WO2001019149A1

WO2001019149A1 - Printed wiring board and method of producing the same and capacitor to be contained in printed wiring board

Info

Publication number: WO2001019149A1
Application number: PCT/JP2000/005972
Authority: WO
Inventors: Yasushi Inagaki; Motoo Asai; Dongdong Wang; Hideo Yabashi; Seiji Shirai
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1999-09-02
Filing date: 2000-09-01
Publication date: 2001-03-15
Anticipated expiration: 2002-03-02
Also published as: CN101232775B; US20080158841A1; US7855894B2; EP1137332A4; EP1137332A1; US20130107482A1; US8780573B2; EP1137332B1; US8331102B2; US20100118502A1; US8107253B2; KR20010092431A; CN100381026C; EP1744606A2; KR100823767B1; US9060446B2; US20080055872A1; CN101232776B; CN101232775A; EP1744606A3

Description

PCT RECD 22 DEC 2000 国際調査報告 WIPO PCT

(法 8条、法施行規則第 40 41条）

〔PCT18条、 PC T規則 43 44〕

国際調査機関が作成したこの国際調査報告を法施行規則第 41条（PCT18条）の規定に従い出願人に送付する。

この写しは国際事務局にも送付される。

この国際調査報告は、全部で 4 ページである。

□ この調査報告に引用された先行技術文献の写しも添付されている。

1 国¹ ^調査報の基礎

a. 言語は、下記に示す場合を除くほ力この国際出顔がされたものに基づき国際調査を行った。

□ この国際調査機関に提出された国際出願の翻訳文に基づき国際調査を行つた。

b. この国際出願は、ヌクレオチド又はアミノ酸配列を含んでおり、次の配列表に基づき国際調査を行った。

□ この国際出願に含まれる書面による配列表

□ この国際出願と共に提出されたフレキシブルディスクによる配列表

口出願後に、この国際調査機関に提出された書面による配列表

口出願後に、この国際調査機関に提出されたフレキシブルディスクによる配列表

□出願後に提出した書面による配列表が出願時における国際出願の開示の範囲を超える事項を含まない旨の陳述書の提出があった。

□書面による配列表に記載した配列とフレキシブルディスクによる配列表に記録した配列が同一である旨の陳述書の提出があった。

2. □ 請求の範囲の一部の調査ができない（第 I欄参照）。

3. @ 発明の単一性が欠如している（第 Π欄参照）。

4. 発明の名称は □ 出願人が提出したものを承認する。

Ξ 次に示すように国際調査機関が作成した。

プリント配線板及びその製造方法並びにプリント配線板の内蔵用のコンデ

ンサ

5. 要約は Ξ 出願人が提出したものを承認する。

□ 第 ΙΠ欄に示されているように、法施行規則第 47条（PCT¾¾38.2(b)) の規定により国際調査機関が作成した。出願人は、この国際調査報告の発送の [3から 1力月以内にこの国際調査機関に意見を提出することができる。

6. 要約書とともに公表される図は、

第 _1 図とする。出願人が示したとおりである。 □ なし

□ 出願人は図を示さなかった。

Π 本図は発明の特徴を一層よく表している。

様式 PCT/I SA 210 (第 1ページ）（1998年 7月）明細書プリント配線板及びプリント配線板の製造方法技術分野

この発明は、 I Cチップなどの電子部品を載置するプリント配線板に関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板及びその製造方法に関するものである。背景技術

通常、コンピュータ内部においては、電源と I Cチップ間の配線距離が長く、この配線部分のループインダクタンスは非常に大きいものとなっている。このため、高速動作時の I C駆動電圧の変動も大きくなり、 I Cの誤動作の原因となり得る。また、電源電圧を安定化させることも困難である。このため、電源供給の補助として、コンデンサをプリント配線板の表面に実装している。

即ち、電圧変動となるループインダク夕ンスは、図 7 2 (A) に示す電源からプリント配線板 3 0 0内の電源線を介して I Cチップ 2 7 0の電源端子 2 7 2 P までの配線長、及び、 I Cチップ 2 7 0のアース端子 2 7 2 Eから電源からプリント配線板 3 0 0内のアース線を介して電源までの配線長に依存する。また、逆方向の電流が流れる配線同志、例えば、電源線とアース線との間隔を狭くすることでループインダク夕ンスを低減できる。

このため、図 7 2 (B) に示すように、プリント配線板 3 0 0にチップコンデンサ 2 9 8を表面実装することで、 I Cチップ 2 7 0と電源供給源となるチップコンデンサ 2 9 2とを結んでいるプリント配線板 3 0 0内の電源線とアース線との配線長を短くするとともに、配線間隔を狭くすることで、ループインダクタンスを低減することが行われていた。

しかしながら、 I C駆動電圧変動の原因となる電圧降下の大きさは周波数に依存する。このため、 I Cチップの駆動周波数の増加に伴い、図 7 2 (B) を参照して上述したようにチップコンデンサを表面に実装させてもなおループインダク夕ンスを低減できず、 I C駆動電圧の変動を十分に抑えることが難しくなつた。このため、本発明者は、プリント配線板内にチップコンデンサを収容するとの着想を持った。コンデンサを基板に埋め込む技術としては、特開平 6— 3 2 6 4 7 2号、特開平 7— 2 6 3 6 1 9号、特開平 1 0— 2 5 6 4 2 9号、特開平 1 1 - 4 5 9 5 5号、特開平 1 1— 1 2 6 9 7 8号、特開平 1 1— 3 1 2 8 6 8号等がある。

特開平 6— 3 2 6 4 7 2号には、ガラスエポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平 7— 2 6 3 6 1 9号には、セラミック、アルミナなどの基板にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配線長を短くし、配線のインダク夕ンスを低減している。

しかしながら、上述した技術は、 I Cチップからコンデンサの距離をあまり短くできず、 I Cチップの更なる高周波数領域においては、現在必要とされるようにインダク夕ンスを低減することができなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアッフ ¾線板においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、チップコンデンザの端子とバイァホールとの間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達成することができなかつた。

本発明は上述した課題を解決するためなされたものであり、その目的とするところは、ループインダク夕ンスを低減できると共に高い信頼性を有するプリント配線板、及びその製造方法を提供することにある。

発明の開示

上記目的を達成するため、請求項 1の発明では、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路を積層してなるプリント配線板であって、

前記コア基板内に、凹部を形成し、前記凹部の中に複数個のコンデンサを収容一 3— させたことを技術的特徴とする。

請求項 1では、コア基板に広く凹部を形成し、複数個のコンデンサを凹部に収容する。そのため、確実に複数個のコンデンサを、コア基板内へ配設することが可能となる。凹部内に密集させてコンデンサを配置できるため、コンデンサの実装密度を高めることができる。また、凹部内に複数個のコンデンサを載置するため、複数個のコンデンサの高さが揃うので、コア基板上に形成する樹脂層を均一の厚みにでき、バイァホールの形成が安定する。また、凹部が広く形成されているため、コンデンサの位置決めが正確にできる。よって、コア基板の上に層間樹脂糸禄層および導体回路を適切に形成することができるので、プリン卜配線板の不良品発生率を低下させることができる。

凹部内には、樹脂を充填させることがましい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、該充填された樹脂により緩和することができる。また、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマィグレーシヨンの低下させるという効果も有する。

請求項 2の発明では、凹部内のコンデンサ間に、樹脂を充填するため、コンデンサを凹部内で位置決めして固定することが可能となる。樹脂の熱膨張率を、コァ基板よりも小さく、即ち、セラミックからなるコンデンサに近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コァ基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションを発生しなくなるため、コンデンサとの接続が安定する。

請求項 3の発明では、コンデンサ間の樹脂層にスルーホールを形成するため、コンデンサを信号線が通過しないので、高誘電体によるィンピーダンス不連続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。

また、スルーホールによって表裏の電気的接続を取ることができ、コンデンサの下部にも、ビルドアップ層を介して配線を配設することができ、コンデンサのピンや B G Aを配設させることができる。

請求項 4では、金属膜を形成したチップコンデンサの電極へめっきによりなる一 4一バイァホールで電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金属膜により表面力平滑になり、バイァホールを形成するため、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、樹脂残さが残らず、バイァホールと電極との接続信頼性を高めることができる。更に、めっきの形成された電極に、めっきによりバイァホールを形成するため、電極とノィァホールとの接続性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極とバイァホール間の断線が生じることがない。

コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッケル、貴金属のいずれかの金属が己設されているもの力望ましい。内蔵したコンデンサにスズゃ亜鉛などの層は、バィァホールとの接続部におけるマイグレーションを誘発しやすいからである。チップコンデンサの表面は粗化処理が施してもよい。 'このため、セラミックから成るチップコンデンサと樹脂からなる接着層、層間樹脂椽層との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着層、層間樹脂騰層の剥離が発生することがない。

請求項 6では、チップコンデンサの電極の被覆層から、少なくとも一部が露出してプリント配線板に収容し、被覆層から露出した電極に電気的接続を取ってある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成分が C uであることがましい。接続抵抗を低減することができるからである。

請求項 7では、外縁の内側に電極の形成されたチップ：ンデンサを用いるため、ノィァホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、ァライメントの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。

請求項 8では、マトリクス状に電極が形成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。そのため、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。

なお、コンデンサに多数個取り用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それによつて、静電容量を適宜調整することができ、適切に I Cチップを動作させることができる。 - 5 - 請求項 9では、基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなり、リレーブインダクタンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一方、プリント配線板の表面にもコンデンサが B設してあるので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、 I Cチップに大電力を容易に供給することが可能となる。

請求項 1 0の発明では、少なくとも以下（a) 〜（c ) の工程を備えることを技術的特徴とするプリント配線板の製造方法にある：

( a) コア基板に、凹部を形成する工程；

( b) 前記凹部の中に複数個のコンデンサを載置する工程；

( c ) 前記コンデンサ間に、樹脂を充填する工程。

請求項 1 0では、コア基板に広く凹部を形成するため、複数個のコンデンサを確実に、コア基板内へ配設することが可能となる。さらに、凹部内に複数個のコンデンサを載置するため、複数個のコンデンサの高さが揃うので、コア基板を平滑にすることができる。また、凹部が広く形成されているため，コンデンサの位置決めが正確にできる。よって、コア基板の平滑性が損なわれず、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができるので、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。また、コンデンサ間に樹脂を充填するため、コンデンサを凹部内で位置決めして固定することが可能となる。請求項 1 1の発明では、凹部内の複数個のコンデンサの上面に圧力を加える、もしくは叩くことによりコンデンサの上面の高さを揃えている。それにより、凹部内にコンデンサを配設した際に、複数個のコンデンサの大きさに、ばらつきがあっても高さを揃えることができ、コア基板を平滑にすることができる。よって、コァ基板の平滑性が損なわれず、上層の層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができるので、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。

請求項 1 2の発明では、コンデンサ間の樹脂層にスルーホールを形成するため、コンデンサを信号線が通過しないので、高誘電体によるィンピーダンス不連続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。また、スルーホールに - 6 - よって表裏の電気的接続を取ることができ、コンデンサの下部にも、ビルドアップ層を介して配線を配設することができ、コンデンサのピンや B GAを配設させることができる。

請求項 1 3の発明では、少なくとも以下（a) 〜（d) の工程を備えることを技術的特徴とするプリント配線板の製造方法にある：

( a ) 心材となる樹脂を含有させてなる樹脂材料に通孔を形成する工程；

( b) 前記通孔を形成した樹脂材料に、樹脂材料を貼り付けて、凹部き有するコァ基板を形成する工程；

( c ) 前記コア基板に複数個のコンデンサを載置する工程；

( d ) 前記コンデンサ間の凹部に樹脂を充填する工程。

請求項 1 3では、コア基板に広く凹部を形成するため、複数個のコンデンサを確実にコア基板内へ配設することが可能となる。さらに、凹部内に複数個のコンデンサを載置するため、複数個のコンデンサの高さが揃うので、コア基板を平滑にすることができる。また、凹部が広く形成されているため、コンデンサの位置決めが正確にできる。よって、コア基板の上に層間樹脂纖層および導体回路を適切に形成することができるので、プリン卜配線板の不良品発生率を低下させることができる。また、コンデンサ間に樹脂を充填するため、コンデンサを凹部内で位置決めして固定することが可能となる。

請求項 1 4の発明では、凹部内の複数個のコンデンサの上面を上から押す、もしくは叩くことによりコンデンサの上面の高さを揃えている。それにより、凹部内にコンデンサを配設した際に、複数個のコンデンサの大きさに、ばらつきがあつても高さを揃えることができる。よって、平滑性が損なわれず、コア基板の上に層間翩旨絶縁層および導体回路を適切に形成することができるので、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。

請求項 1 5の発明では、コンデンサ間の 1·射脂層にスルーホールを形成するため、コンデンサを信号線が通過しないので、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。また、スルーホールによって表裏の電気的接続を取ることができ、コンデンサの下部にも、ビルドアップ層を介して配線を配設することができ、コンデンサのピンや B G Aを配役させることができる。

上述した課題を解決するため、請求項 1 6では、コア基板に樹脂縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、

前記コア基板は、少なくとも 1層以上である絶縁樹脂層で形成された接続層とザダリ部にコンデンサを収納した収容層とからなることを技術的特徴とする。コア基板上に層間樹脂絶縁層をけて、該層間樹脂絶縁層にバイァホールもしくはスルーホールを施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ法によって形成する回路を意味している。それらには、セミアディティブ法、フルァディティブ法のいずれかを用いることができる。

請求項 1 6では、プリント配線板内にコンデンサを配眞するため、 I Cチップとコンデンサとの距離力短くなり、ループィンダク夕ンスを低減することができる。また、コア基板は、少なくとも 1層以上の接続層と、コンデンサを収容する収容層からなり、厚みの厚い収容層内にコンデンサを収容するため、コア基板が厚くならず、コア基板上に層間樹脂緣層と導体回路とを積層してもプリント配線板を厚くすることがない。

凹部内には、樹脂を充填させること力 ^ましい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、該充填された樹脂により緩和することができる。また、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマィグレーシヨンの低下させるという効果も有する。

請求項 1 7では、収容層は、心材に樹脂を含浸させた樹脂基板からなるため、コア基板に十分な強度を得ることができる。

請求項 1 8では、接続層と収容層に収容されたコンデンサとは、導電性接着剤. を介して接続される。これにより、コンデンサとの電気接繞とコンデンサと接続層との密着性が確保される。導電性接着材には、半田（S n /P b、 S n /A g , S n/S b , S n /A g/C u) ,導電性べ一スト、あるいは樹脂に金属粒子が含浸されたもの等の導電性と接着性を兼ね備えるものを用いることができる。

導電接着剤とコンデンサとの空隙には、樹脂を充填させるのが望ましい。コンデンサを起因とする挙動を緩和し、導電接着剤のマイグレーションを防止するこ - 8- とができるからである。

請求項 1 9では、接続層と収容層の間に、導電性接着剤と接続される回路が設けられているため、当該回路を介してコンデンサと確実に接続を取ることができる。また、接続層と収容層の間に、金属層からなる回路を配設することで、コア基板の反りを防ぐことができる。

請求項 2 0では、プリント配線板の裏面側に接続される外部基板（ドー夕ボード、マザ一ボード）とコンデンサの端子とは、接続層に設けられたバイァホール及びコア基板に形成されたスルーホールを介して接続される。即ち、心材を備え加工が困難な収容層に通孔を形成してコンデンサの端子と外部基板とを直接接続しないため、接続信頼性を高めることができる。

請求項 2 1では、コンデンサ間に I Cチップと外部基板との接続用配線を配設し、コンデンサを信号線が通過しないため、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射：及び、高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。電源用のコンデンサを備えることで、 I Cチップに大電力を容易に供給することが可能となる。また、プリント配線板の信号伝搬のノイズを低減することができる。

また、接続用配線を配設することにより、コンデンサの下部にも、配線を施すことが可能となる。そのために配線の自由度が増して、高密度化、小型化をすることが出来る。

請求項 2 2では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるため、バイァホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、ァライメントの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。

請求項 2 3では、マトリクス状に電極が形成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。そのため、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。

なお、コンデンサに多数個取り用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それによつて、静電容量を適宜調整することができ、適切に I Cチップを動作させることができる。請求項 2 4では、基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一方、プリント配線板の表面にもコンデンサが設してあるので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、 I Cチップに大電力を容易に供給することが可能となる。

請求項 2 5では、表面のコンデンサの静電容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望の I Cチップの動作が確保される。

請求項 2 6では、表面のコンデンサのインダク夕ンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望の I Cチップの動作が確保される。

チップコンデンサの表面に粗化処理が施すことができる。これにより、セラミックから成るチップコンデンサと棚旨からなる接着層、層間樹脂繊層との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがない。

請求項 2 7では、チップコンデンサの周囲に銅が形成されていることにより、内蔵したコンデンサには、マイグレーションの発生することがなくなる。また、コンデンサを充填させる樹脂との剥離ゃクラックがなくなり、収容性が向上される。そのため、電気特性の低下もない。

請求項 2 8では、コア基板のザダリ部とコンデンサとの間に、樹脂を充填し、樹脂の熱膨張率を、コア基板よりも小さく、即ち、セラミックからなるコンデンサに近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することも出来る。

請求項 2 9のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（a ) ~ ( c ) の工程を備えることを技術的特徴とする：

( a) 片面あるいは両面に回路パターンを形成した樹脂板に、接着材料を介して - 10- 前記回路パターンにコンデンサを接続する工程

( b) 前記樹脂板に、前記コンデンサを収容するキヤビティを形成した樹脂基板を貼り付け、コア基板を形成する工程

( c ) 前記樹脂板に前記コンデンザの電極へ至る開口を設けてバイァホールを形成する工程。

請求項 2 9のプリント配線板の製造方法では、コア基板内にチップコンデンサを収容することが可能となり、ループィンダク夕ンスを低減させたプリント配線板を提供できる。

請求項 3 0のプリント配線板の製造方法では、コンデンサを収容した樹脂基板と樹脂板とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板を形成するため、表面が平坦化され、高い信頼性を備える層間樹脂絶縁層及び導体回路を積層することができる。

請求項 3 1のプリント配線板の製造方法では、コンデンサ間に I Cチップと外部基板とのスルーホールを配設し、コンデンサを信号線が通過しないため、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。電源用のコンデンサを備えることで、 I Cチップに大電力を容易に供給することが可能となる。

上述した課題を解決するため、請求項 3 2では、コア基板に樹脂繊層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、

前記コア基板は、少なくとも 1層以上である絶縁樹脂層で形成された接続層と、コンデンサ収納し 2層以上の樹脂層からなる収容層と、から構成されることを技術的特徴とする。

コァ基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該層間樹脂絶縁層にバイァホールもしくはスルーホールを施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ法によって形成する回路を意味している。それらには、セミアディティブ法、フルァディティブ法のいずれかを用いることができる。

請求項 3 2では、プリント配線板内にコンデンサを配置するため、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループィンダク夕ンスを低減することができる。また、コア基板は、少なくとも 1層以上の接続層と、コンデンサを収容する - 11 - 収容層からなり、厚みの厚い収容層内にコンデンサを収容するため、コア基板が厚くならず、コア基板上に層間棚旨絶縁層と導体回路とを積層してもブリント配線板を厚くすることがない。

空隙には、樹脂を充填させることが望ましい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、該充填された樹脂により緩和することができる。また、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイグレ一ションの低下させるという効果も有する。

請求項 3 3では、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、

前記コア基板は、少なくとも 1層以上である絶縁樹脂層で形成された接続層と、コンデンサ収納し 2層以上の樹脂層からなる収容層でから構成され、両面にコンデンサと接続させるビアが形成されていることを技術的特徴とする。

請求項 3 3では、プリント配線板内にコンデンサを配置するため、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなり、リレーブインダクタンスを低減することができる。また、コア基板は、少なくとも 1層以上の接続層と、コンデンサを収容する収容層からなり、厚みの厚い収容層内にコンデンサを収容するため、コア基板が厚くならず、コア基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とを積層してもプリント配線板を厚くすることがない。更に、両面にコンデンサと接続させるビアが形成されているため、コンデンサと I Cチップ及び外部基板への配線長が短くなる。請求項 3 6では、コンデンサ間に I Cチップと外部基板との接続用配線を配設し、コンデンサを信号線が通過しないため、高誘電体によるィ'ンピ一ダンス不達続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。電源用のコンデンサを備えることで、 I Cチップに大電力を容易に供給すること力可能となる。グランド用コンデンサを備えることで、プリント配線板の信号伝搬のノイズを低減することができる。

また、接続用配線を配設することにより、コンデンサの下部にも、配線を施すことが可能となる。そのために配線の自由度が増して、高密度化、小型化をすることが出来る。 - 12 -

