JPH01187902A - 薄膜低抗体 - Google Patents
薄膜低抗体Info
- Publication number
- JPH01187902A JPH01187902A JP63012967A JP1296788A JPH01187902A JP H01187902 A JPH01187902 A JP H01187902A JP 63012967 A JP63012967 A JP 63012967A JP 1296788 A JP1296788 A JP 1296788A JP H01187902 A JPH01187902 A JP H01187902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- land
- trimming
- film resistor
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、基板上に形成された薄膜抵抗体のトリミング
構造に関するものである。
構造に関するものである。
従来の技術
近年、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータなどがよく利用される
ようになり、抵抗相互間の相対精度をあげるために半導
体基板上に形成された薄膜抵抗体をレーザービームを用
いてトリミングする方法が用いられるようになってきた
。
ようになり、抵抗相互間の相対精度をあげるために半導
体基板上に形成された薄膜抵抗体をレーザービームを用
いてトリミングする方法が用いられるようになってきた
。
以下に第２図の概念的平面図により、従来の薄膜抵抗体
のトリミング方法と、トリミング後の薄膜抵抗体の形状
を示す。５は薄膜抵抗体、６は電極配線層、７は電流源
、８は電圧計である。以下、従来の方法の手順を説明す
る。
のトリミング方法と、トリミング後の薄膜抵抗体の形状
を示す。５は薄膜抵抗体、６は電極配線層、７は電流源
、８は電圧計である。以下、従来の方法の手順を説明す
る。
まず、薄膜抵抗体の一部に接着される電極配線層に接続
した定電流源７で薄膜抵抗体５内に一定電流を供給し続
けながら、初期の薄膜抵抗体両端にかかる電圧を測定す
る。次に、定電流源の電流は一定のままで電圧計の目盛
を見ながら、レーザービームを用いて薄膜抵抗体のトリ
ミングランドの電極層に最も近い端を電流と水平に切り
こみを入れてゆ（。電圧計の目盛が求める値になったら
、レーザービームによるトリミングを終了する。
した定電流源７で薄膜抵抗体５内に一定電流を供給し続
けながら、初期の薄膜抵抗体両端にかかる電圧を測定す
る。次に、定電流源の電流は一定のままで電圧計の目盛
を見ながら、レーザービームを用いて薄膜抵抗体のトリ
ミングランドの電極層に最も近い端を電流と水平に切り
こみを入れてゆ（。電圧計の目盛が求める値になったら
、レーザービームによるトリミングを終了する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の方法では、第２図に示すように
、薄膜抵抗体の切りこみを電流の方向と水平に入れてゆ
くために、レーザービームで照射しただけで抵抗値が大
きく変わり、求めたい電圧値より大幅に小さい値でレー
ザービームによるトリミングを終了しなければならない
という問題点を有していた。
、薄膜抵抗体の切りこみを電流の方向と水平に入れてゆ
くために、レーザービームで照射しただけで抵抗値が大
きく変わり、求めたい電圧値より大幅に小さい値でレー
ザービームによるトリミングを終了しなければならない
という問題点を有していた。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、薄膜抵
抗体の抵抗値を少しづつ変えることが可能なトリミング
構造を提供することを目的とする。
抗体の抵抗値を少しづつ変えることが可能なトリミング
構造を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明は、前記薄膜抵抗体の
トリミングランドの電極配線層に最も近い端から前記薄
膜抵抗体のトリミングランドを斜めに切る方向にトリミ
ングした構成である。
トリミングランドの電極配線層に最も近い端から前記薄
膜抵抗体のトリミングランドを斜めに切る方向にトリミ
ングした構成である。
作用
この発明によって、精度の良いトリミングを短時間で行
なうことができる。
なうことができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は、本発明の一実施例における、レーザービーム
を用いた薄膜抵抗体のトリミング構造を示す概念的平面
図である。第１図において、１は薄膜抵抗体、２は電極
配線層、３は電流源、４は電圧計である。
を用いた薄膜抵抗体のトリミング構造を示す概念的平面
図である。第１図において、１は薄膜抵抗体、２は電極
配線層、３は電流源、４は電圧計である。
次に、本実施例の薄膜抵抗体のトリミング方法について
以下その手順を説明する。まず、薄膜抵抗体１の一部に
接着される電極配線層２に接続した定電流源３から薄膜
抵抗体１に一定電流を供給し続けながら、初期の薄膜抵
抗体１の両端にかかる電圧を測定する。次に、定電流源
の電流は一定のままで電圧計をみながら、レーザービー
ムを用いて薄膜抵抗体１のトリミングランド１１に切り
こみを入れてゆ（。その際、薄膜抵抗体１のトリミング
ランド１１の電極配線層２に最も近い端から、電流の方
向に対して斜めに切る方向に切りこみを入れてゆ（。こ
の方向で切りこみを入れてゆくと、薄膜抵抗体の抵抗値
