JPS6318656A - 半導体集積回路用抵抗 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置に関し特に絶縁膜上に形成
した高精度なシリコン被膜抵抗に関する。

〔従来の技術〕

従来、絶縁膜上に形成したシリコン被膜抵抗は第３図及
び第４図に示す構造となっていた。

第３図はその平面図、第４図はその断面図である。図に
おいて１は絶縁膜、２は一導電型のシリコン被膜で例え
ばポリンリコン、３はシリコン被膜の表面に成長させた
絶縁膜、４は電極で絶縁膜３をバターニングしてシリコ
ン被膜の両端を露出したコンタクト部によりシリコン被
膜と接続している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の抵抗は電極４がシリコン被膜２の両端を
被うように形成されているため、電極幅は抵抗幅に加え
、シリコン被膜２と電極４とのオーバーラツプ分が必要
である。このオーバーラツプは、バターニングの精度及
びシリコン被膜に対する電極工程の位置合わせのマージ
ンで、通常２μ程度であるので、例えば抵抗幅６μの場
合、電極幅は６＋２Ｘ２＝　１０μとなる。このため、
抵抗間隔はシリコン被膜間隔でなく電極間隔により決定
される。例えば、抵抗間隔及び電極間隔を２μとすると
、抵抗部は８μピツチであるが、電極部は１２μピツチ
となり、抵抗間隔を必要以上に離さなければならなく、
高密度なレイアウトができないという欠点がある。また
、配線幅も通常４〜６μ程度であるが、上記従来例では
抵抗電極部の幅は１０μある為、配線の高密度化につい
ても問題があった。

〔問題点を解決するための手段］ 本発明は抵抗の電極幅を小さくすることによりレイアウ
トの高密度化を図ることを目的としている。すなわち、
本発明の要旨は絶縁膜によりシリコン被膜を被い、絶縁
膜のうちシリコン被膜上においてシリコン被膜の周縁か
ら所定の距離をおいた少なくとも２つの開口部を何し、
シリコン被膜と絶縁膜上の電極とを接続することを特徴
とした半導体集積回路用抵抗である。

〔実施例１ 次に本発明について図面を参照して説明する第１図は本
発明の一実施例の平面図、又第２図はそれを構成するパ
ターンの平面図である。

図において、１は絶縁膜、２はシリコン被膜、３は絶縁
膜、４は電極である。従来と異なるところはフンタクト
窓を除きシリコン被膜２のすべてを絶縁膜３で被うこと
である。

〔発明の効果〕

このように、絶縁膜１でシリコン被膜２の周縁を被うこ
とにより、電極幅はコンタクト窓の幅とコンタクト窓と
電極４とのオーバーラツプ分のみで良くなる。オーバー
ラツプは従来のシリコン被膜と、電極とのオーバーラツ
プがシリコン被膜と絶縁膜、絶縁膜と電極という２工程
にわたる位置合わせのマージンを必要としていたのに対
し、本発明では絶縁膜と電極という１工程の位置合わせ
のマージンですむので、従来の半分の１μで良い。従っ
てコンタクト窓を４μ口とすれば電極幅は６μとなる。

この為例えば抵抗間隔及び電極間隔を２μとすると、抵
抗は従来１２μピツチのところ８μピツチで設計でき、
レイアウトの高密度化が可能である。また、配線に関し
ても本発明により電極部の幅が従来１０μのところ６μ
となったため、配線の高密度化も可能となった。

なお、本発明による抵抗はコンタクト部の面積が従来例
より小さくなっているが、コンタクト窓４μ口でコンタ
クト抵抗は２０Ω程度なので、それを考慮してあらかじ
め抵抗設計を行なえば良く、欠点とならない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるシリコン被膜抵抗の平面図、第２
図は第１図の断面図、第３図は従来の被膜抵抗の平面図
、第４図は第３図の断面図である。 １・・・絶縁膜、　　　２・・・シリコン被膜。 ３・・・絶縁膜、　　　４・・・電極。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１絶縁膜上に選択的に形成されたシリコン被膜を完全
   に被うように付着された第２絶縁膜を具備し、前記シリ
   コン被膜上においてシリコン被膜の周縁から所定の距離
   をおいた少なくとも２つの開口部を有し、前記シリコン
   被膜と前記第２絶縁膜上の電極とを接続してなる半導体
   集積回路用抵抗。