請求項 3 7では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるため、バイァホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、ァライメントの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。

請求項 3 8では、マトリクス状に電極が形成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。そのため、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。

なお、コンデンサに多数個取り用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それによつて、静電容量を適宜調整することができ、適切に I Cチップを動作させることができる。

請求項 3 9では、基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダク夕ンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあるので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、 I Cチップに大電力を容易に供給することが可能となる。

請求項 4 0では、表面のコンデンサの静電容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望の I Cチップの動作が確保される。

請求項 4 1では、表面のコンデンサのインダクタンスは、内層のコンデンサのインダク夕ンス以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望の I Cチップの動作が確保される。

請求項 4 2、請求項 4 3では、金属膜を形成したチップコンデンサの電極へめつきによりなるバイァホールで電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金属膜により表面が平滑になり、バイァホールを形成するため、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、樹脂残さが残らず、ノ 'ィァホールと電極との接続信頼性を高めることができる。更に、めっきの形成された電極に、めっきによりバイァホールを形成 - 13 - するため、電極とバイァホールとの接続性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極とバイァホール間の断線が生じることがない。

コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッケル、貴金属のいずれかの金属が ΐ己設されているものが望ましい。内蔵したコンデンサにスズゃ亜鉛などの層は、バィァホールとの接続部におけるマイグレーションを誘発しやすいからである。故に、マイグレーションの発生を防止することも出来る。

また、チップコンデンサの表面に粗化処理を施してもよい。これにより、セラミックから成るチップコンデンザと樹脂からなる接着層、眉間樹脂■層との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着層、層間樹脂騰層の剥離が発生することがない。

請求項 4 4では、チップコンデンサの電極の被覆層から、少なくとも一部が露出してプリント配線板に収容し、被覆層から露出した電極に電気的接続を取ってある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成分が C uであることがましレ^ 接続抵抗を低減することができるからである。

請求項 4 5では、絶縁性接着剤の熱膨張率を、収容層より fc小さく、即ち、セラミックからなるコンデンサに近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板を構成する収容層とコンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。 - 請求項 4 6のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（a ) 〜（e ) の工程を備えることを技術的特徴とする：

( a) 心材に樹脂を含有させてなる第 1の樹脂材料にコンデンサ収容用の通孔を形成する工程；

( b) 前記通孔を形成した第 1の樹脂材料に、第 2の樹脂材料を貼り付けて、コンデンサ収容部を有する収容層を形成する工程；

( c ) 前記収容層にコンデンサを収納する工程；

(d) 前記（c ) 工程の収容層に第 3の絶縁樹脂層を張り付けてコア基板を形成する工程；

( e ) 前記第 3の絶縁樹脂層に前記コンデンサの電極へ至る開口を設けてバイァ - 14 - ホールを形成する工程。

請求項 4 7のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（a) 〜（e ) の工程を備えることを技術的特徴とする：

( b) 第 2の樹脂材料に、前記第 1の樹脂材料のコンデンサ収容部に該当する位置へコンデンサを配設させる工程；

( c ) 前記 ( a) 工程を経た第 1の樹脂材料と前記（b) 工程を経た第 2の樹脂材料を貼り付けてコンデンサを収納した収容層を形成する工程；

(d ) 前記収容層に第 3の絶縁樹脂層を張り付けコア基板を形成する工程；

( e ) 前記第 3の絶縁樹脂層に前記コンデンザの電極へ至る開口を設けてバイァホールを形成する工程。

請求項 4 8のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（a) 〜（f ) の工程を備えることを技術的特徴とする：

(b) 第 2の樹脂材料にバイァホ一ルとなる貫通孔を設けて、前記第 1の樹脂材料のコンデンサ収容部に該当する位置へコンデンサを配設させる工程；

( c ) 前記（a ) 工程を経た第 1の樹脂材料と前記（b) 工程を経た第 2の樹脂材料を貼り付けてコンデンサを収納した収容層を形成する工程；

(d ) 前記収容層に第 3の絶縁樹脂層を張り付けコア基板を形成させる工程；

( e ) 前記第 3の絶縁樹脂層に前記コンデンサの電極へ至る開口を設ける工程；

( f ) 前記第 1の樹脂材料の貫通孔及び第 3の樹脂材料の開口に導体膜を形成してバイァホールとする工程。

請求項 4 6、請求項 4 7のプリント配線板の製造方法では、コア基板内にチップコンデンサを収容することが可能となり、ループィンダク夕ンスを低減させたプリント配線板を提供できる。

請求項 4 8のプリント配線板の製造方法では、コァ基板内にチップコンデンサを収容することが可能となり、ループィンダクタンスを低減させたプリント配線 - 15 - 板を提供できる。また、コア基板の両面にバイァホールを形成するため、コンデンサと I Cチップ及び外部基板への配線長が短くなる。

請求項 4 9のプリント配線板の製造方法では、コンデンサを収容した収容層と第 3の樹脂材料とを、両面に圧力を加えて張り合わせコァ基板を形成するため、表面が平坦化され、高い信頼性を備える層間樹脂絶縁層及び導体回路を積層することができる。

上述した課題を解決するため、請求項 5 0では、コア基板に樹脂纖層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であつて、

前記コア基板は、通孔部にコンデンサを収納した収容層と、前記収容層の表面及び裏面に配設された絶縁樹脂層よりなる接続層と、カゝらなることを技術的特徵とする。

コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該層間樹脂絶縁層にバイァホールもしくはスルーホールを施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ法によって形成する回路を意味している。それらには、セミアディティブ法、フルァディティブ法のレ ^ずれかを用いることができる。

請求項 5 0では、プリント配線板内にコンデンサを配置するため、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループィンダク夕ンスを低減することができる。また、コア基板は、少なくとも 1層以上の接続層と、コンデンサを収容する収容層からなり、厚みの厚い収容層内にコンデンサを収容するため、コア基板が厚くならず、コア基板上に眉間棚旨縁層と導体回路とを積層してもプリント配線板を厚くすることがない。

また、コア基板の両面にバイァホールを設けてあるため、 I Cチップと基板内に収容したコンデンサとを、また、外部接続基板に配置された電源と基板内に収容したコンデンサとを最短の距離で接続できる。このため、電源から I Cチップへ瞬時に電圧を補うことができ、速やかに I C駆動電圧を安定させることができる。

空隙には、樹脂を充填させることが望ましい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンザが、挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、該充填された樹脂により緩和 ― - 16 - することができる。また、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイグレーションの低下させるという効果も有する。

請求項 5 1では、収容層は、心材に樹脂を含浸させた樹脂基板からなるため、コァ基板に十分な強度を得ることができる。

請求項 5 2では、コンデンサは、収容層の通孔に絶縁性接着剤を介して固定されているため、コンデンサを適切な位置に固定することができる。

請求項 5 3では、プリント配線板の表面に配設される I Cチップ、裏面側に配設される外部基板（ド一夕ボード、マザ一ボード）とコンデンサの端子とは、接続層に設けられたバイァホールを介して接続される。即ち、コンデンサの端子と I Cチップ、外部基板とを直接接続するため、配線長を短縮することができる。請求項 5 4では、コンデンサ間に I Cチップと外部基板との接続用配線を配設し、コンデンサを信号線が通過しないため、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。電源用のコンデンサを備えることで、 I Cチップに大電力を容易に供給することが可能となる。グランド用コンデンサを備えることで、プリント配線板の信号伝搬のノイズを低減することができる。また、接続用配線を配設することにより、コンデンサの下部にも、配線を施すことが可能となる。そのために配線の自由度が増して、高密度化、小型化をすることができる。

請求項 5 5では、基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあるので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、 I Cチップに大電力を容易に供給することが可能となる。

請求項 5 6では、表面のコンデンサの静電容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望の I Cチップの動作が確保される。

請求項 5 7では、表面のコンデンサのインダク夕ンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所 - 17 - 望の I Cチップの動作が確保される。

請求項 5 8では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるため、バイァホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、ァライメントの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。

請求項 5 9では、マトリクス状に電極が形成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。そのため、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。

請求項 6 0、請求項 6 1では、金属膜を形成したチップコンデンサの電極へめつきによりなるバイァホールで電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金属膜により表面が平滑になり、バイァホールを形成するため、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、樹脂残さが残らず、ノィァホールと電極との接続信頼性を高めることができる。更に、めっきの形成された電極に、めっきによりバイァホールを形成するため、電極とバイァホールとの接続性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極とバイァホール間の断線が生じることがない。

コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッケル、貴金属のいずれかの金属が己設されているもの力望ましい。内蔵したコンデンサにスズゃ亜鉛などの層は、バィァホールとの接続部におけるマイダレ一ションを誘発しやすいからである。故に、マイグレーションの発生を防止することもできる。

また、チップコンデンサの表面に粗化処理を施すこともできる。これにより、セラミックから成るチップコンデンサと樹脂からなる接着層、層間樹脂絶縁層との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがない。

請求項 6 2では、チップコンデンサの電極の被覆層から、少なくとも一部が露一 18—

出してプリント配線板に収容し、被覆層から露出した電極に電気的接続を取ってある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成分が C uであることが望ましレ^ 接続抵抗を低減することができるからである。

請求項 6 3では、椽性接着剤の熱膨張率を、収容層よりも小さく、即ち、セラミックからなるコンデンサに近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板を構成する収容層とコンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。

請求項 6 4のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下 ( a ) 〜（d ) の工程を備えることを技術的特徴とする：

( a ) 心材に樹脂を含浸させてなる第 1の樹脂材料にコンデンサ収容用の通孔を形成する工程；

( b ) 前記第 1の樹脂材料の通孔にコンデンサを収容する工程；

( c ) 前記第 1の樹脂材料に第 2の樹脂材料を貼り付け、コァ基板を形成するェ程；

( d ) 前記コァ基板の第 2の樹脂材料に前記コンデンザの電極へ至る開口を設けてバイァホールを形成する工程。

請求項 6 4のプリント配線板の製造方法では、コア基板内にチップコンデンサを収容することが可能となり、ループィンダク夕ンスを低減させたプリント配線板を提供できる。

請求項 6 5のプリント配線板の製造方法では、コンデンサ間に I Cチップと外部基板とのスルーホールを配設し、コンデンサを信号線が通過しないため、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。電源用のコンデンサを備えることで、 I Cチップに大電力を容易に供給することが可能となる。

請求項 6 6のプリント配線板の製造方法では、コンデンサを収容した第 1の樹脂材料と第 2の樹脂材料とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板を形成するため、表面が平坦化され、高い信頼性を備える層間樹脂絶縁層及び導体回路を積層することができる。 - 19 - 上述した課題を解決するため、請求項 6 7は、コア基板に樹脂纖層と導体回路とを積層してなるプリン卜配線板であって、

前記コア基板内にコンデンサを収容させたことを技術的特徴とする。

コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該層間樹脂絶縁層にバイァホールもしくはスルーホールを施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ法によって形成する回路を意味している。それらには、セミアディティブ法、フルァディティブ法のいずれかを用いることができる。

請求項 6 7では、プリント配線板内にコンデンサを配置するため、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループィンダク夕ンスを低減することができる。また、厚みの厚いコア基板内にコンデンサを収容するため、コア基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とを積層してもプリント配線板を厚くすることがない。空隙には、樹脂を充填させることが望ましい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、該充填された樹脂により緩和することができる。また、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイグレ一ションの低下させるという効果も有する。

請求項 6 8は、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、

チップコンデンザの電極の被覆層を少なくとも一部を露出させて、前記プリント配線板に収容し、前記被覆層から露出した電極にめっきにより電気的接続を取つたことを技術的特徴とする。

請求項 6 8、請求項 6 9では、チップコンデンサの電極の被覆層から、少なくとも一部を露出させてプリント配線板に収容し、被覆層から露出した電極にめつきにより電気的接続を取ってある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成分が C uであるものであることが望ましい。その理由としては露出した金属に、めっきを形成した際の接続性が高くなり、電気特性の差がなく、接続抵抗を低減することができる。

請求項 7 0は、コア基板に樹脂縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、一 20— チップコンデンザの電極に金属膜を形成させて、前記プリント配線板に収容し、前記金属膜を形成させた電極へめつきにより電気的接続を取つたことを技術的特徴とする。

請求項 7 0、請求項 7 1では、金属膜を形成したチップコンデンサの電極へめつきによりなるバイァホールで電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金属膜により表面が平滑になり、バイァホールを形成するため、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、棚旨残さが残らず、バイァホールと電極との接続信頼性を高めることができる。更に、めっきの形成された電極に、めっきによりバイァホールを形成するため、電極とバイァホールとの接続性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極とバイァホール間の断線が生じることがない。

コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッケル、貴金属のいずれかの金属が ¾己設されているものが望ましい。内蔵したコンデンサにスズゃ亜鉛などの層は、ノィァホールとの接続部におけるマイグレーションを誘発しやすいからである。故に、マイグレーションの発生を防止することもできる。

請求項 7 2では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるため、ノィァホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、ァライメントの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。

請求項 7 3では、マトリクス状に電極が形成されたチップコンデンサを用いるので、大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。さらに、種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。

請求項 7 4では、コンデンサとして、多数個取り用のチップコンデンサを複数個連結させて用いる、即ち、大判のチップコンデンサを用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。さらに、種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。

請求項 7 5は、コア基板に棚旨絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、

前記コア基板内にコンデンサを収容させて、かつ、前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを技術的特徴とする。一 2 1— 請求項 7 5では、基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあるので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、 I Cチップに大電力を容易に供給することが可能となる。

請求項 7 6では、表面のコンデンサの静電容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望の I Cチップの動作が確保される。

請求項 7 7では、表面のコンデンサのインダク夕ンスは、内層のコンデンサのインダク夕ンス以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望の I Cチップの動作が確保される。

請求項 7 8のプリント配線板の内蔵用のコンデンサは、チップコンデンサのメ夕ライズ電極の表面に銅めつき膜を被覆したことを技術的特徴とする。、請求項 7 8では、チップコンデンサの電極に金属膜と形成し表面を平滑にしてあるため、プリント配線板内に収容され、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、樹脂残さが残らないため、バイァホールと電極との接続信頼性を高めることができる。図面の簡単な説明

第 1図は、本発明の第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。第 2図は、第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 3図は、第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 4図は、第 1実施形態に係るプリン卜配線板の製造工程図である。

第 5図は、第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 - - 22 - 第 6図は、第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 7図は、第 1実施形態に係るプリント配線板の断面図である。

第 8図は、第 1実施形態に係るプリント配線板に I Cチップを搭載した状態を示す断面図である。

第 9図は、第 1実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 1 0図は、第 1実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 1 1図は、第 1実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 1 2図は、第 1実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 1 3図は、第 1実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 1 4図は、第 1実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 1 5図は、第.1実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板に I Cチップを搭載した状態を示す断面図である。 .

第 1 6図は、第 1実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 1 7図は、第 1実施形態に係るチップコンデンサの断面図である。

第 1 8図は、第 1実施形態の第 3改変例に係るチップコンデンサの平面図である。

第 1 9図は、第 1実施形態の第 3改変例に係るチップコンデンサの平面図であ. る。

第 2 0図は、第 1実施形態の第 3改変例に係るチップコンデンサの平面図である。

第 2 1図は、第 1実施形態の第 4改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 2 2図は、 I Cチップへの供給電圧と時間との変化を示すグラフである。 - 23- 第 2 3図は、本発明の第 2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。第 2 4図は、第 2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 2 5図は、第 2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 2 6図は、第 2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 2 7図は、第 2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 2 8図は、第 2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 2 9図は、第 2実施形態に係るプリント配線板の断面図である。

第 3 0図は、第 2実施形態に係るプリント配線板の断面図である。

第 3 1図は、第 2実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 3 2図は、第 2実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 3 3図は、第 2実施形態の第 3改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 3 4図は、本発明の第 3実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。第 3 5図は、第 3実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 3 6図は、第 3実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 3 7図は、第 3実施形態に係るプリント配線板の断面図である。

第 3 8図は、第 3実施形態に係るプリント配線板の断面図である。

第 3 9図は、第 3実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 4 0図は、第 3実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 4 1図は、第 3実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 4 2図は、第 3実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 4 3図は、第 3実施形態の第 3改変例に係 ¾プリント配線板の製造工程図である。

第 4 4図は、第 3実施形態の第 3改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 4 5図は、チップコンデンサの断面図である。

第 4 6図は、第 3実施形態の第 4改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 4 7図は、第 4改変例のチップコンデンサの断面図である。

第 4 8図は、本発明の第 4実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 - 24- 第 4 9図は、第 4実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 5 0図は、第 4実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 5 1図は、第 4実施形態に係るプリント配線板の断面図である。

第 5 2図は、第 4実施形態に係るプリント配線板の断面図である。

第 5 3図は、第 4実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 5 4図は、第 4実施形態の第 2改弯例に係るプリント配線板の断面図である。第 5 5図は、第 4実施形態の第 3改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 5 6図は、第 4実施形態の第 4改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 5 7図は、第 4実施形態の第 5改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 5 8図は、第 4実施形態の第 6改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 5 9図は、第 6改変例のチップコンデンサの断面図である。

第 6 0図は、本発明の第 5実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。第 6 1図は、本発明の第 5実施形態に係るプリン卜配線板の製造工程図である。第 6 2図は、本発明の第 5実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。第 6 3図は、第 5実施形態に係るプリント配線板の断面図である。

第 6 4図は、第 5実施形態に係るプリント配線板の断面図である。

第 6 5図は、第 5実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 6 6図は、第 1改変例のチップコンデンサの断面図である。

第 6 7図は、第 5実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 6 8図は、第 2改変例のチップコンデンサの断面図である。

第 6 9図は、第 5実施形態の第 3改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 7 0図は、本発明の第 4改変例に係るプリント配線板の断面図である。第 7 1図は、第 5改変例に係るプリント配線板の断面図である。

第 7 2図は、第 6改変例に係るプリント配線板の断面図である。

第 7 3図は、従来技術に係るプリント配線板のループインダクタンスの説明図である。発明を実施するための最良の形態

(第 1実施形態） - 25 - 以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。

先ず、本発明の第 1実施形態に係るプリント配線板の構成について、第 7図、第 8図を参照して説明する。第 7図は、プリント配線板 1 0の断面を示し、第 8 図は、第 7図に示すプリント配線板 1 0に I Cチップ 9 0を搭載し、ドー夕ボ一ド 9 5側へ取り付けた状態を示している。

第 7図に示すようにプリント配線板 1 0は、複数個のチップコンデンサ 2 0を収容するコア基板 3 0と、ビルドアッフ線層 8 0 A、 8 0 Bとからなる。ビルドァップ配線層 8 0 A、ビルドァッフ己線層 8 0 Bは、層間樹脂絶縁層 5 0、 1 5 0からなる。層間樹脂糸録層 5 0には、バイァホール 1 6 0および導体回路 1 5 8が形成され、層間樹脂絶縁層 1 5 0には、バイァホール 1 6 1および導体回路 1 5 9が形成されている。層間樹脂絶縁層 1 5 0の上には、ソルダーレジスト層 7 0が配設されている。

チップコンデンサ 2 0は、第 1 7図（A) に示すように第 1電極 2 1と第 2電極 2 2と、第 1、第 2電極に挟まれた誘電体 2 3とから成り、誘電体 2 3には、第 1電極 2 1側に接続された第 1導電膜 2 4と、第 2電極 2 2側に接続された第 2導電膜 2 5とが複数枚対向配置されている。

第 8図に示すように上側のビルドアップ配線層 8 O Aのバイァホール 1 6 1には、 I Cチップ 9 0のパッド 9 2へ接続するための半田バンプ 7 6 Uが形成されている。一方、下側のビルドアッフ。 @己線層 8 0 Bのバイァホール 1 6 1には、ド —夕ボード 9 5のパッド 9 4へ接続するための半田バンプ 7 6 Dが形成されている。また、コア基板 3 0には、スルーホール 4 6が形成されている。

本実施形態のプリント配線板 1 0では、広く凹部 3 2を形成レてあるため、ザダリ加工の精度が低くても確実に、複数個のチップコンデンサ 2 0を、基板に配設することが可能となる。凹部 3 2内に密集させてチップコンデンサ 2 0を配置できるため、コンデンサの実装密度を高めることができる。また、凹部 3 2内の複数個のチップコンデンサ 2 0の高さが揃っているので、後述するようにコア基板上に形成する樹脂層を均一の厚みにでき、バイァホールの形成が安定する。よつて、コア基板 3 0上に層間樹脂絶縁層 5 0、 1 5 0および導体回路 1 5 8、 1 5 9を適切に形成することができるので、プリント配線板 1 0の不良品発生率を - 26 - 低下させることができる。

