JPH08264649A - 半導体装置の製造方法及びこの実施に用いられる装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 形成される層間絶縁膜にベーク処理時にクラ
ックが発生するのを低減可能な技術を提供する。 【構成】 層間絶縁膜１２をし、第１の絶縁膜９上に形
成すべき第２の絶縁膜１０の原材料となる媒質と媒体と
の混合液を、常温（約２３℃）以下で所望の厚さに回転
塗布法によって塗布する。この後のベーク処理工程にお
いて、混合液の特に上部の媒体の揮発速度を抑え、混合
液の底部の揮発不足を解消できる。この結果、ベーク処
理時に加熱温度によってウエハ１上に形成されている下
層配線膜が僅か膨脹しても、混合液が固化されて形成さ
れる層間絶縁膜１２の一部である第２の絶縁膜１０が、
その膨脹した下層配線膜によってほとんど応力を受ける
ことがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
及びこの実施に用いられる製造装置に関し、特に、多層
配線を形成する際に上下配線膜を絶縁する層間絶縁膜を
回転塗布法によって形成する分野に適用して有効な技術
に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩで代表される半導体装置は、より
一層多機能化、高性能化が要求されてきているので、集
積度は益々高まる傾向にある。これに伴い、半導体基板
（半導体ウエハ；以下、単にウエハと称する）に形成さ
れた多数の素子領域から、ウエハ表面に引き出される配
線が増加するので、必然的に多層配線が採用される傾向
になっている。

【０００３】このような多層配線を有するＬＳＩにおい
て、多層配線を構成している各配線膜は、酸化膜（Ｓｉ
Ｏ₂膜）のような絶縁膜を層間絶縁膜として用いて相互
に絶縁される。ここで、層間絶縁膜は各種ＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｏｎ）法、ある
いは各種ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成されることが多いが、
このような方法によって周囲の空間から半導体ウエハの
配線膜上に層間絶縁膜を形成した場合、この層間絶縁膜
の表面は下層配線膜の形状に対応して凹凸状に形成され
る。従って、この層間絶縁膜上に上層配線膜を形成する
と、この上層配線膜も凹凸状に形成される。

【０００４】このため、層間絶縁膜の表面の凹凸状の度
合いが大きくなると、この上に形成される上層配線膜は
段切れを生じ易くなる。このような不都合を防止するた
めに、表面が平坦な層間絶縁膜を形成する方法として、
例えばオーム社発行、「ＬＳＩプロセス工学」、平成３
年８月２０日発行、Ｐ．１４４に記載されているＳＯＧ
（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇａｓｓ；以下、単に回転塗布法と
称する）技術が知られている。

【０００５】このような回転塗布法によって、前記した
ような層間絶縁膜を形成するには、予め、絶縁膜の原材
料となる媒質例えばシリカゲルと、媒体例えばエタノー
ル及び酢酸エチル等との混合液を用意して、下層配線膜
を形成したウエハを回転した状態でこのウエハ上にその
混合液を所望の厚さに塗布した後、ウエハをベーク処理
して混合液から媒体を揮発させることにより固化させて
絶縁膜となすことが行われる。続いて、この絶縁膜上に
は上層配線膜が形成される。

【０００６】ここで、ウエハ上に混合液を回転塗布法に
よって塗布するには、ウエハを常温（約２３℃）あるい
はこれ以上の温度の雰囲気内に保持した状態で、塗布す
ることが行われている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前記のように下層配線
膜を形成したウエハに対して、これを常温（約２３℃）
あるいはこれ以上の温度の雰囲気内に保持した状態で、
絶縁膜の原材料となる媒質と媒体との混合液を回転塗布
法によって塗布した場合、この後に行うベーク処理工程
において、形成される層間絶縁膜にクラックが発生する
という問題がある。

【０００８】すなわち、本発明者の検討結果によると、
下層配線膜を形成したウエハを常温（約２３℃）あるい
はこれ以上の温度の雰囲気内に保持した状態で混合液を
回転塗布法によって塗布した場合、ベーク処理工程にお
いて、ウエハ上に塗布されている混合液は上部が底部よ
り媒体の揮発速度が大きくなって、上部が早く乾燥して
しまうため、底部が揮発不足になることを発見した。

