JPS58172010A - 容量リアクタンス回路 - Google Patents
容量リアクタンス回路Info
- Publication number
- JPS58172010A JPS58172010A JP57054822A JP5482282A JPS58172010A JP S58172010 A JPS58172010 A JP S58172010A JP 57054822 A JP57054822 A JP 57054822A JP 5482282 A JP5482282 A JP 5482282A JP S58172010 A JPS58172010 A JP S58172010A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistors
- current
- current source
- pair
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/54—Modifications of networks to reduce influence of variations of temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/46—One-port networks
- H03H11/48—One-port networks simulating reactances
- H03H11/481—Simulating capacitances
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/46—One-port networks
- H03H11/48—One-port networks simulating reactances
- H03H11/483—Simulating capacitance multipliers
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、大容量IJアクタンスをIC(集積回路)内
に等測的に形成する為の回路に関するもので、特に温度
変化に対して安定な容量リアクタンスを得んとするもの
である。
に等測的に形成する為の回路に関するもので、特に温度
変化に対して安定な容量リアクタンスを得んとするもの
である。
音響機器等のIC化が盛んであるが、コイル等の誘導リ
アクタンスや大容量のコンデンサ等の容量リアクタンス
は、モノリシックIC内に組み込むことが出来ないので
、従来はICから接続ビンを出し、それに外付けするの
が一般的であった。
アクタンスや大容量のコンデンサ等の容量リアクタンス
は、モノリシックIC内に組み込むことが出来ないので
、従来はICから接続ビンを出し、それに外付けするの
が一般的であった。
しかして、誘導リアクタンスについては、トランジスタ
や抵抗等のIC化が容易な回路素子を用いて等測的KI
C内に形成する技術が開発されており、現実KIC内に
組み込まれている例もあるが、大容量リアクタンスにつ
いては、末だIC化の例を見ない。
や抵抗等のIC化が容易な回路素子を用いて等測的KI
C内に形成する技術が開発されており、現実KIC内に
組み込まれている例もあるが、大容量リアクタンスにつ
いては、末だIC化の例を見ない。
ところで、第1図に示される如き容量リアクタンス回路
が、本発明と同一の出願人により出願されている。これ
は、エミッタが共通接続された第1及び第2トランジス
タ(1)及び(2)と、該第1トランジスタ(1)のコ
レクタ・ベース間に接続された容易KIC化が出来る小
容量コンデンサ(3)と、前記第1及び第2トランジス
タ(1)及び(2)のベース間に接続された抵抗と、前
記第1及び第2トランジスタ(1)及び(2)の共通エ
ミッタに接続された電流源(5)とを備えるもので、端
子(6)から見た場合に1等価的な大容量リアクタンス
を得ることが出来るものである。第1図の回路において
、端子(6)の電圧を”Os入力電流を11、コンデン
サ(Jに流れる電流を1、とすれば、第1トランジスタ
(1)のベース電EEe1 は、第2トランジスタ(
2)のベース電圧を基準(ただしRは抵抗(4)の抵抗
値) となり、入力電流11は、 11 m・1 ・gm+12 …………e拳・…
… (2)(ただしgmは第1トランジスタ(1
)の相互コンダクタンス) となる。ところで一般的に第1トランジスタ(1)のコ
レクタ電流は、コンデンサ(3)K流れる電流よりも十
分に大であるので、第(2)式は 11寓・1−gm ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・+2)トナル。また、コンデ
ンサ(3)に流れる電流12は、II (ただし、Cはコンデンサ(3)の容量リアクタンス、
ωは角周波数) となる。従って、第(1)、(2)及び(3)式から、
入力電流1啼は、 11厘 ・・・・・・・・・・・・
+41と表わすことが出来、これは第1図の回路が、第
2図に示す如く、抵抗値が1/gmの抵抗(7)と、容
量リアクタンスがR−gm−Cのコンデンサ(8)との
直列回路と等価であることを示している。第(4)式に
おける相互コンダクタンス(gm)は、更に第(5)式
の如く電q+51に流れる電流工の関数として示される
。
が、本発明と同一の出願人により出願されている。これ
は、エミッタが共通接続された第1及び第2トランジス
タ(1)及び(2)と、該第1トランジスタ(1)のコ
レクタ・ベース間に接続された容易KIC化が出来る小
容量コンデンサ(3)と、前記第1及び第2トランジス
タ(1)及び(2)のベース間に接続された抵抗と、前
記第1及び第2トランジスタ(1)及び(2)の共通エ
ミッタに接続された電流源(5)とを備えるもので、端
子(6)から見た場合に1等価的な大容量リアクタンス
を得ることが出来るものである。第1図の回路において
、端子(6)の電圧を”Os入力電流を11、コンデン
サ(Jに流れる電流を1、とすれば、第1トランジスタ
(1)のベース電EEe1 は、第2トランジスタ(
2)のベース電圧を基準(ただしRは抵抗(4)の抵抗