コア基板としては、樹脂からなるものを用いた。例えば、ガラスエポキシ樹脂含浸基材、フエノール樹脂含浸基材などの一般的なプリント配線板で用いられる樹脂材料を用いることができる。しかし、コア基板をセラミックや A I Nなどの基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。

更に、チップコンデンサ 2 0間に樹脂層 3 6を充填するため、凹部 3 2内の正確な位置に配置されたチップコンデンサ 2 0を位置決め固定することができる。また、コンデンサとバイァホールとの接続部におけるマイグレーションを防止でさる。

ここで、樹脂層 3 6及びチップコンデンサ 2 0下部の接着材料 3 4の熱膨張率を、コア基板 3 0及び樹脂絶縁層 4 0よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ 2 0に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板 3 0及び樹脂絶縁層 4 0とチップコンデンサ 2 0との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板 3 0及び樹脂騰層 4 0にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。

また、チップコンデンサ 2 0間の樹脂層 3 6に、スルーホール 4 6を形成してあるため、セラミックから成るチップコンデンサ 2 0を信号線が通過しないので、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。コンデンサの下部にも配線を施せるので、配線、ピンなどの外部端子の自由度も増し、高密度化、小型化される。

チップコンデンサ 2 0は、第 1 7図（ A) に示すように第 1電極 2 1及び第 2 電極 2 2を構成する金属層 2 6の表面に銅めつき膜 2 9を被覆してある。めっき膜の被覆は、電解めつき、無電解めつきなどのめつきで形成されている。そして、第 7図に示すように銅めつき膜 2 9を被覆した第 1、第 2電極 2 1 , 2 2に銅めつきよりなるバイァホール 6 0で電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極 2 1 , 2 2は、メタライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層 2 6を剥き出した状態で用いると、後述する樹脂絶縁層 4 0に開口 4 8を - 27- 穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。この際には、当該樹月旨残さにより第 1、第 2電極 2 1 , 2 2とバイァホール 6 0との接続不良が発生することがある。これに対して、本実施形態では、銅めつき膜 2 9によって第 1、第 2電極 2 1 , 2 2の表面が平滑になり、電極上に被覆された樹脂絶縁層 4 0に開口 4 8を穿設した際に、樹脂残さが残らず、ノィァホール 6 0を形成した際の電極 2 1， 2 2との接続信頼性を高めることができる。

更に、銅めつき膜 2 9の形成された電極 2 1、 2 2に、めっきによりバイァホ —ル 6 0を形成するため、電極 2 1、 2 2とバイァホール 6 0との接続性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極 2 1、 2 2とバイァホール 6 0との間で断線が生じることがない。 ' なお、上記銅めつき膜 2 9は、チップコンデンサの製造段階で金属層 2 6の表面に被覆されたニッケルズスズ層を、プリント配線板への搭載の段階で剥離して力、ら設ける。この代わりに、チップコンデンサ 2 0の製造段階で、金属層 2 6の上に直接銅めつき膜 2 9を被覆することも可能である。即ち、本実施形態では、レーザにて電極の銅めつき膜 2 9へ茔る開口を設けた後、デスミヤ処理等を行い、ノイァホールを銅めつきにより形成する。従って、銅めつき膜 2 9の表面に酸化膜が形成されていても、上記レーザ及びデスミヤ処理で酸化膜を除去できるため、適正に接続を取ることができる。

なお、第 1 7図（B) に示すようにコンデンサ 2 0の第 1電極 2 1、第 2電極 2 2の被覆 2 8の一部を除去して用いることも可能である。第 1電極 2 1、第 2 電極 2 2を露出させることでめつきからなるバイァホールとの接続性を高めることができるからである。

更に、チップコンデンサ 2 0のセラミックから成る電体 2 3の表面には粗化層 2 3 αが設けられてもよい。このため、セラミックから成るチップコンデンサ 2 0と樹脂からなる樹脂絶縁層 4 0との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での樹脂絶縁層 4 0の剥離が発生することがない。この粗化層 2 3 ひは、焼成後に、チップコンデンサ 2 0の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。なお、本実施形態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わりに、コン - 28 - デンサの表面にシラン力ップリング処理を施すことも可能である。

引き続き、第 7図を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、第 1図〜第 7図を参照して説明する。

( 1 )先ず、腿樹脂基板からなるコア基板 3 0を出発材料とする（第 1図（A) 参照)。次に、コア基板 3 0の片面に、ザダリ加工でコンデンサ配設用の凹部 3 2 を形成する（第 1図（B)参照)。このとき、凹部 3 2は複数個のコンデンサを配設できるエリアよりも、広く大きく形成する。これにより、複数個のコンデンサをコア基板 3 0に、確実に配設することができる。

( 2 )その後、凹部 3 2に、印刷機を用いて接着材料 3 4を塗布する（第 1図（C) 参照)。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。接着材料 3 4 は、熱膨張率がコア基板 3 0及び樹脂絶縁層 4 0よりも小さなものを用いる。次に、凹部 3 2に複数個のセラミックから成るチップコンデンサ 2 0 (第 1 7図参照）を接着材料 3 4上に載置する（第 1図（D)参照)。ここで、後述するように底部が平滑な凹部 3 2に複数個のチップコンデンサ 2 0を配設することにより、複数個のチップコンデンサ 2 0の高さが揃うため、コア基板 3 0を平滑にすることができる。また、凹部 3 2は広く形成されているため、チップコンデンサ 2 0 の位置決めが正確にでき、また、高密度で配置することができる。

( 3 ) そして、複数個のチップコンデンサ 2 0の上面が同じ高さになるように、チップコンデンサ 2 0の上面を押す、もしくは叩いて高さを揃える（第 2図（A) 参照)。この工程により、凹部 3 2内に複数個のチップコンデンサ 2 0を配設した際に、複数個のチップコンデンサ 2 0の大きさにばらつきがあっても、高さを完全に揃えることができ、コア基板 3 0を平滑にすることができる。

( 4)その後、凹部 3 2内のチップコンデンサ 2 0間に、熱硬化性樹脂を充填し、加化して樹脂層 3 6を形成する（第 2図（B)参照)。このとき、 «化性樹脂としては、エポキシ、フエノール、ポリイミド、トリァジンが好ましい。これにより、凹部 3 2内のチップコンデンサ 2 0を固定することができる。樹脂層 3 6は、熱膨張率がコア基板 3 0及び樹脂糸觸層 4 0よりも小さなものを用いる。それ以外にも熱可塑性樹脂などの棚旨を用いてもよい。また、樹脂中に熱脹率を整合させるために、フィラーを含浸させてもよい。そのフィラーの例として - 29 - は、無機フィラー、セラミックフィラー、金属フィラーなどがある。

( 5 ) さらに、その上から後述するエポキシ系樹脂からなる樹脂を印刷機を用いて塗布し樹脂謹層 4 0を形成する（第 2図（C)参照)。なお、樹脂を塗布する代わりに、樹脂フィルムを貼り付けてもよい。

それ以外には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体などの樹脂を 1種以上用いることができる。それらを 2層構成にしてもよい。

( 6 ) 次に、レーザにより樹脂絶縁層 4 0にバイァホール用開口 4 8を形成する (第 2図（D)参照)。その後、デスミヤ処理を行う。レーザの代わりに露光，現像処理を用いることもできる。そして、樹脂層 3 6にドリルまたはレーザにより、スルーホール用の通孔 4 6 aを形成し、加 β化する（第 3図（Α)参照)。過マンガン酸などの薬液やプラズマ処理によるデスミヤ処理を行ってもよい。

( 7 ) その後、無電解銅めつきにより、銅めつき膜 5 2を樹脂絶縁層 4 0の表面に形成する（第 3図（Β)参照)。無電解めつきの代わりに、 N i一 C u合金を夕一ゲットにしたスパッタリングを行い、 N i—C u合金層を設けることもでき、場合によってはスパッ夕で形成した後に、無電解めつき膜を形成させてもよい。

( 8 ) 次に、銅めつき膜 5 2の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光 ·現像処理し、所定パターンのレジスト 5 4を形成する。そして、電解めつき液にコア基板 3 0を浸潰し、銅めつき膜 5 2を介して電流を流し電解めつき膜 5 6を析出させる（第 3図（C) 参照)。

( 9 ) ついで、めっきレジスト 5 4を 5 %N a〇Hで剥離除去した後、そのめつきレジスト 5 4下の銅めつき膜 5 2 'を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、銅めつき膜 5 2と電解銅めつき膜 5 6からなる導体回路 5 8

(バイァホール 6 0を含む）及びスルーホール 4 6を形成する。ここで、スルーホール 4 6を形成することにより、チップコンデンサ 2 0を信号線が通過しないので、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生しなくなる。

次に、基板の両面にエッチング液をスプレイで吹きつけ、導体回路 5 8の表面とスルーホール 4 6のランド表面とをエッチングすることにより、導体回路 5 8 一 30— の全表面に粗ィ匕面 58ひを形成する（第 3図（D) 参照)。

(10) その後、スルーホール 46内にエポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤 62を充填して、乾燥する（第 4図（A)参照)。歷化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫^^化性樹脂などを用いることができる。その中でもィ匕性樹脂を用いることが望ましい。スルーホール内の充填する際、取り扱い易いからである。

(11) 上記工程を経た基板の両面に、厚さ 50 mの熱硬ィ匕型エポキシ系樹脂シートを温度 50〜15 Ot:まで昇温しながら圧力 5kg/cm²で真空圧着ラミネ一卜し、エポキシ系樹脂からなる肩間樹脂縁層 50を設ける（第 4図（B) 参照)。真空圧着時の真空度は、 1 OmmHgである。エポキシ系樹脂の代わりにォレフイン系樹旨を用いることもできる。

(12) 次に、波長 10. 4 の C0₂ガスレーザにて、ビーム径 5mm、トップハットモード、パルス幅 5. 0 秒、マスクの穴径 0. 5mm、 3ショットの条件で、層間樹脂絶縁層 50に直径 80 mのバイァホール用開口 148を設ける（第 4図（C) 参照)。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。 (13) 次に、日本真空技術株式会社製の SV— 4540を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層 50の表面を粗化し、粗化面 50 αを形成する（第 4図

(D)参照)。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力 200W、ガス圧 0. 6Pa、温度 70 °Cの条件で、 2分間プラズマ処理を実施する。酸あるいは酸ィ匕剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、 0. 1〜5 mが望ましい。

(14) 次に、同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、 N i -Cu 合金をターゲットにしたスパッタリングを、気圧 0. 6 Pa、温度 80 、電力 200W、時間 5分間の条件で行い、 N i— Cu合金 152を層間樹脂絶縁層 5 0の表面に形成する。このとき、形成された N iー〇 1合金層152の厚さは 0. 2 mである（第 5図（A)参照)。無電解めつきなどのめつき膜、あるいはスパッ夕上にめっき膜を施してもよい。

(15) 上記処理を終えた基板 30の両面に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、 10 OmJノ cm²で露光した後、 0. 8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ 15 mのめつきレジス卜 154を設け -31- る。次に、以下の条件で電解めつきを施して、厚さ 15 mの電解めつき膜 15 6を形成する（第 5図（B)参照)。なお、この電解めつき膜 156により、後述する工程で導体回路 158となる部分の厚付けおよびバイァホール 160となる部分のめっき充填等が行われたことになる。なお、電解めつき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシド H Lである。

〔電解めつき水溶液〕

硫酸 2. 24 mo 1/ 1

硫酸銅 . 0. 26 mo 1/1

添加剤（アトテックジャパン製、カバラシド HL)

19. 5 m 1 / 1

〔電解めつき条件〕

電流密度 1 A/dm"

時間 65分

温度 22±2t:

(16) めっきレジスト 154を 5 %Na〇Hで剥離除去した後、そのめつきレジスト下の N i _C u合金層 152を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、 N i _じ11合金層152と電解めつき膜 156 からなる厚さ 16 mの導体回路 158及びバイァホール 160を形成する（第 5図（C) 参照)。

(17) 次いで、上記（11) 〜（16) の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層 150及び導体回路 159 (バイァホール 161を含む）を形成する（第 5図（D) 参照)。

(18)次に、ジエチレングリコールジメチルェ一テル（DMDG)に 60重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノポラック型エポキシ樹脂（日本ィ匕薬社製）のエポキシ基 50%をアクリルィ匕した感光性付与のオリゴマー（分子量 4000) 46. 67重量部、メチルェチルケトンに溶解させた 80重量％のビスフエノ一ル A型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：ェピコート 1001) 15重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名： 2E4MZ— CN) 1. 6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、 -32- 商品名： R604) 3重量部、同じく^ ffiアクリルモノマー（共栄化学社製、商品名： DPE6A) 1. 5重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名： S -65) 0. 71重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてべンゾフエノン（関東化学社製） 2. 0重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製） 0. 2重量部を加えて、粘度を 25^で 2. OPa · sに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。

なお、粘度測定は、 B型粘度計（東京計器社製、 DVL— B型）で 60 r pm の場合はローター No.4、 6 r pmの場合はローター No. 3によった。

(19) 次に、基板 30の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を 20 mの厚さで塗布し、 70 で 20分間、 70 で 30分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ 5 mmのフォトマスクをソルダ一レジスト層 70に密着させて 100 OmJZcm²の紫外線で露光し、 DMTG溶液で現像処理し、 20 O mの直径の開口 71U、 7 IDを形成する（第 6図（A)参照)。また、 LPSRなどの市販のソルダーレジストを用いてもよい。

(20) 次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層） 70を形成した基板を、塩化ニッケル（2. 3 X 1 O-imo 1 Z 1 )、次亞リン酸ナトリウム（2. 8 X 1 O-^o 1/1), クェン酸ナトリウム（1. 6X 10— imo l Z l ) を含む pH=4. 5の無電解ニッケルめっき液に 20分間浸漬して、開口部 71U、 7 IDに厚さ 5 のニッケルめっき層 72を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（7. 6X 10一³ mo 1/1)、塩ィ匕アンモニゥム（1. 9X 10— 1 1)、クェン酸ナトリウム（1. 2X 10— imo'l Z l ) 次亜リン酸ナトリウム（1. 7X 1 O-^o 1/1) を含む無電解めつき液に 8 Ot:の条件で 7. 5分間浸漬して、ニッケルめっき層 72上に厚さ 0. 03 ΓΠの金めつき層 74を形成することで、バイァホール 161及び導体回路 159に半田パッド 75を形成する（第 6図（B) 参照)。

(21) この後、ソルダーレジスト層 70の開口部 71U、 7 IDに、はんだべ一ストを印刷して、 200°Cでリフローすることにより、はんだバンプ（半田体） - 33-

7 6 U、 7 6 Dを形成する。これにより、半田バンプ 7 6 U、 7 6 Dを有するプリント配線板 1 0を得ることができる（第 7図参照)。

次に、上述した工程で完成したプリント配線板 1 0への I Cチップの載置および、ドー夕ボードへの取り付けについて、第図 8を参照して説明する。完成したプリント配線板 1 0の半田バンプ 7 6 11に1 Cチップ 9 0の半田パッド 9 2が対応するように、 I Cチップ 9 0を載置し、リフローを行うことで I Cチップ 9 0 の取り付けを行う。同様に、プリント配線板 1 0の半田バンプ 7 6 Dにドー夕ボ —ド 9 5のパッド 9 4が対応するように、リフローすることで、ドー夕ボード 9 5ヘプリント配線板 1 0を取り付ける。

上述した樹脂フィルムには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。

本発明の製造方法において使用する樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。

なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性測旨粒子)、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子)、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。. これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、 2種以上併用してもよい。上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。

上記可溶性粒子の平均粒径としては、 0 . 1〜： L O mがましい。この粒径の範囲であれば、 2種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が 0 . 1〜 0 . 5 β mの可溶性粒子と平均粒径が 1〜 3 mの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、 - 34 - 可溶性粒子の一番長い部分の長さである。

上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいほ酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。

上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ X二レン樹脂、ポリオレフイン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、 2種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。

また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレ夕ン変性、（メタ）ァクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）ァクリロニトリル 'ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しゃすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹月旨表面に残留することがなぐ後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。

上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケィ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。

上記アルミニウム化合物としては、例えば、ァリレミナ、水酸化アルミニウム等力 S挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケィ素化合物としては、シリカ、ゼォライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、 2種以上併用してもよい。 - 35 - 上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケィ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。上記可溶性粒子を、 2種以上混合して用いる場合、混合する 2種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすぐ棚旨フィルムからなる層間樹月旨絶椽層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。

上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗ィ匕面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、 I»化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイァホール用開口を形成することできる。

これらのなかでは、 »化性樹脂を含有しているものがましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。

上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、フエノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフエ二レン樹脂、ポリオレフイン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、 2種以上を併用してもよい。

さらには、 1分子中に、 2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗ィ匕面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離など力起きにくいからである。

上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノポラック型エポキシ樹脂、ビスフエノール A型エポキシ樹脂、ビスフエノール F型エポキシ樹月旨、フエノー - 36 - ルノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフエノ一ルノボラック型エポキシ樹脂、ビフエノール F型エポキシ樹脂、ナフ夕レン型エポキシ樹脂、ジシクロペン夕ジェン型エポキシ樹脂、フエノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、卜リグリシジルイソシァヌレート、脂環式ェポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、 2種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。

本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていること力望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイァホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗ィ匕面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによつて、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間翩旨纖層を介した導体回路間の纖性が確実に保たれる。

上記樹脂フィルムにおいて、難溶性棚旨中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、 3〜4 0重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が 3重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、 4 0重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の糸縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。

上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グァ二ジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシァダクトゃこれらの硬化剤をマイク口カプセル化したもの、トリフエニルホスフィン、テトラフエニルホスフォニゥム ·テトラフエ二ルポレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して 0. 0 5〜1 0重量％でぁることがましい。 0. 0 5重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくな.り、樹脂フィルムの - 37-

,性が損なわれることがある。一方、 1 0重量％を超えると、過剰な硬化剤成分力樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうこと力 Sある。

上記その他の成分としては、例えば、粗ィヒ面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリ力、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフエ二レン樹脂、メラニン樹脂、ォレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフイラ一を含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。

また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルェチルケトン、シクロへキサノン等のケトン類、酢酸ェチル、酢酸プチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、 2種類以上併用してもよい。

(第 1実施形態の第 1改変例）

引き続き、本発明の第 1実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板 1 1 0について、第 1 5図を参照して説明する。上述した第 1実施形態では、 B GAを配設した場合で説明した。第 1実施形態の第 1改変例では、第 1実施形態とほぼ同様であるが、第 1 5図に示すように導電性接続ピン 9 6を介して接続を取る P G A方式に構成されている。

引き続き、第 1 5図を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、第 9図〜第 1 5図を参照して説明する。

( 1 ) 先ず、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレク 3 3を 4枚積層してなる積層板 3 1 aに、チップコンデンサ収容用の通孔 3 7 aを形成する。また、その一方で、プリプレク 3 3を 2枚積層してなる積層板 3 1 bを用意する（第 9図（A) 参照)。ここで、プリプレク 3 3としては、エポキシ以外にも、 B T、フエノール樹脂、あるいはガラスクロスなどの強化材を含有したものを用い得る。

チップコンデンサ収容用の通孔 3 7 aを広く形成することにより、後述するェ - 38- 程で、複数個のチップコンデンサ 2 0を確実に凹部 3 7に収容することが可能となる。

( 2 ) 次に、積層板 3 1 aと積層板 3 l bとを圧着し、加熱して硬化させることで、複数個のチップコンデンサ 2 0を収容可能な凹部 3 7を備えた、コア基板 3 1を形成する（第 9図（B) 参照)。

( 3 ) そして、凹部 3 7のコンデンサ配設位置に印刷機を用いて接着材料 3 4を塗布する。その後、凹部 3 7内に複数個のセラミックから成るチップコンデンサ 2 0を接着材料 3 4を介して収容する（第 9図（C)参照)。ここで、複数個のチップコンデンサ 2 0を凹部 3 7内に配設することにより、複数個のチップコンデンサ 2 0の高さが揃うので、コア基板 3 1を平滑にすることが可能となる。また、凹部 3 7は広く形成されているため、チップコンデンサ 2 0の位置決め力正確にでき、また高密度で配置できる。よって、コア基板上に樹脂層を均一の厚みに形成でき、後述するようにコア基板 3 1の上にバイァホールを適切に形成することができるので、プリント配線板の不良品発生率を低下させることが可能となる。 (4) そして、複数個のチップコンデンサ 2 0の上面が同じ高さになるように、チップコンデンサ 2 0の上面を押すもしくは叩いて高さを揃える。（第 9図（D) 参照)。この工程により、複数個のチップコンデンサ 2 0を凹部 3 7内に配設した際に、複数個のチップコンデンサ 2 0の大きさにばらつきがあっても、高さを揃えることができ、コア 3 1基板を平滑にすることができる。

