JPS62286579A - 基板へのレジスト塗布方法 - Google Patents
基板へのレジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPS62286579A JPS62286579A JP61130221A JP13022186A JPS62286579A JP S62286579 A JPS62286579 A JP S62286579A JP 61130221 A JP61130221 A JP 61130221A JP 13022186 A JP13022186 A JP 13022186A JP S62286579 A JPS62286579 A JP S62286579A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- applying
- ultraviolet irradiation
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0079—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the method of application or removal of the mask
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野） ゛
本発明は基板へのレジスト塗布方法に係り。
特に角部などを有する基板の所定面に均一な膜厚の塗布
層を容易に形成しうるレジスト塗布方法に関する。
層を容易に形成しうるレジスト塗布方法に関する。
（従来の技術）
例えば回路基板など所要のパターンを形成するに当って
フォトレジストをマスキング材として一般に使用してい
る。即ちフォトレジストを所定”の基板面に塗布し、露
光、現慮を施して所定゛のフォトレジストマスク（パタ
ーン）を作成してからエツチング処理や蒸着処理を施す
こ□とによって所望の回路パターンなどを形成している
。ところで上記レジスト膜の塗布形成において、′膜厚
の薄い塗布層を形成する場合、基板について純水洗浄或
いは加熱などの清浄化処理を施し゛た後、一般にスピン
塗布法（回転塗布法）によりレジスト塗布“塗布形成し
ている。しかし上記レジスト塗布゛におい゛て′は膜厚
の均一な塗膜を形成し難く、特′に基板が角部を有する
場合１例えば−辺２５０鵡の正方形の基板に回転塗布法
で塗布し、１００℃で乾燥を施して形成した塗ＩＩ！、
についてその膜厚を測定したところ第３図に示す如くで
あった。即ち辺方向についてはいずれの点（ａ）も膜厚
が１．２μｍであったのに対して。
フォトレジストをマスキング材として一般に使用してい
る。即ちフォトレジストを所定”の基板面に塗布し、露
光、現慮を施して所定゛のフォトレジストマスク（パタ
ーン）を作成してからエツチング処理や蒸着処理を施す
こ□とによって所望の回路パターンなどを形成している
。ところで上記レジスト膜の塗布形成において、′膜厚
の薄い塗布層を形成する場合、基板について純水洗浄或
いは加熱などの清浄化処理を施し゛た後、一般にスピン
塗布法（回転塗布法）によりレジスト塗布“塗布形成し
ている。しかし上記レジスト塗布゛におい゛て′は膜厚
の均一な塗膜を形成し難く、特′に基板が角部を有する
場合１例えば−辺２５０鵡の正方形の基板に回転塗布法
で塗布し、１００℃で乾燥を施して形成した塗ＩＩ！、
についてその膜厚を測定したところ第３図に示す如くで
あった。即ち辺方向についてはいずれの点（ａ）も膜厚
が１．２μｍであったのに対して。
角方向における膜厚は中央寄りの点（′ｂ）が１．２μ
ｍ。
ｍ。
内側の点（Ｃ）が２．３ μｍ 、点（ｄ）が３．８μ
ｒｎで基板（１）中央部に較べ角部の膜厚は３〜４倍で
あった。このように塗布膜について膜厚ムラが存在する
ことは。
ｒｎで基板（１）中央部に較べ角部の膜厚は３〜４倍で
あった。このように塗布膜について膜厚ムラが存在する
ことは。
例えばフォトレジスＩ＆布膜を形成し、露光、現儂を施
して所要のパターン化を行なう場合について考えてみる
とパターンの解像度の低下などを伴ない精度の低下をも
たらす。特に微細な回路を角形基板などく形成したい場
合１例えば液晶テレビなど小型表示装置用の回路基板を
製造する際においては、上記レジスト膜の膜厚ムラは所
定の回路パターンの形成を妨げる要因となっている。こ
のためレジスト塗布層を太き目の基板に形成し所要寸法
の角形基板を切り出すなど煩雑な操作を要する。
して所要のパターン化を行なう場合について考えてみる
とパターンの解像度の低下などを伴ない精度の低下をも
たらす。特に微細な回路を角形基板などく形成したい場
合１例えば液晶テレビなど小型表示装置用の回路基板を