値) となり、入力電流11は、 11 m・1 ・gm+12 …………e拳・…
… (2)(ただしgmは第1トランジスタ(1
)の相互コンダクタンス) となる。ところで一般的に第1トランジスタ(1)のコ
レクタ電流は、コンデンサ(3)K流れる電流よりも十
分に大であるので、第(2)式は 11寓・1−gm ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・+2)トナル。また、コンデ
ンサ(3)に流れる電流12は、II (ただし、Cはコンデンサ(3)の容量リアクタンス、
ωは角周波数) となる。従って、第(1)、(2)及び(3)式から、
入力電流1啼は、 11厘 ・・・・・・・・・・・・
+41と表わすことが出来、これは第1図の回路が、第
2図に示す如く、抵抗値が1/gmの抵抗(7)と、容
量リアクタンスがR−gm−Cのコンデンサ(8)との
直列回路と等価であることを示している。第(4)式に
おける相互コンダクタンス(gm)は、更に第(5)式
の如く電q+51に流れる電流工の関数として示される
。
2に7 4kT
従って、第(5)式より等価容量リアクタンスは、R’
gm ” C富、 w T ’ R” C”工 ・・
・・・・・・・・・・ (6)となり、電流源(5)
に流れる電流工に比例したものとなる。それ故、前記電
流源(5)K流れる電流工を変化すれば、第1図の回路
は、可変容量りアクタンスともなる。
gm ” C富、 w T ’ R” C”工 ・・
・・・・・・・・・・ (6)となり、電流源(5)
に流れる電流工に比例したものとなる。それ故、前記電
流源(5)K流れる電流工を変化すれば、第1図の回路
は、可変容量りアクタンスともなる。
上述の如く、第1図の回路は、IC化の可能な素子のみ
の使用で等価容量リアクタンスを得ることが出来るので
、IC化の自由度が増すという便利なものであるが、I
の項が温度に対して不安定な為に、前記s1図の回路を
発振素子の並列容量として用いる場合には、発振周波数
の変動が生じる等の欠点を有していた。
の使用で等価容量リアクタンスを得ることが出来るので
、IC化の自由度が増すという便利なものであるが、I
の項が温度に対して不安定な為に、前記s1図の回路を
発振素子の並列容量として用いる場合には、発振周波数
の変動が生じる等の欠点を有していた。
本発明は、上述の点に@み成されたもので、以下実施例
に基づき、図面を参照しながら説明する。
に基づき、図面を参照しながら説明する。
第3図は本発明の一実施例を示すもので、(9)はエミ
ッタが共通、接続された第1及び第2トランジスタαG
及びaυから成る第1差動増幅回路、@は前記第1トラ
ンジスタ埠のコレクタ・ベース間に接続された小容量の
コンデンサ、1mは前記$1及び第2トランジスタfl
l及びαυの共通エミッタに接続された第1電流源、東
はダイオード接続され、そのベースが前記第1トランジ
スタα〔のベースに接続された第3トランジスタ0Sと
、ベースが前記第2トランジスタ(2)のベースに接続
された第4トランジスタ+IIとから成る第2差動増幅
回路、(lηは前記第3及び第4トランジスタu9及び
u19の共通エミッタに接続された1l12電流源、(
11は前記第2及び第4トランジスタα劾及びI19の
ベースに基準電圧を供給する為の定電圧源、りはPNP
)ランジスタ(至)とダイオード(211とから成り
、第1及び第2トランジスタ+1(I及びfillのコ
レクタ電流を供給する為の第1電流ミラー回路、及び■
はPIP)ランジスタ(至)とダイオード(至)とから
成り、第3及び第4トランジスタ(社)及び(]eのコ
レクタ電流を供給する為の第2電流ミラー回路である。
ッタが共通、接続された第1及び第2トランジスタαG
及びaυから成る第1差動増幅回路、@は前記第1トラ
ンジスタ埠のコレクタ・ベース間に接続された小容量の
コンデンサ、1mは前記$1及び第2トランジスタfl
l及びαυの共通エミッタに接続された第1電流源、東
はダイオード接続され、そのベースが前記第1トランジ
スタα〔のベースに接続された第3トランジスタ0Sと
、ベースが前記第2トランジスタ(2)のベースに接続
された第4トランジスタ+IIとから成る第2差動増幅
回路、(lηは前記第3及び第4トランジスタu9及び
u19の共通エミッタに接続された1l12電流源、(
11は前記第2及び第4トランジスタα劾及びI19の
ベースに基準電圧を供給する為の定電圧源、りはPNP
)ランジスタ(至)とダイオード(211とから成り
、第1及び第2トランジスタ+1(I及びfillのコ
レクタ電流を供給する為の第1電流ミラー回路、及び■
はPIP)ランジスタ(至)とダイオード(至)とから
成り、第3及び第4トランジスタ(社)及び(]eのコ
レクタ電流を供給する為の第2電流ミラー回路である。
しかして、j83図において、第3トランジスタ09の
ベース・エミッタ間の接合抵抗R1は、第2電流源11
ηの電流をxBとすれば、 となり、第4トランジスタα・のベース・エミッタ間の
接合抵抗RMも第(7)式の如くなる。従って、第3ト
ランジスタ(至)のベースから第4トランジスタ(ls
のベースを見た等価インピーダンスRzはとなり、前記
第(6)及び第(8)式から、第5図の回路における端
子−から見た等価容量りアクタンスは、となる。第(9
)式から明らかな如<、 11IS図に示される回路の
等価容量リアクタンスは、コンデンサα湯の容量Cと、
JIIN及び第2電流jlU及びa詐に流れる電流I及
び工Eの比jとによって決まり、晶という要素を含まな
い。その為、第3図の回路は温度に対して極めて安定な
回路となり、特に発振器に利用して好適なものとなる。
ベース・エミッタ間の接合抵抗R1は、第2電流源11
ηの電流をxBとすれば、 となり、第4トランジスタα・のベース・エミッタ間の
接合抵抗RMも第(7)式の如くなる。従って、第3ト
ランジスタ(至)のベースから第4トランジスタ(ls
のベースを見た等価インピーダンスRzはとなり、前記
第(6)及び第(8)式から、第5図の回路における端
子−から見た等価容量りアクタンスは、となる。第(9
)式から明らかな如<、 11IS図に示される回路の