【０００９】この結果、ベーク処理時に加熱温度によっ
てウエハ上に形成されている下層配線膜が僅か膨脹する
ので、混合液が固化されて形成されつつある層間絶縁膜
がその膨脹した下層配線膜によって応力を受けるように
なるため、層間絶縁膜にクラックが発生し易くなる。

【００１０】本発明の目的は、形成される層間絶縁膜に
ベーク処理時にクラックが発生するのを低減することが
可能な技術を提供することにある。

【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。

【００１３】（１）本発明の半導体装置の製造方法は、
下層配線膜が形成された半導体ウエハ上に、前記下層配
線膜を覆うように回転塗布法によって絶縁膜を形成した
後、この絶縁膜上に上層配線膜を形成する半導体装置の
製造方法において、前記絶縁膜の原材料となる媒質と媒
体との混合液を常温以下で回転塗布する工程と、前記混
合液から媒体を揮発させて絶縁膜となすために前記半導
体ウエハをべーク処理する工程と、を含んでいる。

【００１４】（２）本発明の他の半導体装置の製造方法
は、下層配線膜が形成された半導体ウエハ上に前記下層
配線膜を覆うように第１の絶縁膜を形成し、この第１の
絶縁膜上に回転塗布法によって第２の絶縁膜を形成した
後この第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成し、この第
３の絶縁膜上に上層配線膜を形成する半導体装置の製造
方法において、前記第２の絶縁膜の原材料となる媒質と
媒体との混合液を常温以下で回転塗布する工程と、前記
混合液から媒体を揮発させて第２の絶縁膜となすために
前記半導体ウエハをべーク処理する工程と、を含んでい
る。

【００１５】（３）本発明の半導体装置の製造装置は、
表面に下層配線膜が形成されこの下層配線膜を覆うよう
に第１の絶縁膜が形成された半導体ウエハを収容するウ
エハロード部と、このウエハロード部から移送された半
導体ウエハの前記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜の原
材料となる媒質と媒体との混合液を常温以下で回転塗布
するウエハ塗布部と、このウエハ塗布部から移送された
半導体ウエハを前記混合液から媒体を揮発させて第２の
絶縁膜となすためにべーク処理するウエハベーク部と、
第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を含む層間絶縁膜を形成
した後に、この層間絶縁膜上に上層配線膜が形成された
ウエハを取り出すウエハアンロード部と、前記ウエハ塗
布部において半導体ウエハに塗布される前記混合液の塗
布温度が常温以下になるように制御する制御部とを備え
ている。

【００１６】

【作用】上述した（１）の手段によれば、本発明の半導
体装置の製造方法は、下層配線膜が形成された半導体ウ
エハ上に、前記下層配線膜を覆うように回転塗布法によ
って絶縁膜を形成した後、この絶縁膜上に上層配線膜を
形成する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜の
原材料となる媒質と媒体との混合液を常温以下で回転塗
布する工程と、前記混合液から媒体を揮発させて絶縁膜
となすために前記半導体ウエハをべーク処理する工程
と、を含んでいるので、形成される層間絶縁膜にベーク
処理時にクラックが発生するのを低減することが可能と
なる。

【００１７】上述した（２）の手段によれば、本発明の
他の半導体装置の製造方法は、下層配線膜が形成された
半導体ウエハ上に前記下層配線膜を覆うように第１の絶
縁膜を形成し、この第１の絶縁膜上に回転塗布法によっ
て第２の絶縁膜を形成した後この第２の絶縁膜上に第３
の絶縁膜を形成し、この第３の絶縁膜上に上層配線膜を
形成する半導体装置の製造方法において、前記第２の絶
縁膜の原材料となる媒質と媒体との混合液を常温以下で
回転塗布する工程と、前記混合液から媒体を揮発させて
第２の絶縁膜となすために前記半導体ウエハをべーク処
理する工程と、を含んでいるので、形成される層間絶縁
膜にベーク処理時にクラックが発生するのを低減するこ
とが可能となる。

