JPS60125018A - 超伝導論理ゲ−ト - Google Patents
超伝導論理ゲ−トInfo
- Publication number
- JPS60125018A JPS60125018A JP58233954A JP23395483A JPS60125018A JP S60125018 A JPS60125018 A JP S60125018A JP 58233954 A JP58233954 A JP 58233954A JP 23395483 A JP23395483 A JP 23395483A JP S60125018 A JPS60125018 A JP S60125018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- bias
- junction
- terminal
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/195—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using superconductive devices
- H03K19/1954—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using superconductive devices with injection of the control current
- H03K19/1956—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using superconductive devices with injection of the control current using an inductorless circuit
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はジョセフソン接合を構成要素に含む超伝導論理
ゲートに係り、特に、バイアス信号に対して逆極性の入
力信号には応答してスイッチするが同極性の入力信号に
は応答しない特性をもつ超伝導論理ゲートに関するもの
で、ゲート回路内にインダクタンスを含まないで抵抗と
ジョセフソン接合のみで構成した小形、広マージンの電
流注入形の論理ゲートを実現することを図ったものであ
る。
ゲートに係り、特に、バイアス信号に対して逆極性の入
力信号には応答してスイッチするが同極性の入力信号に
は応答しない特性をもつ超伝導論理ゲートに関するもの
で、ゲート回路内にインダクタンスを含まないで抵抗と
ジョセフソン接合のみで構成した小形、広マージンの電
流注入形の論理ゲートを実現することを図ったものであ
る。
従来、超伝導論理ゲートとしては、インダクタンスとジ
ョセフソン接合とにより閉ループを形成し、インダクタ
ンスに入力信号を磁気的に結合した構造をもつ磁気結合
形ゲートと、直接、接合に電流を注入する形式の電流注
入形ゲートの2種類が知られており、広く用いらねてい
る。
ョセフソン接合とにより閉ループを形成し、インダクタ
ンスに入力信号を磁気的に結合した構造をもつ磁気結合
形ゲートと、直接、接合に電流を注入する形式の電流注
入形ゲートの2種類が知られており、広く用いらねてい
る。
これ等ゲートのうち磁気結合形ゲートはその回路パラメ
ー゛夕の選択によっては、バイアスと互いに極性の異な
る入力信号のみに高い感度を示し、同極性の入力信号に
は応答しないような特性をもたせることが可能である。
ー゛夕の選択によっては、バイアスと互いに極性の異な
る入力信号のみに高い感度を示し、同極性の入力信号に
は応答しないような特性をもたせることが可能である。
しかしながらインダクタンスを用いるため、寸法が大き
く、゛またスイ。
く、゛またスイ。
チ速度が遅いという問題かあった。
一方、注入形ゲートは寸法が小さく、高速動作が可能で
ある反面、バイアス信号と逆極性の入力信号にのみ応答
し、同一極性をもつ信号に応答しないような特性をもた
せることが困難であり、本発明の目的とするゲートの構
成は不可能であるという問題があった。