( 5 )その後、凹部 3 7内のチップコンデンサ 2 0間に、熱硬化性樹脂を充填し、加 »化して樹脂層 3 6を形成する（第 1 0図（A)参照)。このとき、化性樹脂としては、エポキシ、フエノール、ポリイミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部 3 7内のチップコンデンサ 2 0を固定することができる。

( 6 ) さらに、その上から前述したエポキシ系樹脂もしくはポリオレフイン系樹脂を印刷機を用いて塗布し樹脂絶縁層 4 0を形成する（第 1 0図（B)参照)。なお、樹脂を塗布する代わりに、樹脂フィルムを貼り付けてもよい。

( 7 ) 次に、露光'現像処理又はレーザにより樹脂腿層 4 0にバイァホール用開口 4 8を形成する（第 1 0図（C)参照)。そして、樹脂層 3 6にドリルまたはレーザにより、スルーホール用の通孔 4 6 aを形成し、加熱硬化する（第 1 0図 -39-

(D) 参照)。

(8) そして、基板 31にパラジウム触媒を付与してから、無電解めつき液にコァ基板を浸漬し、均一に無電解めつき膜 53を析出させる（第 11図（A)参照)。ここでは、無電解めつきを用いているが、スパッ夕により、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパッ夕で形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。

(9) その後、無電解めつき膜 53の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光'現像処理し、所定パターンのレジスト 54を形成する。そして、電解めつき液にコア基板 31を浸漬し、無電解めつき膜 53を介して電流を流し電解めつき膜 56を析出させる（第 11図（B) 参照)。

(10) 上記工程の後、レジスト 54を 5%の N a〇Hで剥離した後、レジスト 54下の無電解めつき膜 53を硫酸と過酸化水素混合液でエッチングをして除去し、無電解めつき膜 53と電解銅めつき膜 56からなる導体回路 58 (バイァホ —ル 60を含む）及びスルーホール 46を形成する。ここで、スルーホール 46 を形成することにより、チップコンデンサ 20を信号線が通過しないので、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生しなくなる。

(11) そして、基板 31を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板 31の両面にスプレイで吹きつけて、導体回路 58の表面とスルーホール 46のランド表面と内壁とをエッチングして、導体回路 58の全表面に粗化面 58ひを形成する（第 11図（C)参照)。エッチング液としては、イミダゾール銅 (I I) 錯体 10重量部、グリコール酸 7重量部、塩化カリウム 5重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチポンド）を使用する。

(12)次に、ビスフエノール F型エポキシモノマー（油ィ匕シェル社製、分子量： 310、 YL983U) 100重量部、表面にシランカップリング剤がコ一ティングされた平均粒径が 1. 6 mで、最大粒子の直径が 15 ΠΊ以下の S i〇₂球状粒子（アドテック社製、 CRS 1101-CE) 170重量部およびレペリング剤（サンノプコ社製ペレノール S4) 1. 5重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が 23± 1でで 45〜49Pa · sの樹脂充填剤 6 -40-

2を調製する。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、 2E 4MZ-CN) 6. 5重量部を用いた。

その後、スルーホール 46内に樹脂充填剤 62を充填して、乾燥する（第 11 図（D) 参照)。

(13) 次に、ビスフエノール A型エポキシ樹脂（エポキシ当量 469, 油化シエルエポキシ社製ェピコート 1001) 30重量部、クレゾールノポラック型ェポキシ樹脂（エポキシ当量 215，大日本インキ化学工業社製ェピクロン N— 673) 40重量部、卜リアジン構造含有フエノールノボラック樹脂（フエノール性水酸基当量 120, 大日本インキ化学工業社製フエノライト KA— 705 2) 30重量部をェチルジグリコールアセテート 20重量部、ソルベントナフサ 20重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製デナレックス R— 45EPT) 15重量部と 2—フェニル—4、 5_ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品 1. 5重量部、微粉碎シリカ 2重量部、シリコン系消泡剤 0. 5重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製する。

得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ 38 mの PETフィルム上に乾燥後の厚さが 50 mとなるようにロールコ一夕一を用いて塗布した後、 80〜120 で 10分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製する。

(14)基板の両面に、（13)で作製した基板 31より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板 31上に載置し、圧力 4kg f/cm², ¾80 、圧着時間 10秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネ一夕一装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層 50を形成する (第 12図（A)参照)。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板 31上に、真空度 0. 5To r r、圧力 4kg f /cm² 、温度 80 、圧着時間 60 秒の条件で本圧着し、その後、 170 で 30分間熱硬ィ匕させる。

(15) 次に、層間樹脂絶縁層 50上に、厚さ 1. 2mmの貫通孔 47 aが形成されたマスク 47を介して、波長 10. 4 mの C〇₂ ガスレーザにて、ビーム径 4. 0mm, トップハットモード、パルス幅 8. 0 秒、マスクの貫通孔の径 1 , 0 mm、 1ショットの条件で層間樹脂絶縁層 50に、直径 80 mのバイァ -41- ホール用開口 148を形成する（第 12図（B) 参照)。

(16) バイァホール用開口 148を形成した基板 31を、 60 gZlの過マンガン酸を含む 80 の溶液に 10分間浸漬し、層間樹脂絶縁層 50の表面に存在するエポキシ榭脂粒子を溶解除去することにより、バイァホール用開口 148の内壁を含む層間樹脂絶縁層 50の表面を粗化面 50 αとする（第 12図（C) 参照)。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、 0. l〜5 zmが望ましい。

(17) 次に、上記処理を終えた基板 31を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面化処理（粗化深さ 3/zm) した該基板 31の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、眉間樹脂絶縁層 50の表面およびバイァホール用開口 148の内壁面に触媒核を付着させる。

(18) 次に、以下の組成の無電解銅めつき水溶液中に基板を浸漬して、粗化面 50 α全体に厚さ 0. 6〜3. 0 mの無電解銅めつき膜 153を形成する（第 12図（D) 参照）。

〔無電解めつき水溶液〕

N i S0₄ 0. 003 mo 1 / 1

酒石酸 0. 200 mo 1 /

硫酸銅 0. 030 mo 1 /

HCHO 0. 050 mo 1 /

NaOH 0, 100 mo 1 Z

ひ、 ' —ビピリジリレ 40 mg/

ポリエチレングリコール（PEG) 0. 10 §/

〔無電解めつき条件〕

351の液温度で 40分

(19) 市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めつき膜 153に貼り付け、マスクを載置して、 10 OmJZcm²で露光し、 0. 8%炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ 30 のめつきレジスト 154を設ける（第 13図（A) 参照)。

(20)次いで、基板 31を 50での水で洗浄して脱脂し、 25での水で水洗後、 —42 - さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めつきを施し、厚さ 20 mの電解銅めつき膜 156を形成する（第 13図（B) 参照)。

〔電解めつき水溶液〕

硫酸 2. 24 mo 1 / 1

硫酸銅 0. 26 mo 1 / 1

添加剤 19. 5 m 1 1 '

(アトテックジャパン社製、カパラシド HL)

〔電解めつき条件〕

電流密度 1 A/dm²

時間 65 分

温度 22 ± 2 °C

(21) めっきレジスト 154を 5 %N a OHで剥離除去した後、そのめつきレジスト 154下の無電解銅めつき膜 153を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めつき膜 153と電解銅めつき膜 156からなる厚さ 18 zmの導体回路 158 (バイァホール 161を含む）を形成する。その後、（11)と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエツチング液によって、粗化面 158 αを形成する（第 13図（C) 参照)。

(22) 続いて、上記（14) 〜（21) の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂腿層 150及び導体回路 159 (バイァホール 161を含む）を形成する（第 13図（D) 参照)。

(23) 次に、第 1実施形態と同様に調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。

(24)次に、多層配線基板の両面に、（23)で調製したソルダーレジス卜組成物を 20 の厚さで塗布する。その後、乾燥処理を行った後、紫外線で露光し、 DMTG溶液で現像処理し、 200 の直径の開口 71 U、 71 Dを形成する。そして、加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物を硬化させ、開口 71U、 7 IDを有する、厚さ 20 mのソルダーレジスト層 70を形成する（第 14図

(A)参照)。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。一 43—

(25) 次に、ソルダーレジスト層 70を形成した基板を、第 1実施形態と同様の無電解ニッケルめっき液に浸漬して、開口部 71U、 710に厚さ5 11のニッケルめっき層 72を形成する。さらに、その基板を第 1実施形態と同様の無電解金めつき液に浸漬して、ニッケルめっき層 72上に、厚さ 0. 03 zxmの金めつき層 74を形成する（第 14図 (B) 参照)。

（26) この後、基板の I Cチップを載置する面のソルダーレジスト層 70の開口 71 Uにスズ—鉛を含有する半田ペーストを印刷する。さらに、他方の面の開口部 71D内に導電性接着剤 97として半田ペーストを印刷する。次に、導電性接続ピン 96を適当なピン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピン 96の固定部 98を開口部 71D内の導電性接着剤 97に当接させる。そしてリフローを行い、導電性接続ピン 96を導電性接着剤 97に固定する。また、導電性接続ピン 96の取り付け方法としては、導電性接着剤 97をポール状等に形成したものを開口部 71D内に入れる、あるいは、固定部 98に導電性接着剤 97を接合させて導電性接続ピン 96を取り付け、その後にリフローさせてもよい。

その後、プリント配線板 110の開口 71 U側の半田バンプ 76 Uに I Cチップ 90の半田パッド 92が対応するように、 I Cチップ 90を載置し、リフ口一を行うことで I Cチップ 90の取り付けを行う（第 15図参照)。

(第 1実施形態の第 2改変例）

引き続き、第 1実施形態のプリント配線板の第 2改変例に係る製造方法について、第 16図を参照して説明する。

(1) 先ず、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレク 33を 4枚積層して硬化させた積層板 31 aに、チップコンデンサ収容用の通孔 37 aを形成する。一方で、 '未硬化のプリプレダ 33からなるシート 31 cと、プリプレク 33を硬化してなる板 3 l bとを用意する（第 16図（A) 参照)。

(2) 次に、積層板 31 aと板 31 bとをシート 31 cにより圧着し、凹部 37 を備えた基板 31を形成する（第 16図（B〉参照)。

(3) そして、複数個のセラミックから成るチップコンデンサ 20を未硬化のプリプレダ 33からなるシート 31 c上に収容する（第 16図（C) 参照)。

(4) そして、複数個のチップコンデンサ 20の上面が同じ高さになるように、 -44- チップコンデンサ 2 0の上面を押す、もしくは叩いて高さを揃える（第 1 6図（D) 参照)。その後、加熱して未硬化のプリプレダ 3 3を硬ィ匕させるコア基板 3 1を形成する。以下の工程は、第 9図〜第 1 5図を参照して上述した第 1改変例と同様であるため、説明を省略する。、

(第 1実施形態の第 3改変例） '

引き続き、第 1実施形態の第 3改変例に係るプリント配線板の構成について第 1 8図を参照して説明する。

この第 3改変例のプリント配線板の構成は、上述した第 1実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板 3 0への収容されるチップコンデンサ 2 0が異なる。第 1 8 図は、チップコンデンサの平面図を示している。第 1 8図（A) は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述した第 1実施形態のプリント配線板では、第 1 8図（B) に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。第 1 8 図（C) は、第 3改変例の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。第 3改変例のプリント配線板では、第 1 8図 (D)に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。

この第 3改変例のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。引き続き、第 3改変例の第 1別例に係るプリント配線板第 1 9図を参照して説明する。

第 1 9図は、第 1別例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコンデンサ 2 0の平面図を示している。上述した第 1実施形態では、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第 1別例では、大容量の大判のチップコンデンサ 2 0をコア基板に収容してある。ここで、チップコンデンサ 2 0は、第 1電極 2 1と第 2電極 2 2と、誘電体 2 3と、第 1電極 2 1へ接続された第 1導電膜 2 4と、第 2電極 2 2側に接続された第 2導電膜 2 5と、第 1導雜2 4及び第 2導電膜 2 5へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極 2 7 -45 -

とから成る。この電極 2 7を介して I Cチップ側とド一タボード側とが接続されている。

この第 1改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。

第 2 0図を参照して第 2別例に係るプリント配線板について説明する。第 2 0図 (A) は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、通常の裁断線を示し、第 2 0図（B)は、チップコンデンサの平面図を示している。第 2 0図（B) に示すように、この第 2別例では、多数個取り用のチップコンデンサを複数個（図中の例では 3枚）連結させて大判で用いている。

この第 2別例では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。

上述した実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンザの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。

(第 1実施形態の第 4改変例）

引き続き、本発明の 1実施形態の第 4改変例に係るプリント配線板について、第 2 1図を参照して説明する。上述した第 1実施形態では、コア基板 3 0に収容されるチップコンデンサ 2 0のみを備えていたが、第 4改変例では、表面に大容量のチップコンデンサ 1 2 0が実装されている。

I Cチップは、瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。ここで、 I Cチップ側に大電力を供給するために、本実施形態では、プリント配線板に電源用のチップコンデンサ 2 0及びチップコンデンサ 1 2 0を備えてある。このチップコンデンサによる効果について、第 2 2図を参照して説明する。

第 2 2図は、縦軸に I Cチップへ供給される電圧を、横軸に時間を取ってある。一 46— ここで、二点鎖線 Cは、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合には、大きく電圧が減衰する。破線 Aは、表面にチップコンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示している。上記二点鎖線 Cと比較して電圧は大きく落ち込まないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が降下している。また、二点鎖線 Bは、第 8図を参照して上述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、コア基板 3 0に容量の大きなチップコンデンサを収容することができないため、電圧が変動している。ここで、実線 Eは、第 2 1図を参照して上述したコア基板内のチップコンデンサ 2 0を、また表面に大容量のチップコンデンサ 1 2 0を実装する第 4改変例のプリント配線板の電圧変動を示している。 I Cチップの近傍にチップコンデンサ 2 0を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタンス）のチップコンデンサ 1 2 0を備えることで、電圧変動を最小に押さえている。

ここで、第 1実施形態のプリント配線板について、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ 2 0のインダクタンスと、プリント配線板の裏面（ドー夕ボード側の面）に実装したチップコンデンサのィンダク夕ンスとを測定した値を以下に示す。

コンデンサ単体の場合

埋め込み形 1 3 7 pH

裏面実装形 2 8 7 pH コンデンサを 8個並列に接続した場合

埋め込み形 6 0 pH

裏面実装形 7 2 pH 以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデンサを内蔵することでインダク夕ンスを低減できる。一 47. 次に、信頼性試験を行った結果について説明する。ここでは、第 1実施形態のプリント配線板において、 1個のチップコンデンザの静電容量の変化率を測定した。

(測定周波数 100Hz) (測定周波数 1kHz)

Steam 168時間： 0. 3% 0. 4¾

HAST 100時間： - 0. 9¾ - 0. 9%

TS l OOOcyc l es : 1. 1% 1. 3¾

Steam試験は、蒸気に当て湿度 1 0 0 %に保った。また、 HA S T試験では、相対湿度 1 0 0 %、印加電圧 1 . 3 V、温度 1 2 1 で 1 0 0時間放置した。 T S試験では、 — 1 2 5 で 3 0分、 5 5でで 3 0分放置する試験を 1 0 0 0回線り返した。

上記信頼性試験において、チップコンデンサを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが分かつた。また、上述したように、 T S試験において、セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基板 3 0及び樹脂糸緣層 4 0の熱膨張率の違いから、内部応力が発生しても、チップコンデンサ 2 0の第 1電極 2 1、第 2電極 2 2とバィァホール 6 0との間に断線、チップコンデンサ 2 0と樹脂絶縁層 4 0との間で剥離、樹脂纖層 4 0にクラック力発生せず、長期に渡り高い信頼性を達成できることが判明した。

第 1実施形態では上述したように、広く凹部を形成し、複数個のコンデンサを凹部に収容するため、ザダリ加工の精度が低くても確実に複数個のコンデンサを、正確に位置決めしてコア基板内に高密度で配設することが可能となる。また、凹部内に複数個のコンデンサを載置するため、複数個のコンデンサの高さが揃うので、コンデンサ上の絶縁層を均一の厚みにすることができる。よって、バイァホールおよび導体回路を適切に形成することができるので、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。

コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、コンデンサなどが -48- 因する応力が発生しても緩和されるし、マイグレーションの発生がない。そのために、コンデンサの電極とバイァホールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。

そのために、信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができるのである。また、コンデンサを銅によって被覆されている場合にも、マイグレーションの発生を防止することができる。

(第 2実施形態）

先ず、本発明の第 2実施形態に係るプリント配線板の構成について第 2 9図、第 3 0図を参照して説明する。第 2 9図は、プリント配線板 2 1 0の断面を示し、第 3 0図は、第 2 9図に示すプリント配線板 2 1 0に I Cチップ 2 9 0を搭載し、ドー夕ポ一ド 2 9 4側へ取り付けた状態を示している。

第 2 9図に示すようにプリント配線板 2 1 0は、チップコンデンサ 2. 2 0と、チップコンデンサ 2 2 0を収容するコア基板 2 3 0と、ビルドアップ層 2 8 0 A、 2 8 0 Bを構成する層間樹脂絶縁層 2 5 0とからなる。コア基板 2 3 0は、コンデンサ 2 2 0を収容する収容層 2 3 0 aと接続層 2 4 0とからなる。接続層 2 4 0には、バイァホール 2 6 0及び導体回路 2 5 8が形成され、層間樹脂絶縁層 2 5 0には、バイァホール 3 6 0及び導体回路 3 5 8が形成されている。本実施形態では、ビルドアップ層が 1層の層間樹脂&縁層 2 5 0からなるが、ビルドアップ層は、複数の層間樹脂絶縁層からなることができる。

第 3 0図に示すように上側のビルドアップ層 2 8 O Aのバイァホール 3 6 0には、 I Cチップ 2 9 0のパッド 2 9 2 S 1、 2 9 2 S 2、 2 9 2 P 1 , 2 9 2 P 2へ接続するためのバンプ 2 7 6が形成されている。一方、下側のビルドアップ層 2 8 0 Bのバイァホール 3 6 0には、ドー夕ボード 2 9 4のパッド 2 9 5 S 1、 2 9 5 S 2、 2 9 5 P 1、 2 9 5 P 2へ接続するためのバンプ 2 7 6が配設されている。コア基板 2 3 0にはスルーホール 2 4 6が形成されている。

チップコンデンサ 2 2 0は、第 1 7図（A) に示すように第 1電極 2 2 1と第 2電極 2 2 2と、該第 1、第 2電極に挟まれた誘電体 2 3とから成り、該誘電体 2 3には、第 1電極 2 2 1側に接続された第 1導電膜 2 4と、第 2電極 2 2 2側一 49一に接続された第 2導電腠 2 5とが複数枚対向配置されている。第 1電極 2 2 1と第 2電極 2 2 2の表面には、銅めつき等の金属被覆を被せることがましい。導電性接着剤 2 3 4との電気接続性を改善でき、また、マイグレーションの発生を防止できるからである。

第 3 0図中に示す I Cチップ' 2 9 0の信号用のパッド 2 9 2 S 2は、バンプ 2 7 6—導体回路 3 5 8 _バイァホール 3 6 0—スルーホール 2 4 6—バイァホール 3 6 0—バプ 2 7.6を介して、ド一夕ボード 2 9 4の信号用のパッド 2 9 5 S 2に接続されている。一方、 I Cチップ 2 9 0の信号用のパッド 2 9 2 S 1は、バンプ 2 7 6—バイァホール 3 6 0—スルーホール 2 4 6—バイァホール 3 6 0 一バンプ 2 7 6を介して、ドー夕ボ一ド 2 9 4の信号用のパッド 2 9 5 S 1に接続されている。

I Cチップ 2 9 0の電源用パッド 2 9 2 P 1は、バンプ 2 7 6一バイァホール 3 6 0—導体回路 2 5 8 _バイァホール 2 6 0を介してチップコンデンサ 2 2 0 の第 1電極 2 2 1へ接続されている。一方、ドー夕ボード 2 9 4の電源用パッド 2 9 5 P 1は、バンプ 2 7 6—バイァホール 3 6 0—スルーホール 2 4 6—導体回路 2 5 8—バイァホール 2 6 0を介してチップコンデンサ 2 2 0の第 1電極 2 2 1へ接続されている。

I Cチップ 2 9 0の電源用パッド 2 9 2 P 2は、バンプ 2 7 6一バイァホール 3 6 0—導体回路 2 5 8—バイァホール 2 6 0を介してチップコンデンサ 2 2 0 の第 2電極 2 2 2へ接続されている。一方、ドータポ一ド 2 9 4の電源用パッド 2 9 5 P 2は、バンプ 2 7 6—バイァホール 3 6 0—スルーホール 2 4 6—導体回路 2 5 8—バイァホール 2 6 0を介してチップコンデンサ 2 2 0の第 2電極 2 2 2へ接続されている。

