とイ
ンナーリードを結ぶ金線が接触するのを防ぐ利点があ
る。とくに、金線の高さが低い薄型の半導体装置に有効
である。
気の外部放出を容易にするとともに、凸部５により樹脂
封入時に樹脂流動による素子搭載部９の浮き上がりを防
止し、半導体素子１の縁端と半導体素子１上の電極とイ
ンナーリードを結ぶ金線が接触するのを防ぐ利点があ
る。とくに、金線の高さが低い薄型の半導体装置に有効
である。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したもうに本発明の半導体装置
は、素子搭載部から導出するウイングリードの途中にリ
ードフレームの板厚方向に凹部あるいは凸部または凹部
と凸部を設け凹部の下面と凸部の上面をそれぞれ樹脂の
下面，上面から露出させることにより、半導体装置実装
時の加熱による樹脂内の水蒸気を外部に容易に放出でき
る効果を有する。
は、素子搭載部から導出するウイングリードの途中にリ
ードフレームの板厚方向に凹部あるいは凸部または凹部
と凸部を設け凹部の下面と凸部の上面をそれぞれ樹脂の
下面，上面から露出させることにより、半導体装置実装
時の加熱による樹脂内の水蒸気を外部に容易に放出でき
る効果を有する。
【００１９】本発明の半導体装置のクラック発生率は、
たとえば、半導体装置を８５℃，８５％の高温高湿環境
下に７０〜１００時間放置したのち半田リフローに通し
た場合、従来は１０〜２０％であったが２〜３％程度に
低減できる。
たとえば、半導体装置を８５℃，８５％の高温高湿環境
下に７０〜１００時間放置したのち半田リフローに通し
た場合、従来は１０〜２０％であったが２〜３％程度に
低減できる。
【図１】本発明の第１の実施例に用いるリードフレーム
の平面図である。
の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の図１Ａ−Ａ′部の線断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第２の実施例の断面図である。
【図４】従来の半導体装置に用いるリードフレームに半
導体素子を搭載した平面図である。
導体素子を搭載した平面図である。
１ 半導体素子 ２ 樹脂 ３ ウイングリード ４ 固着剤 ５ 凸部 ６ 凹部 ７ 吊りリード ８ インナーリード ９ 素子搭載部 １０ モールドライン １１ 電極 １２ 金線
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子と、該半導体素子を搭載する
半導体素子搭載部と、該半導体素子搭載部を支持する吊
りリードと、前記半導体素子を封止する樹脂とを有する
樹脂封止型半導体装置において、前記吊りリードが板厚
方向に形成された凹部と凸部とのうちの少くともいずれ
か一方を有し、前記凹部の底面と前記凸部の上面がそれ
ぞれ前記樹脂面に露出していることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212560A JPH0555408A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3212560A JPH0555408A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555408A true JPH0555408A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16624719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3212560A Pending JPH0555408A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555408A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125097A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nec Corp | リードフレーム |
| JPH08125385A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Nec Corp | チップ部品供給装置 |
| US6049189A (en) * | 1996-10-29 | 2000-04-11 | Otis Elevator Company | Variable speed passenger conveyor and method of operation |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP3212560A patent/JPH0555408A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125385A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Nec Corp | チップ部品供給装置 |
| JPH08125097A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nec Corp | リードフレーム |
| US6049189A (en) * | 1996-10-29 | 2000-04-11 | Otis Elevator Company | Variable speed passenger conveyor and method of operation |
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