ある反面、バイアス信号と逆極性の入力信号にのみ応答
し、同一極性をもつ信号に応答しないような特性をもた
せることが困難であり、本発明の目的とするゲートの構
成は不可能であるという問題があった。
本発明の目的は、従来技術での上記した問題点を解決し
、バイアス信号と同極性の入力信号には応答せず逆極性
の入力信号には高感度に応答する、小形、高速動作とす
ることのできる電流注入形の超伝導論理ゲートを提供す
ることにある。
、バイアス信号と同極性の入力信号には応答せず逆極性
の入力信号には高感度に応答する、小形、高速動作とす
ることのできる電流注入形の超伝導論理ゲートを提供す
ることにある。
本発明の特徴は、上記目的を達成するために、バイアス
信号を導入するバイアス端子と入力信号を注入する入力
端子と出力信号を取出す出力端子とを有し、ジョセフソ
ン接合の一方端をバイアス端子に接続し、他方端を抵抗
を介して接地電位とし、上記抵抗とジョセフソン接合と
の接続交点を入力端子に接続し、上記バイアス端子とジ
ョセフソン接合との接続点を出力端子に接続した構成の
超伝導論理ゲートとするにある。
信号を導入するバイアス端子と入力信号を注入する入力
端子と出力信号を取出す出力端子とを有し、ジョセフソ
ン接合の一方端をバイアス端子に接続し、他方端を抵抗
を介して接地電位とし、上記抵抗とジョセフソン接合と
の接続交点を入力端子に接続し、上記バイアス端子とジ
ョセフソン接合との接続点を出力端子に接続した構成の
超伝導論理ゲートとするにある。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。第1
図(a)は実施例回路図、fb)はそのしきい値特性図
である。第1図において、1はバイアス信号が導入され
るバイアス端子、2は入力信号が注入される入力端子、
3は出力信号取出し用の出力端子、Jはジョセフソン接
合、Rsは入力信号の接地側の抵抗、RLは負荷抵抗を
示す。ジョセフソン接合Jは抵抗Rsを介して接地され
、かつ抵抗Rsとの接続交点に入力端子2が接続され、
接合Jの他方端子にバイアス端子1が接続され、さらに
上記接合Jの上記他方端子に抵抗RLを介して出力端子
3が接続される構成となっている。
図(a)は実施例回路図、fb)はそのしきい値特性図
である。第1図において、1はバイアス信号が導入され
るバイアス端子、2は入力信号が注入される入力端子、
3は出力信号取出し用の出力端子、Jはジョセフソン接
合、Rsは入力信号の接地側の抵抗、RLは負荷抵抗を
示す。ジョセフソン接合Jは抵抗Rsを介して接地され
、かつ抵抗Rsとの接続交点に入力端子2が接続され、
接合Jの他方端子にバイアス端子1が接続され、さらに
上記接合Jの上記他方端子に抵抗RLを介して出力端子
3が接続される構成となっている。
このような構成とした論理ゲートのしきい値特性は、第
1図(blに示すように、バイアス信号IBと同符号の
入力信号Icに対しては動作しないが、異符号の入力信
号Icに対−してはスイッチ動作〔直線(イ)のしきい
値より外側の斜線部分で正常動作〕する特性となる。即
ち、 (1)バイアス端子1に接合Jの臨界電流よりも小さな
信号レベルのバイアス信号IJS Cfb1図では直線
(ロ)以下の領域に対応する〕を印加する。
1図(blに示すように、バイアス信号IBと同符号の
入力信号Icに対しては動作しないが、異符号の入力信
号Icに対−してはスイッチ動作〔直線(イ)のしきい
値より外側の斜線部分で正常動作〕する特性となる。即
ち、 (1)バイアス端子1に接合Jの臨界電流よりも小さな
信号レベルのバイアス信号IJS Cfb1図では直線
(ロ)以下の領域に対応する〕を印加する。
(2)入力端子2にバイアス信号と同一符号の入力信号
を印加すると、入力信号の大部分は抵抗助を通って接地
側に流れ、入力信号の一部分は接合Jをバイアス信号を
打消丁方向に流れる。このため接合Jはスイッチせず、
出力端子3にはits部分の電位上昇に対応するわずか
な信号しか得られない。
を印加すると、入力信号の大部分は抵抗助を通って接地
側に流れ、入力信号の一部分は接合Jをバイアス信号を
打消丁方向に流れる。このため接合Jはスイッチせず、