本実施形態のプリント配線板 2 1 0では、 I Cチップ 2 9 0の直下にチップコンデンサ 2 2 0を配置するため、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなり、電力を瞬時的に I Cチップ側へ供給することが可能になる。即ち、ループインダクタンスを決定するループ長さを短縮することができる。

更に、チップコンデンサ 2 2 0とチップコンデンサ 2 2 0との間にスルーホール 2 4 6を設け、チップコンデンサ 2 2 0を信号線が通過しない。このため、コ - 50- ンデンサを通過させた際に発生する高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延を防ぐことができる。

また、プリント配線板の裏面側に接続される外部基板 (ドー夕ボード） 2 9 4 とコンデンサ 2 2 0の第 1電極 2 2 1，第 2電極 2 2 2とは、 I Cチップ側の接続層 2 4 0に設けられたバイァホール 2 6 0及びコア基板 2 3 0に形成されたスルーホール 2 4 6を介して接続される。即ち、心材を備え加工が困難な収容層 2 3 0 aに通孔を形成してコンデンサの端子と外部基板とを直接接続しないため、接続信頼性を高めることができる。

本実施形態では、第 1 7図（A) に示すようにチップコンデンサ 2 2 0のセラミックから成る誘電体 2 3の表面には粗化層 2 3 αが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ 2 2 0と樹脂からなる接続層 2 4 0との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接続層 2 4 0の剥離力発生することがない。この粗ィ匕層 2 3 αは、焼成後に、チップコンデンサ 2 2 0の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。なお、本実施形態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。

また、本実施形態では、第 2 9図に示すようにコア基板 2 3 0のキヤビティ 2 3 2の側面とチップコンデンサ 2' 2 0との間に樹脂層 2 3 6を介在させてある。ここで、樹脂層 2 3 6の熱膨張率を、コァ基板 2 3 0及び接続層 2 4 0よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ 2 2 0に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板及び接続層 2 4 0とチップコンデンサ 2 2 0との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板 2 3 0及び接続層 2 4 0にクラック、剥離等が生じ難ぐ高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することも出来る。

ひき続き、第 2 9図を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、第 2 3図〜第 2 8図を参照して説明する。

( 1 ) コア基板を形成する樹脂層である接続層を形成し、その片面に金属層からなる回路パターンを形成させる。このため、片面に金属膜 2 5 7を積層した樹脂 - 51 - フィルム 2 4 0 aを用意する（第 2 3図（A))。この樹脂フィルム 2 4 0 aとしては、第 1実施形態と同様にエポキシ、 B T、ポリイミド、ォレフィン等の鞭化性樹脂、又は、化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物を用いることができる。ここでは、通孔の形成が容易なように心材を備えないフィルムが望ましい。この金属膜 2 5 7をパターンエッチングして所定の回路パターン 2 5 7 ひを形成する

(第 2 3図（B))。次に、樹脂フィルム 2 4 0 aの下面の回路パターン 2 5 7 α にチップコンデンサ 2 2 0を導電性接着材 2 3 4を介して接着する（第 2 3図

(C))。これにより、コンデンサ 2 2 0との電気接続とコンデンサ 2 2 0と回路パターン 2 5 7 αとの密着性力確保される。導電性接着材 2 3 4は、半田（S η /P b , S nZ S b、 S n/A g , S n/A g/C u) , 導電性べ一スト、あるいは樹脂に金属粒子が含浸されたもの等の導電性と接着性を兼ね備えるものを用いることができる。導電性接着剤とコンデンサで生じる空隙は、樹脂によって充填させたほうがよい。

( 2 ) 一方、チップコンデンサを収容するキヤビティ 2 3 2を穿設した収容層用積層板 2 3 2 aを用意する（第 2 3図（C))。

キヤビティ 2 3 2は、ザダリにより形成させる。ザダリ以外にも通孔を形成したプリプレダと通孔を形成していないプリプレダとの接合、又は、射出成形によりキヤビティを有する積層板を形成できる。この収容層用積層板 2 3 2 aとしては、エポキシ樹脂をガラスクロス等の心材に含浸させたプリプレダを積層してなる積層板を用いることができる。エポキシ以外でも、 B T、フエノール樹脂あるいはガラスクロスなどの強化材を含有しているもの等、一般的にプリント配線板で使用されるものを用い得る。なお、ガラスクロスなどの心材を有しない樹脂基板を用いることもできる。しかし、コア基板をセラミックや A I Nなどの基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。樹脂基板は融点が 3 0 0で以下であるため、 3 5 0でを越える温度を加えると溶解、軟ィ匕もくしは炭化してしまう。

( 3 ) そして、チップコンデンサ 2 2 0を取り付けた樹脂フィルム 2 4 0 a、コンデンサ収容部を有するコア基板用樹脂積層板 2 3 2 a、更に、もう 1枚の樹脂 —52— フィルム 2 4 0 aを積層して、両面からプレスして表面を平坦にする（第 2 3図 (D))。本実施形態では、コンデンサ 2 2 0を収容した収容層 2 3 0 aと接続層 2 4 0とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板 2 3 0を形成するため、表面が平坦化される。これにより、後述する工程で、高い信頼性を備えるように層間樹脂絶縁層 2 5 0及び導体回路 3 5 8を積層することができる。なお、この際に、コンデンサ 2 2 0と樹脂フィルム 2 4 0 aとの間の隙間は、樹脂フィルム 2 4 0 aからしみ出る樹脂により充填される。ここで、この隙間が十分に充填し得ない際には、第 2 4図（A) に示すように樹脂フィルム 2 4 0 a側の回路パターン 2 5 7 ひ間に、コア基板よりも熱膨張率の小さな充填材 2 3 6 aを配設し、第 2 4図（D) に示すように充填することも、また、第 2 4図（C)に示すように、コンデンサ 2 2 0側に充填材 2 3 6 aを配置し、第 2 4図（D) に示すように充填することも可能である。

(4 ) その後、加熱して硬化させることで、チップコンデンサ 2 2 0を収容する収容層 2 3 0 aと接続層 2 4 0とからなるコァ基板 2 3 0を形成する（第 2 5図 (A))。なお、コア基板のキヤビティ 2 3 2内に、コア基板よりも熱膨張率の小さな樹脂層 2 3 6を充填して、気密性を高めることが好適である。また、ここでは、樹脂フィルム 2 4 0 aには、金属層のないものを用いて積層させているが、片面に金属層を配設した樹脂フィルム（R C C)を用いてもよい。即ち、両面板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フィルムを用いることができる。

( 5 ) 本実施形態では、コァ基板 2 3 0を形成する接続層 2 4 0と収容層 2 3 0 aとの間に、導電性接着剤 2 3 4と接続される回路パターン 2 5 7 αを設けてあるため、当該回路パターン 2 5 7 を介してコンデンサ 2 2 0へ確実に接続を取ることができる。また、接続層 2 4 0と収容層 2 3 0 aとの間に、金属層からなる回路パターン 2 5 7 ひを配設することで、コア基板 2 3 0の反りを防ぐことができる。

( 6 ) 次に、 C 0 2レーザ、 YAGレーザ、エキシマレーザあるいは UVレーザにより上面側の接続層 2 4 0にバイァホールとなる非貫通孔 2 4 8を穿設する

(第 2 5図（B))。場合によっては、非貫通孔の位置に対応させて通孔の穿設されたエリアマスクを載置してレーザでエリア加工を行ってもよい。更に、バイァ - 53 - ホールの大きさゃ径が異なる物を形成する場合には、混合のレーザによって形成させてもよい。

( 7 ) また、必要に応じて、バイァホール内のスミアを酸素、窒素などの気体プラズマ処理、コロナ処理などのドライ処理によって、あるいは、過マンガン酸などの酸化剤による浸積による処理によって行ってもよい。引き続き、接続層 2 4 0、収容層 2 3 0 a及び接続層 2 4 0からなるコア基板 2 3 0に対して、ドリル、又は、レーザでスルーホール用の通孔 2 4 6 aを 5 0〜 5 0 0 mで穿設する（第 2 5図（C))。

( 8 ) コァ基板 2 3 0の接続層 2 4 0の表層、バイァホール用非貫通孔 2 4 8及びスルーホール用貫通孔 2 4 6 a内に金属膜を形成させる。このために、接続層

2 4 0の表面にパラジウム触媒を付与してから、無電解めつき液にコア基板 2 3 0を浸漬し、均一に無電解銅めつき膜 2 5 2を析出させる（第 2 6図（A))。ここでは、無電解めつきを用いているが、スパッ夕により、銅、ニッケル等の金属層を形成することも可能である。スパッ夕はコスト的には不利であるが、樹脂層との密着性を改善できる利点がある。また、場合によってはスパッ夕で形成した後に、無電解めつき膜を形成させてもよい。樹脂によっては、触媒付与が安定しないものには有効であるし、無電解めつき膜と形成させた方が電解めつきの析出性が安定するからである。金属膜 2 5 2は、 0. 1〜 3 mmの範囲で形成することが望ましい。

( 9 ) その後、金属膜 2 5 2の表面に感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、露光 ·現像処理し、所定パターンのレジスト 2 5 4を形成する。そして、電解めつき液にコア基板 2 3 0を浸潰し、無電解めつき膜 2 5 2を介して電流を流し電解銅めつき膜 2 5 6を析出させる（第 2 6図（B))。レジスト 2 5 4を 5 %の KOHで剥離した後、レジスト 2 5 4下の無電解めつき膜 2 5 2を硫酸と過酸化水素混合液でエッチングして除去し、接続層 2 4 0にバイァホール 2 6 0及び導体回路 2 5 8を、一方、コァ基板 2 3 0の通孔 2 4 6 aにスルーホ一ル 2 4 6を形成する（第 2 6図（C))。

( 1 0 ) 導体回路 2 5 8、バイァホール 2 6 0及びスルーホール 2 4 6の導体層の表面に粗化層を設ける。酸ィ匕（黒化） —還元処理、 C u— N i— Pからなる合 - 54- 金などの無電解めつき膜、あるいは、第二銅錯体と有機酸塩からなるエッチング液などのエッチング処理によって粗ィ匕層を施す。粗化層は R a (平均高さ） = 0. 0 1〜5 mである。特に望ましいのは、 0. 5〜3 imの範囲である。なお、ここでは粗化層を形成しているが、粗化層を形成せず後述するように直接樹脂を充填、樹脂フィルムを貼り付けることも可能である。

( 1 1 ) 引き続き、スルーホール 2 4 6内に棚旨層 2 6 2を充填させる。樹脂層としては、エポキシ樹脂等の樹脂を主成分として導電性のない樹脂、銅などの金属ペーストを含有させた導電性樹脂のどちらでもよい。この場合は、熱硬化性ェポキシ樹脂に、シリカなどの熱膨張率を整合させるために含有させたものを樹脂充填材として充填させる。スルーホール 2 4 6への樹脂層 2 6 2の充填後、樹脂フィルム 2 5 0を貼り付ける（第 2 7図（A))。なお、樹脂フィルムを貼り付ける代わりに、樹脂を塗布することも可能である。樹脂フィルム 2 5 0を貼り付けた後、ブオト、レーザにより、絶縁層 2 5 0に開口径 2 0〜2 5 0 mであるバィァホール 3 4 8を形成してから化させる（第 2 7図（B))。その後、コア基板に触媒付与し、無電解めつきへ浸積して、層間樹脂絶録層 2 5 0の表面に均一に厚さ 0 · 9 mの無電解めつき膜 3 5 2を析出させ、その後、所定のパ夕一ンをレジスト 3 5 4で形成させる（第 2 7図（C))。

( 1 2 ) 電解めつき液に浸漬し、無電解めつき膜 3 5 2を介して電流を流してレジスト.3 5 4の非形成部に電解銅めつき膜 3 5 6を形成する（第 2 8図（A))。レジスト 3 5 4を剥離除去した後、めっきレジスト下の無電解めつき膜 3 5 2を溶解除去し、無電解めつき膜 3 5 2及び電解銅めつき膜 3 5 6からなるの導体回路 3 5 8及びバイァホール 3 6 0を得る（第 2 8図（B))。

( 1 3 ) 第 2銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液により、導体回路 3 5 8 及びバイァホール 3 6 0の表面に粗化面（図示せず）を形成した。さらにその表面に Sn置換を行ってもよい。

( 1 4) 上述したプリント配線板にはんだバンプを形成する。基板の両面に、ソルダーレジスト組成物を塗布し、乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパ夕ーン）が描画されたフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、紫外線で露光し、現像処理する。そしてさらに、加熱処理し、はんだパッド部分（バ - 55 - ィァホールとそのランド部分を含む）の開口部 2 7 1 U、 2 7 I Dを有するソルダ一レジスト層（厚み 2 7 0を形成する（第 2 8図（C))。

( 1 5 ) そして、ソルダーレジスト層 2 7 0の開口部 2 7 1 U、 2 7 I Dに、半. 田ペーストを充填する（図示せず)。その後、開口部 2 7 1 U、 2 7 I Dに充填された半田を 200 でリフローすることにより、半田バンプ（半田体） 2 7 6を形成する（第 2 9図参照)。なお、耐食性を向上させるため、開口部 2 7 1に N i、 A u、 A g、 P dなどの金属層をめつき、スパッ夕により形成することも可能である。

該プリント配線板への I Cチップの載置及び、ド一夕ボードへの取り付けには第 1実施形態と同様であるため説明を省略する。

(第 2実施形態の第 1改変例）

弓 Iき続き、本発明の第 2実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板について、第 3 1図を参照して説明する。第 1改変例のプリント配線板は、上述した第 2実施形態とほぼ同様である。但し、この第 1改変例のプリント配線板では、導電性ピン 2 9 6が配設され、該導電性ピン 2 9 6を介してドー夕ボードとの接続を取るように形成されている。また、第 2 3図（A) を参照して上述した実施形態では、片面に金属膜 2 5 7を積層した樹脂フィルム 2 4 0 aを用いたが、この第 1 改変例では、両面に金属膜を積層した樹脂フィルムを用いて I Cチップ 2 9 0側の層間樹脂絶縁層 2 4 0を製造してある。即ち、上面の金属膜をパターンエッチングして回路パターン 2 5 7 αを形成してある。更に、該回路パターン 2 5 7 α の開口 2 5 7 aをコンフオマルマスクとして用い、レーザにより非貫通孔 2 4 8 を穿設しバイァホール 2 6 0を形成してある。

また、上述した第 2実施形態では、コア基板 2 3 0に収容されるチップコンデンサ 2 2 0のみを備えていたが、第 1改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ 3 2 0が実装されている。

I Cチップは、瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。ここで、 I Cチップ側に大電力を供給するために、第 1改変例では、プリント配線板に電源用のチップコンデンサ 4 2 0及びチップコンデンサ 5 2 0を備えてある。このチップコンデンサによる効果については、第 1実施形態の第 4改変例と同様である - 56 - ため、説明を省略する。

(第 2実施形態の第 2改変例）

弓 Iき続き、本発明の第 2実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板について、第 3 2図を参照して説明する。第 2改変例のプリント配線板は、上述した第 2実施形態とほぼ同様である。但し、この第 2改変例のプリント配線板では、チップコンデンサ 2 2 0の第 1電極 2 2 1と第 2電極 2 2 2とカ^ I Cチップ 2 9 0の電源用パッド 2 9 2 P 1、 2 9 2 P 2とバンプ 2 7 6を介して直接接続されている。この第 2改変例では、 I Cチップとチップコンデンサとの距離を更に短縮させることができる。

(第 2実施形態の第 3改変例）

次に、本発明の第 2実施形態の第 3改変例に係るプリント配線板について、第 3 3図を参照して説明する。第 3改変例のプリント配線板は、上述した第 2実施形態とほぼ同様である。但し、この第 3改変例のプリント配線板では、収容層 2 3 0 aと接続層 2 4 0との間に設けられた回路パ夕一ン 2 5 7 αにより、コンデンサ 2 2 0の第 1電極 2 2 1及び第 2電極 2 2 2とスルーホール 2 4 6とが直接接続されている。この第 3改変例では、コンデンサ 2 2 0の第 1電極 2 2 1及び第 2電極 2 2 2と、ド一夕ボードとの配線長を短縮させることができる。

(第 2実施形態の第 4改変例）

弓 Iき続き、第 2実施形態の第 4改変例に係るプリント配線板の構成について第 1 8図を参照して説明する。

この第 4改変例のプリント配線板の構成は、上述した第 1実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板 3 0への収容されるチップコンデンサ 2 0が異なる。第 1 8 図は、チップコンデンサの平面図を示している。第 1 8図（Α) は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上' 述した第 1実施形態のプリント配線板では、第 1 8図（Β) に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。第 1 8 図（C) は、第 4改変例の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。第 4改変例のプリント配線板では、第 1 8図 - 57 -

(D)に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。

この第 4改変例のプリン卜配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。引き続き、第 4改変例の第 1別例に係るプリント配線板第 1 9図を参照して説明する。

第 1 9図は、第 1別例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコンデンサ 2 0の平面図を示している。上述した第 1実施形態では、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第 1別例では、大容量の大判のチップコンデンサ 2 0をコア基板に収容してある。ここで、チップコンデンサ 2 0は、第 1電極 2 1と第 2電極 2 2と、誘電体 2 3と、第 1電極 2 1へ接続された第 1導電膜 2 4と、第 2電極 2 2側に接続された第 2導電膜 2 5と、第 1導 11^2 4及び第 2導電膜 2 5へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極 2 7 とから成る。この電極 2 7を介して I Cチップ側とドータポ一ド側とが接続されている。

この第 1改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反り力 S発生することがない。

この第 2別例では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反り力 S発生することがない。 - 58-

上述した実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの代わりに、セラミツク板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。

ここで、第 2実施形態のプリント配線板について、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ 2 2 0のインダク夕ンスと、プリント配線板の裏面（ド一夕ボード側の面）に実装したチップコンデンザのインダクタンスとを測定した値を示す。コンデンサ単体の場合

埋め込み形 1 3 7 pH

裏面実装形 2 8 7pH コンデンサを 8個並列に接続した場合、

埋め込み形 6 OpH

7 2pH 以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデンサを内蔵することでインダクタンスを低減できる。

次に、信頼性試験を行った結果について説明する。ここでは、第 2実施形態のプリント配線板において、 1個のチップコンデンザの静電容量の変化率を測定した。静電容量変化率

(測定周波数 100Hz) (測定周波数 1kHz)

Steam 168時間： 0.3% 0.4%

HAST 100時間： -0.9% -0.9%

TS lOOOcycles: 1.1% 1.3%

Steam試験は、蒸気に当て湿度 1 0 0 %に保った。また、 HA S T試験では、. 相対湿度 1 0 0 %、印加電圧 1 . 3 V、温度 1 2 1でで 1 0 0時間放置した。 T S試験では、 — 1 2 5 で 3 0分、 5 5 °Cで 3 0分放置する試験を 1 0 0 0回線 - 59 - り返した。

上記信頼性試験において、チップコンデンサを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが分かつた。また、上述したように、 T S試験において、セラミックから成るコンデンサ 2 2 0と、樹脂からなるコア基板 2 3 0及び接着層 2 4 0との熱膨張率の違いから、内部応力が発生しても、チップコンデンサ 2 2 0と接着層 2 4 0との間で剥離、コア基板 2 3 0及び接着層 2 4 0にクラック力発生せず、長期に渡り高い信頼性を達成できることが判明した。

第 2実施形態の構造により、ィンダク夕ンスを起因とする電気特性の低下することはない。

また、コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、コンデンサなどが起因する応力が発生しても緩和されるし、マイグレーションの発生がない。そのために、コンデンサの電極とバイァホールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。そのために、信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができるのである。

また、コンデンサを銅によって被覆されている場合にも、マイグレーションの発生を防止することができる。

(第 3実施形態）

先ず、本発明の第 3実施形態に係るプリント配線板の構成について第 3 7図、第 3 8図を参照して説明する。第 3 7図は、プリント配線板 4 1 0の断面を示し、第 3 8図は、第 3 7図に示すプリント配線板 4 1 0に I Cチップ 4 9 0を搭載し、ド一夕ボード 4 9 4側へ取り付けた状態を示している。

第 3 7図に示すようにプリント配線板 4 1 0は、チップコンデンサ 4 2 0と、チップコンデンサ 4 2 0を収容するコア基板 4 3 0と、ビルドアップ層 4 8 O A,

4 8 O Bを構成する層間樹脂絶縁層 4 5 0とからなる。コア基板 4 3 0は、コンデンサ 4 2 0を収容する収容層 4 3 0 aと接続層 4 4 0とからなる。接続層 4 4 0には、バイァホ一ル 4 6 0及び導体回路 4 5 8が形成され、層間樹脂絶縁層 4

