JPH0485732U - - Google Patents

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JPH0485732U
JPH0485732U JP12889390U JP12889390U JPH0485732U JP H0485732 U JPH0485732 U JP H0485732U JP 12889390 U JP12889390 U JP 12889390U JP 12889390 U JP12889390 U JP 12889390U JP H0485732 U JPH0485732 U JP H0485732U
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wiring
logic circuit
semiconductor device
basic
basic cells
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の一実施例であるＮＡＮＤゲ
ートのレイアウトを示す平面図、第２図は従来お
よびこの考案共通のＮＡＮＤゲートの回路図、第
３図、第４図は従来のＮＡＮＤゲートのレイアウ
トを示す平面図である。 図において、６は配線を示す。なお、図中、同
一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 論理回路を構成するのに必要な基本セルがチツ
    プの中央部に配置された論理回路領域と、この論
    理回路領域の外側に配置された入出力バツフア領
    域を備え、前記基本セル相互間及び素子相互を配
    線によつて結線し、所定の機能を有する大規模集
    積回路を形成するセミカスタム方式の半導体装置
    において、 駆動能力が大きい基本セルのセル内出力トラン
    ジスタに係る配線が、他の配線より太くしたこと
    を特徴とする半導体装置。
JP12889390U 1990-11-29 1990-11-29 Pending JPH0485732U (ja)

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JPH0485732U true JPH0485732U (ja) 1992-07-24

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