出力端子3にはits部分の電位上昇に対応するわずか
な信号しか得られない。
(3) 入力端子2にバイアス信号と逆極性の入力信号
が印加されると、入力信号の一部はRsを介して接地か
ら入力端子2に向う方向に流れ、一部は出力端子3及び
負荷抵抗Ra、から接合、、T4−介して入力端子2に
向う方向に流れることになる。この場合は入力信号によ
って接合Jに流れる電流はバイアス電流と同一方向であ
り、重ね合わされることになり、この結果、接合Jは電
圧転移し、高抵抗を呈する。このため、出力端子3かも
大きな振幅の出力信号を取出すことかできる。この場合
の動作領域は、(bl図の直線(イ)の負側の斜線で示
したように広いものとなる。
が印加されると、入力信号の一部はRsを介して接地か
ら入力端子2に向う方向に流れ、一部は出力端子3及び
負荷抵抗Ra、から接合、、T4−介して入力端子2に
向う方向に流れることになる。この場合は入力信号によ
って接合Jに流れる電流はバイアス電流と同一方向であ
り、重ね合わされることになり、この結果、接合Jは電
圧転移し、高抵抗を呈する。このため、出力端子3かも
大きな振幅の出力信号を取出すことかできる。この場合
の動作領域は、(bl図の直線(イ)の負側の斜線で示
したように広いものとなる。
上に述べたように、第1図回路は、逆極性の信号のみに
感度よく応答する。この回路は抵抗とジョセフソン接合
のみで構成されてインダクタンスを必要としないことか
ら、小形であり、またインダクタンスによる遅延かなく
高速動作が可能であるという特長を有する。
感度よく応答する。この回路は抵抗とジョセフソン接合
のみで構成されてインダクタンスを必要としないことか
ら、小形であり、またインダクタンスによる遅延かなく
高速動作が可能であるという特長を有する。
第2図は本発明の他の実施例を示す回路図としきい値特
性図であり、3個のジョセフソン接合Jl。
性図であり、3個のジョセフソン接合Jl。
J2.Jaを有する場合である。各接合Jl、 J2.
Jaは一点で接続され、その交点にはバイアス端子1
と、さらに負荷抵抗R,Lを介して出力端子3が接続さ
れる。接合J1. Jz、 Jsの他方端はそれぞれ抵
抗Rz。
Jaは一点で接続され、その交点にはバイアス端子1
と、さらに負荷抵抗R,Lを介して出力端子3が接続さ
れる。接合J1. Jz、 Jsの他方端はそれぞれ抵
抗Rz。
R,2,R3を介して接地され、JlとR1の接続交点
と、+2とR2の接続交点との間には第1のバイパス抵
抗RBPIが、また、+2とR,2の接続交点と、+3
とR3の接続交点との間には第2のバイパス抵抗RBP
2が接続されている。さらに、JlとRzの接続交点に
は入力端子2が接続される。
と、+2とR2の接続交点との間には第1のバイパス抵
抗RBPIが、また、+2とR,2の接続交点と、+3
とR3の接続交点との間には第2のバイパス抵抗RBP
2が接続されている。さらに、JlとRzの接続交点に
は入力端子2が接続される。
このような構成の論理ゲートのしきい値特性は第2図[
blのようになる。図中(ilt (iL (mlはそ
れぞれ接合Jl、 +2. +3が以下に示すようなス
イッチング動作において持つしきい値曲線を示し、ゲー
トとして正常動作が可能となるバイアス信号及び入力信
号の領域は斜線部に対応する。
blのようになる。図中(ilt (iL (mlはそ
れぞれ接合Jl、 +2. +3が以下に示すようなス
イッチング動作において持つしきい値曲線を示し、ゲー
トとして正常動作が可能となるバイアス信号及び入力信
号の領域は斜線部に対応する。
第2図実施例のゲートは次のよ5な動作を行う。
(1)バイアス端子1からバイアス信号を印加すると信
号は抵抗R1,R2,R3の値の逆数に比例する大きさ
をもって各抵抗に分流する。この電流によっては各接合
ともスイッチしないようにバイアス信号レベルを設定す
るものとする〔バイアスのみでスイッチするしきい値は
曲線Ovlである〕。
号は抵抗R1,R2,R3の値の逆数に比例する大きさ
をもって各抵抗に分流する。この電流によっては各接合
ともスイッチしないようにバイアス信号レベルを設定す