5 0には、バイァホ一ル 5 6 0及び導体回路 5 5 8力形成されている。本実施形 - 60 - 態では、ビルドアップ層が 1層の層間樹脂絶縁層 4 5 0からなるが、ビルドアップ層は、複数の層間樹脂絶縁層からなることができる。

チップコンデンサ 4 2 0は、第 4 5図に示すように第 1電極 4 2 1と第 2電極 4 2 2と、該第 1、第 2電極に挾まれた誘電体 4 2 3とから成り、該誘電体 4 2 3には、第 1電極 4 2 1側に接続された第 1導電膜.4 2 4と、第 2電極 4 2 2側に接続された第 2導電膜 4 2 5とが複数枚対向配置されている。本実施形態では、第 1電極 4 2 1及び第 2電極 4 2 2にめつきからなるバイァホ一ル 4 6 0を介して接続を取る。ここで、第 4 5図に示すように、第 1電極 4 2 1および第 2電極 4.2 2の上面の被覆層 4 2 8から金属（銅）層 4 2 6を露出させている。このため、第 3 7図に示すように、銅めつきからなるバイァホール 4 6 0との接続性が高くなり、また、接続抵抗を低減することができる。

第 3 8図に示すように上側のビルドアップ層 4 8 O Aのバイァホール 5 6 0には、 I Cチップ 4 9 0のパッド 4 9 2 S 1、 4 9 2 S 2、 4 9 2 P 1 , 4 9 2 P 2へ接続するためのバンプ 4 7 6が形成されている。一方、下側のビルドアップ層 4 8 0 Bのバイァホール 5 6 0には、ド一夕ボード 4 9 4のパッド 4 9 5 S 1、

4 9 5 S 2 , 4 9 5 P 1、 4 9 5 P 2へ接続するためのバンプ 4 7 6が配設されている。コア基板 4 3 0にはスルーホール 4 4 6が形成されている。

I Cチップ 4 9 0の信号用のパッド 4 9 2 S 2は、バンプ 4 7 6—導体回路 5

5 8—ノィァホール 5 6 0—スルーホール 4 4 6—バイァホール 5 6 0—バンプ 4 7 6を介して、ド一夕ポ一ド 4 9 4の信号用のパッド 4 9 5 S 2に接続されている。一方、 I Cチップ 4 9 0の信号用のパッド 4 9 2 S 1は、バンプ 4 7 6 - バイァホール 5 6 0—スル一ホール 4 4 6—バイァホール 5 6 0—バンプ 4 7 6 を介して、ド一夕ボード 4 9 4の信号用のパッド 4 9 5 S 1に接続されている。

I Cチップ 4 9 0の電源用パッド 4 9 2 P 1は、バンプ 4 7 6—バイァホール 5 6 0—導体回路 4 5 8—バイァホール 4 6 0を介してチップコンデンサ 4 2 0 の第 1電極 4 2 1へ接続されている。一方、ドータポード 4 9 4の電源用パッド 4 9 5 P 1は、バンプ 4 7 6—バイァホール 5 6 0—スルーホール 4 4 6—導体回路 4 5 8—バイァホール 4 6 0を介してチップコンデンサ 4 2 0の第 1電極 4 2 1へ接続されている。 - 61 -

I Cチップ 4 9 0の電源用パッド 4 9 2 P 2は、バンプ 4 7 6—バイァホール 5 6 0—導体回路 4 5 8—バイァホール 4 6 0を介してチップコンデンサ 4 2 0 の第 2電極 4 2 2へ接続されている。一方、ドー夕ボード 4 9 4の電源用パッド 4 9 5 P 2は、バンプ 4 7 6 _バイァホール 5 6 0—スルーホール 4 4 6—導体回路 4 5 8—バイァホール 4 6 0を介してチップコンデンサ 4 2 0の第 2電極 4 2 2へ接続されている。

第 3実施形態のプリント配線板 4 1 0では、 I Cチップ 4 9 0の直下にチップコンデンサ 4 2 0を配置するため、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなり、電力を瞬時的に I Cチップ側へ供給すること力可能になる。即ち、ループインダクタンスを決定するループ長さを短縮することができる。

更に、チップコンデンサ 4 2 0とチップコンデンサ 4 2 0との間にスルーホール 4 4 6を設け、チップコンデンサ 4 2 0を信号線が通過しない。このため、コンデンサを通過させた際に発生する高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延を防ぐことができる。

また、プリント配線板の裏面側に接続される外部基板（ドー夕ボード） 4 9 4 とコンデンサ 4 2 0の第 1電極 4 2 1，第 2電極 4 2 2とは、 I Cチップ側の接続層 4 4 0に設けられたバイァホール 4 6 0及びコア基板に形成されたスルーホール 4 4 6を介して接続される。即ち、心材を備え加工が困難な収容層 4 3 0 a に通孔を形成してコンデンザの端子と外部基板とを直接接続しないため、接続信頼性を高めることができる。

更に、本実施形態では、第 3 7図に示すようにコア基板 4 3 0の通孔 4 3 7の下面とチップコンデンサ 4 2 0との間に接着剤 4 3 6を介在させ、通孔 4 3 7の側面とチップコンデンサ 4 2 0との間に樹脂充填剤 4 3 6 aを充填してある。ここで、接着剤 4 3 6及び樹脂充填剤 4 3 6 aの熱膨張率を、コア基板 4 3 0及び接続層 4 4 0よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ 4 2 0 に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板及び接続層 4 4 0とチップコンデンサ 4 2 0との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板及び接続層 4 4 0にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することも出来る。 - 62 - 第 3実施形態のプリント配線板の製造工程について、第 3 4図〜第 3 7図を参照して説明する。

( 1 ) 先ず、心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレダ 4 3 5を 4枚積層してなる積層板 4 3 2 aにチップコンデンサ収容用の通孔 4 3 7を形成し、一方、プリプレダ 4 3 5を 2枚積層してなる積層板 4 3 '2 bを用意する（第 3 4図（A))。ここで、プリプレダとして、エポキシ以外でも、 B T、フエノール樹脂あるいはガラスクロスなどの強ィ匕材を含有したものを用い得る。次に、積層板 4 3 2 aと積層板 4 3 2 bとを重ね収容層 4 3 0 aを形成した後、通孔 4 3 7内に第 4 5図 (A) を参照して上述したように第 1、第 2電極 4 2 1， 4 2 2の上面の被覆 4 2 8を剥いだチップコンデンサ 4 2 0を収容させる（第 3 4図（B))。ここで、該通孔 4 3 7とチップコンデンサ 4 2 0との間に接着剤 4 3 6を介在させることが好適である。なお、本願で用いられる棚旨や層間樹脂腿層は融点が 3 0 O t 以下であるため、 3 5 0 を越える温度を加えると溶解、軟化もしくは炭化してしまう。接着剤 4 3 6は、熱膨張率がコア基板よりも小さいものが望ましい。なお、コア基板としてセラミックや A I Nなどの基板を用いることはできなかつた。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。

( 2 )次に、上記チップコンデンサ 4 2 0を収容する積層板 4 3 2 a及び積層板

4 3 2 bからなる収容層の両面に、樹脂フィルム（接続層） 4 4 0 aを積層させる（第 3 4図（C))。そして、両面からプレスして表面を平坦にする。その後、力 B熱して硬化させることで、チップコンデンサ 4 2 0を収容する収容層 4 3 0 a と接続層 4 4 0とからなるコア基板 4 3 0を形成する（第 3 4図（D))。本実施形態では、コンデンサ 4 2 0を収容した収容層 4 3 0 aと接続層 4 4 0とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板 4 3 0を形成するため、表面が平坦化される。これにより、後述する工程で、高い信頼性を備えるように層間樹脂絶縁層 4

5 0及び導体回路 5 5 8を積層することができる。

なお、コア基板の通孔 4 3 7の側面に樹脂充填剤 4 3 6 aを充填して、気密性を高めることが好適である。樹脂充填剤 4 3 6 aは、熱膨張率がコア基板よりも小さいものが望ましい。また、ここでは、樹脂フィルム 4 4 0 aには、第 1実施一 63 - 形態と同様な樹脂フィルムを用いることができ、金属層のないものを用いて積層させているが、片面に金属層を配設した樹脂フィルム（R C C)を用いてもよい。即ち、両面板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フィルムを用いることができる。

( 3 ) 次に、層間樹脂隱層 4 5 0 , コァ基板及び層間樹脂腿層 4 5 0に対して、ドリルでスルーホール用の 3 0 0〜 5 0 0 M mの通孔 4 4 6を穿設する（第

3 5図（A))。そして、 C〇2 レーザ、 YAGレーザ、エキシマレ一ザ又は UV レーザにより上面側の層間樹脂絶縁層 4 5 0にチップコンデンサ 4 2 0の第 1電極 4 2 1及び第 2電極 4 2 2へ至る非貫通孔 4 4 8を穿設する（第 3 5図（B))。場合によっては、非貫通孔の位置に対応させて通孔の穿設されたエリアマスクを載置してレーザでエリア加工を行ってもよい。更に、バイァホールの大きさゃ径が異なる物を形成する場合には、混合のレーザによって形成させてもよい。

(4) その後、デスミヤ処理を施す。引き続き、表面のパラジウム触媒を付与した後、無電解めつき液にコア基板 4 3 0を浸漬し、均一に無電解銅めつき膜 4 5 2を析出させる（第 3 5図（C).)。無電解銅めつき膜 4 5 2の表面に粗化層を形成することができる。粗化層は R a (平均粗度高さ） = 0. 0 l〜5 mである。特に望ましいのは、 0. 5〜3 x mの範囲である。

( 6 )そして、無電解めつき膜 4 5 2の表面に感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、露光 ·現像処理し、所定パターンのレジスト 4 5 4を形成する（第 3 6図（A))。ここでは、無電解めつきを用いている力スパッ夕により銅、ニッケル等の金属膜を形成することも可能である。スパッ夕はコスト的には不利であるが、樹脂との密着性を改善できる利点がある。そして、電解めつき液にコア基板 4 3 0を浸漬し、無電解めつき膜 4 5 2を介して電流を流し電解銅めつき膜 4 5 6を析出させる（第 3 6図（B) )。そして、レジスト 4 5 4を 5 %の KOHで剥離した後、レジスト 4 5 4下の無電解めつき膜 4 5 2を硫酸と過酸化水素混合液でエッチングして除去し、.接続層 4 4 0の非貫通孔 4 4 8にバイァホール 4 6 0、接続層 4 4 0の表面に導体回路 4 5 8を、コア基板 4 3 0の通孔 4

4 6 aにスルーホール 4 4 6を形成する（第 3 6図（C))。以降の工程は、第 2 実施形態の（1 0 ) 〜（1 5 ) と同様であるため、説明を省略する。 — 64— 該プリント配線板への I Cチップの載置及び、ドー夕ボードへの取り付けは第 1実施形態と同様であるため説明を省略する。

(第 3実施形態の第 1改変例）

弓 Iき続き、本発明の第 3実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板について、第 3 9図を参照して説明する。第 1改変例のプリント配線板は、上述した第 3実施形態とほぼ同様である。但し、この第 1改変例のプリント配線板では、導電性ピン 4 9 6が配設され、該導電性ピン 4 9 6を介してドー夕ボードとの接続を取るように形成されている。

また、上述した第 3実施形態では、コア基板 4 3 0に収容されるチップコンデンサ 4 2 0のみを備えていたが、第 1改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ 5 2 0力実装されている。

I Cチップは、瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。ここで、 I Cチップ側に大電力を供給するために、第 1改変例では、プリント配線板に電源用のチップコンデンサ 4 2 0及びチップコンデンサ 5 2 0を備えてある。このチップコンデンサによる効果については、第 1実施形態の第 4改変例と同様であるため、説明を省略する。

(第 3実施形態の第 2改変例）

弓 Iき続き、本発明の第 3実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板について、第 4 2図を参照して説明する。第 2改変例のプリント配線板は、上述した第 3実施形態とほぼ同様である。但し、第 3実施形態では、コア基板 4 3 0が収容層 4 3 0 aの両面に接続層 4 4 0が配設されたが、第 2実施形態では、収容層 4 3 0 aの上面にのみ接続層 4' 4 0が配設されている。

第 3実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板の製造工程について、第 3 9 図乃至第 4 1図を参照して説明する。

( 1 ) 先ず、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレダ 4 3 5を 4枚積層してなる積層板 4 3 2 aにチップコンデンサ収容用の通孔 4 3 7を形成し、一方、プリプレグ 4 3 βを 2枚積層してなる積層板 4 3 2 bを用意する（第 4 0図（A))。次に、積層板 4 3 2 の、積層板 4 3 2 aの通孔形成位置に対応させて接着材 4 3 6を介してチップコンデンサ 4 2 0を載置する（第 4 0図（B))。そして、積層板 4 - 65 -

3 2 aと積層板 4 3 2 bとを重ねチップコンデンサ 4 2 0の収容層 4 3 0 aを形成する（第 4 0図（C))。

( 2 ) 次に、上記チップコンデンサ 4 2 0を収容する積層板 4 3 2 a及び積層板 4 3 2 bからなる収容層 4 3 0 aの上面に、樹脂フィルム（接続層） 4 4 0 aを積層させる（第 4 0図（D))。そして、両面からプレスして表面を平坦にする。その後、加熱して硬化させることで、チップコンデンサ 4 2 0を収容する収容層 4 3 0 aと接続層 4 4 0とからなるコア基板 4 3 0を形成する（第 4 1図（A))。本実施形態では、コンデンサ 4 2 0を収容した収容層 4 3 0 aと接続層 4 4 0とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板 4 3 0を形成するため、表面が平坦化される。これにより、高い信頼性を備えるように層間樹脂絶縁層 4 5 0及び導体回路 5 5 8を積層することができる。

( 3 ) 次に、層間樹脂絶縁層 4 5 0 , コア基板及び層間樹脂騰層 4 5 0に対して、ドリルスルーホ一リレ用の 3 0 0〜5 0 0 zmの通孔 4 4 6を穿設する（第 4 1図（B))。そして、 C 02 レーザ、 YAGレーザ、エキシマレ一ザ又は UV レーザにより上面側の層間樹脂絶縁層 4 5 0にチップコンデンサ 4 2 0の第 1電極 4 2 1及び第 2電極 4 2 2へ至る非貫通孔 4 4 8を穿設する (第 4 1図（C))。以降の工程は、第 3実施形態の（3 ) 以降の工程と同様であるため、説明を省略する。

(第 3実施形態の第 3改変例）

引き続き、本発明の第 3実施形態の第 3改変例に係るプリント配線板について、第 4 4図を参照して説明する。第 3改変例のプリント配線板は、上述した第 3実施形態の第 2改変例とほぼ同様である。但し、第 2改変例では、コア基板 4 3 0 の I Cチップ側にみにバイァホール 4 6 0力配設されたが、第 3改変例では、 I Cチップ側のみならず、ドー夕ボード側にもバイァホール 4 6 0が配設されている。

この第 3改変例においては、裏面側にもバイァホール 4 6 0が配設されているため、チップコンデンサ 4 2 0とドー夕ボードとの配線長を短くするとができる。

第 3改変例に係るプリント配線板の製造工程について、第 4 3図を参照して説 —66— 明する。

( 1 ) 先ず、エポキシ測旨を含浸させたプリプレダ 4 3 5を 4枚積層してなる積層板 4 3 2 aにチップコンデンサ収容用の通孔 4 3 7を形成する。一方、プリプレグ 4 3 5を 2枚積層してなる積層板 4 3 2 bのチップコンデンサ搭載位置に電極へ至る通孔 4 3 9を穿設する（第 4 3図（A))。次に、積層板 4 3 2 bの、積層板 4 3 2 aの通孔形成位置に対応させて接着材 4 3 6を介してチップコンデンサ 4 2 0を載置する（第 4 3図（B))。そして、積層板 4 3 2 aと積層板 4 3 2 bとを重ね収容層 4 3 0 aを形成する（第 4 3図（C))。

( 2 ) 次に、収容層 4 3 0 aの上面に、樹脂フィルム（接続層） 4 4 0 aを積層させる（第 4 3図（D))。そして、両面からプレスして表面を平坦にする。その後、加熱して硬化させることで、チップコンデンサ 4 2 0を収容する収容層 4 3 0 aと接続層 4 4 0とからなるコア基板 4 3 0を形成する（第 4 4図参照)。以降の工程は、第 3実施形態の（3 )以降の工程と同様であるため、説明を省略する。

(第 3実施形態の第 4改変例）

引き続き、第 3実施形態の第 4改変例に係るプリント配線板について、第 4 6 図、第 4 7図を参照して説明する。

第 4改変例の構成は、第 3 7図を参照して上述した第 3実施形態と同様である。但し、第 4改変例のプリント配線板では、チップコンデンサ 4 2 0が、第 4 7図に示すように第 1、第 2電極 4 2 1 , 4 2 2の被覆層 4 2 8 (第 4 5図（A) 参照）を完全に剥離した後、銅めつき膜 4 2 9により被覆してある。そして、銅めつき膜 4 2 9で被覆した第 1、第 2電極 4 2 1 , 4 2 2に銅めつきよりなるバイァホール 4 6 0で電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極 4 2 1 , 4 2 2は、メタライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層を剥き出した状態で用いると、接続層 4 4 0に非貫通孔 4 4 8を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。この際には、当該樹脂残さにより第 1、第 2電極 4 2 1 , 4 2 2とバイァホール 4 6 0との接続不良が発生することがある。これに対して、第 4改変例では、銅めつき膜 4 2 9によって第 1、第 2電極 4 2 1 , 4 2 2の表面が平滑になり、電極上に被覆された接続層 4 4 0に非貫通孔 4 4 8を穿設した際に、樹脂残さが残らず、バイァホ一ル 4 6 0を形成した際の電 - 67 - 極 4 2 1， 4 2 2との接続信頼性を高めることができる。

更に、銅めつき膜 4 2 9の形成された電極 4 2 1、 4 2 2に、めっきによりバィァホール 4 6 0を形成するため、電極 4 2 1、 4 2 2とバイァホール 4 6 0との接続性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極 4 2 1、 4 2 2とバイァホール 4 6 0との間で断線が生じることがない。マイグレーションの発生もなく、コンデンサのバイァホ一ルの接続部での不都合を引き起こさなかった。なお、上記銅めつき膜 4 2 9は、チップコンデンサの製造段階で金属層 4 2 6 の表面に被覆されたニッケルスズ層（被覆層）を、プリン卜配線板への搭載の段階で剥離してから設ける。この代わりに、チップコンデンサ 4 2 0の製造段階で、金属層 4 2 6の上に直接銅めつき膜 4 2 9を被覆することも可能である。即ち、第 4改変例では、第 3実施形態と同様に、レーザにて電極の銅めつき膜 4 2 9へ至る開口を設けた後、デスミヤ処理等を行い、バイァホールを銅めつきにより形成する。従って、銅めつき膜 4 2 9の表面に酸化膜が形成されていても、上記レーザ及びデスミャ処理で酸化膜を除去できるため、適正に接続を取ることができる。

更に、チップコンデンサ 4 2 0のセラミックから成る誘電体 4 2 3の表面には粗化層 4 2 3ひが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ 4 2 0と樹脂からなる接続層 4 4 0との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接続層 4 4 0の剥離力発生することがない。この粗ィ匕層 4 2 3 αは、焼成後に、チップコンデンサ 4 2 0の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。なお、第 4改変例では、コンデンサの表面に粗ィ匕処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。

上述した実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。第 4改変例の銅めつきを被覆する構成及びチップコンデンサの表面を粗化する構成は、第 3実施形態、第 1、第 2、第 3改変例に適用可能であることは言うまでもない。 - 68-

(第 3実施形態の第 5改変例）

引き続き、第 3実施形態の第 5改変例に係るプリント配線板の構成について第 1 8図を参照して説明する。

この第 5改変例のプリント配線板の構成は、上述した第 1実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板 3 0への収容されるチップコンデンサ 2 0が異なる。第 1 8 図は、チップコンデンサの平面図を示している。第 1 8図（A) は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述した第 1実施形態のプリント配線板では、第 1 8図（B) に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。第 1 8 図（C) は、第 5改変例の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。第 5改変例のプリント配線板では、第 1 8図 (D)に平面図を示すようにチップコンデンザの側縁の内側に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。

この第 5改変例のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。引き続き、第 5改変例の第 1別例に係るプリント配線板第 1 9図を参照して説明する。