【００１８】上述した（３）の手段によれば、本発明の
半導体装置の製造装置は、表面に下層配線膜が形成され
この下層配線膜を覆うように第１の絶縁膜が形成された
半導体ウエハを収容するウエハロード部と、このウエハ
ロード部から移送された半導体ウエハの前記第１の絶縁
膜上に、第２の絶縁膜の原材料となる媒質と媒体との混
合液を常温以下で回転塗布するウエハ塗布部と、このウ
エハ塗布部から移送された半導体ウエハを前記混合液か
ら媒体を揮発させて第２の絶縁膜となすためにべーク処
理するウエハベーク部と、第１の絶縁膜及び第２の絶縁
膜を含む層間絶縁膜を形成した後に、この層間絶縁膜上
に上層配線膜が形成されたウエハを取り出すウエハアン
ロード部と、前記ウエハ塗布部において半導体ウエハに
塗布される前記混合液の塗布温度が常温以下になるよう
に制御する制御部とを備えているので、形成される層間
絶縁膜にベーク処理時にクラックが発生するのを低減す
ることが可能となる。

【００１９】以下、本発明について、図面を参照して実
施例とともに詳細に説明する。

【００２０】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００２１】

【実施例】

（実施例１）図１乃至図５は本発明の実施例１による半
導体装置の製造方法を工程順に示す断面図で、ＭＯＳ
（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒ）型ＬＳＩの製造方法に適用した例を示している。

【００２２】まず、図１に示すように、予め例えばｎ型
ソース領域２及びｎ型ドレイン領域３が選択的に形成さ
れた半導体ウエハとして、例えばｐ型シリコンウエハ１
を用意する。なお、ｎ型ソース領域２及びｎ型ドレイン
領域３間のウエハ１表面にはゲート酸化膜（ＳｉＯ
₂膜）４が形成されて、この表面には多結晶シリコン等
からなるゲート電極５が形成されている。また、ウエハ
１表面は酸化膜のような保護膜６で覆われ、ｎ型ソース
領域２及びｎ型ドレイン領域３から保護膜６上には、各
々Ａｌのようなソース電極７及びドレイン電極８が延長
して引き出されている。一例として各電極７、８は、厚
さ約１μｍに形成されている。

【００２３】次に、図２に示すように、ＣＶＤ法あるい
はＰＶＤ法によって、ウエハ１上に例えば酸化膜からな
る第１の絶縁膜９を、厚さ約０．８μｍに形成して、ゲ
ート電極５、ソース電極７及びドレイン電極８を覆う。
これらゲート電極５、ソース電極７及びドレイン電極８
は、多層配線を形成する場合に下層配線膜となる。この
第１の絶縁膜９の表面は凹凸状に形成されている。

【００２４】次に、第１の絶縁膜９上に形成すべき第２
の絶縁膜の原材料となる媒質の主成分として例えばシリ
カゲルを用いるとともに、媒体として例えばエタノール
及び酢酸エチル等を用いて、両者を混合した混合液を用
意する。続いて、ウエハ１を回転した状態でこのウエハ
１上にその混合液を常温（約２３℃）以下の、例えば２
１℃で所望の厚さに塗布する。回転塗布法による混合液
の塗布は、例えば３０００ｒｐｍで、１０秒間行う。そ
の塗布温度を従来の温度より低く選ぶことにより、塗布
された混合液の特に上部の媒体の揮発速度を抑えて、底
部の揮発不足の解消を図っている。

【００２５】続いて、図３に示すように、ウエハ１をベ
ーク処理して混合液から媒体を揮発させることにより、
混合液を固化させて表面が平坦な第２の絶縁膜１０を、
厚さ約０．２６μｍに形成する。この第２の絶縁膜１０
の形成は、次に説明するように２つのステップで行われ
る。

【００２６】まず、第１のステップとして、図６（ａ）
に示すように、ウエハ１上の第１の絶縁膜９上に混合液
を前記のような条件で回転塗布法によって、厚さ約０．
２μｍに塗布する。次に、ウエハ１をベーク処理する。
このベーク処理は次のように３段階で行う。最初に、ウ
エハ１を８０℃で４０分間加熱処理した後、次に２００
℃で４０分間加熱処理し、最後に４１０℃で４０分間加
熱処理する。このようなベーク処理によって、混合液の
媒体は揮発されて、混合液は固化して厚さ約０．１３μ
ｍの絶縁膜１０ａに変えられる。