るものとする〔バイアスのみでスイッチするしきい値は
曲線Ovlである〕。
(2)バイアスと逆極性の入力信号が印加されると、接
合Jlには、バイアスの分流分の他に、バイアス端子方
向からJlを端子2に向って流れる電流、接地→R2→
J2を経てJlに流入する電流、接地−)R13→J3
を経てJrに流入する電流の全てが重ね合ゎさ−れて流
れる。このためJlが高い入力感度をもってスイッチす
ることになる。このスイッチしきい値の例を第2図fb
l(+1に示す。
合Jlには、バイアスの分流分の他に、バイアス端子方
向からJlを端子2に向って流れる電流、接地→R2→
J2を経てJlに流入する電流、接地−)R13→J3
を経てJrに流入する電流の全てが重ね合ゎさ−れて流
れる。このためJlが高い入力感度をもってスイッチす
ることになる。このスイッチしきい値の例を第2図fb
l(+1に示す。
(31Jlがスイッチすると、バイアスはR2とR3の
抵抗の逆数に比例する割合で、+2と+3に分流する。
抵抗の逆数に比例する割合で、+2と+3に分流する。
一方、入力信号や一部は接地→R1を経て端子2に流れ
るが一部は接地→R3→J3を経て+2に流れ端子2に
流出する。このため、+2には多大な電流が流れること
になり、+2はスイッチする。このときのしきい値特性
は図の(ballのようになる。
るが一部は接地→R3→J3を経て+2に流れ端子2に
流出する。このため、+2には多大な電流が流れること
になり、+2はスイッチする。このときのしきい値特性
は図の(ballのようになる。
(4) Jl、 +2 カスイッチするとバイアス信号
は+3に集中する。一方、入力信号の一部は、接合の共
通接続端子の方から+3→抵抗→2の経路で端子2に流
出する。このため+3に信号が集中し、+3もスイッチ
する。このときのしきい値特性は図の(b)(m+のよ
うになる。
は+3に集中する。一方、入力信号の一部は、接合の共
通接続端子の方から+3→抵抗→2の経路で端子2に流
出する。このため+3に信号が集中し、+3もスイッチ
する。このときのしきい値特性は図の(b)(m+のよ
うになる。
(5)以上の(1)〜(iiilのしきい値と、バイア
スのみでスイッチするしきい値OV)とで囲まれた斜線
部の動作領域に含まれる動作点Xでは、ゲートはスイッ
チし、バイアス信号は負荷九を介して出力される。一方
、入力信号はR1−R3で接地側にシャントされること
になる。
スのみでスイッチするしきい値OV)とで囲まれた斜線
部の動作領域に含まれる動作点Xでは、ゲートはスイッ
チし、バイアス信号は負荷九を介して出力される。一方
、入力信号はR1−R3で接地側にシャントされること
になる。
(6)一方、バイアス信号の極性と同極性の入力信号に
対しては、入力信号のほとんどはR,1〜R3を介して
接地に流れる。この際、一部の入力電流は2→J1→共
通接続点→J2→R2→接地、あるいは2→Jx、→共
通接続点→J3→R3→接地というようにバイアス信号
と重ね合わさって+2. +3に流れる。しかし、+2
及び+3の臨界電流値を、バイアスのみ流したとぎに各
接合に流れる電流よりも余裕をもって設計(例えばR1
=R2=Raのとき接合Jlの臨界電流をIJとして+
2. Jaの各々のそれを1.5 IJにするというよ
うに)しておけば、順方向電流では+2゜+3は入力感
度か小さく、例えは第2図(bl Mのようになり、通
常の動作レベル(図中のY点)ではゲートがスイッチし
ないように、決めることかできる。
対しては、入力信号のほとんどはR,1〜R3を介して
接地に流れる。この際、一部の入力電流は2→J1→共
通接続点→J2→R2→接地、あるいは2→Jx、→共
通接続点→J3→R3→接地というようにバイアス信号
と重ね合わさって+2. +3に流れる。しかし、+2
及び+3の臨界電流値を、バイアスのみ流したとぎに各
接合に流れる電流よりも余裕をもって設計(例えばR1
=R2=Raのとき接合Jlの臨界電流をIJとして+
2. Jaの各々のそれを1.5 IJにするというよ
うに)しておけば、順方向電流では+2゜+3は入力感
度か小さく、例えは第2図(bl Mのようになり、通
常の動作レベル(図中のY点)ではゲートがスイッチし