第 1 9図は、第 1別例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコンデンサ 2 0の平面図を示している。上述した第 1実施形態では、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第 1別例では、大容量の大判のチップコンデンサ 2 0をコア基板に収容してある。ここで、チップコンデンサ 2 0は、第 1電極 2 1と第 2電極 2 2と、誘電体 2 3と、第 1電極 2 1へ接続された第 1導電膜 2 4と、第 2電極 2 2 PJJに接続された第 2導電膜 2 5と、第 1導驢2 4及び第 2導電膜 2 5へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極 2 7 とから成る。この電極 2 7を介して I Cチップ側とドー夕ボード側とが接続されている。、

この第 1改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコ - 69 -

ンデンサ 2 0を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。

この第 2別例では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがなレ^

上述した実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。

ここで、第 3実施形態の第 4改変例のプリント配線板について、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ 4 2 0のィンダク夕ンスと、プリント配線板の裏面 (ドー夕ボード側の面）に実装したチップコンデンサのインダク夕ンスとを測定した値を示す。

コンデンサ単体の場合

埋め込み形 1 3 7 ρΗ

裏面実装形 2 8 7 ρΗ コンデンサを 8個並列に接続した場合

埋め込み形 6 ΟρΗ

裏面実装形 7 2ρΗ 以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデンサを内蔵することでインダク夕ンスを低減でき -70 - る。

次に、信頼性試験を行った結果について説明する。ここでは、第 4改変例のプリント配線板において、 1個のチップコンデンサの静電容量の変ィ匕率を測定した。

(測定周波数 100Hz) (測定周波数 1kHz)

Steam 168時間： 0.3% 0.4%

HAST 100時間： -0.9% -0.9%

TS lOOOcycles: 1.1% 1.3%

Steam試験は、蒸気に当て湿度 1 0 0 %に保った。また、 HA S T試験では、相対湿度 1 0 0 %、印加電圧 1 . 3 V、温度 1 2 1 で 1 0 0時間放置した。 T S試験では、一 1 2 5でで 3 0分、 5 5 °Cで 3 0分放置する試験を 1 0 0 0回線り返した。

上記信頼性試験において、チップコンデンサを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが分かつた。また、上述したように、 T S試験において、セラミックから成るコンデンザと、樹脂からなるコア基板及び層間觀旨! &禄層の熱膨張率の違いから、内部応力が発生しても、チップコンデンサの端子とバイァホールとの間に断線、チップコンデンザと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、長期に渡り高い信頼性を達成できることが判明した。

第 3実施形態の構造により、ィンダクタンスを起因とする電気特性の低下することはない。

また、コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、コンデンサなどが起因する応力が発生しても緩禾卩されるし、マイグレーションの発生がない。そのために、コンデンサの電極とバイァホールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。そのために、信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができるのである。

また、コンデンサの電極を銅によって被覆している場合にも、マイグレーションの発生を防止することができる。 - 71 -

(第 4実施形態）

本発明の第 4実施形態に係るプリント配線板の構成について第 5 1図、第 5 2 図を参照して説明する。第 5 1図は、プリント配線板 6 1 0の断面を示し、第 5 2図は、第 5 1図に示すプリント配線板 6 1 0に I Cチップ 6 9 0を搭載し、ド —夕ボード 6 9 4側へ取り付けた状態を示している。

第 5 1図に示すようにプリント配線板 6 1 0は、チップコンデンサ 6 2 0と、チップコンデンサ 6 2 0を収容するコァ基板 6 3 0と、ビルドアップ層 6 8 0 A、 6 8 0 Bを構成する層間樹脂 fe禄層 6 5 0とからなる。コァ基板 6 3 0は、コンデンサ 6 2 0を収容する収容層 6 3 0 aと接続層 6 4 0とからなる。接続層 6 4 0には、バイァホール 6 6 0及び導体回路 6 5 8が形成され、層間樹脂絶縁層 6

5 0には、バイァホール 7 6 0及び導体回路 7 5 8が形成されている。本実施形態では、ビルドアツプ層が 1層の層間樹脂絶縁層 6 5 0からなるが、ビルドアツプ層は、複数の層間樹脂絶縁層からなることができる。

チップコンデンサ 6 2 0は、第 4 5図に示すように第 1電極 6 2 1と第 2電極

6 2 2と、該第 1、第 2電極に挟まれた誘電体 6 2 3とから成り、該誘電体 6 2 3には、第 1電極 6 2 1側に接続された第 1導電膜 6 2 4と、第 2電極 6 2 2側に接続された第 2導電膜 6 2 5とが複数枚対向配置されている。

第 5 2図に示すように上側のビルドアップ層 6 8 O Aのバイァホール 7 6 0には、 I Cチップ 6 9 0のパッド 6 9 2 S 1、 6 9 2 S 2、 6 9 2 P 1 , 6 9 2 P 2へ接続するためのバンプ 6 7 6が形成されている。一方、下側のビルドアップ層 6 8 0 Bのバイァホール 7 6 0には、ドー夕ポード 6 9 4のパッド 6 9 5 S 1、 6 9 5 S 2 , 6 9 5 P 1、 6 9 5 P 2へ接続するためのバンプ 6 7 6が配設されている。コア基板 6 3 0にはスルーホール 6 4 6が形成されている。

I Cチップ 6 9 0の信号用のパッド 6 9 2 S 2は、バンプ 6 7 6—導体回路 7 5 8一バイァホール 7 6 0—スルーホール 6 4 6—バイァホール 7 6 0一バンプ 6 7 6を介して、ド一夕ボード 6 9 4の信号用のパッド 6 9 5 S 2に接続されている。一方、 I Cチップ 6 9 0の信号用のパッド 6 9 2 S 1は、バンプ 6 7 6 - バイァホール 7 6 0—スルーホール 6 4 6 _バイァホール 7 6 0—バンプ 6 7 6 - 72 - を介して、ドー夕ボード 6 9 4の信号用のパッド 6 9 5 S 1に接続されている。

I Cチップ 6 9 0の電源用パッド 6 9 2 P 1は、バンプ 6 7 6—バイァホール 7 6 0—導体回路 6 5 8—バイァホール 6 6 0を介してチップコンデンサ 6 2 0 の第 1電極 6 2 1へ接続されている。一方、ドー夕ボード 6 9 4の電源用パッド 6 9 5 P 1は、バンプ 6 7 6—バイァホール 7 6 0—導体回路 6 5 8—バイァホ —ル 6 6 0を介してチップコンデンサ 6 2 0の第 1電極 6 2 1へ接続されている。

I Cチップ 6 9 0の電源用パッド 6 9 2 P 2は、バンプ 6 7 6一バイァホール 7 6 0—導体回路 6 5 8 _バイァホール 6 6 0を介してチップコンデンサ 6 2 0 の第 2電極 6 2 2へ接続されている。一方、ドー夕ボード 6 9 4の電源用パッド 6 9 5 P 2は、ノンプ 6 7 6—バイァホール 7 6 0—導体回路 6 5 8—バイァホ —ル 6 6 0を介してチップコンデンサ 6 2 0の第 2電極 6 2 2へ接続されている。第 4実施形態のプリント配線板 6 1 0では、 I Cチップ 6 9 0の直下にチップコンデンサ 6 2 0を配置するため、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなり、電力を瞬時的に I Cチップ側へ供給することが可能になる。'即ち、ループインダクタンスを決定するループ長さを短縮することができる。

更に、チップコンデンサ 6 2 0とチップコンデンサ 6 2 0との間にスルーホ一ル 6 4 6を設け、チップコンデンサ 6 2 0を信号線が通過しない。このため、コンデンサを通過させた際に発生する高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延を防ぐことができる。

また、プリント配線板の裏面側に接続される外部基板（ドー夕ボード） 6 9 4 とコンデンサ 6 2 0の第 1電極 6 2 1，第 2電極 6 2 2とは、 I Cチップ側の接続層 6 4 0に設けられたバイァホール 6 6 0及びドー夕ボード側の接続層 6 4 0 に設けられたバイァホ一ル 6 6 0を介して接続される。即ち、コンデンサ 6 2 0 の端子 6 2 1 , 6 2 2と I Cチップ 6 9 0、ド一タボード 6 9 4とを直接接続するため、配線長を短縮することができる。

更に、第 4実施形態では、第 5 1図に示すようにコア基板 6 3 0の通孔 6 3 7 の側面とチップコンデンサ 6 2 0との間に接着剤 6 3 6を介在させてある。ここで、接着剤 6 3 6の熱膨張率を、コァ基板 6 3 0及び接続層 6 4 0よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ 6 2 0に近いように設定してある。 - 73 - このため、ヒートサイクル試験において、コア基板及び接続層 6 4 0とチップコンデンサ 6 2 0との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板及び接続層 6 4 0にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することもできる。

ひき続き、第 5 1図を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、第 4 8図〜第 4 9図を参照して説明する。

( 1 ) 先ず、ガラスクロス等の心材にエポキシ測旨を含浸させたプリプレダを積層してなる積層板（収容層） 6 3 2 aにチップコンデンサ収容用の通孔 6 3 7を形成する（第 4 8図（A) )。ここで、プリプレダとして、エポキシ以外でも、 B τ、フエノール樹脂あるいはガラスクロスなどの強ィ匕材を含有しているもの等、一般的にプリント配線板で使用されるものを用い得る。なお、ガラスクロスなどの心材を有しない樹脂基板を用いることもできる。

しかし、コア基板をセラミックや A I Nなどの基板を用いることはできなかつた。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。

( 2 ) 次に、収容層 6 3 2 aの通孔 6 3 7内にチップコンデンサ 6 2 0を収容させる（第 4 8図（B) )。ここで、チップコンデンサ 6 2 0の第 1、第 2電極 6 2

1， 6 2 2の表面の被覆 6 2 6 (第 4 5図参照）を剥いでおくことが、上層に形成されるバイァホール 6 6 0との接続性を高めるため望ましい。また、該通孔 6 3 7とチップコンデンサ 6 2 0との間に接着剤 6 3 6を介在させることが好適である。接着剤 6 3 6は、熱膨張率がコア基板及び接続層よりも小さいものがましい。

( 3 ) 次に、樹脂フィルム 6 4 0 a、上記チップコンデンサ 6 2 0を収容する収容層 6 3 2 a、更に、樹脂フィルム 6 4 0 aを積層させる（第 4 8図（C) )。この樹脂フィルム 6 4 0 aとしては、第 1実施形態と同様に、エポキシ、 B T、ポリイミド、ォレフィン等の熱硬ィ匕性樹脂、又は、熱硬ィ匕性樹月旨と熱可塑性樹脂との混合物を用いることができる。ここでは、通孔の形成が容易なように心材を備えないフィルムが望ましい。また、樹脂フィルム 6 4 0 aには、金属層のないものを用いて積層させているが、片面に金属層を配設した樹脂フィルム（R C C) - 74- を用いてもよい。即ち、両面板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フィルムを用いることができる。なお、チップコンデンサ 6 2 0の上下面に樹脂充填剤 6 3 6 aを充填して、気密性を高めることが好適である。なお、本願に用いられる樹脂や層間樹脂絶縁層は融点が 3 0 0で以下であるため、 3 5 0でを越える温度を加えると、溶解、軟化もくしは炭化してしまう。

(4) そして、積層した収容層 6 3 2 a及び樹 fl旨フィルム 6 4 0 aを両面からプレスして表面を平坦にする。その後、加熱して硬化させることで、チップコンデンサ 6 2 0を収容する収容層 6 3 0 a及び接続層 6 4 0からなるコア基板 6 3 0 を完成する（第 4 9図（A))。本実施形態では、コンデンサ 6 2 0を収容した収容層 6 3 0 aと接続層 6 4 0とを、両面に圧力を加えて張り合わせコァ基板 6 3 0を形成するため、表面が平坦化される。これにより、後述する工程で、高い信頼性を備えるように層間棚旨絶縁層 6 5 0及び導体回路 7 5 8を積層することができる。

( 5 ) 次に、 C 0 2レーザ、 YAGレーザ、エキシマレ一ザあるいは UVレーザにより上面側の接続層 6 4 0にバイァホールとなる非貫通孔 6 4 8を穿設する

(第 4 9図（B))。場合によっては、非貫通孔の位置に対応させて通孔の穿設されたエリアマスクを載置してレーザでエリア加工を行ってもよい。更に、バイァホールの大きさゃ径が異なる物を形成する場合には、混合のレーザによって形成させてもよい。

( 6 ) また、必要に応じて、バイァホール内のスミアを酸素、窒素などの気体プラズマ処理、コロナ処理などのドライ処理によって、あるいは、過マンガン酸などの酸化剤による浸積による処理によって行ってもよい。引き続き、接続層 6 4 0、収容層 6 3 0 a及び接続層 6 4 0からなるコア基板 6 3 0に対して、ドリル、又は、レーザでスルーホール用の通孔 6 4 6 aを 5 0〜 5 0 0 mで穿設する（第 4 9図（C))。

( 7 ) コァ基板 6 3 0の接続層 6 4 0の表層、ノィァホール用非貫通孔 6 4 8及びスルーホール用貫通孔 6 4 6 a内に金属膜を形成させる。このために、接続層 6 4 0の表面にパラジウム触媒を付与してから、無電解めつき液にコア基板 6 3 0を浸漬し、均一に無電解銅めつき膜 6 5 2を析出させる（第 5 0図（A) )。こ - 75 - こでは、無電解めつきを用いているが、スパッ夕により、銅、ニッケル等の金属層を形成することも可能である。スパッ夕はコスト的には不利であるが、樹脂層との密着性を改善できる利点がある。また、場合によってはスパッ夕で形成した後に、無電解めつき膜を形成させてもよい。樹脂によっては、触媒付与が安定しないものには有効であるし、無電解めつき膜と形成させた方が電解めつきの析出性が安定するからである。金属膜 6 5 2は、 0 . 1〜 3 mmの範囲で形成することが望ましい。

( 8 ) その後、金属膜 6 5 2の表面に感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、露光 ·現像処理し、所定パターンのレジスト 6 5 4を形成する。そして、電解めつき液にコア基板 6 3 0を浸漬し、無電解めつき膜 6 5 2を介して電流を流し電解銅めつき膜 6 5 6を析出させる（第 5 0図（B))。レジスト 6 5 4を 5 %の KOHで剥離した後、レジスト 6 5 4下の無電解めつき膜 6 5 2を硫酸と過酸化水素混合液でエッチングして除去し、接続層 6 4 0にバイァホール 6 6 0及び導体回路 6 5 8を、一方、コア基板 6 3 0の通孔 6 4 6 aにスルーホ一リレ 6 4 6を形成する（第 5 0図（C))。以降の工程は、第 2実施例の（1 0 ) 〜 ( 1 5 ) の工程と同様であるため、説明を省略する。

該プリント配線板への I Cチップの載置及び、ドー夕ボ一ドへの取り付けは第 1実施形態と同様であるため説明を省略する。

(第 4実施形態の第 1改変例）

第 5 3図は、第 4実施形態のプリント配線板の第 1改変例を示している。第 5 3図中に示す第 1改変例のようにチップコンデンサ 6 2 0の第 1電極 6 2 1，第 2電極 6 2 2とバイァホール 6 6 0とを接着材料 6 3 4を介して接続することもできる。接着材料 6 3 4は、半田（S n ZP b、 S nZS b、 S nZA g)、導電性ペースト、あるいは樹脂に金属粒子が含浸されたもの等の導電性と接着性を兼ね備えるものを用いることができる。

(第 4実施形態の第 2改変例）

弓続き、本発明の第 4実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板について、第 5 4図を参照して説明する。第 2改変例のプリント配線板は、上述した第 4実施形態とほぼ同様である。但し、この第 2改変例のプリント配線板では、導電性 - 76 - ピン 6 9 6が配設され、該導電性ピン 6 9 6を介してドー夕ボードとの接続を取るように形成されている。

また、上述した第 4実施形態では、コア基板 6 3 0に収容されるチップコンデンサ 6 2 0のみを備えていたが、第 1改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ 7 2 0が実装されている。

I Cチップは、瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。ここで、 I Cチップ側に大電力を供給するために、本実施形態では、プリント配線板に電源用のチップコンデンサ 6 2 0及びチップコンデンサ 7 2 0を備えてある。このチップコンデンサによる効果については、第 1実施例の第 4改変例と同様であるため、説明を省略する。

(第 4実施形態の第 3改変例）

本発明の第 3改変例に係るプリント配線板について、第 5 5図を参照して説明する。第 3改変例のプリント配線板 6 1 0は、上述した第 4実施形態とほぼ同様である。但し、この第 3改変例のプリント配線板では、チップコンデンサ 6 2 0 の第 1電極 6 2 1 , 第 2電極 6 2 2上にフィルドビア 6 6 0が形成され、フィルドビア 7 6 0を介して I Cチップ 6 9 0のバンプ 6 9 2と接続されている。

(第 4実施形態の第 4改変例）

本発明の第 4実施形態の第 4改変例に係るプリント配線板について、第 5 6図を参照して説明する。第 4改変例のプリント配線板 6 1 0は、上述した第 4実施形態とほぼ同様である。但し、この改変例のプリント配線板では、チップコンデンサ 6 2 0の第 1電極 6 2 1，第 2電極 6 2 2にフィルドビア 6 6 0が形成され、該フィルドビア 6 6 0の直上に形成されたフィルドビア 7 6 0を介して I Cチップ 6 9 0のバンプ 6 9 2 P 1、 6 9 2 P 2と接続されている。この第 4改変例では、 I Cチップとチップコンデンサとの距離を最短にすることができる。

(第 4実施形態の第 5改変例）

第 5改変例に係るプリント配線板について、第 5 7図を参照して説明する。第 5改変例のプリント配線板 6 1 0は、上述した第 4実施形態とほぼ同様である。但し、この改変例のプリント配線板では、チップコンデンサ 6 2 0の第 1電極 6 2 1，第 1電極 6 2 2を介して、 I Cチップ 6 9 0側のパッドとド一夕ボード 6 -77 -

9 4側のパッド 6 9 5とが接続されている。即ち、 I Cチップとドー夕ポ一ドとの電源用、アース用のスルーホールが省かれている。この第 5改変例では、第 4 実施形態と比べて配線密度を高めることができる。

(第 4実施形態の第 6改変例）

引き続き、第 4実施形態の第 6改変例に係るプリント配線板について、第 5 8 図、第 5 9図を参照して説明する。

第 6改変例の構成は、第 5 1図を参照して上述した第 4実施形態と同様である。但し、第 6改変例のプリント配線板では、チップコンデンサ 6 2 0が、第 5 9図に示すように第 1、第 2電極 6 2 1， 6 2 2の被覆層 6 2 6 (第 4 5図参照）を完全に剥離した後、銅めつき膜 6 2 9により被覆してある。そして、銅めつき膜 6 2 9で被覆した第 1、第 2電極 6 2 1 , 6 2 2に銅めつきよりなるバイァホール 6 6 0で電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極 6 2 1 , 6 2 2は、メタライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層を剥き出した状態で用いると、接続層 6 4 0に非貫通孔 6 4 8を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。この際には、当該樹脂残さにより第 1、第 2電極 6 2 1 , 6 2 2とバイァホール 6 6 0との接続不良が発生することがある。これに対して、第 6改変例では、銅めつき膜 6 2 9によって第 1、第 2電極 6 2 1 , 6 2 2の表面が平滑になり、電極上に被覆された接続層 6 4 0に非貫通孔 6 4 8 を穿設した際に、樹脂残さが残らず、バイァホール 6 6 0を形成した際の電極 6 2 1 , 6 2 2との接続信頼性を高めることができる。

更に、銅めつき膜 6 2 9の形成された電極 6 2 1、 6 2 2に、めっきによりバィァホール 6 6 0を形成するため、電極 6 2 1、 6 2 2とバイァホール 6 6 0との接続性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極 6 2 1、 6 2 2とバイァホール 6 6 0との間で断線が生じることがない。

なお、上記銅めつき膜 6 2 9は、チップコンデンサの製造段階で第 1、第 1電極を構成する金属層 6 2 8の表面に被覆されたニッケルノスズ層（被覆層）を、プリント配線板への搭載の段階で剥離してから設ける。この代わりに、チップコンデンサ 6 2 0の製造段階で、金属層 6 2 8の上に直接銅めつき膜 6 2 9を被覆することも可能である。即ち、第 6改変例では、第 4実施形態と同様に、レーザ - 78- にて電極の銅めつき膜 6 2 9へ至る開口を設けた後、デスミヤ処理等を行い、バィァホールを銅めつきにより形成する。従って、銅めつき膜 6 2 9の表面に酸ィ匕膜が形成されていても、上記レーザ及びデスミャ処理で酸化膜を除去できるため、適正に接続を取ることができる。