【００２７】続いて、第２のステップとして、ウエハ１
に対して、図６（ａ）と同様な処理を繰り返す。すなわ
ち、回転塗布法によって混合液を厚さ約０．２μｍに、
既に形成されている絶縁膜１０ａ上に塗布した後、ベー
ク処理を前記と同様な条件で３段階で行う。これによっ
て、図６（ｂ）に示すように、混合液は固化して厚さ約
０．１３μｍの絶縁膜１０ｂに変えられる。ベーク処理
温度はＡｌ下層配線膜の場合、約４５０℃まで上げるこ
とが可能である。

【００２８】この結果として、ウエハ１の第１の絶縁膜
９上には、図３に示したように、表面が平坦な第２の絶
縁膜１０が厚さ約０．２６μｍに形成される。なお、こ
のように２つのステップに分けて、第２の絶縁膜１０を
形成するのは、膜形成時に発生し易いクラックを防止す
るためである。図３及び図６においては、内容を理解し
易くするために第３の絶縁膜１０（１０ａと１０ｂ）の
厚さは、多少誇張して示している。

【００２９】次に、図４に示すように、ＣＶＤ法あるい
はＰＶＤ法によって、ウエハ１上に例えば酸化膜からな
る第３の絶縁膜１１を、厚さ約０．８μｍに形成して、
第２の絶縁膜１０を覆う。この場合第３の絶縁膜１１の
表面は、第２の絶縁膜１０の平坦な表面に対応して平坦
に形成される。

【００３０】これら第１の絶縁膜９、第２の絶縁膜１０
及び第２の絶縁膜１１の積層体は、層間絶縁膜１２して
用いられる。

【００３１】続いて、図５に示すように、ＣＶＤ法ある
いはＰＶＤ法によって、ウエハ１上の層間絶縁膜１２の
一部となる第３の絶縁膜１１上に、例えばＡｌからなる
上層配線膜１３を形成する。この上層配線膜１３の形成
は、周知の手段を組み合わせて、ウエハ１全面にＡｌを
付着した後、配線膜として残したい部分以外の不要な部
分をドライエッチングあるいはウエットエッチングによ
って除去することにより、容易に形成することができ
る。この上層配線膜１３は平坦な層間絶縁膜１２上に形
成されるので、段切れは生じない。

【００３２】以上の各工程によって、下層配線膜（ソー
ス電極７、ドレイン電極８あるいはゲート電極５）と上
層配線膜１３とが、第１の絶縁膜９、第２の絶縁膜１０
及び第３の絶縁膜１１の積層体からなり、表面が平坦な
層間絶縁膜１２によって絶縁された多層配線を有する半
導体装置が製造される。

【００３３】このような製造方法によれば、層間絶縁膜
１２を形成するにあたり、第１の絶縁膜９上に形成すべ
き第２の絶縁膜１０の原材料となる媒質と媒体と混合液
を、常温（約２３℃）以下で所望の厚さに回転塗布法に
よって塗布するようにしたので、ベーク処理工程におい
て、混合液の特に上部の媒体の揮発速度を抑えることが
できる。これによって、混合液の上部が底部より早く乾
燥することはなくなる。

【００３４】図７はこの様子を示す概略説明図で、
（ａ）はベーク処理時に混合液１４の上部及び底部から
媒体１５がほぼ同じ揮発速度で矢印方向に揮発する様子
を示し、（ｂ）は媒体が完全に揮発した様子を示してい
る。これによって、混合液１５の底部の揮発不足を解消
できるようになる。

【００３５】この結果、ベーク処理時に加熱温度によっ
てウエハ１上に形成されている下層配線膜が僅か膨脹し
ても、混合液が固化されて形成されつつある層間絶縁膜
１２の一部である第２の絶縁膜１０がその膨脹した下層
配線膜によってほとんど応力を受けなくなるため、この
第２の絶縁膜１０にクラックが発生するのを低減するこ
とができる。

【００３６】図８は実施例１によって得られた、クラッ
クの発生頻度（縦軸）と混合液の塗布温度（横軸）との
関係を示すグラフで、混合液の塗布温度を低く設定する
ほど、クラックの発生頻度は少なくなる傾向にあること
を示している。混合液の塗布温度の下限は、形成される
層間絶縁膜１２としての特性が著しく損なわれない程度
に選ぶことができる。