ないように、決めることかできる。
以上説明したように、第2図実施例では、バイアス信号
と逆極性の入力信号には高感度で応答するが、同一極性
の入力信号には応答しない特性を得ることができる。こ
の場合も第1図の実施例と同様に、インダクタンスを必
要とせす、小形かつ高速化が可能となるという特長があ
る。さらに、第2図実施例によ、れば1.hがスイッチ
するには微小電流を印加すればよく、それにより大きな
バイアス信号を出力に取り出し得るため、第1図の実施
例に比べ、逆極性信号に対する利害が大きくとれるとい
う特長がある。
と逆極性の入力信号には高感度で応答するが、同一極性
の入力信号には応答しない特性を得ることができる。こ
の場合も第1図の実施例と同様に、インダクタンスを必
要とせす、小形かつ高速化が可能となるという特長があ
る。さらに、第2図実施例によ、れば1.hがスイッチ
するには微小電流を印加すればよく、それにより大きな
バイアス信号を出力に取り出し得るため、第1図の実施
例に比べ、逆極性信号に対する利害が大きくとれるとい
う特長がある。
以上の基本概念を変えることなく種々の変形、変更の可
能なことはいうまでもない。例えは、さらに感度を上げ
るためにゲートの出力段に増幅段を挿入してもよい。ま
た、第3図のように、接合J4と抵抗R4の直列回路を
さらに追加してバイアス端子と接地間に接続し、その接
続中点と+3. l(,3の接続中点とを抵抗を介して
接続する構成としてもよい。この第3図構成によれば、
入力感度をさらに大きくとれることになる。さらに、第
4図のように、第2図におげろJl、 RIの接続中点
とJ2. R2の接続中点間にバイパス抵抗Rnpxを
、Jl、R1の接続中点とJ3. ’Raの接続中点間
にバイパス抵抗R,BP2を接続する構成としても同様
の特性を実現することかできる。
能なことはいうまでもない。例えは、さらに感度を上げ
るためにゲートの出力段に増幅段を挿入してもよい。ま
た、第3図のように、接合J4と抵抗R4の直列回路を
さらに追加してバイアス端子と接地間に接続し、その接
続中点と+3. l(,3の接続中点とを抵抗を介して
接続する構成としてもよい。この第3図構成によれば、
入力感度をさらに大きくとれることになる。さらに、第
4図のように、第2図におげろJl、 RIの接続中点
とJ2. R2の接続中点間にバイパス抵抗Rnpxを
、Jl、R1の接続中点とJ3. ’Raの接続中点間
にバイパス抵抗R,BP2を接続する構成としても同様
の特性を実現することかできる。
以上説明したように、本発明によれは、インダクタンス
を必要とせず、抵抗と接合のみで構成できる小形、広マ
ージンの電流注入形のもとで、逆極性入力に対してのみ
応答する特性をもたせることができる。このようなゲー
トは、多相のバイポーラ信号を電源信号として用いるジ
ョセフソン論理回路において、ダイオード的な特性を実
現できることを意味しており、これにより、従来の論理
ゲートでは実現できなかった入力信号の種類によって回
路動作を変化させたり、バイアス信号の極性によって回
路動作を変化させたりすることが可能となり、これは、
論理回路の機能を拡大するものであり、応用範囲を広げ
るものである。
を必要とせず、抵抗と接合のみで構成できる小形、広マ
ージンの電流注入形のもとで、逆極性入力に対してのみ
応答する特性をもたせることができる。このようなゲー
トは、多相のバイポーラ信号を電源信号として用いるジ
ョセフソン論理回路において、ダイオード的な特性を実
現できることを意味しており、これにより、従来の論理
ゲートでは実現できなかった入力信号の種類によって回
路動作を変化させたり、バイアス信号の極性によって回
路動作を変化させたりすることが可能となり、これは、
論理回路の機能を拡大するものであり、応用範囲を広げ
るものである。
第1図は本発明の一実施例を示す図で(a)は回路図、
(b)はそのしきい値特性図、第2図は本発明の他の実
施例を示す図で(alは回路図、(blはそのしきい値
特性図、第3図及び第4図はそれぞれ本発明のさらに他
の実施例を示す回路図である。 〈符号の説明〉 1・・・バイアス端子 2・・・入力端子 3・・・出力端子 J、Jl−J4・・・ジョセフソン接合Rs、 R1−
