JPS648493B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS648493B2
JPS648493B2 JP21080581A JP21080581A JPS648493B2 JP S648493 B2 JPS648493 B2 JP S648493B2 JP 21080581 A JP21080581 A JP 21080581A JP 21080581 A JP21080581 A JP 21080581A JP S648493 B2 JPS648493 B2 JP S648493B2
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JP
Japan
Prior art keywords
terminal
gate circuit
signal
current
logic gate
Prior art date
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Expired
Application number
JP21080581A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58115934A (ja
Inventor
Koji Takaragawa
Akira Ishida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP21080581A priority Critical patent/JPS58115934A/ja
Publication of JPS58115934A publication Critical patent/JPS58115934A/ja
Publication of JPS648493B2 publication Critical patent/JPS648493B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/38Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of superconductive devices

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、フリツプフロツプと同様の記憶機能
を有する超伝導論理回路に関する。
このような超伝導論理回路として、従来、磁気
結合形超伝導論理ゲート回路を用いて構成された
ものが、種々提案されている。
しかしながら、従来の超伝導論理回路の場合、
複雑、大型化したり、動作速度が遅かつたり、大
きな電力消費を伴なつたり、動作マージンが狭か
つたりし、いずれも十分満足し得ない、という欠
点を有していた。
よつて、本発明は、上述した欠点のない、新規
な超伝導論理回路を提案せんとするもので、第1
図〜第4図を伴つて、本発明による超伝導論理回
路の実施例を述べるところから、明らかとなるで
あろう。
第1図〜第4図に示す本発明による超伝導論理
回路は、次に述べる構成を有する。
すなわち、第1及び第2の信号入力端子T1及
び信号入力端子T2と、信号出力端子T0と、バ
イアス信号端子TBとを有する。
また、信号入力端HSと、信号出力端HOと、
バイアス信号端HBと、それら信号入力端HS、
信号出力端HO及びバイアス信号端HBに対して
共通な共通端HCとを有する第1及び第2の電流
注入形超伝導論理ゲート回路(以下、簡単のた
め、単にゲート回路G1及びゲート回路G2と称
す)とを有する。
この場合、ゲート回路G1及びゲート回路G2
のそれぞれは、次に述べる機能を有する。
すなわち、ゲート回路G1及びゲート回路G
2のそれぞれ内に、バイアス信号端HB及び共通
端HCを通つて、バイアス信号電流を流し得且つ
信号入力端HS及び共通端HCを通つて信号入力
電流が流れ得る第1の状態を採り、また、その
第1の状態から、ゲート回路G1及びゲート回路
G2のそれぞれ内に、バイアス信号端HB及び共
通端HCを通つて、バイアス入力電流を供給した
場合、第1の状態が、ゲート回路G1及びゲート
回路G2のそれぞれ内にバイアス信号端HB及び
共通端HCを通つてバイアス信号電流を流してい
る第2の状態に転換し、さらに、その第2の状
態が、バイアス信号電流の供給を断としない限り
継続し、また、第2の状態から、ゲート回路G
1及びゲート回路G2のそれぞれ内に信号入力端
HS及び共通端HCを通つて信号入力電流を供給
した場合、第2の状態が、信号出力電流を信号出
力端HOを通つて、ゲート回路G1及びゲート回
路G2のそれぞれ外に導出する第3の状態に転換
し、さらに、その第3の状態が信号入力電流の
供給を断としても継続し、なおさらに、第3の
状態から、信号入力電流の供給の断の状態で、信