製造する際においては、上記レジスト膜の膜厚ムラは所
定の回路パターンの形成を妨げる要因となっている。こ
のためレジスト塗布層を太き目の基板に形成し所要寸法
の角形基板を切り出すなど煩雑な操作を要する。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記事情に対処して、基板に略均−な膜厚のレ
ジスト膜を容易に形成することのできる実用的なレジス
ト塗布方法を提供しようとするものである。
ジスト膜を容易に形成することのできる実用的なレジス
ト塗布方法を提供しようとするものである。
（問題を解決するための手段）
本発明は１回転塗布法によって基板にレジストを塗布す
るに当って、予め基板に紫外線照射および力１熱処理に
よる前処理を施した場合、レジストに対する基板の濡れ
性が著しく改善され、均一な塗膜が形成されることに着
目してなされたものである。即ち本発明は基板に回転塗
布法でレジスト膜を形成するに当り、予め基板のレジス
ト塗布面に紫外線照射処理と同時または事前に加熱処理
とを施しておくことを要点とするものである。
るに当って、予め基板に紫外線照射および力１熱処理に
よる前処理を施した場合、レジストに対する基板の濡れ
性が著しく改善され、均一な塗膜が形成されることに着
目してなされたものである。即ち本発明は基板に回転塗
布法でレジスト膜を形成するに当り、予め基板のレジス
ト塗布面に紫外線照射処理と同時または事前に加熱処理
とを施しておくことを要点とするものである。
（作用）
上記の如く基板の所定面（レジスト塗布面）について加
熱処理によって昇温化した状態下で紫外線照射処理を予
め施した場合には、その処理面の清浄化が効果的【行な
わ・れ、もってレジストに対する濡れ性が改善される。
熱処理によって昇温化した状態下で紫外線照射処理を予
め施した場合には、その処理面の清浄化が効果的【行な
わ・れ、もってレジストに対する濡れ性が改善される。
かくして回転塗布法にてレジストを塗布した場合、基板
の辺方向および角方向において膜厚ム２のみられない（
ＩｉＫ厚均一）塗膜が容易に且つ常に形成される。
の辺方向および角方向において膜厚ム２のみられない（
ＩｉＫ厚均一）塗膜が容易に且つ常に形成される。
（実施例）
以下本発明の詳細な説明する。先ず厚さ１關１辺の長さ
２５０朋の正方形のガラス製角形基板を用意し、この角
型基板を設定温度１５０〜２００℃のホットプレート上
に略水平に載置する一方、６５Ｗの低圧水銀ランプを紫
外線源として１２０秒間紫外線を角形基板面゛に照射し
た。かくして角形基板について紫外線照射処理と加熱処
理とを施し、角形基板の所定面（レジスト塗布面）を清
浄化した。次いで第１図に示す如、＜１回転駆動機構（
２）によって回転する回転軸（３）に装着された真壁チ
ャック（４）にて、前記角形基板（１ｂ）を吸着支持さ
せた。なおこの角形基板（１ｂ）の真空チャック８（４
）による吸着支持は前記基板（１ｂ）の処理面に対し反
対側の面を真空チャック（４）ｉｌｌとしている。しか
る後、上記真空チャック（４）にて支持された角形基板
（１ｂ）の上面（処理面）の中心部に例えば粘度３０
Ｃ１）８のレジストを滴下し、続いて回転駆動機構（２
）を駆動して真空チャック（４）に吸着支持されている
角形基板（１ｂ）を回転させる。この角形基板（１ｂ）
の回転は例えば５Ｑｒ、ｐ６ｍ程度の低速回転によって
前記滴下しであるレジストを角形基板（１ｂ）面に先ず
拡げ１次いで例えば３５００ ｒ、ｆ）、ｍ ＊度の高
速回転に切り換えて、上記レジストを回転による遠心力
で角形基板（１ｂ）の外周縁方向へさらく拡げることに
よって所要のレジスト塗布がなされる。第２図は上記回
転塗布後１１０℃で乾燥を施して形成したレジスト塗布
層の厚さの状態を示したもので辺方向および角方向とも
略均−な膜厚であった。なお第２図において点（ａ）は
膜厚１．２μｍ１点（ａ）は膜厚１．３μｍである。
２５０朋の正方形のガラス製角形基板を用意し、この角
型基板を設定温度１５０〜２００℃のホットプレート上
に略水平に載置する一方、６５Ｗの低圧水銀ランプを紫
外線源として１２０秒間紫外線を角形基板面゛に照射し
た。かくして角形基板について紫外線照射処理と加熱処
理とを施し、角形基板の所定面（レジスト塗布面）を清
浄化した。次いで第１図に示す如、＜１回転駆動機構（
２）によって回転する回転軸（３）に装着された真壁チ
ャック（４）にて、前記角形基板（１ｂ）を吸着支持さ
せた。なおこの角形基板（１ｂ）の真空チャック８（４
）による吸着支持は前記基板（１ｂ）の処理面に対し反
対側の面を真空チャック（４）ｉｌｌとしている。しか
る後、上記真空チャック（４）にて支持された角形基板
（１ｂ）の上面（処理面）の中心部に例えば粘度３０