【００３７】このような実施例１によれば次のような効
果が得られる。

【００３８】層間絶縁膜１２を形成するにあたり、第１
の絶縁膜９上に形成すべき第２の絶縁膜１０の原材料と
なる媒質と媒体との混合液を、常温（約２３℃）以下で
所望の厚さに回転塗布法によって塗布するようにしたの
で、ベーク処理工程において、混合液の特に上部の媒体
の揮発速度を抑えることができるため、混合液の底部の
揮発不足を解消できるようになる。従って、形成される
層間絶縁膜１２にベーク処理時にクラックが発生するの
を低減することが可能となる。

【００３９】（実施例２）図９は本発明の実施例２によ
る半導体装置の製造装置を示すブロック図で、実施例１
による半導体装置の製造方法の実施に用いられる製造装
置を示している。

【００４０】本実施例の半導体装置の製造装置は、表面
にソース電極７、ドレイン電極８あるいはゲート電極５
のような下層配線膜が形成され、この下層配線膜を覆う
ように第１の絶縁膜９が形成されたウエハ１を収容する
ウエハロード部１６と、このウエハロード部１６から移
送されたウエハ１の第１の絶縁膜９上に、第２の絶縁膜
１０の原材料となる媒質と媒体との混合液を常温以下で
回転塗布するウエハ塗布部１７と、このウエハ塗布部１
７から移送されたウエハ１を混合液から媒体を揮発させ
て第２の絶縁膜１０となすためにべーク処理するウエハ
ベーク部１８と、第１の絶縁膜９及び第２の絶縁膜１０
を含む層間絶縁膜１２を形成した後に、この層間絶縁膜
１２上に上層配線膜１３が形成されたウエハ１を取り出
すウエハアンロード部１９と、ウエハ塗布部１７におい
てウエハ１に塗布される混合液の塗布温度が常温以下に
なるように制御する制御部２０とを備えている。

【００４１】ウエハ１は１枚毎に、あるいは複数枚がカ
セットに保持されてウエハロード部１６に収容された
後、ウエハ塗布部１７に移送されて混合液が前記したよ
うに回転塗布法によって塗布される。続いて、ウエハ１
はウエハべーク部１８に移送されてベーク処理された
後、ウエハアンロード部１９に移送されてカセット毎に
取り出される。また、ウエハ塗布部１７における混合液
の回転塗布時、混合液の塗布温度は常に制御部２０によ
って制御されて、常温以下となるように保たれる。

【００４２】このような実施例２によれば次のような効
果が得られる。

【００４３】下層配線膜を覆うように第１の絶縁膜９が
形成されたウエハ１を収容するウエハロード部１６と、
ウエハ１の第１の絶縁膜９上に第２の絶縁膜１０の原材
料となる媒質と媒体との混合液を常温以下で回転塗布す
るウエハ塗布部１７と、ウエハ１をべーク処理するウエ
ハベーク部１８と、第１の絶縁膜９及び第２の絶縁膜１
０を含む層間絶縁膜１２を形成した後に、この層間絶縁
膜１２上に上層配線膜１３が形成されたウエハ１を取り
出すウエハアンロード部１９と、ウエハ塗布部１７にお
いてウエハ１に塗布される混合液の塗布温度が常温以下
になるように制御する制御部２０とを備えているので、
ベーク処理時に層間絶縁膜１２にクラックが発生するの
を低減する半導体装置を製造することができる。

【００４４】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

【００４５】例えば、前記実施例では多層配線としては
２層配線を形成する場合に例をあげて説明したが、３層
以上に多層配線を形成する場合でも同様に適用すること
ができる。

【００４６】また、層間絶縁膜を形成するために用いる
混合液の媒質及び媒体の種類は、実施例で示した例に限
らず、他の材料を用いることができ、これら材料に応じ
て塗布温度を変更することができる。

【００４７】さらに、実施例ではＭＯＳ型ＬＳＩの製造
方法に適用した例で説明したが、これに限らず多層配線
を必要とする半導体装置全般に対して適用することがで
きる。

【００４８】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である多層配
線を有する半導体装置の製造技術に適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではない。本発明
は、少なくとも上層配線膜上に層間絶縁膜を回転塗布法
によって形成した後、この層間絶縁膜上に上層配線膜を
形成する条件のものには適用できる。