号出力端HO及び共通端HC間に外部から、所定
値以下の電圧が印加された場合、第1の状態に転
換する、という機能を有する。
この場合、ゲート回路G1及びゲート回路G2
としては、従来提案されている種々の構成のもの
を用い得る。
例えば、第2図に示すような、バイアス信号端
HB及び共通端HC間に、ジヨセフソン接合J1
及びジヨセフソン接合J2がそれぞれインダクタ
L1及びインダクタL2を介して、インダクタL
1及びインダクタL2側を共にバイアス信号端
HB側として接続され、そして、ジヨセフソン接
合J1及びインダクタL1の接続中点が信号入力
端HSに接続され、ジヨセフソン接合J2及びイ
ンダクタL2の接続中点が信号出力端HOに接続
されている構成を有するものを適用し得る。
なお、第2図に示すゲート回路G1及びゲート
回路G2の場合、ジヨセフソン接合J1及びジヨ
セフソン接合J2がともに超伝導状態にあること
で、上述した第1の状態を採るものである。
また、このような第1の状態から、バイアス信
号端HB及び共通端HCを介して、ゲート回路G
1及びゲート回路G2のそれぞれにバイアス信号
電流を供給した場合、そのバイアス信号電流が、
インダクタL1及びインダクタL2をそれぞれ介
して、ジヨセフソン接合J1及びジヨセフソン接
合J2に流れ、次で、共通端HCを流れること
で、上述した第2の状態を採るものである。
さらに、このような第2の状態から、信号入力
端HS及び共通端HCを介して、ゲート回路G1
及びゲート回路G2のそれぞれに、信号入力電流
を供給した場合、その信号入力電流の一部が、ジ
ヨセフソン接合J1に、第2の状態におけるバイ
アス信号電流に重畳して流れ、他部が、インダク
タL1及びインダクタL2を介して、ジヨセフソ
ン接合J2に同様に第2の状態におけるバイアス
信号電流に重畳して流れ、これによつて、ジヨセ
フソン接合J1及びジヨセフソン接合J2の双方
が有電圧状態(高抵抗状態)になり、このため、
信号出力端HO及び共通端HC間に負荷が接続さ
れていれば、信号出力電流が信号出力端HOを通
つて負荷に供給されることで、上述した第3の状
態を採るものである。
また、このような第3の状態から、上述した信
号入力電流の供給を断とした状態で、信号出力端
HO及び共通端HC間に、外部から、上述したジ
ヨセフソン接合J2の有電圧状態におけるそのジ
ヨセフソン接合J2の両端電圧よりも低い電圧が
印加された場合、ジヨセフソン接合J1が超伝導
状態になり、また、これに応じてジヨセフソン接
合J2が超伝導状態になることで、第1の状態に
転換するものである。
また、ゲート回路G1及びゲート回路G2のそ
れぞれとしては、第3図に示すような、第2図で
上述した構成において、そのインダクタL1及び
インダクタL2がそれぞれ抵抗R1及び抵抗R2
に置換されていることを除いて、第2図の場合と
同様の構成を有するものを適用し得る。
なお、第3図に示すゲート回路G1及びゲート
回路G2の場合、それが、上述した事項を除い
て、第2図の場合と同様の構成を有するので、詳
細説明は省略するが、第2図の場合に準じた機構
で、上述した機能を呈するものである。
さらに、ゲート回路G1及びゲート回路G2と
しては、第4図に示すような、第3図で上述した
構成において、そのジヨセフソン接合J1及び抵
抗R1間に、それらと直列に、他のジヨセフソン
接合J3を介挿し、また、ジヨセフソン接合J1
と並列に抵抗R3を接続したことを除いて、第3
図の場合と同様の構成を有するものを適用し得
る。
なお、第4図に示すゲート回路G1及びゲート
回路G2の場合、それが、上述した事項を除い
て、第3図の場合と同様の構成を有するので、詳
細説明は省略するが、第3図の場合に準じた機構
で、前述した機能を呈するものである。
また、本発明による超伝導論理回路の一例は、
第1の抵抗RAとインダクタLAとの直列回路U
と、第2の抵抗RBとを有する。
そして、ゲート回路G2の信号出力端HO及び
共通端HC間に、直列回路Uが接続されている。
また、ゲート回路G1の共通端HCとゲート回
路G2のバイアス信号端HBとが、互に接続され
ている。
さらに、ゲート回路G1及びゲート回路G2の
信号入力端HSが、それぞれ信号入力端子T1及
び信号入力端子T2に接続されている。
また、ゲート回路G1のバイアス信号端HB
が、バイアス信号端子TBに接続されている。
さらに、ゲート回路G1の信号出力端HOが、
信号出力端子T0に接続されている。
また、ゲート回路G2の共通端HCが、接地に
接続されている。
さらに、ゲート回路G1の信号出力端HOが、
抵抗RBを通じて、ゲート回路G2のバイアス信
号端HBに接続されている。
以上が、本発明による超伝導論理回路の一例構
成である。
このような構成を有する超伝導論理回路によれ
ば、次に述べる作用効果が得られる。