等価容量リアクタンスは、コンデンサα湯の容量Cと、
JIIN及び第2電流jlU及びa詐に流れる電流I及
び工Eの比jとによって決まり、晶という要素を含まな
い。その為、第3図の回路は温度に対して極めて安定な
回路となり、特に発振器に利用して好適なものとなる。
また、第(9)式から明らかな如く、第1電流源(1m
の電流工と第2電流源0ηの電流工Eの少くとも一方を
制御信号により可変とすれば、等価容量リアクタンスを
変化させることが出来、第3図の回路を可変容量りアク
タンスとして利用出来る。特に、第1電流源(13の電
流工を変化させると容量リアクタンスを直線的に変化さ
せることが出来、電圧制御発振器の如く、温度に対して
安定でかつ直線的に変化する可変容量りアクタンスを必
要とする機器のIC化が極めて容易となる。
の電流工と第2電流源0ηの電流工Eの少くとも一方を
制御信号により可変とすれば、等価容量リアクタンスを
変化させることが出来、第3図の回路を可変容量りアク
タンスとして利用出来る。特に、第1電流源(13の電
流工を変化させると容量リアクタンスを直線的に変化さ
せることが出来、電圧制御発振器の如く、温度に対して
安定でかつ直線的に変化する可変容量りアクタンスを必
要とする機器のIC化が極めて容易となる。
以上述べた如く、本発明に係る容ffl IJアクタン
ス回路は、IC化に適し、かつ温度に対して安定な特性
を有する優れたものである。
ス回路は、IC化に適し、かつ温度に対して安定な特性
を有する優れたものである。
第1図は、本発明の基本となる容量リアクタンス回路を
示す回路図、第2図はその等価回路図、及び第3図は本
発明の一実施例を示す回路図である。 主な図番の説明 (1tl11υ(15[1i9・・・トランジスタ、α
湯・・・コンデンサ、止・・・第114[源、αη・・
・第2電流源。
示す回路図、第2図はその等価回路図、及び第3図は本
発明の一実施例を示す回路図である。 主な図番の説明 (1tl11υ(15[1i9・・・トランジスタ、α
湯・・・コンデンサ、止・・・第114[源、αη・・
・第2電流源。
Claims (2)
- (1)エミッタが共通接続された第1の一対のトランジ
スタと、該一対のトランジスタのうちの一方のトランジ
スタのコレクタ・ベース間に接続さレタコンデンサと、
前記一対のトランジスタのエミッタ電流を定める為の第
1電流源と、前記一対のトランジスタのベースにそれぞ
れ共通接続されるベースを有する第2の一対のトランジ
スタと、該第2の一対のトランジスタのエミッタ電流を
定める為の第2電流源とから成り、前記第1の一対のト
ランジスタのうちの一方のトランジスタのコレクタから
見た等価容量を、前記コンデンサの容量と前記第1及び
第2電流源の電流比とKよって定める様に成したことを
特徴とする容量リアクタンス回路。 - (2)前記第1及び第2電流源の少(とも一方は、制御
信号に応じて流れる電流が変化する可変電流源であり、
前記可変電流源に流れる電流に応じた可変等価容量が得
られる様に成したことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の容量リアクタンス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054822A JPS58172010A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 容量リアクタンス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054822A JPS58172010A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 容量リアクタンス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172010A true JPS58172010A (ja) | 1983-10-08 |
| JPH0348686B2 JPH0348686B2 (ja) | 1991-07-25 |
Family
ID=12981371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57054822A Granted JPS58172010A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 容量リアクタンス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172010A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59218010A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-08 | Sony Corp | 可変周波数発振回路 |
| JPS6326017A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-03 | Rohm Co Ltd | 可変リアクタンス回路 |
-
1982
- 1982-04-01 JP JP57054822A patent/JPS58172010A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59218010A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-08 | Sony Corp | 可変周波数発振回路 |
| JPS6326017A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-03 | Rohm Co Ltd | 可変リアクタンス回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348686B2 (ja) | 1991-07-25 |
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