R4・・・接地側の抵抗RL・・・負荷抵抗 、RBPl、 R,BF2・・・バイパス抵抗特許出願
人 日本電信電話公社 代理人弁理士 中 村 純 之 助 1’1 図 (Q) (b) Ic 中2図 (Q) ■ (b)
(b)はそのしきい値特性図、第2図は本発明の他の実
施例を示す図で(alは回路図、(blはそのしきい値
特性図、第3図及び第4図はそれぞれ本発明のさらに他
の実施例を示す回路図である。 〈符号の説明〉 1・・・バイアス端子 2・・・入力端子 3・・・出力端子 J、Jl−J4・・・ジョセフソン接合Rs、 R1−
R4・・・接地側の抵抗RL・・・負荷抵抗 、RBPl、 R,BF2・・・バイパス抵抗特許出願
人 日本電信電話公社 代理人弁理士 中 村 純 之 助 1’1 図 (Q) (b) Ic 中2図 (Q) ■ (b)
Claims (1)
- (1)バイアス信号を導入するバイアス端子と入力信号
を注入する入力端子と出力信号を取出す出力端子とを有
し、ジョセフソン接合の一方端ヲバイアス端子に接続し
、他方端を抵抗を介して接地電位とし、上記抵抗とジョ
セフソン接合との接続交点を入力端子に接続し、上記バ
イアス端子とジョセフソン接合との接続交点を出力端子
に接続してなる超伝導論理ゲート。 (2、特許請求の範囲第1項記載の論理ゲートにおいて
、複数個のジョセフソン接合を有し、各接合の一方端は
共通のバイアス端子に接続され他方端はそれぞれ別個の
抵抗を介して接地され、各々の抵抗とジョセフソン接合
の接続交点間はそれぞれ抵抗で接続されており、抵抗と
ジョセフソン接合の接続交点の一つを入力端子に、バイ
アス端子とジョセフソン接合の接続交点を出力端子に接
続してなる超伝導論理ゲート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58233954A JPS60125018A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 超伝導論理ゲ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58233954A JPS60125018A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 超伝導論理ゲ−ト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60125018A true JPS60125018A (ja) | 1985-07-04 |
Family
ID=16963224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58233954A Pending JPS60125018A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 超伝導論理ゲ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60125018A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994009566A1 (en) * | 1992-10-15 | 1994-04-28 | The University Of British Columbia | Superconductor switching circuits |
-
1983
- 1983-12-12 JP JP58233954A patent/JPS60125018A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994009566A1 (en) * | 1992-10-15 | 1994-04-28 | The University Of British Columbia | Superconductor switching circuits |
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