すなわち、ゲート回路G1及びゲート回路G2
が前述した第1の状態を採つている状態から、バ
イアス信号端子TBを介して、バイアス信号電流
IBを、ゲート回路G1に供給すれば、ゲート回
路G1が前述した機能を有するので、ゲート回路
G1が前述した第2の状態に転換し、よつて、バ
イアス信号電流IBが、ゲート回路G1内を、そ
のバイアス信号端HB及び共通端HCを通つて流
れる。
このため、バイアス信号電流IBがゲート回路
G2に供給され、そして、ゲート回路G2が前述
した機能を有するので、ゲート回路G2が前述し
た第2の状態に転換し、よつて、バイアス信号電
流IBが、ゲート回路G2内を、そのバイアス信
号端HB及び共通端HCを通つて流れ、次で、接
地に流れる、という状態が得られる。
このため、信号出力端子T0を介して信号出力
電流IOを外部に導出していない状態が得られ、
そして、このような状態が、バイアス信号端子
TBへのバイアス信号電流IBの供給を断にしない
限り継続している。
また、このような状態から、信号入力端子T1
を介して、信号入力電流I1を、ゲート回路G1
に供給すれば、ゲート回路G1が前述した機能を
有するので、ゲート回路G1が前述した第3の状
態に転換し、よつて、いままでゲート回路G1内
にそのバイアス信号端HB及び共通端HCを通つ
て流れていたバイアス信号電流IBの大部分が、
信号出力電流IOとして、ゲート回路G1の信号
出力端HOを介して、外部に導出される。
このため、信号出力端子T0及び接地間に、負
荷抵抗RLが予め接続されていれば、信号出力端
子T0を介して、信号出力電流IOを外部に導出
している状態が得られるとともに、バイアス信号
電流IBの一部を抵抗RBを介して、バイアス信号
電流IB′としてゲート回路G2に供給している状
態が得られ、そして、それらの状態が、信号入力
端子T1への信号入力電流I1の供給を断にして
も、継続している。
さらに、このような状態から、信号入力端子T
2を介して、信号入力電流I2をゲート回路G2
に供給すれば、ゲート回路G2が前述した機能を
有するので、いままでゲート回路G2にそのバイ
アス信号端HB及び共通端HCを通つて流れてい
たバイアス信号電流IB′のほとんどが、信号出力
電流として、ゲート回路G2の信号出力端HOを
介して、直列回路Uに流れる。
このため、直列回路Uの両端間、従つて、ゲー
ト回路G2の信号出力端HO及び共通端HC間に、
直列回路UがインダクタLAを有するので、瞬時
的に、ゲート回路G2の信号出力端HO側を高電
位とする電圧が発生し、これに応じて、ゲート回
路G2のバイアス信号端HB及び共通端HC間に、
バイアス信号端HB側を高電位とする電圧が発生
し、そのゲート回路G2のバイアス信号端HB側
の電位が、ゲート回路G1の共通端HCに与えら
れる。
このため、ゲート回路G1の信号出力端HO及
び共通端HC間に、零またはこれに近い値の電圧
が印加され、そして、ゲート回路G1が前述した
機能を有するので、ゲート回路G1が、前述した
第1の状態に復帰せんとし、しかしながら、この
場合、ゲート回路G1にバイアス信号電流IBが
供給されているので、結局、ゲート回路G1が前
述した第2の状態に復帰する。
次で、直列回路Uの両端間に瞬時的に発生して
いた電圧がなくなり、直列回路Uの両端間、従つ
て、ゲート回路G2の信号出力端HO及び共通端
HC間に、抵抗RAの降下電圧が印加される。こ
の場合、抵抗RAの降下電圧を、抵抗RAの値を
十分小としておくことによつて、十分小なる値で
得ることができる。
このため、ゲート回路G2が前述した機能を有
するので、前述した第1の状態に転換せんとし、
しかしながら、この場合、ゲート回路G2に、バ
イアス信号電流IB′が供給されているので、結局、
ゲート回路G2が、前述した第2の状態に復帰す
る。
よつて、ゲート回路G1及びゲート回路G2
が、ともに前述した状態に復帰し、信号出力電流
IOを外部に導出していない状態に復帰する。
上述したように、第1図に示す本発明による超
伝導論理回路構成によれば、信号入力端子T1及
び信号出力端子T0を介してそれぞれ供給される
信号入力電流I1及び信号入力電流I2を、それ
ぞれ2値表示で「1」及び「0」の情報に意味づ
ければ、それら「1」及び「0」の情報を、ゲー
ト回路G1から、信号出力端子T0を介して外部
に導出される信号出力電流IOの有無で記憶し得、
従つて、フリツプフロツプと同様の記憶機能を有
する。
また、このような「1」及び「0」の情報の記
憶を、ゲート回路G1及びゲート回路G2と、直
列回路Uと、抵抗RBとからなる、きわめて簡易
な構成で得ることができる。
さらに、ゲート回路G1及びゲート回路G2が
電流注入形であるので、「1」及び「0」の情報
を、従来の磁気結合形超伝導論理ゲート回路を用
いて構成されている超伝導論理回路の場合に比