Ｃ１）８のレジストを滴下し、続いて回転駆動機構（２
）を駆動して真空チャック（４）に吸着支持されている
角形基板（１ｂ）を回転させる。この角形基板（１ｂ）
の回転は例えば５Ｑｒ、ｐ６ｍ程度の低速回転によって
前記滴下しであるレジストを角形基板（１ｂ）面に先ず
拡げ１次いで例えば３５００ ｒ、ｆ）、ｍ ＊度の高
速回転に切り換えて、上記レジストを回転による遠心力
で角形基板（１ｂ）の外周縁方向へさらく拡げることに
よって所要のレジスト塗布がなされる。第２図は上記回
転塗布後１１０℃で乾燥を施して形成したレジスト塗布
層の厚さの状態を示したもので辺方向および角方向とも
略均−な膜厚であった。なお第２図において点（ａ）は
膜厚１．２μｍ１点（ａ）は膜厚１．３μｍである。
上記実施例においては、基板に対する紫外線照射処理と
加熱処理とを同時に行なったが、この処理は加熱処理を
先ず行ない１次いで紫外線照射処理を行なりてもよい。
加熱処理とを同時に行なったが、この処理は加熱処理を
先ず行ない１次いで紫外線照射処理を行なりてもよい。
即ちこの前処理における加熱処理は紫外線照射処理を助
長するものである故。
長するものである故。
予め加熱処理し引続いて紫外線照射処理を行なっても支
障ない。しかして上記加熱処理のための加熱源はホット
プレートに限らず他の手段でもよく。
障ない。しかして上記加熱処理のための加熱源はホット
プレートに限らず他の手段でもよく。
また紫外線照射のための紫外線源も低圧水銀ランプに限
らない。一方回転塗布において上記では回転を低速−高
速の２段切換えで行なったが、さらに多段的に切換えて
もよいし、また逆に定速回転で行なうこともできる。要
は使用するレジストの粘度など考慮して適宜選択すれば
よい。さらに基板は上記形状に限らず例えば角部に丸み
をもたせたものなどでもよい。
らない。一方回転塗布において上記では回転を低速−高
速の２段切換えで行なったが、さらに多段的に切換えて
もよいし、また逆に定速回転で行なうこともできる。要
は使用するレジストの粘度など考慮して適宜選択すれば
よい。さらに基板は上記形状に限らず例えば角部に丸み
をもたせたものなどでもよい。
なおレジストを塗布するに先立つ基板の前処理は紫外線
照射のみでも均一な膜厚の塗布層形成に有効ではあるが
照射処理に比較的長時間を要するため量産性の点から実
用上十分満足しうるとは云い難い。
照射のみでも均一な膜厚の塗布層形成に有効ではあるが
照射処理に比較的長時間を要するため量産性の点から実
用上十分満足しうるとは云い難い。
上記具体例から明らかの如く本発明によれば基板１例え
ば液晶表示素子用の四角形の基板などに対して全面略均
−な膜厚のレジスト塗布層を形成しつる。しかしてこの
種基板の所定面に対して膜厚ムラのない均一な塗膜層を
容易に形成しうることは１例えばフォトレジストを塗布
し、露光。
ば液晶表示素子用の四角形の基板などに対して全面略均
−な膜厚のレジスト塗布層を形成しつる。しかしてこの
種基板の所定面に対して膜厚ムラのない均一な塗膜層を
容易に形成しうることは１例えばフォトレジストを塗布
し、露光。
現像処理を施してマスクパターンなど作成する場合に特
に有効である。即ち上記レジスト塗布層は膜厚ムラがな
いため路光工程において解像度のバラツキもなくなり、
また現倭処理におけるサイドエツチングのバラツキやレ
ジスト残りもなくなり、所望の回路パターンなどを精度
よく形成しうるからである。勿論フォトレジストを用い
たマスク形成の場合に限らず、一般塗膜層の形成にも適
用できる。即ち膜厚にムラなく美観など良好で、しかも
基板から剥離し難い塗膜層の形成が可能である。
に有効である。即ち上記レジスト塗布層は膜厚ムラがな
いため路光工程において解像度のバラツキもなくなり、
また現倭処理におけるサイドエツチングのバラツキやレ
ジスト残りもなくなり、所望の回路パターンなどを精度
よく形成しうるからである。勿論フォトレジストを用い
たマスク形成の場合に限らず、一般塗膜層の形成にも適
用できる。即ち膜厚にムラなく美観など良好で、しかも
基板から剥離し難い塗膜層の形成が可能である。
第１図は本発明方法を説明するための説明図。
第２図は本発明の一実施例によって角形基板に塗布形成
したレジスト膜厚の分布状態を模写的に示す平面図、第
３図は従来方法によって角形基板に塗布形成したレジス
ト膜厚の分布状態を模写的に示す平面図である。 σｂ）１友 （２） β声μ珈膚精 ｍ ｍｔ＃１４ （ＳＬ）
ｐＥケ＋ ・ｙ 、７代理人 弁理士 則 近 憲
借 間 竹 花 喜久男 第２図 第３図
したレジスト膜厚の分布状態を模写的に示す平面図、第
３図は従来方法によって角形基板に塗布形成したレジス
ト膜厚の分布状態を模写的に示す平面図である。 σｂ）１友 （２） β声μ珈膚精 ｍ ｍｔ＃１４ （ＳＬ）
