JPS6185843A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6185843A JPS6185843A JP59208619A JP20861984A JPS6185843A JP S6185843 A JPS6185843 A JP S6185843A JP 59208619 A JP59208619 A JP 59208619A JP 20861984 A JP20861984 A JP 20861984A JP S6185843 A JPS6185843 A JP S6185843A
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- Japan
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- film
- melting point
- polycrystalline silicon
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- Granted
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E50/00—Technologies for the production of fuel of non-fossil origin
- Y02E50/30—Fuel from waste, e.g. synthetic alcohol or diesel
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に半導体装置の高融点金
属あるいはそのクリサイドを電極配線に用いた構造に関
する。
属あるいはそのクリサイドを電極配線に用いた構造に関
する。
第２図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来の配線簿造を説明
するだめの半導体装置の瑯１面図であり、１はシリコン
基板、２はフィールド酸化膜、３はゲート酸化膜、４は
多結晶シリコン、５は高融点金属あるいはそのシリサイ
ドである。ところで高融点金属あるいはそのシリサイド
５は後の工程の熱処理により多結晶シリコン５を通り抜
は酸化膜２．３に達する（第２図（ｂ））。フィールド
酸化膜２は厚いので高融点金Ｊ５ｉまたはそのシリサイ
ドによる影響はほとんどないが、ゲート酸化膜３は薄い
のでダメージを受は膜質が劣化し、半導体装置の信頼性
の低下の原因となっていた。
するだめの半導体装置の瑯１面図であり、１はシリコン
基板、２はフィールド酸化膜、３はゲート酸化膜、４は
多結晶シリコン、５は高融点金属あるいはそのシリサイ
ドである。ところで高融点金属あるいはそのシリサイド
５は後の工程の熱処理により多結晶シリコン５を通り抜
は酸化膜２．３に達する（第２図（ｂ））。フィールド
酸化膜２は厚いので高融点金Ｊ５ｉまたはそのシリサイ
ドによる影響はほとんどないが、ゲート酸化膜３は薄い
のでダメージを受は膜質が劣化し、半導体装置の信頼性
の低下の原因となっていた。
本発明は上記従来例の欠点に鑑み提案されたものであり
、ゲート酸化膜が高融点金属あるいはそのシリサイドか
らのダメージを受けることのない電極配線構造を有する
半導体装置の提供を目的とする。
、ゲート酸化膜が高融点金属あるいはそのシリサイドか
らのダメージを受けることのない電極配線構造を有する
半導体装置の提供を目的とする。
本発明は、多結晶シリコンと高融点金属あるいは多結晶
シリコンとシリサイドの複合膜を電極配線として用いる
半導体装置において、活性化領域では前記多結晶シリコ
ンと高融点金属あるいは前記多結晶シリコンとシリサイ
ドの間に絶縁膜を有し、前記多結晶シリコンと高融点金
属あるいは前記多結晶シリコンとシリサイドとの接続は
非活性化領域のみで行われていることを特徴とする。
シリコンとシリサイドの複合膜を電極配線として用いる
半導体装置において、活性化領域では前記多結晶シリコ
ンと高融点金属あるいは前記多結晶シリコンとシリサイ
ドの間に絶縁膜を有し、前記多結晶シリコンと高融点金
属あるいは前記多結晶シリコンとシリサイドとの接続は
非活性化領域のみで行われていることを特徴とする。
以下図面を参照して本発明を説明する。第１図（ａ）
、 （ｂ）はそれぞれ本発明に係る半導体装置を説明す
るための断面図であり、１はシリコン基板、２はフィー
ルド酸化膜、３はゲート酸化膜、４は多結晶シリコン、
５は高融点金属、あるいはそのシリサイドであシ、１６
は多結晶シリコン４と高融点金属あるいはそのシリサイ
ド５を活性化領域上で分離する絶縁膜である。多結晶シ
リコン４と高融点金属５あるいはそのシリサイドとの接
続は、非活性領域上で行われている（なお活性化領域と
は、ゲート酸化膜が形成されているトランジスタ等の存
在する領域をいう。また非活性化領域とは活性化領域以
外の領域をいい、たとえば実施例で示すようく厚いフィ
ールド酸化膜２が存在する領域をいう。）０そのため後
の熱処理工程を経ても活性化領域上の多結晶シリコンは
その上の絶縁膜により高；Ａ課金＆ｉ ３るいはそのシ
リサイドの浸入によるダメージは阻止され、ゲート酸化
膜の劣化はない（第１図（ｂ））。
、 （ｂ）はそれぞれ本発明に係る半導体装置を説明す
るための断面図であり、１はシリコン基板、２はフィー
ルド酸化膜、３はゲート酸化膜、４は多結晶シリコン、
５は高融点金属、あるいはそのシリサイドであシ、１６
は多結晶シリコン４と高融点金属あるいはそのシリサイ
ド５を活性化領域上で分離する絶縁膜である。多結晶シ