の変化の割合は、切りこみの距離に正比例する。
以下その手順を説明する。まず、薄膜抵抗体１の一部に
接着される電極配線層２に接続した定電流源３から薄膜
抵抗体１に一定電流を供給し続けながら、初期の薄膜抵
抗体１の両端にかかる電圧を測定する。次に、定電流源
の電流は一定のままで電圧計をみながら、レーザービー
ムを用いて薄膜抵抗体１のトリミングランド１１に切り
こみを入れてゆ（。その際、薄膜抵抗体１のトリミング
ランド１１の電極配線層２に最も近い端から、電流の方
向に対して斜めに切る方向に切りこみを入れてゆ（。こ
の方向で切りこみを入れてゆくと、薄膜抵抗体の抵抗値
の変化の割合は、切りこみの距離に正比例する。
電圧計の目盛が求める値になったら、レーザービームに
よるトリミングを終了する。
よるトリミングを終了する。
発明の効果
以上のように本発明によると、薄膜抵抗体をトリミング
する際に、前記薄膜抵抗体のトリミングランドの電極配
線層に最も近い端から、前記薄膜抵抗体のトリミングラ
ンドを斜めに切る方向でトリミングすることで、精度の
よいトリミングを短時間で実現できる。
する際に、前記薄膜抵抗体のトリミングランドの電極配
線層に最も近い端から、前記薄膜抵抗体のトリミングラ
ンドを斜めに切る方向でトリミングすることで、精度の
よいトリミングを短時間で実現できる。
第１図は本発明の実施例における薄膜抵抗体のトリミン
グ構造を示す概念的平面図、第２図は従来例の薄膜抵抗
体のトリミング構造の概念的平面図である。 １．５・・・・・・薄膜抵抗体、２，６・・・・・・電
極配線層、３，７・・・・・・定電流源、４，８・・・
・・・電圧計、１１・・・・・・トリミングランド。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名１−を膜ａ
！、ｖＬ体 ２−を極配置ｔＩＬ／％ ３−ｍ一定電流源 第２図
グ構造を示す概念的平面図、第２図は従来例の薄膜抵抗
体のトリミング構造の概念的平面図である。 １．５・・・・・・薄膜抵抗体、２，６・・・・・・電
極配線層、３，７・・・・・・定電流源、４，８・・・
・・・電圧計、１１・・・・・・トリミングランド。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名１−を膜ａ
！、ｖＬ体 ２−を極配置ｔＩＬ／％ ３−ｍ一定電流源 第２図
Claims (1)
- トリミングランドのある薄膜抵抗体とこの薄膜抵抗体の
一部に接着される電極配線層とをそなえ、前記薄膜抵抗
体のトリミングランドの電極配線層に最も近い端から前
記薄膜抵抗体のトリミングランドを斜めに切る方向でト
リミングしたことを特徴とする薄膜抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63012967A JPH01187902A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 薄膜低抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63012967A JPH01187902A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 薄膜低抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01187902A true JPH01187902A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11820013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63012967A Pending JPH01187902A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 薄膜低抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01187902A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5355763A (en) * | 1976-11-01 | 1978-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Thinnfilm resistor |
| JPS56138902A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Fujitsu Ltd | Method of trimming thin film resistor |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP63012967A patent/JPH01187902A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5355763A (en) * | 1976-11-01 | 1978-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Thinnfilm resistor |
| JPS56138902A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Fujitsu Ltd | Method of trimming thin film resistor |
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