し、より簡易、小型化された構成で、且つ少ない
消費電力及び大きな動作マージンで、高速に、記
憶することができる、などの特徴を有する。
なお、上述においては、ゲート回路G1及びゲ
ート回路G2として、第2図、第3図及び第4図
に示す構成のものを用いた場合の実施例を述べた
が、ゲート回路G1及びゲート回路G2として、
第2図〜第4図に示す構成以外の構成を有する他
のゲート回路を用いて、前述したと同様の優れた
特徴を得ることもでき、その他、本発明の精神を
脱することなしに、種々の変型、変更をなし得る
であろう。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による超伝導論理回路の一例
を示す接続図である。第2図、第3図及び第4図
は、ともに第1図に示す超伝導論理回路に用い得
るゲート回路の実施例を示す接続図である。 T1,T2……信号入力端子、TB……バイア
ス信号端子、HS……信号入力端、HO……信号
出力端、HB……バイアス信号端、RA……抵抗、
LA……インダクタ、U……直列回路、RB……
抵抗、J1,J2,J3……ジヨセフソン接合、
L1,L2……インダクタ、R1,R2,R3…
…抵抗。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1及び第2の信号入力端子と、 信号出力端子と、 バイアス信号端子と、 信号入力端と、信号出力端と、バイアス信号端
    と、上記信号入力端、上記信号出力端及び上記バ
    イアス信号端に対して共通な共通端とを有する第
    1及び第2の電流注入形超伝導論理ゲート回路
    と、 第1の抵抗とインダクタとの直列回路と、 第2の抵抗とを具備し、 上記第1及び第2の電流注入形超伝導論理ゲー
    ト回路のそれぞれは、当該電流注入形超伝導論
    理ゲート回路内に、上記バイアス信号端及び上記
    共通端を通つてバイアス信号電流を流し得且つ上
    記信号入力端及び共通端を通つて信号入力電流が
    流れ得る第1の状態を採り、該第1の状態か
    ら、当該電流注入形超伝導論理ゲート回路内に上
    記バイアス信号端及び上記共通端を通つて上記バ
    イアス入力電流を供給した場合、上記第1の状態
    が、当該電流注入形超伝導論理ゲート回路内に上
    記バイアス信号端及び上記共通端を通つて上記バ
    イアス信号電流を流している第2の状態に転換
    し、該第2の状態が、上記バイアス信号電流の
    供給を断としない限り継続し、上記第2の状態
    から、当該電流注入形超伝導論理ゲート回路内に
    上記信号入力端及び上記共通端を通つて上記信号
    入力電流を供給した場合、上記第2の状態が、信
    号出力電流を上記信号出力端を通つて当該電流注
    入形超伝導論理ゲート回路外に導出する第3の状
    態に転換し、該第3の状態が、上記信号入力電
    流の供給を断としても継続し、上記第3の状態
    から、上記信号入力電流の供給の断の状態で、上
    記信号出力端及び共通端間に、外部から、所定値
    以下の電圧が印加された場合、上記第1の状態に
    転換する機能を有し、 上記第2の電流注入形超伝導論理ゲート回路の
    信号出力端及び共通端間に、上記直列回路が接続
    され、 上記第1の電流注入形超伝導論理ゲート回路の
    共通端と上記第2の電流注入形超伝導論理ゲート
    回路のバイアス信号端とが、互に接続され、 上記第1及び第2の電流注入形超伝導論理ゲー
    ト回路の信号入力端が、それぞれ上記第1及び第
    2の信号入力端子に接続され、 上記第1の電流注入形超伝導論理ゲート回路の
    バイアス信号端が、上記バイアス信号端子に接続
    され、 上記第1の電流注入形超伝導論理ゲート回路の
    信号出力端が、上記信号出力端子に接続され、 上記第2の電流注入形超伝導論理ゲート回路の
    共通端が接地に接続され、 上記第1の電流注入形超伝導論理ゲート回路の
    信号出力端が、上記第2の抵抗を通じて、当該第
    2の電流注入形超伝導論理ゲート回路のバイアス
    信号端に接続されていることを特徴とする超伝導
    論理回路。
JP21080581A 1981-12-29 1981-12-29 超伝導論理回路 Granted JPS58115934A (ja)

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JPS58115934A JPS58115934A (ja) 1983-07-09
JPS648493B2 true JPS648493B2 (ja) 1989-02-14

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