【００４９】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。

【００５０】層間絶縁膜を形成するにあたり、第１の絶
縁膜上に形成すべき第２の絶縁膜の原材料となる媒質と
媒体との混合液を、常温以下で所望の厚さに回転塗布法
によって塗布するようにしたので、ベーク処理工程にお
いて混合液の特に上部の媒体の揮発速度を抑えることが
できるため、混合液の底部の揮発不足を解消できるよう
になり、形成される層間絶縁膜にベーク処理時にクラッ
クが発生するのを低減することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１による半導体装置の製造方法
の一工程を示す断面図である。

【図２】本発明の実施例１による半導体装置の製造方法
の他の工程を示す断面図である。

【図３】本発明の実施例１による半導体装置の製造方法
のその他の工程を示す断面図である。

【図４】本発明の実施例１による半導体装置の製造方法
のその他の工程を示す断面図である。

【図５】本発明の実施例１による半導体装置の製造方法
のその他の工程を示す断面図である。

【図６】図３の工程の詳細を示すもので、（ａ）及び
（ｂ）は断面図である。

【図７】実施例１において回転塗布した混合液から媒体
が揮発する様子を示すもので、（ａ）及び（ｂ）は概略
説明図である。

【図８】本発明の実施例１による半導体装置の製造方法
によって得られた、クラックの発生頻度（縦軸）と混合
液の塗布温度（横軸）との関係を示す特性図である。

【図９】本発明の実施例２による半導体装置の製造装置
を示すブロック図である。

【符号の説明】

１…半導体ウエハ、２…ソース領域、３…ドレイン領
域、４…ゲート酸化膜、５…ゲート電極、６…保護膜、
７…ソース電極、８…ドレイン電極、９…第１の絶縁
膜、１０…第２の絶縁膜、１１…第３の絶縁膜、１２…
層間絶縁膜、１３…上層配線膜、１４…混合液、１５…
媒体。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下層配線膜が形成された半導体ウエハ上
   に、前記下層配線膜を覆うように回転塗布法によって絶
   縁膜を形成した後、この絶縁膜上に上層配線膜を形成す
   る半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜の原材料
   となる媒質と媒体との混合液を常温以下で回転塗布する
   工程と、前記混合液から媒体を揮発させて絶縁膜となす
   ために前記半導体ウエハをべーク処理する工程と、を含
   むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 下層配線膜が形成された半導体ウエハ上
   に前記下層配線膜を覆うように第１の絶縁膜を形成し、
   この第１の絶縁膜上に回転塗布法によって第２の絶縁膜
   を形成した後この第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成
   し、この第３の絶縁膜上に上層配線膜を形成する半導体
   装置の製造方法において、前記第２の絶縁膜の原材料と
   なる媒質と媒体との混合液を常温以下で回転塗布する工
   程と、前記混合液から媒体を揮発させて第２の絶縁膜と
   なすために前記半導体ウエハをべーク処理する工程と、
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記回転塗布する工程と、前記ベーク処
   理する工程とを複数回繰り返えすことを特徴とする請求
   項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記常温は２３℃であることを特徴とす
   る請求項１乃至３のいづれか１項に記載の半導体装置の
   製造方法。
5. 【請求項５】 表面に下層配線膜が形成されこの下層配
   線膜を覆うように第１の絶縁膜が形成された半導体ウエ
   ハを収容するウエハロード部と、このウエハロード部か
   ら移送された半導体ウエハの前記第１の絶縁膜上に、第
   ２の絶縁膜の原材料となる媒質と媒体との混合液を常温
   以下で回転塗布するウエハ塗布部と、このウエハ塗布部
   から移送された半導体ウエハを前記混合液から媒体を揮
   発させて第２の絶縁膜となすためにべーク処理するウエ
   ハベーク部と、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を含む層
   間絶縁膜を形成した後に、この層間絶縁膜上に上層配線
   膜が形成されたウエハを取り出すウエハアンロード部
   と、前記ウエハ塗布部において半導体ウエハに塗布され
   る前記混合液の塗布温度が常温以下になるように制御す
   る制御部とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造
   装置。