JPS6228581B2 - - Google Patents
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- JPS6228581B2 JPS6228581B2 JP4979682A JP4979682A JPS6228581B2 JP S6228581 B2 JPS6228581 B2 JP S6228581B2 JP 4979682 A JP4979682 A JP 4979682A JP 4979682 A JP4979682 A JP 4979682A JP S6228581 B2 JPS6228581 B2 JP S6228581B2
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- semiconductor layer
- semiconductor
- insulating film
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- Expired
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置に関する。
従来、半導体素子の電極配線構造は、半導体基
板に直接金属を蒸着した構造で、比較的深いPN
接合には有効であつた。近年、半導体技術の進歩
により、非常に浅いPN接合（シヤロー・ジヤン
クシヨン型）の製作が可能となり、この浅いPN
接合を有する半導体素子に電極を形成する際に、
直接電極用金属を蒸着し、熱処理を行うと、この
電極用金属が半導体中に拡散されたり、接合部を
突き抜ける事故が多発する。このため、不純物拡
散層が変化し、層抵抗が変化するとか、接合が短
絡する等の欠点を有していた。
板に直接金属を蒸着した構造で、比較的深いPN
接合には有効であつた。近年、半導体技術の進歩
により、非常に浅いPN接合（シヤロー・ジヤン
クシヨン型）の製作が可能となり、この浅いPN
接合を有する半導体素子に電極を形成する際に、
直接電極用金属を蒸着し、熱処理を行うと、この
電極用金属が半導体中に拡散されたり、接合部を
突き抜ける事故が多発する。このため、不純物拡
散層が変化し、層抵抗が変化するとか、接合が短
絡する等の欠点を有していた。
これらの欠点を補うものとして最近第１図のよ
うな電極配線構造のものが提案されている。すな
わち、シリコン基板１の一表面に選択的に形成さ
れた酸化膜２をマスクとして不純物拡散層３を形
成する。さらに不純物拡散層３の一部を残して酸
化膜４を形成し、その全面に多結晶シリコン層を
成長させ、不純物拡散層３と同じ導電型を示す不
純物を拡散後熱酸化を行い、多結晶シリコン層５
と不純物拡散層３の電気的導通を得るとともに酸
化膜６を形成する。その後、酸化膜６を開孔し、
蒸着により金属電極７を形成する。すなわち上述
の多結晶シリコン５をシリコン基板と金属電極と
の間にはさむことにより、シリコンへの金属の拡
散を防ごうとする意図のものであるが、ある程度
は防止できても、完全ではなく、装置において耐
圧、リーク等の電気的不安定性を生ずることが少
なくなかつた。
うな電極配線構造のものが提案されている。すな
わち、シリコン基板１の一表面に選択的に形成さ
れた酸化膜２をマスクとして不純物拡散層３を形
成する。さらに不純物拡散層３の一部を残して酸
化膜４を形成し、その全面に多結晶シリコン層を
成長させ、不純物拡散層３と同じ導電型を示す不
純物を拡散後熱酸化を行い、多結晶シリコン層５
と不純物拡散層３の電気的導通を得るとともに酸
化膜６を形成する。その後、酸化膜６を開孔し、
蒸着により金属電極７を形成する。すなわち上述
の多結晶シリコン５をシリコン基板と金属電極と
の間にはさむことにより、シリコンへの金属の拡
散を防ごうとする意図のものであるが、ある程度
は防止できても、完全ではなく、装置において耐
圧、リーク等の電気的不安定性を生ずることが少
なくなかつた。
本発明は、上記欠点に鑑み、実質的に電極用金
属の半導体内への拡散を防止でき、かつ汎用性の
ある電極配線構造を備えた半導体装置を提供する
ことを目的とする。
属の半導体内への拡散を防止でき、かつ汎用性の
ある電極配線構造を備えた半導体装置を提供する
ことを目的とする。
本発明の特徴は、一導電型の半導体基板の一主
表面に形成された逆導電型の不純物領域と、該一
主表面上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上を延
在しその両端部を除く中間部において該絶縁膜に
設けられた開口部を通して該不純物領域に接続せ
る逆導電型の半導体層と、該開口部上を除く該絶
縁膜上に位置する該半導体層の接続部に接続せる
金属電極とを具備し、該開口部の該接続部に向う
側の端を第１の端とし、該接続部の該開口部に向
う側の端を第２の端とし、該接続部の該開口部と
は反対側に向う端を第３の端とした場合、該半導
体層の該第３の端より該開口部とは反対側に延在
する長さは、該第１の端と該第２の端との間の該
半導体層の長さよりも長くなつている半導体装置
にある。
表面に形成された逆導電型の不純物領域と、該一
主表面上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上を延
在しその両端部を除く中間部において該絶縁膜に
設けられた開口部を通して該不純物領域に接続せ
る逆導電型の半導体層と、該開口部上を除く該絶
縁膜上に位置する該半導体層の接続部に接続せる
金属電極とを具備し、該開口部の該接続部に向う
側の端を第１の端とし、該接続部の該開口部に向
う側の端を第２の端とし、該接続部の該開口部と
は反対側に向う端を第３の端とした場合、該半導
体層の該第３の端より該開口部とは反対側に延在
する長さは、該第１の端と該第２の端との間の該
半導体層の長さよりも長くなつている半導体装置
にある。
以下、本発明を図面を参照して説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。シリコン基板１の一表面に選択的に形成され
た酸化膜２をマスクとして不純物層３を形成す
る。さらに不純物層３の一部を残して酸化膜４を
形成し、その上から全面に半導体層たとえば多結
晶シリコン層を成長させる。この多結晶シリコン
層に対し、不純物層３と同じ導電型の不純物を拡
散後熱酸化を行い低抵抗とし多結晶シリコン層５
と不純物層３の電気的導通を得るとともに酸化膜
６を形成する。その後、多結晶シリコン層５と不
純物層３の接続部より横方向に数ミクロン以上離
れたところでかつこのシリコン層５の中間部の酸
化膜６にフオトエツチング技術で開孔し、蒸着に
より金属電極７を形成し、所定の形状を得る。金
属７をアロイすることにより多結晶シリコン５と
の接触を強固にする。
る。シリコン基板１の一表面に選択的に形成され
た酸化膜２をマスクとして不純物層３を形成す
る。さらに不純物層３の一部を残して酸化膜４を
形成し、その上から全面に半導体層たとえば多結
晶シリコン層を成長させる。この多結晶シリコン
層に対し、不純物層３と同じ導電型の不純物を拡
散後熱酸化を行い低抵抗とし多結晶シリコン層５
と不純物層３の電気的導通を得るとともに酸化膜
６を形成する。その後、多結晶シリコン層５と不
純物層３の接続部より横方向に数ミクロン以上離
れたところでかつこのシリコン層５の中間部の酸
化膜６にフオトエツチング技術で開孔し、蒸着に
より金属電極７を形成し、所定の形状を得る。金
属７をアロイすることにより多結晶シリコン５と
の接触を強固にする。
上述した金属電極７の位置に関しては、多結晶
シリコン５と不純物層３との接続部と、多結晶シ
リコン５と金属電極７との接続部が重ならない程
度、約数ミクロン以上離せば熱処理時の金属の拡
散を防ぐことができるという原理に基づく。
シリコン５と不純物層３との接続部と、多結晶シ
リコン５と金属電極７との接続部が重ならない程
度、約数ミクロン以上離せば熱処理時の金属の拡
散を防ぐことができるという原理に基づく。
本発明による第１の効果は、金属電極と多結晶
シリコンとの接続部が不純物層の接続部から離れ
ており、金属電極と半導体基板とは酸化膜を間に
はさむ構造となつているため、熱処理時に金属が
シリコン基板に拡散することを完全に防げること
である。
シリコンとの接続部が不純物層の接続部から離れ
ており、金属電極と半導体基板とは酸化膜を間に
はさむ構造となつているため、熱処理時に金属が
シリコン基板に拡散することを完全に防げること
である。
また、本発明による第２の効果は、酸化膜上に
多結晶シリコンが形成されるため、多結晶シリコ
ンと電極金属の接触面積が大きくとれ、電極金属
の段切れが少ないため、電気的により確実な接触
性・安定性をもつ電極配線構造を得ることができ
る。
多結晶シリコンが形成されるため、多結晶シリコ
ンと電極金属の接触面積が大きくとれ、電極金属
の段切れが少ないため、電気的により確実な接触
性・安定性をもつ電極配線構造を得ることができ
る。
また、本発明の第３の効果は、金属電極が半導
体層の端部近傍に接続するのではなくその中間部
に接続しているから、汎用性のある技術となる。
すなわちこのような構造により、半導体層の端部
はたとえば半導体基板の他の素子領域に接続しこ
の金属電極を両素子領域の共通電極とすることが
できる。
体層の端部近傍に接続するのではなくその中間部
に接続しているから、汎用性のある技術となる。
すなわちこのような構造により、半導体層の端部
はたとえば半導体基板の他の素子領域に接続しこ
の金属電極を両素子領域の共通電極とすることが
できる。
なお、実施例では、シリコン基板につき説明し
たが、他の半導体を使用しても同様の効果が得ら
れる。
たが、他の半導体を使用しても同様の効果が得ら
れる。
第１図は従来の半導体素子の電極配線構造を示
す断面図、第２図は本発明の実施例による半導体
素子の電極配線構造を示す断面図である。 尚、図において、１はシリコン基板、２は酸化
膜、３は不純物層、４は酸化膜、５は不純物拡散
層３と同じ導電型の不純物を含む多結晶シリコン
層、６は酸化膜、７は電極用金属である。
す断面図、第２図は本発明の実施例による半導体
素子の電極配線構造を示す断面図である。 尚、図において、１はシリコン基板、２は酸化
膜、３は不純物層、４は酸化膜、５は不純物拡散
層３と同じ導電型の不純物を含む多結晶シリコン
層、６は酸化膜、７は電極用金属である。
Claims (1)
- １ 一導電型の半導体基板の一主表面に形成され
た逆導電型の不純物領域と、該一主表面上に設け
られた絶縁膜と、該絶縁膜上を延在しその両端部
を除く中間部において該絶縁膜に設けられた開口
部を通して該不純物領域に接続せる逆導電型の半
導体層と、該開口部上を除く該絶縁膜上に位置す
る該半導体層の接続部に接続せる金属電極とを具
備し、該開口部の該接続部に向う側の端を第１の
端とし、該接続部の該開口部に向う側の端を第２
の端とし、該接続部の該開口部とは反対側に向う
端を第３の端とした場合、該半導体層の該第３の
端より該開口部とは反対側に延在する長さは、該
第１の端と該第２の端との間の該半導体層の長さ
よりも長くなつていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4979682A JPS5874054A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4979682A JPS5874054A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8629072A Division JPS4943574A (ja) | 1972-08-30 | 1972-08-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874054A JPS5874054A (ja) | 1983-05-04 |
| JPS6228581B2 true JPS6228581B2 (ja) | 1987-06-22 |
Family
ID=12841108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4979682A Granted JPS5874054A (ja) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5874054A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183143A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-03-27 JP JP4979682A patent/JPS5874054A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5874054A (ja) | 1983-05-04 |
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