ｐＥケ＋ ・ｙ 、７代理人 弁理士 則 近 憲
借 間 竹 花 喜久男 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）加熱された基板のレジスト被塗布面に紫外線照射
処理を施す工程と、前記紫外線照射処理した基板の処理
面の略中央部にレジストを滴下し、その基板を回転させ
、この回転に伴なう遠心力にて前記レジストを滴下した
基板面全面にレジストを塗布する工程とを有することを
特徴とする基板へのレジスト塗布方法。 - （２）紫外線照射処理において低圧水銀ランプを紫外線
照射源として用いることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の基板へのレジスト塗布方法。 - （３）基板の回転によるレジスト塗布において、基板の
回転を低速次いで高速と切り換えることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載の基板へのレジス
ト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61130221A JPH0659453B2 (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 基板へのレジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61130221A JPH0659453B2 (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 基板へのレジスト塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62286579A true JPS62286579A (ja) | 1987-12-12 |
| JPH0659453B2 JPH0659453B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=15028981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61130221A Expired - Lifetime JPH0659453B2 (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 基板へのレジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0659453B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6797647B2 (en) | 2001-06-19 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating organic thin film |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541864A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | Spin coating method |
| JPS5994823A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | Ushio Inc | 紫外線洗浄装置 |
-
1986
- 1986-06-06 JP JP61130221A patent/JPH0659453B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541864A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | Spin coating method |
| JPS5994823A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | Ushio Inc | 紫外線洗浄装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6797647B2 (en) | 2001-06-19 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating organic thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0659453B2 (ja) | 1994-08-10 |
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