リコン４と高融点金属５あるいはそのシリサイドとの接
続は、非活性領域上で行われている（なお活性化領域と
は、ゲート酸化膜が形成されているトランジスタ等の存
在する領域をいう。また非活性化領域とは活性化領域以
外の領域をいい、たとえば実施例で示すようく厚いフィ
ールド酸化膜２が存在する領域をいう。）０そのため後
の熱処理工程を経ても活性化領域上の多結晶シリコンは
その上の絶縁膜により高；Ａ課金＆ｉ ３るいはそのシ
リサイドの浸入によるダメージは阻止され、ゲート酸化
膜の劣化はない（第１図（ｂ））。
以上説明したように１本発明によれば活性化領域の多結
晶シリコン上に絶縁膜が存在するため、高融点金属する
いはそのシリサイドの通り抜けを阻止できる。従ってゲ
ート酸化膜の劣化等を防止できるので半導体装置の信頼
性の向上を図ることができる。
晶シリコン上に絶縁膜が存在するため、高融点金属する
いはそのシリサイドの通り抜けを阻止できる。従ってゲ
ート酸化膜の劣化等を防止できるので半導体装置の信頼
性の向上を図ることができる。
第１図−）、（ｂ）はそれぞれ熱処理工程前及び後の本
発明の実施例に係る半導体装置の断面崗、第２図（ａ）
、（ｂ）はそれぞれ熱処理工程前及び後の従来例に係る
半導体装置の断面図である。 １・・・シリコン基板 ２・・・フィールド酸化膜 ３・・・ゲート酸化膜 ４・・・多結晶シリコン ５・・・高融点金属あるいはそのシリサイド１６・・・
絶縁膜
発明の実施例に係る半導体装置の断面崗、第２図（ａ）
、（ｂ）はそれぞれ熱処理工程前及び後の従来例に係る
半導体装置の断面図である。 １・・・シリコン基板 ２・・・フィールド酸化膜 ３・・・ゲート酸化膜 ４・・・多結晶シリコン ５・・・高融点金属あるいはそのシリサイド１６・・・
絶縁膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 多結晶シリコンと高融点金属、あるいは多結晶シリコン
とシリサイドの複合膜を電極配線として用いる半導体装
置において、 活性化領域では前記多結晶シリコンと高融点金属あるい
は前記多結晶シリコンとシリサイドの間に絶縁膜を有し
、前記多結晶シリコンと高融点金属あるいは前記多結晶
シリコンとシリサイドとの接続は非活性化領域のみで行
われていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208619A JPS6185843A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208619A JPS6185843A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6185843A true JPS6185843A (ja) | 1986-05-01 |
| JPH0578938B2 JPH0578938B2 (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=16559221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59208619A Granted JPS6185843A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6185843A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745967A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-16 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS57122540A (en) * | 1980-12-09 | 1982-07-30 | Fairchild Camera Instr Co | Multilayer metallic silicide mutual wire for integrated circuit |
| JPS5893347A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Toshiba Corp | Ｍｏｓ型半導体装置及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP59208619A patent/JPS6185843A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745967A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-16 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS57122540A (en) * | 1980-12-09 | 1982-07-30 | Fairchild Camera Instr Co | Multilayer metallic silicide mutual wire for integrated circuit |
| JPS5893347A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Toshiba Corp | Ｍｏｓ型半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0578938B2 (ja) | 1993-10-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |