JPS5918952A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPS5918952A JPS5918952A JP12843982A JP12843982A JPS5918952A JP S5918952 A JPS5918952 A JP S5918952A JP 12843982 A JP12843982 A JP 12843982A JP 12843982 A JP12843982 A JP 12843982A JP S5918952 A JPS5918952 A JP S5918952A
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- JP
- Japan
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- substituted
- unsubstituted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
- G03G5/0683—Disazo dyes containing polymethine or anthraquinone groups
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感光体に関し、更に詳しくはビスアゾ化合物を
含有する感光層を有する新規な電子写真感光体に関する
。
含有する感光層を有する新規な電子写真感光体に関する
。
更に詳しくは高感度にしてかつ11り返し使用するに適
した高耐久性電子写真感ツC体に関する。
した高耐久性電子写真感ツC体に関する。
従来電子写真感光体においては、セレン、酸化41毛船
、硫化カドミウム等の無機光導電体を主成分とする感光
層を有するものが広く用いらちでいた。
、硫化カドミウム等の無機光導電体を主成分とする感光
層を有するものが広く用いらちでいた。
しかし、これらは感度、耐熱性、耐湿性あるいは耐刷性
等において必ずしも十分満足し得るものではなく、また
特にセレン及び硫化カドミウムは毒性のために製造上、
取り扱い上にも制約があった。
等において必ずしも十分満足し得るものではなく、また
特にセレン及び硫化カドミウムは毒性のために製造上、
取り扱い上にも制約があった。
一方、有機光導電性化合物を主成分とする感光層を有す
る電子写真感光体は、製造が比較的容易であること、製
造コストが低い−こと、円筒ドラム状、シート状いずち
の形体も可能であること、取り扱いが容易であること、
また一般にセレン感光体が耐熱性に劣り高温条件下で結
晶化してしまうのに対し耐熱性に優n、ていることなど
多くの利点を有し、近年多くの注目を集めている。
る電子写真感光体は、製造が比較的容易であること、製
造コストが低い−こと、円筒ドラム状、シート状いずち
の形体も可能であること、取り扱いが容易であること、
また一般にセレン感光体が耐熱性に劣り高温条件下で結
晶化してしまうのに対し耐熱性に優n、ていることなど
多くの利点を有し、近年多くの注目を集めている。
このような有機光導電性化合物としては、ポリ−N−ビ
ニルカルバゾールが知らnており、こわと2,4.7−
)ジニトロ−9−フルオレノン等のルイス酸とから形成
される電荷移動錯体を主成分とする感光層を有する電子
ず真感光体がすでに実用化されている。しかし、この感
光体は感度及び耐刷性においても必ずしも満足できるも
のではない。
ニルカルバゾールが知らnており、こわと2,4.7−
)ジニトロ−9−フルオレノン等のルイス酸とから形成
される電荷移動錯体を主成分とする感光層を有する電子
ず真感光体がすでに実用化されている。しかし、この感
光体は感度及び耐刷性においても必ずしも満足できるも
のではない。
一方、光導電性機能のキャリア発生機能とキャリア輸送
機能とをそれぞれ別個の物質に分担させるようにした積
層型あるいは分散型の機能分離型電子写真感光体が知ら
nている。このような機能分離型電子写真感光体は各々
の物質の選択範囲が広< 、?+>電性性、感度残留電
位および耐刷性等のTIi子写真特性において高性能化
が比較的達成しゃすく、また任意の特性を有する電子写
真感光体を作成しやすいという利点を持っている。電子
写真感光体の光導電性機能のうちキャリア発生を主とし
て分担するキャリア発生物質としては従来より種々のも
のが提案されている。たとえば無機物質として無定形セ
レンから形成されるキャリア発生層がよく知られている
が、これは高温条件下で結晶化し、性能が劣化するとい
う欠点を持っている。
機能とをそれぞれ別個の物質に分担させるようにした積
層型あるいは分散型の機能分離型電子写真感光体が知ら
nている。このような機能分離型電子写真感光体は各々
の物質の選択範囲が広< 、?+>電性性、感度残留電
位および耐刷性等のTIi子写真特性において高性能化
が比較的達成しゃすく、また任意の特性を有する電子写
真感光体を作成しやすいという利点を持っている。電子
写真感光体の光導電性機能のうちキャリア発生を主とし
て分担するキャリア発生物質としては従来より種々のも
のが提案されている。たとえば無機物質として無定形セ
レンから形成されるキャリア発生層がよく知られている
が、これは高温条件下で結晶化し、性能が劣化するとい
う欠点を持っている。
また光導電性有機染料・顔料のうち特にキャリア発生能
の優れたものをキャリア発生物質として用いることが種
々提案さnており例えば、特開昭53−95Q33号公
報、特開昭53−133445号公報、特開昭54−1
2742号公報、特開昭56−116040号公報、米
国特許第4Q52210号明細書記載等のアゾ化合物が
すでに公知である。しかしこれらのアゾ化合物は感度、
残留電位あるいは繰り返し使用した場合の安定性等の特
性において、必ずしも満足し得るものではなく、またキ
ャリア輸送物質の選択範囲も限定されるなど電子写真プ
ロセスの幅広い要求を充分に満足さゼるものは未だ得ら
第1゜ていないのが実状である。
の優れたものをキャリア発生物質として用いることが種
々提案さnており例えば、特開昭53−95Q33号公
報、特開昭53−133445号公報、特開昭54−1
2742号公報、特開昭56−116040号公報、米
国特許第4Q52210号明細書記載等のアゾ化合物が
すでに公知である。しかしこれらのアゾ化合物は感度、
残留電位あるいは繰り返し使用した場合の安定性等の特
性において、必ずしも満足し得るものではなく、またキ
ャリア輸送物質の選択範囲も限定されるなど電子写真プ
ロセスの幅広い要求を充分に満足さゼるものは未だ得ら
第1゜ていないのが実状である。
本発明の目的は熱および光に対して安定でかつキャリア
発生能に優わたビスアゾ化合物全含有する感光体を提供
することにある。
発生能に優わたビスアゾ化合物全含有する感光体を提供
することにある。
本発明の他の目的は、高感度にして残留1fli (+
’/:が小さく、かつ繰り返し使用してもそ第1らの特
性が変化しない耐久性のすぐねた感光体を提供すること
にある。
’/:が小さく、かつ繰り返し使用してもそ第1らの特
性が変化しない耐久性のすぐねた感光体を提供すること
にある。
更にその他の目的は明細書の記載から明らかになるであ
ろう。
ろう。
本発明者らは、以上の目的を達成すべく鋭意研究の結果
、下記一般式[I]で示されるビスアゾ化合物が驚くべ
きことに本願発明の目的にかなうI感光体の有効成分と
して働き得ることを見い出し、本発明を完成したもので
ある。
、下記一般式[I]で示されるビスアゾ化合物が驚くべ
きことに本願発明の目的にかなうI感光体の有効成分と
して働き得ることを見い出し、本発明を完成したもので
ある。
一般式[I]
式中において、
X、、、X、はそれぞn水素原子、ハロゲン原子(塩素
原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子)、置換・未置換
のアルキル基(例えばメチル縞、エチル!し、イソプロ
ピル基、トリフロオロメチル基等)、置換・未置換のア
ルコキシ剤(例えばメトキシ基、エトキシ基、2−ブロ
ムエトキシ基等)、シアノ基を表わし X9.X、はそわぞわ、水素原子、ハロゲン原子(塩素
原子、臭素原子、弗素原子、沃禦原千へ置換・未置換の
アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、イソプロピ
ル基、トリフルオロメチル基等〕を表わす。
原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子)、置換・未置換
のアルキル基(例えばメチル縞、エチル!し、イソプロ
ピル基、トリフロオロメチル基等)、置換・未置換のア
ルコキシ剤(例えばメトキシ基、エトキシ基、2−ブロ
ムエトキシ基等)、シアノ基を表わし X9.X、はそわぞわ、水素原子、ハロゲン原子(塩素
原子、臭素原子、弗素原子、沃禦原千へ置換・未置換の
アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、イソプロピ
ル基、トリフルオロメチル基等〕を表わす。
但し、x、、 x、、 x8. x、かともに水素原子
であることはない。
であることはない。
Aは
R,R。
1
H
で表わされる。
Yは、水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、そのエ
ステル柚、スルホ基、置換・未置換のカルバモイル基、
または置換・未置換のスルファモイル基を表わし、好ま
しくは、置換・未置換のカルR4:水素原子、炭素数1
〜4の置換・未置換のアルキル基、および置換・未置換
のアラルキル柄、置換・未置換のフェニル基 R3:水素原子、炭素数1〜4の置換・未置換のアルキ
ル基、1a換・未置換の芳香族炭禦環基(例えば置換・
未置換のフェニル基、「Y換・未1道換のナフチル基、
置換・未置換のアンスリル基等う、または置換・未置換
の芳香族複素環苓(例えば置換・未置換のカルバゾリル
基、置換・未置換のジベンゾフリル基等) を表わす。
ステル柚、スルホ基、置換・未置換のカルバモイル基、
または置換・未置換のスルファモイル基を表わし、好ま
しくは、置換・未置換のカルR4:水素原子、炭素数1
〜4の置換・未置換のアルキル基、および置換・未置換
のアラルキル柄、置換・未置換のフェニル基 R3:水素原子、炭素数1〜4の置換・未置換のアルキ
ル基、1a換・未置換の芳香族炭禦環基(例えば置換・
未置換のフェニル基、「Y換・未1道換のナフチル基、
置換・未置換のアンスリル基等う、または置換・未置換
の芳香族複素環苓(例えば置換・未置換のカルバゾリル
基、置換・未置換のジベンゾフリル基等) を表わす。
これらの基の置換基としては、例えば炭素数1〜4の置
換・未置換のアルキル基(例えばエチル基、エチル基、
イソプロピル基、3級ブチル基、トリフロオロメチル基
等)、置換・未frt換のアラルキル基(例えばベンジ
ル基、フェネチル基管ノハロゲン原子(塩素原子、臭素
原子、弗素原子、沃素原子〕、炭素数1〜4のIif換
・未置換のアルコキシ基(例えばメトキシ基、エトキシ
基、インプロポキシ基、3級ブトキシ基、トリフ0オロ
メトキシ基等)、ヒドロキシ基、置換・未置換のアリー
ルオキシ基(例えば、p−クロルフェノキジノ、I;、
ナフトキシ4(等す、アシルオキシ基(例えばアセチル
オキシ!+!zp−シア/ベンゾイルオキシ基等]、カ
ルボキシ基、そのエステル塙(例えばエトギシ力ルボニ
ル15、m−ブロモフェノキシカルボニル基等)、カル
バモイル基(例えばアミ7カルボニル基、3級ブチルア
ミノカルボニル是、アミ7カルボニル基 セチル基、0−ニトロベンゾイルA% 等) 、スルホ
卆、スルファモイル基(例えばアミ/スルホニル基、3
級ブチルアミ/スルボニル!、p ) !J /L/
アミノスルホニル基等ノ、アミノ!に1アシルアミノ基
(例えは゛ア七チルアミノ閏、ベンゾイルアミ”i”
等) 、スルホンアミド基(例えばスタンスAtホンア
ミド基、p−トルエンスルホンアミド糸切、シアノ基、
ニトロ基等が挙げらnるが、好ましくは炭素数1〜4の
置換・未置換のアルキル基(例えばメチル基、エチル塙
、イソプロピル基、3級ブチル基、トリフルオロメチル
基等〕、ハロゲン原子(4,【素ハに子、臭素原子、弗
素原子、沃素原子へ炭崇数1〜4の置換・未(と11換
のアルコキシ基(例えばメトキシ基、エトキシ基、イソ
プロビオキシノ、1;、3級ブトキシ基、トリフルオロ
メトキシ基管ン、シアノ基、ニトロノ山である。
換・未置換のアルキル基(例えばエチル基、エチル基、
イソプロピル基、3級ブチル基、トリフロオロメチル基
等)、置換・未frt換のアラルキル基(例えばベンジ
ル基、フェネチル基管ノハロゲン原子(塩素原子、臭素
原子、弗素原子、沃素原子〕、炭素数1〜4のIif換
・未置換のアルコキシ基(例えばメトキシ基、エトキシ
基、インプロポキシ基、3級ブトキシ基、トリフ0オロ
メトキシ基等)、ヒドロキシ基、置換・未置換のアリー
ルオキシ基(例えば、p−クロルフェノキジノ、I;、
ナフトキシ4(等す、アシルオキシ基(例えばアセチル
オキシ!+!zp−シア/ベンゾイルオキシ基等]、カ
ルボキシ基、そのエステル塙(例えばエトギシ力ルボニ
ル15、m−ブロモフェノキシカルボニル基等)、カル
バモイル基(例えばアミ7カルボニル基、3級ブチルア
ミノカルボニル是、アミ7カルボニル基 セチル基、0−ニトロベンゾイルA% 等) 、スルホ
卆、スルファモイル基(例えばアミ/スルホニル基、3
級ブチルアミ/スルボニル!、p ) !J /L/
アミノスルホニル基等ノ、アミノ!に1アシルアミノ基
(例えは゛ア七チルアミノ閏、ベンゾイルアミ”i”
等) 、スルホンアミド基(例えばスタンスAtホンア
ミド基、p−トルエンスルホンアミド糸切、シアノ基、
ニトロ基等が挙げらnるが、好ましくは炭素数1〜4の
置換・未置換のアルキル基(例えばメチル基、エチル塙
、イソプロピル基、3級ブチル基、トリフルオロメチル
基等〕、ハロゲン原子(4,【素ハに子、臭素原子、弗
素原子、沃素原子へ炭崇数1〜4の置換・未(と11換
のアルコキシ基(例えばメトキシ基、エトキシ基、イソ
プロビオキシノ、1;、3級ブトキシ基、トリフルオロ
メトキシ基管ン、シアノ基、ニトロノ山である。
Zは置換・未置換の芳香族複素環、または置換・未置換
の芳香族複素環を形成するに必要な原子JiYであって
、1体的には例えばriq換・未置換のベンゼン環、置
換・未1ご換のナフタレンク4、置換・未r2’t″換
のインドール環、置換・未置換の力/l/ /< ソー
ル環のカルバゾール環等を形成する原子群を表わす。
の芳香族複素環を形成するに必要な原子JiYであって
、1体的には例えばriq換・未置換のベンゼン環、置
換・未1ご換のナフタレンク4、置換・未r2’t″換
のインドール環、置換・未置換の力/l/ /< ソー
ル環のカルバゾール環等を形成する原子群を表わす。
これらの環を形成する原子群の置換基としては、例えば
R,、R,の置換基として挙げたような一連の置換基が
列挙されるが、好ましくはノ\ロゲン原子(塩素原子、
臭素原子、弗素原子、沃素原子)、スルホ基、スルファ
モイル基(例えばアミノスルホニル鳩、3級ブチルアミ
ノスルホニル!、p−トリルアミノスルホニル基等)で
ある。
R,、R,の置換基として挙げたような一連の置換基が
列挙されるが、好ましくはノ\ロゲン原子(塩素原子、
臭素原子、弗素原子、沃素原子)、スルホ基、スルファ
モイル基(例えばアミノスルホニル鳩、3級ブチルアミ
ノスルホニル!、p−トリルアミノスルホニル基等)で
ある。
R3は水素原子、I!換・未置換のアルキル基、置換・
未置換のアミノ基、カルボキシJl、そのニス’−r
ル基、Pj 換・未iWi ’%のカルバモイルJk1
シアノ基であり好ましくは水素原子、炭素数1〜4の置
換・未置換のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基
、イソプロピル基、3級ブチル基、トリフルオロメチル
基等う、シアノ基である。
未置換のアミノ基、カルボキシJl、そのニス’−r
ル基、Pj 換・未iWi ’%のカルバモイルJk1
シアノ基であり好ましくは水素原子、炭素数1〜4の置
換・未置換のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基
、イソプロピル基、3級ブチル基、トリフルオロメチル
基等う、シアノ基である。
R1は置換・末@換のアリール基であり、好ましくは置
換・未置換のフェニル基でこれらの基の置換基としては
、例えばR45R,の置換基として挙げたような一連の
11V換橘が列挙されるが、好ましくはハロゲン原子(
塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子〕、炭素数1
〜4の置換・未置換のアルキル基(例えばメチル基、エ
チル基、インプロピル基、3級ブチル基、トリフルオロ
メチル基等う、炭素数1〜4の置換・未置換のアルコキ
シik (例えはメトキシ基、エトキシ基、イソプロポ
キシ基、3設ブトキシ基、トリフルオロメトキシ基等す
である。
換・未置換のフェニル基でこれらの基の置換基としては
、例えばR45R,の置換基として挙げたような一連の
11V換橘が列挙されるが、好ましくはハロゲン原子(
塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子〕、炭素数1
〜4の置換・未置換のアルキル基(例えばメチル基、エ
チル基、インプロピル基、3級ブチル基、トリフルオロ
メチル基等う、炭素数1〜4の置換・未置換のアルコキ
シik (例えはメトキシ基、エトキシ基、イソプロポ
キシ基、3設ブトキシ基、トリフルオロメトキシ基等す
である。
R3は置換・未置換のアルキル基、tit J突・未置
換のアラルキル基および置換・未1rL換のアリール基
を表わずか、好ましくは炭素数1〜4の置換・未置換の
アルキル基(例えば、メチル基、エチルノ、(、イソプ
ロピル基、3級ブチル基、トリフルオロメチル基等ノ、
置換・未置換のフェニル基(例えば7エ=ル4f、、p
y’ )キシフェニル基、m−クロルフェニル秀等
フを表わす。
換のアラルキル基および置換・未1rL換のアリール基
を表わずか、好ましくは炭素数1〜4の置換・未置換の
アルキル基(例えば、メチル基、エチルノ、(、イソプ
ロピル基、3級ブチル基、トリフルオロメチル基等ノ、
置換・未置換のフェニル基(例えば7エ=ル4f、、p
y’ )キシフェニル基、m−クロルフェニル秀等
フを表わす。
すなわち、本発明において前記一般式[I]で示される
ビスアゾ化合物を電子子げ(感yt、体の感光層を構成
する光導電性物質として用いることによりまたは本発明
のビスアゾ化合物の優れたキャリア発生能のみを利用し
、これをキャリアの発生と輸送とをそれぞれ別個の物質
で行なう機能分離型軍。
ビスアゾ化合物を電子子げ(感yt、体の感光層を構成
する光導電性物質として用いることによりまたは本発明
のビスアゾ化合物の優れたキャリア発生能のみを利用し
、これをキャリアの発生と輸送とをそれぞれ別個の物質
で行なう機能分離型軍。
千′l¥):4感光体のキャリア発生物質として用いる
ことにより被膜物性に優れ、電荷保持力、感度、残留電
位等の電子写真特注に優t1、かつ繰り返し使用した時
にも疲労劣化が少ない上、熱、光等において堅牢で安定
した特性を発揮し得る電子写真感yt体を作成すること
ができる。
ことにより被膜物性に優れ、電荷保持力、感度、残留電
位等の電子写真特注に優t1、かつ繰り返し使用した時
にも疲労劣化が少ない上、熱、光等において堅牢で安定
した特性を発揮し得る電子写真感yt体を作成すること
ができる。
前記一般式[I]で示される本発明に有用なビスアゾ化
合物としては例えば次の借造式を有するものが挙げられ
るが、これによって本発明のビスアゾ化合物が限定され
るものではない。
合物としては例えば次の借造式を有するものが挙げられ
るが、これによって本発明のビスアゾ化合物が限定され
るものではない。
例示化合物
へ
。
。
間 −
Q Q−ド
以上のごときビスアゾ化合物は、公知の方法により容易
に合成することができる。
に合成することができる。
合成例(1)(例示化合物(K−5)の合成ノJ、Ka
rnatak Univ、 、 9−10 、31−3
(1964〜65)記載の方法に準じ、30.4gの
p−ニトロ−〇−トルイジンより11.4.9の0−メ
チル−p−ニトロベンズアルデヒドを得た。(収率35
%沸点120〜125°C/ 2 mx Hg)一方、
10.6gのp−キシリレンジブ四マイトと13.2.
9のトリエチル7オスフアイトを加熱溶融することによ
り、14.89のp−キシリレンビスジエチルフオスフ
オネートを得た。(収率9s%) 次に% W、 S、 Wardswarth 、 W
、 D、 Emmoms 、 J、 Am。
rnatak Univ、 、 9−10 、31−3
(1964〜65)記載の方法に準じ、30.4gの
p−ニトロ−〇−トルイジンより11.4.9の0−メ
チル−p−ニトロベンズアルデヒドを得た。(収率35
%沸点120〜125°C/ 2 mx Hg)一方、
10.6gのp−キシリレンジブ四マイトと13.2.
9のトリエチル7オスフアイトを加熱溶融することによ
り、14.89のp−キシリレンビスジエチルフオスフ
オネートを得た。(収率9s%) 次に% W、 S、 Wardswarth 、 W
、 D、 Emmoms 、 J、 Am。
Ohem、Soc、、 83 、1733 (1961
)記載の方法ニ準じ、上記に準備した10.0gの0−
メチル−p−ニトロベンズアルデヒドと11.4.9の
p−キシリレンビスジエチルフオスフオネートヲ水冷下
DMF中ナトリウムメチラート存在下に反応させ、9.
41の1,4−ビス(2−メチル−4−ニトロスヂリル
少ベンゼンを得た後に、DMF中鉄−塩酸によりジニト
ロ体を還元し、62gの1,4−ビス(2−メチル−4
−アミノスチリルラベンゼンを得た。(収率78%ノ コノヨウにして得た1、4−ビス(2−メチル−4−ア
ミノスチリルフベンゼン3.36 g(0,01モル)
を2omlの濃塩酸と6ornlの水の混合液に分散し
、1.52 ji (0,022モル)の亜硝酸ナトリ
ウムを水5Mに溶かした水溶液を、内温を0〜5℃に保
ちながら滴下し、同湿度で1時間攪拌反応させた。
)記載の方法ニ準じ、上記に準備した10.0gの0−
メチル−p−ニトロベンズアルデヒドと11.4.9の
p−キシリレンビスジエチルフオスフオネートヲ水冷下
DMF中ナトリウムメチラート存在下に反応させ、9.
41の1,4−ビス(2−メチル−4−ニトロスヂリル
少ベンゼンを得た後に、DMF中鉄−塩酸によりジニト
ロ体を還元し、62gの1,4−ビス(2−メチル−4
−アミノスチリルラベンゼンを得た。(収率78%ノ コノヨウにして得た1、4−ビス(2−メチル−4−ア
ミノスチリルフベンゼン3.36 g(0,01モル)
を2omlの濃塩酸と6ornlの水の混合液に分散し
、1.52 ji (0,022モル)の亜硝酸ナトリ
ウムを水5Mに溶かした水溶液を、内温を0〜5℃に保
ちながら滴下し、同湿度で1時間攪拌反応させた。
反応後、少黴の残漬をP別し、P液に42%ホ98%ノ
得られたテトラゾニウム塩2.699 (0,005モ
ルノを1M730 Mに溶解し、次の反応に使用するテ
トラゾニウム塩溶液とした。
得られたテトラゾニウム塩2.699 (0,005モ
ルノを1M730 Mに溶解し、次の反応に使用するテ
トラゾニウム塩溶液とした。
次に2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸アニリド(ナフト
−#A S ) 2.63 g(0,01モルノとトリ
エタノールアミン2.’70 j;/ (0,02モル
ノを300ゴのDMFに溶解し、内温を5〜10℃に保
ちつつ、上記により調整したテトラゾニウム塩溶液を滴
下し、滴下後回温度で2時間攪拌し、更に室温下2時間
攪拌反応させた。
−#A S ) 2.63 g(0,01モルノとトリ
エタノールアミン2.’70 j;/ (0,02モル
ノを300ゴのDMFに溶解し、内温を5〜10℃に保
ちつつ、上記により調整したテトラゾニウム塩溶液を滴
下し、滴下後回温度で2時間攪拌し、更に室温下2時間
攪拌反応させた。
反応後、析出した沈澱をf取し、DMF次にアセトンで
洗浄し、乾燥することにより、目的のビスアゾ化合物を
得た。
洗浄し、乾燥することにより、目的のビスアゾ化合物を
得た。
収量3.55 g(80%] 融点300℃以上赤外吸
収スペクトルでシ=167oanlrこアミド吸収、お
よびFD−マススペクトルにm/e = s a 9の
分子イオンピークが現われたことがら、目的の化合物が
合成されたことを確認した。
収スペクトルでシ=167oanlrこアミド吸収、お
よびFD−マススペクトルにm/e = s a 9の
分子イオンピークが現われたことがら、目的の化合物が
合成されたことを確認した。
合成例(2)(例示化合物(K−6)の合成)合成例(
1)と同様にして得られた1、4−ジスチリルベンゼン
−21,2″−ジメチル−41,4″−ビスジアゾニウ
ムビステトラフルオロボレート2.69g(o、oo5
モル〕と2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸−3’−ニト
ロアニリド(ナフトールAs−BS)3.08 jj
(0,01モルラを水冷した30C1/+(7)DMF
に溶解した。内温を5〜10’Cに保ちつつ、1.23
g(0,015モル)の酢酸ナトリウムを10m1の水
に溶解した水溶液を1時間を要し滴下した。その後室温
にて3時間攪拌反応させた。
1)と同様にして得られた1、4−ジスチリルベンゼン
−21,2″−ジメチル−41,4″−ビスジアゾニウ
ムビステトラフルオロボレート2.69g(o、oo5
モル〕と2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸−3’−ニト
ロアニリド(ナフトールAs−BS)3.08 jj
(0,01モルラを水冷した30C1/+(7)DMF
に溶解した。内温を5〜10’Cに保ちつつ、1.23
g(0,015モル)の酢酸ナトリウムを10m1の水
に溶解した水溶液を1時間を要し滴下した。その後室温
にて3時間攪拌反応させた。
反応筒析出した沈澱をP取、水洗後、DMF。
アセトンで洗浄し乾燥して目的のビスアゾ化合物を得た
。
。
収@4.0g(82%) 融点300℃以上赤外吸収ス
ペクトルでシ=1670cmにアミド吸収、およびFD
−マススペクトルにm/θ=979の分子イオンピーク
が現わnたことから目的の化合物が合成されたことを確
認した。
ペクトルでシ=1670cmにアミド吸収、およびFD
−マススペクトルにm/θ=979の分子イオンピーク
が現わnたことから目的の化合物が合成されたことを確
認した。
合成例(3)(例示化合物(K−8)の合成フJ、Ka
rnatak UnJ−v、 9−10 、31−3
(1964−65)記載の方法に準じ、34.5gの0
−クロル−p−ニトロアニリンより11.5gの。−ク
ロル−p−二トロベンズアルデヒドを得た。(収率31
%)(沸点11.5〜122°C/2闘H& )一方、
10.61のp−キシリレンジブロマイドと13.2g
のトリエチルフォスファイトを加熱溶融することにより
、14.8gのp−キシリレンビスジエチルフオスフオ
ネートを得た。(収率98.。
rnatak UnJ−v、 9−10 、31−3
(1964−65)記載の方法に準じ、34.5gの0
−クロル−p−ニトロアニリンより11.5gの。−ク
ロル−p−二トロベンズアルデヒドを得た。(収率31
%)(沸点11.5〜122°C/2闘H& )一方、
10.61のp−キシリレンジブロマイドと13.2g
のトリエチルフォスファイトを加熱溶融することにより
、14.8gのp−キシリレンビスジエチルフオスフオ
ネートを得た。(収率98.。
%ン
次にW、S、 Wardswarth 、 W、 D
、 Emmons 、 J、 Am、Clhem。
、 Emmons 、 J、 Am、Clhem。
Soc、 、且、 1733 (1961〕記載の方法
に準シ、上記に準備した10.0gの0−り四ルーp
−二トロベンズアルデヒドと10.2gのp〜キシリレ
ンビスジエチルフォス7オネートを水冷下DMF中ナト
ナトリウムメチラート存在下応させることによって、6
.79の1,4−ビス(2−りpルー4−ニトロスチリ
ルノベンゼンを得た後に、DMF中鉄−塩酸によりジニ
トロ体を還元し、4,5gの1,4−ビス(2−クロル
−4−アミノスチリルノベンゼンを得た。(収率78%
〕このようにして得た1、4−ビス(2−クロル−4−
アミノスチリルノベンゼン3.819 (0,01モル
ノを2omlの濃塩酸と60dの水の混合液に分散し、
1.52g(0,022モル)の亜硝酸ナトリウムを水
5 tnlに溶かした水溶液を内77M 0〜5℃に保
ちながら滴下し、同温度で1時1tll攪拌反応させた
。
に準シ、上記に準備した10.0gの0−り四ルーp
−二トロベンズアルデヒドと10.2gのp〜キシリレ
ンビスジエチルフォス7オネートを水冷下DMF中ナト
ナトリウムメチラート存在下応させることによって、6
.79の1,4−ビス(2−りpルー4−ニトロスチリ
ルノベンゼンを得た後に、DMF中鉄−塩酸によりジニ
トロ体を還元し、4,5gの1,4−ビス(2−クロル
−4−アミノスチリルノベンゼンを得た。(収率78%
〕このようにして得た1、4−ビス(2−クロル−4−
アミノスチリルノベンゼン3.819 (0,01モル
ノを2omlの濃塩酸と60dの水の混合液に分散し、
1.52g(0,022モル)の亜硝酸ナトリウムを水
5 tnlに溶かした水溶液を内77M 0〜5℃に保
ちながら滴下し、同温度で1時1tll攪拌反応させた
。
反応後、少量の残渣をp別し、r液に42%ホウ弗化水
素酸水溶液3omlを加え、析出した沈澱を沢取し、水
洗した後充分乾燥した。
素酸水溶液3omlを加え、析出した沈澱を沢取し、水
洗した後充分乾燥した。
収量5.’73 g(99%)
得られたテトラゾニウム墳2.90 g(0,0j)5
モルノをDMF50mlに溶解し、次の反応に使用する
テトラゾニウム塩溶液とした。
モルノをDMF50mlに溶解し、次の反応に使用する
テトラゾニウム塩溶液とした。
次に2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸アニリド(ナフト
ールAs )2.63 g(0,011モルノトリエタ
ノールアミン2.’709 (0,02モル)を300
m1のDMFに溶解し、内温を5〜10℃に保ちつつ、
上記により調整したテトラゾニウム塩溶液を滴下し滴下
後、同温度で2時間攪拌し、更に室温下2時間攪拌反応
させた。
ールAs )2.63 g(0,011モルノトリエタ
ノールアミン2.’709 (0,02モル)を300
m1のDMFに溶解し、内温を5〜10℃に保ちつつ、
上記により調整したテトラゾニウム塩溶液を滴下し滴下
後、同温度で2時間攪拌し、更に室温下2時間攪拌反応
させた。
反応後、析出した沈澱をp取し、DMF次にアセトンで
洗浄し乾燥することにより目的のビスアゾ化合物を得た
。
洗浄し乾燥することにより目的のビスアゾ化合物を得た
。
収量3.63 g(’7aO%) 融点300℃以上赤
外線吸収スペクトルでν= 167 Q ctn ’に
アミド吸収及びFD−マススペクトルにm/ e =
930の分子イオンビークが現われたことから目的の化
合物が合成さ1tたことを硲詔した。
外線吸収スペクトルでν= 167 Q ctn ’に
アミド吸収及びFD−マススペクトルにm/ e =
930の分子イオンビークが現われたことから目的の化
合物が合成さ1tたことを硲詔した。
合成例(4)(例示化合物(K−10)の合成う合成例
(3)と同様にして得られた1、4−ジスチリルベンゼ
ン−21,2″−ジクロル−4+、4−ビスジアゾニウ
ムビステトラフルオロボレート2.90g(0005モ
ルリと2−ヒドロキシ−3−す7トエ酸−3′−ニトロ
アニリド(ナフトールAs−BS)3.08 /j (
0,011モルノ氷冷した300m1のDMIFに溶解
した。内温を5〜lo’cに保ちつつ、1.23.9(
0,015モルノの酢酸ナトリウムをlomlの水に溶
かした水溶液を1時間を要し滴下した。その後室温にて
3時間攪拌反応させた。
(3)と同様にして得られた1、4−ジスチリルベンゼ
ン−21,2″−ジクロル−4+、4−ビスジアゾニウ
ムビステトラフルオロボレート2.90g(0005モ
ルリと2−ヒドロキシ−3−す7トエ酸−3′−ニトロ
アニリド(ナフトールAs−BS)3.08 /j (
0,011モルノ氷冷した300m1のDMIFに溶解
した。内温を5〜lo’cに保ちつつ、1.23.9(
0,015モルノの酢酸ナトリウムをlomlの水に溶
かした水溶液を1時間を要し滴下した。その後室温にて
3時間攪拌反応させた。
反応後析出した沈澱を沢取し、水洗後DMF次にアセト
ンで洗浄し乾燥して目的のビスアゾ化合物を得た。
ンで洗浄し乾燥して目的のビスアゾ化合物を得た。
収量4.23 p (83,2%) 融点300℃以上
赤外吸収スペクトルでシ=1670Crr1にアミド吸
収及びFD−マススペクトルにm/θ:1020の分子
イオンビークが現わnたことから目的の化合物が合成さ
nたことを硲認した。
赤外吸収スペクトルでシ=1670Crr1にアミド吸
収及びFD−マススペクトルにm/θ:1020の分子
イオンビークが現わnたことから目的の化合物が合成さ
nたことを硲認した。
本発明のビスアゾ化合物は優れた光導電性を有し、こn
を用いて電子写真感光体を製造する場合、導電性支持体
上に、本発明のビスアゾ化合物を結着剤中に分散した感
光層を設けることにより製造することができる。また他
の方法として、本発明のビスアゾ化合物の持つツC導電
性のうち、特に優れたキャリア発生能を利用するキャリ
ア発生物質として用い、こnと組み合わせて有効に作用
し得るキャリア輸送物質と共に用いることにより、積層
型あるいは分散型のいわゆる機能分蔭型電子写真感光体
とすることも可能である。
を用いて電子写真感光体を製造する場合、導電性支持体
上に、本発明のビスアゾ化合物を結着剤中に分散した感
光層を設けることにより製造することができる。また他
の方法として、本発明のビスアゾ化合物の持つツC導電
性のうち、特に優れたキャリア発生能を利用するキャリ
ア発生物質として用い、こnと組み合わせて有効に作用
し得るキャリア輸送物質と共に用いることにより、積層
型あるいは分散型のいわゆる機能分蔭型電子写真感光体
とすることも可能である。
電子写真感光体の機械的構成は、種々の形態が知られ、
ているが、本発明の電子写真感光体は、そオtらのいず
れの形態をもとり得る。通常は、第1図〜第6図の形態
である。第1図および第3図では導電性支持体1上に前
述のビスアゾ化合物を主IJz分とするキャリア発生層
2と、キャリア輸送物質を主成分として含有するキャリ
ア輸送3との積層体より成る感光層4を設ける。第2図
および第4図に示すように、この感光層4は導電性支持
体上に設けた中間層5を介して設けてもよい。このよう
に感光層4を二層構成としたときに最も優れた電子′q
真時特性有する電子写真感光体が得られる。また本発明
においては、第5図および第6図に示すように、前記キ
ャリア発生物質7をキャリア輸送物質を主成分とする層
6中に分散せしめて成る感光層4を、導電性支持体1上
に直接あるいは、中間層5を介して設けてもよい。
ているが、本発明の電子写真感光体は、そオtらのいず
れの形態をもとり得る。通常は、第1図〜第6図の形態
である。第1図および第3図では導電性支持体1上に前
述のビスアゾ化合物を主IJz分とするキャリア発生層
2と、キャリア輸送物質を主成分として含有するキャリ
ア輸送3との積層体より成る感光層4を設ける。第2図
および第4図に示すように、この感光層4は導電性支持
体上に設けた中間層5を介して設けてもよい。このよう
に感光層4を二層構成としたときに最も優れた電子′q
真時特性有する電子写真感光体が得られる。また本発明
においては、第5図および第6図に示すように、前記キ
ャリア発生物質7をキャリア輸送物質を主成分とする層
6中に分散せしめて成る感光層4を、導電性支持体1上
に直接あるいは、中間層5を介して設けてもよい。
本発明のビスアゾ化合物をキャリア発生物質として用い
た場合、これと組み合わせて用いられるキャリア輸送物
質としては、トリニトロフルオレノンあるいはテトラニ
トロフルオレノンなどの電子を輸送しやすい電子受容性
物質のほか、ポリ−N−ビニルカルバゾールに代表され
るような複床環化合物を側鎖に有する重合体あるいはト
リアゾール誘導体、オキザジアゾール誘導体、イミダゾ
ール誘導体、ピラゾリン誘導体、ボリアリールアルカン
誘導体、フェニレンジアミン島導体、ヒドラソン誘導体
、アミン置換カルコン誘導体、トリアリールアミン誘導
体、カルバゾール誘導体、スチルベン誘導体等の正孔を
輸送しゃすい電子供与性物質が挙げられるが、不発1!
1.7に)Uいられるキャリア(4送物質はこれらに限
定されるものではない。
た場合、これと組み合わせて用いられるキャリア輸送物
質としては、トリニトロフルオレノンあるいはテトラニ
トロフルオレノンなどの電子を輸送しやすい電子受容性
物質のほか、ポリ−N−ビニルカルバゾールに代表され
るような複床環化合物を側鎖に有する重合体あるいはト
リアゾール誘導体、オキザジアゾール誘導体、イミダゾ
ール誘導体、ピラゾリン誘導体、ボリアリールアルカン
誘導体、フェニレンジアミン島導体、ヒドラソン誘導体
、アミン置換カルコン誘導体、トリアリールアミン誘導
体、カルバゾール誘導体、スチルベン誘導体等の正孔を
輸送しゃすい電子供与性物質が挙げられるが、不発1!
1.7に)Uいられるキャリア(4送物質はこれらに限
定されるものではない。
二層構成の感y6I惜4を構成するキャリア発生層2は
、導電性支持体1もしくはキャリア輪送層3上に、直接
あるいは必要に応じて、接@層もしくはバリヤ一層など
の中間層を介して、次の方法によって形成することがで
きる。
、導電性支持体1もしくはキャリア輪送層3上に、直接
あるいは必要に応じて、接@層もしくはバリヤ一層など
の中間層を介して、次の方法によって形成することがで
きる。
M −(1) ビスアゾ化合物を適当な溶媒に溶解し
た溶液を、あるいは、必要に応じて結着剤を加え混合溶
解した溶液を塗4ノする方法。
た溶液を、あるいは、必要に応じて結着剤を加え混合溶
解した溶液を塗4ノする方法。
M −(2) ビスアゾ化合物をボールミル、ホモミ
キャー等によって分散媒中で微細粒子とし、必要に応じ
て結着剤を加え混合分散した分散液を塗布する方法。
キャー等によって分散媒中で微細粒子とし、必要に応じ
て結着剤を加え混合分散した分散液を塗布する方法。
キャリア発生層の形成に使用される溶媒あるいは分散剤
としては、n−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレ
ンジアミン、インプロパ/−ルアミン、トリエタノール
アミン、トリエチレンジアミン、N、H−ジメチルホル
ムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム
、ジクロロメタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソブロハ
/ /’ 、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスル
ホキシド等が挙げられる。
としては、n−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレ
ンジアミン、インプロパ/−ルアミン、トリエタノール
アミン、トリエチレンジアミン、N、H−ジメチルホル
ムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム
、ジクロロメタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソブロハ
/ /’ 、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスル
ホキシド等が挙げられる。
キャリア発生層あるいはキャリア輸送層に結着剤を用い
る場合は任意のものを用いることができるが、疎水性で
かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性高分子
重合体を用いるのが好ましい。
る場合は任意のものを用いることができるが、疎水性で
かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性高分子
重合体を用いるのが好ましい。
このような高分子重合体としては、例えば、次のものを
挙げることができるが、もちろんこれらに限定されるも
のではない。
挙げることができるが、もちろんこれらに限定されるも
のではない。
p −(1) ポリカーボネート
P −(2) ポリエステル
P −(3) メタクリル樹脂
P −(4) アクリル樹脂
P −(5) ポリ塩化ビニル
p −(6) ポリ塩化ビニリデン
P −(7) ポリスチレン
p −(a) ポリビニルアセテートP −(9)
スチレン−ブタジェン共重合体P−(10)塩化ビニ
リデン−アクリロニトリル共重合体 P −(11)塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体P −
(12)塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重
合体 P −(13)シリコン樹脂 P −(14Jシリコン−アルキッド樹脂P −(15
)フェノール−ホルムアルデヒド樹脂P −(16)ス
チレン−アルキッド樹脂P −(17)ポリ−N−ビニ
ルカルバゾールこnらの結着剤は、単独であるいは2種
以上の混合物として用いることができる。
スチレン−ブタジェン共重合体P−(10)塩化ビニ
リデン−アクリロニトリル共重合体 P −(11)塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体P −
(12)塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重
合体 P −(13)シリコン樹脂 P −(14Jシリコン−アルキッド樹脂P −(15
)フェノール−ホルムアルデヒド樹脂P −(16)ス
チレン−アルキッド樹脂P −(17)ポリ−N−ビニ
ルカルバゾールこnらの結着剤は、単独であるいは2種
以上の混合物として用いることができる。
このようにして形成されるキャリア発生層2の厚さは0
,01μm N20μmであることが好ましいが更に好
ましくは0.05μm N5μmである。またキャリア
発生層あるいは感光層が分散糸の場合ビスアゾ化合物の
粒径は5μm以下であることが好ましく、更に好ましく
は1μm以下である。
,01μm N20μmであることが好ましいが更に好
ましくは0.05μm N5μmである。またキャリア
発生層あるいは感光層が分散糸の場合ビスアゾ化合物の
粒径は5μm以下であることが好ましく、更に好ましく
は1μm以下である。
本発明の電子′q真真先光体構成に用いら1]る導)W
+yv支持体1としてはアルミニウム板、ステンレス
板などの金属板のほか、紙あるいはプラスチックフィル
ムなとの支持体上にアルミニウム、パラジウム、金など
の金属薄片をラミネートもしくは蒸着によって設けたも
のあるいは導IR性ポリマー酸化インジウム、酸化スズ
などの導電°注化合物の・層を同じく紙あるいはプラス
チックフィルムなどの支持体上に塗布もしくは蒸着によ
って設けたものが用いられる。
+yv支持体1としてはアルミニウム板、ステンレス
板などの金属板のほか、紙あるいはプラスチックフィル
ムなとの支持体上にアルミニウム、パラジウム、金など
の金属薄片をラミネートもしくは蒸着によって設けたも
のあるいは導IR性ポリマー酸化インジウム、酸化スズ
などの導電°注化合物の・層を同じく紙あるいはプラス
チックフィルムなどの支持体上に塗布もしくは蒸着によ
って設けたものが用いられる。
接着層あるいはバリア一層などの中間層5としては、前
記感光層の結着剤として用いられる高分子71を合体の
はか酸化アルミニウムなどが用いられる0 本発明の電子写真感光体は以上のような構成であって、
後述する実施例からも明らかなように、帯電特性、画像
形成特性に優れており熱、光(紫外線等)に対して安定
で特に繰り返し使用したときも疲労劣化が少なく、耐久
性が優れたものである。
記感光層の結着剤として用いられる高分子71を合体の
はか酸化アルミニウムなどが用いられる0 本発明の電子写真感光体は以上のような構成であって、
後述する実施例からも明らかなように、帯電特性、画像
形成特性に優れており熱、光(紫外線等)に対して安定
で特に繰り返し使用したときも疲労劣化が少なく、耐久
性が優れたものである。
以下本発明の実施例を具体的に説明オるが、こ才]、に
より本発明の実施態様が限定されるものではない。
より本発明の実施態様が限定されるものではない。
実施例1
ポリエステル
ラミネートして成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢
酸ビニル−無水マレイン酸4を重合体[エスレツクMF
−10J(漬水化学社製〕より成る厚さ0、05μmの
中間層を設けその上に例示化合物(K−1)2取計部を
1,2−ジクロルエタン140爪量部に分散混合した液
を乾燥後の膜厚が0.5μmになるようにして塗布し、
キャリア発生層を形成した。
酸ビニル−無水マレイン酸4を重合体[エスレツクMF
−10J(漬水化学社製〕より成る厚さ0、05μmの
中間層を設けその上に例示化合物(K−1)2取計部を
1,2−ジクロルエタン140爪量部に分散混合した液
を乾燥後の膜厚が0.5μmになるようにして塗布し、
キャリア発生層を形成した。
次いで、]、−]フェニルー3−p−ジエチルアミノス
チリル)−5−(p−ジェヂルアミノフェニルンービラ
ゾリン6重量部と、ポリエステル[バイロン200J(
東洋紡績社製)10車量部とを〕、2−ジクロロエタン
90重量部中に溶解し、この溶液を乾燥後の膜厚が10
μmになるように塗布してキャリア輸送層を形成し、本
発明の電子写真感光体を作成した。
チリル)−5−(p−ジェヂルアミノフェニルンービラ
ゾリン6重量部と、ポリエステル[バイロン200J(
東洋紡績社製)10車量部とを〕、2−ジクロロエタン
90重量部中に溶解し、この溶液を乾燥後の膜厚が10
μmになるように塗布してキャリア輸送層を形成し、本
発明の電子写真感光体を作成した。
この電子写真感光体について、静電複写紙試験装置「s
p−428型」(川口電気製作新製)を用いてダイナミ
ック方式で電子写真時性を測定した。
p−428型」(川口電気製作新製)を用いてダイナミ
ック方式で電子写真時性を測定した。
前記感光体の感光層表面を帯電圧−6.0KVで5秒間
帯電せしめた時の表面電位VA 、次いでタソグステン
ランプの光を感光体表面にお番プる照度が351uXに
なるようにして照射し、表面電位■Aを半分に減衰させ
るのに要する露光は(半減露光ii ) ET ( l
ux− sec ) 、並びに30 1ux− sec
の露光量で露光した後の表面電位(残留電位) VRを
それぞれ求めた。
帯電せしめた時の表面電位VA 、次いでタソグステン
ランプの光を感光体表面にお番プる照度が351uXに
なるようにして照射し、表面電位■Aを半分に減衰させ
るのに要する露光は(半減露光ii ) ET ( l
ux− sec ) 、並びに30 1ux− sec
の露光量で露光した後の表面電位(残留電位) VRを
それぞれ求めた。
また同様の測定を100回繰゛り返して行なった。
結果は第1表に示す通りである。
第3表
比較例1
キャリア発生物質として下記ビスアゾ化合物を用いた他
は、実施例1と同様にして比較用感光体を作成した。
は、実施例1と同様にして比較用感光体を作成した。
0、H。
この比較用電子写真感光体について、実施例1と同様に
して測定を行なったところ、第2表に示すような結果を
得た。
して測定を行なったところ、第2表に示すような結果を
得た。
第2表
以上の結果から明らかなように、本発明の電子写真感光
体は、比較用電子写真感光体に比べ、感度、残留電位お
よび繰り返しの安定性において極めて優れたものである
。
体は、比較用電子写真感光体に比べ、感度、残留電位お
よび繰り返しの安定性において極めて優れたものである
。
実施例2
キャリア発生物質として、例示化合物(K−3)を用い
たほかは実施例1と同様にして、本発明の電子写真感光
体を作成した。
たほかは実施例1と同様にして、本発明の電子写真感光
体を作成した。
この電子写真感光体について実施例1と同様にして測定
を行なったところ、第3表に示す結果を得た。
を行なったところ、第3表に示す結果を得た。
第 3 表
実施例3
ポリエステルフィルムにアルミニウムを蒸着した上に実
施例1で用いた中間層を設け、更にその上に例示化合物
(K−8)2重量部を、l,2−ジクロロエタン140
重量部に分散混合した液を、乾燥後の膜厚が0.5μm
になるように塗布し、キャリア発生層を形成した0 次いでp−(N、N−ジエチルアミノ)ベンズアルデヒ
ド−1,1−ジフユニルヒドラゾ26重劃i71%と、
ポリカーボネート[)ぜンライトL −1250J(帝
人化戊社製)10重値部とを、1,2−ジクロロエタン
90重量部に溶解した液を乾燥後の膜厚が12μmにな
るように塗布してキャリア輸送層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
施例1で用いた中間層を設け、更にその上に例示化合物
(K−8)2重量部を、l,2−ジクロロエタン140
重量部に分散混合した液を、乾燥後の膜厚が0.5μm
になるように塗布し、キャリア発生層を形成した0 次いでp−(N、N−ジエチルアミノ)ベンズアルデヒ
ド−1,1−ジフユニルヒドラゾ26重劃i71%と、
ポリカーボネート[)ぜンライトL −1250J(帝
人化戊社製)10重値部とを、1,2−ジクロロエタン
90重量部に溶解した液を乾燥後の膜厚が12μmにな
るように塗布してキャリア輸送層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
この電子写真感光体について、実施例1と同様にして測
定を行なったところ、VA−−980V、E + =
1.51ux−sec 、 VR= OVであった。
定を行なったところ、VA−−980V、E + =
1.51ux−sec 、 VR= OVであった。
比較例2
ギヤリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物を用いた
他は実施例3と同様Gこして比較用電子′q貞感光体を
作成した。
他は実施例3と同様Gこして比較用電子′q貞感光体を
作成した。
この比較用電子写真感光体について、実施例1と同様の
測定を行なったところ、VA=−940’V、B+ =
8.0 ’rux−sec、 VR=−85’Vであ
った。
測定を行なったところ、VA=−940’V、B+ =
8.0 ’rux−sec、 VR=−85’Vであ
った。
以上の結果から明らかなように、本発明の電子写真感光
体は、比較用電子1真感光C体に比べ、その初期特性に
おいて著しく優れたものである。
体は、比較用電子1真感光C体に比べ、その初期特性に
おいて著しく優れたものである。
実施例4
実施例3による本発明の電子写真感光体と比較例2によ
る比較用電子14真感光体の各々を、電子写真複写機[
U−BiX 2000RJ (小西六写真工業社製ンに
装置して、帯電・露光・クリーニングの操作を2,00
0回繰り返して耐久試験を行なった後、直ちに再び実施
例1におけると同様の測定を行なった。結果は第4表に
示す通りである。
る比較用電子14真感光体の各々を、電子写真複写機[
U−BiX 2000RJ (小西六写真工業社製ンに
装置して、帯電・露光・クリーニングの操作を2,00
0回繰り返して耐久試験を行なった後、直ちに再び実施
例1におけると同様の測定を行なった。結果は第4表に
示す通りである。
第 4 表
2.000回耐久試験後の特性
この結果から明らかなように、比較例2の電子写真感光
体の特性の劣化が著しく大きいのに比べ、実施例3の本
発明の電子写真感光体は、2,000回の帯電・露光の
繰り返しにおいても、その特性が初期とほとんど変わら
ず安定していることがわかる。
体の特性の劣化が著しく大きいのに比べ、実施例3の本
発明の電子写真感光体は、2,000回の帯電・露光の
繰り返しにおいても、その特性が初期とほとんど変わら
ず安定していることがわかる。
実施例5
実施例]で用いた導電性支持体上に例示化合物(K−1
3)2重量部と、ポリカーボネート[)ぜンライ)L−
1250J(帝人化成召製)2型理部を1.2−ジクロ
ルエタン140 重量部Gこ分散混合した液を乾燥後の
膜厚が1μmになるように塗布して、キャリア発生層を
形成した。
3)2重量部と、ポリカーボネート[)ぜンライ)L−
1250J(帝人化成召製)2型理部を1.2−ジクロ
ルエタン140 重量部Gこ分散混合した液を乾燥後の
膜厚が1μmになるように塗布して、キャリア発生層を
形成した。
>j<ニy、−(p−1トキシスチリル)−9−(p−
メトキシフェニル〕カルノくゾール6 重1?t 部と
メタクリル樹脂「アクリベット](三菱レイヨン社製)
10 重量部とを1.2−ジクロルエタン90重量部
に溶かした液を、乾・側抜の膜厚が10μmになるよう
に塗布してキャリア輸送層を形成し、本発明の電子写真
感光体を作成したO この電子写真感光体について実施例1と同様に測定した
ところKh=1..71.ux−sec、 VR= O
Vであった。
メトキシフェニル〕カルノくゾール6 重1?t 部と
メタクリル樹脂「アクリベット](三菱レイヨン社製)
10 重量部とを1.2−ジクロルエタン90重量部
に溶かした液を、乾・側抜の膜厚が10μmになるよう
に塗布してキャリア輸送層を形成し、本発明の電子写真
感光体を作成したO この電子写真感光体について実施例1と同様に測定した
ところKh=1..71.ux−sec、 VR= O
Vであった。
実施例6
実施例1で用いた中間層を設けた導電性支持体上に、例
示化合物(K−9)の2%エチレンジアミン溶液を乾燥
後の膜厚が0.3μmになるように塗布し、キャリア発
生層を形成した。
示化合物(K−9)の2%エチレンジアミン溶液を乾燥
後の膜厚が0.3μmになるように塗布し、キャリア発
生層を形成した。
さらにその上にp−(N、N−ジエチルアミノノペンス
アルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾン67Rfi
t tfV!と、ポリカーボネート[ニーピロンS−1
00OJ(三菱ガス化学社製)10重量部とを1.2−
ジクロロエタン90車量部に溶解し、乾燥後の膜厚が1
4μmになるように塗布してキャリア輸送層を形成し、
本発明の電子写真感光体を作成した。
アルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾン67Rfi
t tfV!と、ポリカーボネート[ニーピロンS−1
00OJ(三菱ガス化学社製)10重量部とを1.2−
ジクロロエタン90車量部に溶解し、乾燥後の膜厚が1
4μmになるように塗布してキャリア輸送層を形成し、
本発明の電子写真感光体を作成した。
この電子写真感光体について、実施例1と同様にして測
定したところ、]!、ユ= 1.611zx−sec、
VR−Ovであった。
定したところ、]!、ユ= 1.611zx−sec、
VR−Ovであった。
また、この電子写真感光体を屯f写真複写機[U−Bi
X 2000 RJ (小西六′q真工業社製すに装着
し、画像の複写を行なったところ、原画に忠実でコント
ラストが高く、階調性の優nた鮮明な複7¥画像を得た
。こnは、連続10,000回繰り返しても初期と同様
の複ず画像が得られた。
X 2000 RJ (小西六′q真工業社製すに装着
し、画像の複写を行なったところ、原画に忠実でコント
ラストが高く、階調性の優nた鮮明な複7¥画像を得た
。こnは、連続10,000回繰り返しても初期と同様
の複ず画像が得られた。
比較例3
キャリア発生物質として下記ビスアゾ化合物を用いた他
は実施例6と同様にして、比較用電子写真感光体を作成
した。
は実施例6と同様にして、比較用電子写真感光体を作成
した。
この比較用電子′q真感光体について、実施例6と同様
にして画像の複写を行なったところ、初期の画像は良好
であったが、繰り返し複写を行なうに従い次第にカブリ
が増加し、1,000回の繰り返しで、もはやカブリの
大きい、コントラストの低い不鮮明な画像しか得られな
かった。
にして画像の複写を行なったところ、初期の画像は良好
であったが、繰り返し複写を行なうに従い次第にカブリ
が増加し、1,000回の繰り返しで、もはやカブリの
大きい、コントラストの低い不鮮明な画像しか得られな
かった。
実施例フ
ポリエステルフィルムにアルミニラムラ魚yti した
上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合
体「エスレツクMF−xoJ(fm水化学社製)から成
る厚さ0.05μmの中r#li層を設け、その上に例
示化合物(K−25)3電縫部と、〕、、1−ビス(4
−N、N−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)−1
−フェニルメタン6 重’R部ト、ポリカーボネート「
パンライトh−125oJ(音大化成社製)10重尺部
とを、1.2−ジクロロエタン100 爪fi1部中に
加え、ボールミルでよく分散混合した液を乾燥後の膜厚
が10μmになるように塗布して、本発明の電子写「(
感ツC体を作成した。
上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合
体「エスレツクMF−xoJ(fm水化学社製)から成
る厚さ0.05μmの中r#li層を設け、その上に例
示化合物(K−25)3電縫部と、〕、、1−ビス(4
−N、N−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)−1
−フェニルメタン6 重’R部ト、ポリカーボネート「
パンライトh−125oJ(音大化成社製)10重尺部
とを、1.2−ジクロロエタン100 爪fi1部中に
加え、ボールミルでよく分散混合した液を乾燥後の膜厚
が10μmになるように塗布して、本発明の電子写「(
感ツC体を作成した。
この電子写真感光体について静電複写紙試験装置「5p
−428型」(川口電機製作新製〕を用い、ダイナミッ
ク方式で電子写真特性を測定した。
−428型」(川口電機製作新製〕を用い、ダイナミッ
ク方式で電子写真特性を測定した。
感光層表面を+6 KVで5秒間帯電し、次いでタング
ステンランプのyCを感光層表面における照度が351
uxになるようにして半減側光Hk (E−% )を求
めたところ、E’ == 1.81ux−secであり
、さらに301ux−5ecの露光量を与えたときの表
面電位(残留電位)はVR=+IVであった。
ステンランプのyCを感光層表面における照度が351
uxになるようにして半減側光Hk (E−% )を求
めたところ、E’ == 1.81ux−secであり
、さらに301ux−5ecの露光量を与えたときの表
面電位(残留電位)はVR=+IVであった。
比較例4
キャリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物を用いた
他は、実施例7と同様にして、比較用電子写真感光体を
作成した。
他は、実施例7と同様にして、比較用電子写真感光体を
作成した。
この比較用電子写真感光体について、実施例7と同様に
して測定したところ、弓= 12.41ux−sec。
して測定したところ、弓= 12.41ux−sec。
VRコニ−4Vであり、実施例70本発明の電子写真感
光体に比べ、感度、残留電位とも著しく劣ったものであ
った。
光体に比べ、感度、残留電位とも著しく劣ったものであ
った。
実施例8
実施例1で用いた中間層を設けた導電性支持体」二に、
例示化合物(K−4)2重量部と、1,2−ジクマロエ
ラ2100重縦部とをよく分散混合し、乾燥後の膜厚が
0.3μmになるように塗布してキャリア発生層を形成
した0 次いでその上に、キャリア軸道物質として下記ヒドラゾ
ン誘導体6重量部と、ポリエステル[バイロン200J
(東洋紡績社製)10重量部に溶解した液を、乾燥後の
膜厚が12μmになるように塗布してキャリア輸送層を
形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
例示化合物(K−4)2重量部と、1,2−ジクマロエ
ラ2100重縦部とをよく分散混合し、乾燥後の膜厚が
0.3μmになるように塗布してキャリア発生層を形成
した0 次いでその上に、キャリア軸道物質として下記ヒドラゾ
ン誘導体6重量部と、ポリエステル[バイロン200J
(東洋紡績社製)10重量部に溶解した液を、乾燥後の
膜厚が12μmになるように塗布してキャリア輸送層を
形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
02H。
この電子写真感光体について、実施例1と同様に測定し
たところ第5表の結果であった。
たところ第5表の結果であった。
第 5 表
比較例5
キャリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物を用いた
他は実施例(8)と同様にして比較用電子写真感光体を
作成した。
他は実施例(8)と同様にして比較用電子写真感光体を
作成した。
この比較用電子写真感光体について、実施例(1)と同
様にして測定を行なったところ第6表に示すような結果
を得た。
様にして測定を行なったところ第6表に示すような結果
を得た。
第 6 表
以上の結果から明らかな様に、本発明の電子写真感光体
は比較用電子写真感光体に比べ感度、残留電位および繰
り返しの安定性において優れたものである。
は比較用電子写真感光体に比べ感度、残留電位および繰
り返しの安定性において優れたものである。
実施例9〜11
キャリア発生物質として、例示化合物(K−5八(K−
7)、(K−15)を用いたほかは、実施例8と同様に
して本発明゛の電子写真感光体を作成し同様の測定を行
なったところ、第7表に示すような結果を得た。
7)、(K−15)を用いたほかは、実施例8と同様に
して本発明゛の電子写真感光体を作成し同様の測定を行
なったところ、第7表に示すような結果を得た。
第 7 表
以上の結果から明らかな様に、本発明の電子写真感光体
は感度、残留電位等の電子写真特性に才5いて著しく優
れたものである。
は感度、残留電位等の電子写真特性に才5いて著しく優
れたものである。
実施例1z
ポリエステルフィルム上にアルミニウム箔をラミネート
して成る導電性支持体上に塩化ビニル−無水マレイン酸
共重合体「エスレツクMF−10J(種水化学社製)よ
り成る厚さ0.05μmの中間層を設け、その上に例示
化合物(K−35)59とポ゛リカーボネート樹脂「パ
ンライトL −1250J(Ff1人化成社製) 3.
3 gとをジクロロメタン100dに加え、ボールミル
で6時間分散した分散液を乾燥時の膜厚が10μmにな
るようにして塗布し、電子写真感光体を作成した。
して成る導電性支持体上に塩化ビニル−無水マレイン酸
共重合体「エスレツクMF−10J(種水化学社製)よ
り成る厚さ0.05μmの中間層を設け、その上に例示
化合物(K−35)59とポ゛リカーボネート樹脂「パ
ンライトL −1250J(Ff1人化成社製) 3.
3 gとをジクロロメタン100dに加え、ボールミル
で6時間分散した分散液を乾燥時の膜厚が10μmにな
るようにして塗布し、電子写真感光体を作成した。
以」二のようにして得られた感光体を帯電圧を−4−6
KVに代えた他は実施例1と同様にして暑とVBを測定
した。
KVに代えた他は実施例1と同様にして暑とVBを測定
した。
1回目の結果は11 = 3.01ux−secおよび
VR=→−107であった。
VR=→−107であった。
実施例13
実施例1で用いた中間層を設けた導電性支持体上に、例
示化合物(K−45)2重量部と、1゜2−ジクロロエ
タン100 重量部とをよく分散混合し乾燥後の膜厚が
0.3μmになるように塗布してギヤリア発生層を作成
した。 7次いでその上にキャリ
ア輸送物質として、3−1(p−メトキシスチリル)−
9−(p−メトキシ アフェニルノ力ルバゾール6爪
量部とポリカーフJZ:ir、1−ト[パンライ)L−
1250J(音大化成社製ン1o重量部とを、1.2−
ジクロロエタン90市量部に溶解した液を乾燥後の膜厚
が10μmになるように塗布してキャリア輸送層を形成
し、本発明の電子写真感光体を作成した。
示化合物(K−45)2重量部と、1゜2−ジクロロエ
タン100 重量部とをよく分散混合し乾燥後の膜厚が
0.3μmになるように塗布してギヤリア発生層を作成
した。 7次いでその上にキャリ
ア輸送物質として、3−1(p−メトキシスチリル)−
9−(p−メトキシ アフェニルノ力ルバゾール6爪
量部とポリカーフJZ:ir、1−ト[パンライ)L−
1250J(音大化成社製ン1o重量部とを、1.2−
ジクロロエタン90市量部に溶解した液を乾燥後の膜厚
が10μmになるように塗布してキャリア輸送層を形成
し、本発明の電子写真感光体を作成した。
この電子写真感光体について、25℃及ヒ60℃の室内
温度における電子写真特性を実施例1と同様にして測定
した。
温度における電子写真特性を実施例1と同様にして測定
した。
結果を第8表に示す。
第 8 表
以上の結果から明らかなように、本発明の電子T真盛光
体は、高温においても感度、残留電位荷主が良好であり
、熱に対して安定であることがゎり) る 。
体は、高温においても感度、残留電位荷主が良好であり
、熱に対して安定であることがゎり) る 。
実施例
実施例1で用いた中間層を設けた導電性支持体にに、例
示化合物(K−29)2重置部と1.2−ジクロルエラ
2110重近部とをよく分散混合し乾燥後の膜厚が0.
3μmになるように塗布してキャリア発生層を作成した
。
示化合物(K−29)2重置部と1.2−ジクロルエラ
2110重近部とをよく分散混合し乾燥後の膜厚が0.
3μmになるように塗布してキャリア発生層を作成した
。
このキャリア発生層について、30cm離れた位置に2
KW&0θ毎の超高圧水銀ランプ(東芝製)を置き、2
0分間UV光を照射しまた。
KW&0θ毎の超高圧水銀ランプ(東芝製)を置き、2
0分間UV光を照射しまた。
次ニ、このUV光照射済ノドのキャリア発生層の上にキ
ャリア発生物質として、Tl−(N、N−ジエチルアミ
ツノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾン
7重量部とポリカーボネート「パンライ) L −12
50J (音大化成社製) 10重量部とを、1,2−
ジクロルエタン90爪5を部に溶解した液を乾+vI後
の膜厚が12μmになるように塗布してキャリア輸送層
を形成し、本発明のm子写真I盛元体を作成した。
ャリア発生物質として、Tl−(N、N−ジエチルアミ
ツノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾン
7重量部とポリカーボネート「パンライ) L −12
50J (音大化成社製) 10重量部とを、1,2−
ジクロルエタン90爪5を部に溶解した液を乾+vI後
の膜厚が12μmになるように塗布してキャリア輸送層
を形成し、本発明のm子写真I盛元体を作成した。
この電子写真感光体について、実施例1と同様の測定を
行なった。結果を@9表に示す。
行なった。結果を@9表に示す。
比較例6
キャリア発生層形成後にUV光を貝射しないcJかは、
実施例14と同様にして、本発明の電子写真感光体を作
成し、実施例1と同様の測定を哲なった。結果を第9表
に示す。
実施例14と同様にして、本発明の電子写真感光体を作
成し、実施例1と同様の測定を哲なった。結果を第9表
に示す。
第 9 表
以上の結果から明らかなように、本発明の電子q、真感
光体はUV光照射に対して感度、残留電位特性に優れ、
受容電位の変動量も小さく、ツ6に対して安定であるこ
とが理解できる。
光体はUV光照射に対して感度、残留電位特性に優れ、
受容電位の変動量も小さく、ツ6に対して安定であるこ
とが理解できる。
第1図〜第6図はそnぞれ本発明の電子写真感光体の機
械的構成例について示す断面図である。 1・・・導電性支持体 2・・・キャリア発生層 3・・・キャリア輸送層 4・・・感光層 5・・・中間層 6・・・キャリア輸送物質を含有する層7・・・キャリ
ア発生物質 代理人 桑原義美
械的構成例について示す断面図である。 1・・・導電性支持体 2・・・キャリア発生層 3・・・キャリア輸送層 4・・・感光層 5・・・中間層 6・・・キャリア輸送物質を含有する層7・・・キャリ
ア発生物質 代理人 桑原義美
Claims (2)
- (1)導電性支持体上に下記一般式[I]で示されるビ
スアゾ化合物を含有する感光層を有することを特徴とす
る感光体。 一般式[I] [式中、X、、X、はそnぞれ水素原子、)10ゲン原
子、置換・未置換のアルキル基、置換・未置換のアルコ
キシ基、シアノ基を表わしX、、X4はそれぞれ水素原
子、ハロゲン原子、置換・未置換のアルキル基を表わす
。 但し、xll xt+ XSr x4がともに水素原子
であることはない。 H であってY:水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、
カルボキシ基のエステル基、 スにホ基、置換・未置換のカルバモ イル基、または置換・未置換のスル ファモイル基、 2:置換・未置換の芳香族炭素環または置換・未置換の
芳香族複素環を構成 するに必要な原子群、 RI:水素原子、置換・未置換のアルキル基、置換・未
置換のアミン基、カル ボキシ基のエステル基、置換・未置 換のカルバモイル基、シアノ基、 R3:置換・未置換のアリール基、 R8:置換・未置換のアルキル基、置換・未置換のアラ
ルキルノ、ξまたは1?!換・未置換のアリール承を表
わす。] - (2) 前記感光層がキャリア発生物質とキャリア輸
送物質を含有し、当該キャリア発生物質が前記一般式[
I]で表わされるビスアゾ化合物である特許請求の範囲
第(1)項記載の感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12843982A JPS5918952A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12843982A JPS5918952A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | 感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918952A true JPS5918952A (ja) | 1984-01-31 |
| JPH0311464B2 JPH0311464B2 (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=14984758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12843982A Granted JPS5918952A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918952A (ja) |
-
1982
- 1982-07-22 JP JP12843982A patent/JPS5918952A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0311464B2 (ja) | 1991-02-18 |
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