なお、第 1実施形態と同様に第 1 7図（B) に示すようにコンデンサ 2 0の第 1電極 2 1、第 2電極 2 2の被覆 2 8の一部を除去して用いることも可能である。第 1電極 2 1、第 2電極 2 2を露出させることでめっきからなるバイァホールとの接続性を高めることができるからである。、更に、チップコンデンサ 6 2 0のセラミックから成る誘電体 6 2 3の表面には粗ィ匕層 6 2 3 αが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ 6 2 0と樹脂からなる接続層 6 4 0との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接続層 6 4 0の剥離が発生することがない。この粗化層 6 2 3 αは、焼成後に、チップコンデンサ 6 2 0の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。なお、第 6改変例では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。

(第 4実施形態の第 7改変例）

引き続き、第 4実施形態の第 7改変例に係るプリント配線板の構成について第 1 8図を参照して説明する。

この第 7改変例のプリント配線板の構成は、上述した第 1実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板 3 0への収容されるチップコンデンサ 2 0が異なる。第 1 8 図は、チップコンデンサの平面図を示している。第 1 8図（Α) は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述した第 1実施形態のプリント配線板では、第 1 8図（Β) に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。第 1 8 図（C) は、第 7改変例の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、.裁断線を示している。第 7改変例のプリント配線板では、第 1 8図 (D)に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第 1電極 2 1及び第 - 79-

2電極 2 2を配設してある。

この第 7改変例のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。引き続き、第 7改変例の第 1別例に係るプリント配線板第 1 9図を参照して説明する。

第 1 9図は、第 1別例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコンデンサ 2 0の平面図を示している。上述した第 1実施形態では、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第 1別例では、大容量の大判のチップコンデンサ 2 0をコア基板に収容してある。ここで、チップコンデンサ 2 0は、第 1電極 2 1と第 2電極 2 2と、誘電体 2 3と、第 1電極 2 1へ接続された第 1導電膜 2 4と、第 2電極 2 2側に接続された第 2導電膜 2 5と、第 1導 ¾Ε 2 4及び第 2導電膜 2 5へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極 2 7 とから成る。この電極 2 7を介して I Cチップ側とドー夕ボード側とが接続されている。

この第 1改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、ヒートサイタルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。

第 2 0図を参照して第 2別例に係るプリント配線板について明する。第 2 0図 (Α) は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、通常の裁断線を示し、第 2 0図（Β)は、チップコンデンサの平面図を示している。第 2 0図（Β) に示すように、この第 2別例では、多数個取り用のチップコンデンサを複数個（図中の例では 3枚）連結させて大判で用いている。

この第 2別例では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いること力できる。また、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。

上述した実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、 - 80 - チップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。第 6改変例の銅めつきを被覆する構成及びチップコンデンサの表面を粗化する構成は、第 4実施形態、第 1、第 2、第 3、第 4、第 5、第 6改変例に適用可能であることは言うまでもない。

ここで、第 4実施形態の第 6改変例のプリント配線板について、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ 6 2 0のインダクタンスと、プリント配線板の裏面 (ド一夕ポード側の面）に実装したチップコンデンサのィンダクタンスとを測定した値を示す。

コンデンサ単体の場合

埋め込み形 1 3 7pH

2 8 7pH コンデンサを 8個並列に接続した場合

埋め込み形 6 OpH

裏面実装形 ' 7 2pH 以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデンサを内蔵することでィンダク夕ンスを低減できる。

次に、信頼性試験を行った結果について説明する。ここでは、第 6改変例のプリント配線板において、 1個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測定した。

(測定周波数 100Hz) (測定周波数 1kHz)

Steam 168時間： 0.3% 0.4%

HAST 100時間： -0.9% -0.9%

TS lOOOcycles: 1.1% 1.3%

Steam試験は、蒸気に当て湿度 1 0 0 %に保った。また、 HA S T試験では、一 81—

相対湿度 1 0 0 %、印加電圧 1 . 3 V、温度 1 2 1でで 1 0 0時間放置した。 T S試験では、 — 1 2 5 °Cで 3 0分、 5 5 で 3 0分放置する試験を 1 0 0 0回線り返した。

上記信頼性試験において、チップコンデンサを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが分かつた。また、上述したように、 T S試験において、セラミックから成るコンデンザと、棚旨からなるコア基板及び層間棚旨絶縁層の熱膨張率の違いから、内部応力力発生しても、チップコンデンサの端子とバイァホールとの間に断線、チッブコンデンザと層間樹脂聽層との間で剥離、層間樹脂繊層にクラックが発生せず、長期に渡り高い信頼性を達成できることが判明した。

第 4実施形態の構造により、インダク夕ンスを起因とする電気特性の低下することはない。

.コンデンザの下部からも接続することが可能となるので、ループィンダクタンスの距離を短くし、配設する自由度を増す構造であるといえる。

また、コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、コンデンサなど力起因する応力が発生しても緩和されるし、マイグレーションの発生がない。そのために、コンデンサの電極とバイァホールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。

(第 5実施形態）

先ず、本発明の第 5実施形態に係るプリント配線板の構成について第 6 3図、第 6 4図を参照して説明する。第 6 3図は、プリント配線板 8 1 0の断面を示し、第 6 4図は、第 6 3図に示すプリント配線板 8 1 0に I Cチップ 8 9 0を搭載し、ドー夕ポード 8 9 4側へ取り付けた状態を示している。

第 6 3図に示すようにプリント配線板 8 1 0は、チップコンデンサ 8 2 0と、一 82 - チップコンデンサ 8 2 0を収容するコア基板 8 3 0と、ビルドアップ層 8 8 0 A、 8 8 0 Bを構成する層間樹脂絶縁層 8 5 0とからなる。コア基板 8 3 0は、コンデンサ 8 2 0を収容する収容層 8 3 0 aと接続層 8 4 0とからなる。接続層 8 4 0には、バイァホール 8 6 0及び導体回路 8 5 8が形成され、層間樹脂赚層 8 5 0には、バイァホール 9 6 0及び導体回路 9 5 8が形成されている。本実施形態では、ビルドアップ層が 1層の層間樹脂feM層 8 5 0からなるが、ビルドアップ層は、複数の層間樹脂絶縁層からなること力できる。

チップコンデンサ 8 2 0は、第 6 6図（A) に示すように第 1電極 8 2 1と第 2電極 8 2 2と、該第 1、第 2電極に挟まれた誘電体 8 2 3とから成り、該誘電体 8 2 3には、第 1電極 8 2 1側に接続された第 1導電膜 8 2 4と、第 2電極 8 2 2側に接続された第 2導電膜 8 2 5と力複数枚対向配置されている。第 1電極 8 2 1及び第 2電極 8 2 2は、銅メタライズからなる金属層 8 2 6に、半田等の被覆層 8 2 8力被されている。本実施形態では、第 1電極 8 2 1及び第 2電極 8 2 2にめつきからなるバイァホール 8 6 0で接続を取る。第 5実施形態のプリント配線板では、第 6 6図（B) に示すように、チップコンデンサ 8 2 0の第 1電極 8 2 1および第 2電極 8 2 2の上面の被覆層 8 2 8から金属層 8 2 6を露出させている。このため、第 6 3図に示すように、第 1、第 2電極 8 2 1， 8 2 2とめっきからなるバイァホール 8 6 0との接続性が高くなり、また、接続抵抗を低減することができる。

更に、チップコンデンサ 8 2 0のセラミックから成る誘電体 8 2 3の表面には粗ィ匕層 8 2 3 αが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ 8 2 0と樹脂からなる接続層 8 4 0との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接続層 8 4 0の剥離が発生することがない。この粗化層 8 2 3 ひは、焼成後に、チップコンデンサ 8 2 0の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。

第 6 4図に示すように上側のビルドアップ層 8 8 O Aのバイァホール 9 6 0には、 I Cチップ 8 9 0のパッド 8 9 2 S 1、 8 9 2 S 2、 8 9 2 P 1 , 8 9 2 P 2へ接続するためのバンプ 8 7 6が形成されている。一方、下側のビルドアップ層 8 8 0 Bのバイァホール 9 6 0には、ドー夕ボード 8 9 4のパッド 8 9 5 S 1、 - 83 -

8 9 5 S 2、 8 9 5 P 1、 8 9 5 P 2へ接続するためのバンプ 8 7 6が配設されている。コア基板 8 3 0にはスルーホール 8 4 6力形成されている。

I Cチップ 8 9 0の信号用のパッド 8 9 2 S 2は、バンプ 8 7 6—導体回路 9 5 8—バイァホール 9 6 0一スルーホール 8 4 6—バイァホール 9 6 0—バンプ 8 7 6を介して、ドー夕ボード 8 9 4の信号用のパッド 8 9 5 S 2に接続されている。一方、 I Cチップ 8 9 0の信号用のパッド 8 9 2 S 1は、バンプ 8 7 6 - バイァホール 9 6 0一スルーホール 8 4 6一バイァホール 9 6 0—バンプ 8 7 6 を介して、ドー夕ボ一ド 8 9 4の信号用のパッド 8 9 5 S 1に接続されている。

I Cチップ 8 9 0の電源用パッド 8 9 2 P 1は、バンプ 8 7 6—バイァホール 9 6 0—導体回路 8 5 8 _バイァホール 8 6 0を介してチップコンデンサ 8 2 0 の第 1電極 8 2 1へ接続されている。一方、ドー夕ボ一ド 8 9 4の電源用パッド

8 9 5 P 1は、バンプ 8 7 6 _バイァホール 9 6 0—スルーホール 8 4 6—導体回路 8 5 8—バイァホール 8 6 0を介してチップコンデンサ 8 2 0の第 1電極 8 2 1へ接続されている。

I Cチップ 8 9 0の電源用パッド 8 9 2 P 2は、バンプ 8 7 6—バイァホール

9 6 0 _導体回路 8 5 8 _バイァホール 8 6 0を介してチップコンデンサ 8 2 0 の第 2電極 8 2 2へ接続されている。一方、ドー夕ボード 8 9 4の電源用パッド 8 9 5 P 2は、バンプ 8 7 6 _バイァホール 9 6 0—スルーホール 8 4 6—導体回路 8 5 8—バイァホール 8 6 0を介してチップコンデンサ 8 2 0の第 2電極 8 2 2へ接続されている。

第 5実施形態のプリント配線板 8 1 0では、 I Cチップ 8 9 0の直下にチップコンデンサ 8 2 0を配置するため、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなり、 •電力を瞬時的に I Cチップ側べ供給することが可能になる。即ぢ、ループインダクタンスを決定するループ長さを短縮することができる。

更に、チップコンデンサ 8 2 0とチップコンデンサ 8 2 0との間にスル一ホール 8 4 6を設け、チップコンデンサ 8 2 0を信号線が通過しない。このため、コンデンサを通過させた際に発生する高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝搬遅延を防ぐことができる。

また、プリント配線板の裏面側に接続される外部基板（ドー夕ボード） 8 9 4 - 84 - とコンデンサ 8 2 0の第 1電極 8 2 1，第 2電極 8 2 2とは、 I Cチップ側の接続層 8 4 0に設けられたバイァホール 8 6 0及びコア基板に形成されたスルーホール 8 4 6を介して接続される。即ち、心材を備え加工が困難な収容層 8 3 0 a に通孔を形成してコンデンザの端子と外部基板とを直接接続しないため、接続信頼性を高めることができる。

また、本実施形態では、第 6 3図に示すようにコア基板 8 3 0の通孔 8 3 7の下面とチップコンデンサ 8 2 0との間に接着剤 8 3 6を介在させ、通孔 8 3 7の側面とチップコンデンサ 8 2 0との間に樹脂充填剤 8 3 6 aを充填してある。ここで、接着剤 8 3 6及び樹脂充填剤 8 3 6 aの熱膨張率を、コア基板 8 3 0及び接続層 8 4 0よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ 8 2 0 に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板及び接続層 8 4 0とチップコンデンサ 8 2 0との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板及び接続層 8 4 0にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することもできる。第 5実施形態のプリント配線板の製造工程について、第 6 0図〜第 6 3図を参照して説明する。

( 1 ) 先ず、心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレダ 8 3 5を 4枚積層してなる積層板 8 3 2 aにチップコンデンサ収容用の通孔 8 3 7を形成し、一方、プリプレダ 8 3 5を 2枚積層してなる積層板 8 3 2 bを用意する（第 6 0図（A) )。ここで、プリプレダとして、エポキシ以外でも、 B T、フエノーリレ樹月旨あるいはガラスクロスなどの強ィ匕材を含有したものを用い得る。しかし、コア基板をセラミックゃ A I Nなどの基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。次に、積層板 8 3 2 aと積層板 8 3 2 bとを重ね収容層 8 3 0 aを形成した後、通孔 8 3 7内に第 6 6図（B) を参照して上述したように第 1、第 2電極 8 2 1 , 8 2 2の上面の被覆 8 2 8を剥いだチップコンデンサ 8 2 0を収容させる（第 6 0図（B) )。ここで、該通孔 8 3 7とチップコンデンサ 8 2 0との間に接着剤 8 3 6を介在させることが好適である。なお、本願に用いられる樹脂及び眉間樹脂絶縁層は、融点が 3 0 0 以下であり、 3 5 0で一 85— 以上の温度を加えると、溶解、軟化もくしは炭化してしまう。

( 2 ) 次に、上記チップコンデンサ 8 2 0を収容する積層板 8 3 2 a及び積層板 8 3 2 bからなる収容層の両面に、第 1実施形態と同様な樹脂フィルム（接続層） 8 4 0 aを積層させる（第 6 0図（C))。そして、両面からプレスして表面を平坦にする。その後、加熱して硬化させることで、チップコンデンサ 8 2 0を収容する収容層 8 3 0 aと接続層 8 4 0とからなるコア基板 8 3 0を形成する（第 6 0図（D))。本実施形態では、コンデンサ 8 2 0を収容した収容層 8 3 0 aと接続層 8 4 0とを、両面に圧力を加えて張り合わせコア基板 8 3 0を形成するため、表面が平坦化される。これにより、後述する工程で、高い信頼性を備えるように層間樹脂絶縁層 8 5 0及び導体回路 9 5 8を積層することができる。

( 3 ) なお、コア基板の通孔 8 3 7の側面に樹脂充填剤 8 3 6 aを充填して、気密性を高めることが好適である。また、ここでは、樹脂フィルム 8 4 0 aには、金属層のないものを用いて積層させているが、片面に金属層を配設した樹脂フィルム（R C C) を用いてもよい。即ち、両面板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フィルムを用いることができる。

(4) 次に、層間樹脂請層 8 5 0 , コア基板及び層間榭脂赚層 8 5 0に対して、ドリルでスルーホール用の 3 0 0〜5 0 0 /zmの通孔 8 4 6 aを穿設する（第 6 1図（A) )。そして、 C 02 レ一ザ、 YAGレーザ、エキシマレーザ又は UV レーザにより上面側の層間樹脂絶縁層 8 5 0にチップコンデンサ 8 2 0の第 1電極 8 2 1及び第 2電極 8 2 2へ至る非貫通孔 8 4 8を穿設する（第 6 1図（B))。場合によっては、非貫通孔の位置に対応させて通孔の穿設されたエリアマスクを載置してレーザでエリア加工を行ってもよい。更に、バイァホールの大きさゃ径が異なる物を形成する場合には、混合のレーザによって形成させてもよい。

( 5 ) その後、デスミヤ処理を施す。引き続き、表面のパラジウム触媒を付与した後、無電解めつき液にコア基板 8 3 0を浸漬し、均一に無電解銅めつき膜 8 5

2を析出させる（第 6 1図（C))。無電解銅めつき膜 8 5 2の表面に粗ィヒ層を形成することもできる。粗化層は R a (平均粗度高さ） = 0. 0 1〜5 μπιである。特に望ましいのは、 0 . 5〜 3 mの範囲である。

( 6 )そして、無電解めつき膜 8 5 2の表面に感光性ドライフィルムを張り付け、 — 86— マスクを載置して、露光 ·現像処理し、所定パターンのレジスト 8 5 4を形成する（第 6 2図（A))。ここでは、無電解めつきを用いているが、スパッ夕により銅、ニッケル等の金属膜を形成することも可能である。スパッ夕はコスト的には不利であるが、樹脂との密着性を改善できる利点がある。そして、電解めつき液にコア基板 8 3 0を浸漬し、無電解めつき膜 8 5 2を介して電流を流し電解銅めつき膜 8 5 6を析出させる（第 6 2図（B))。そして、レジスト 8 5 4を 5 %の KOHで剥離した後、レジスト 8 5 4下の無電解めつき膜 8 5 2を硫酸と過酸化水素混合液でエッチングして除去し、接続層 8 4 0の非貫通孔 8 4 8にバイァホ —ル 8 6 0、接続層 8 4 0の表面に導体回路 8 5 8を、コア基板 8 3 0の通孔 8 4 6 aにスルーホール 8 4 6を形成する（第 6 2図（C))。以降の工程は、第 2 実施例の（1 0 ) 〜（1 5 ) の工程と同様であるため、説明を省略する。

該プリント配線板への I Cチップの載置及び、ドー夕ボ一ドへの取り付けは、第 1実施形態と同様であるため説明を省略する。

(第 5実施形態の第 1改変例）

引き続き、本発明の第 5実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板について、第 6 5図を参照して説明する。第 1改変例のプリント配線板 8 1 0は、導電性ピン 8 9 6が配設され、該導電性ピン 8 9 6を介してドー夕ボードとの接続を取るように形成されている。また、コア基板 8 3 0力通孔 8.3 7を有する収容層 8 3 0 aと、該収容層 8 3 0 aの両面に配設された接続層 8 4 0とからなる。そして、収容層 8 3 0 aの両面に配設された接続層 8 4 0に、チップコンデンサ 8 2 0の電極 8 2 1， 8 2 2と接続するバイァホ一ル 8 6 0が配設され、 I Cチップ 8 9 0、及び、導電性ピン 8 9 6へ接続されている。この第 1改変例では、第 6 6図（C) に示すように、チップコンデンサ 8 2 0の電極 8 2 1， 8 2 2の被覆は完全に除去されている。

上述した第 5実施形態では、コア基板 8 3 0に収容されるチップコンデンサ 8 2 0のみを備えていたが、第 1改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ 9 2 0が実装されている。

I Cチップは、瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。ここで、 I Cチップ側に大電力を供給するために、第 1改変例では、プリント配線板に電源 - 87 - 用のチップコンデンサ 8 2 0及びチップコンデンサ 9 2 0を備えてある。このチップコンデンサによる効果については、第 1実施形態の第 4改変例と同様であるため、説明を省略する。

(第 5実施形態の第 2改変例）

次に、第 2改変例に係るプリント配線板について、第 6 7図及び第 6 8図を参照して説明する。

この第 2改変例の構成は、上述した第 5実施形態とほぼ同様である。但し、上述した第 5実施形態では、チップコンデンサ 8 2 0の電極 8 2 1 , 8 2 2の被覆を一部剥いで金属層 8 2 6の表面を露出させた。これに対して、第 2改変例では、チップコンデンサ 8 2 0は、第 6 8図（A) に示すように金属層 8 2 6の被覆を完全に剥いだ後、第 6 8図（B) に示すように、金属層 8 2 6の表面に銅めつき膜 8 2 9を被覆してある。めっき膜の被覆は、電解めつき、無電解めつきなどのめっきで形成されている。そして、第 6 7図に示すように銅めつき膜 8 2 9を被覆した第 1、第 2電極 8 2 1 , 8 2 2に銅めつきよりなるバイァホール 8 6 0で電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極 8 2 1 , 8 2 2は、メタライズからなり表面に凹凸がある。このため、第 5実施形態の第 6 1図（B) に示す接続層 8 4 0に非貫通孔 8 4 8を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。この際には、当該 1 脂残さにより第 1、第 2電極 8 2 1 , 8 2 2とバイァホール 8 6 0との接続不良が発生することがある。一方、第 2改変例では、銅めつき膜 8 2 9によって第 1、第 2電極 8 2 1 , 8 2 2の表面が平滑に' なり、電極上に被覆された接続層 8 4 0に非貫通孔 8 4 8を穿設した際に、樹脂残さが残らず、バイァホール 8 6 0を形成した際の電極 8 2 1 , 8 2 2との接続信頼性を高めることができる。

更に、銅めつき膜 8 2 9の形成された電極 8 2 1、 8 2 2に、めっきによりバィァホール 8 6 0を形成するため、電極 8 2 1、 8 2 2とバイァホール 8 6 0との接続性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極 8 2 1、 8 2 2とバイァホール 8 6 0との間で断線が生じることがない。

なお、ここでは、プリント配線板への収容の段階で、被覆層 8 2 8を取って、銅めつき膜 8 2 9を設けたが、チップコンデンサ 8 2 0の製造段階で、金属層 8 - 88-

2 6の上に直接銅めつき膜 8 2 9を被覆することも可能である。即ち、第 2改変例では、レーザにて電極の銅めつき膜 8 2 9へ至る開口を設けた後、デスミヤ処理等を行い、ノィァホールを銅めつきにより形成する。従って、銅めつき膜 8 2 9の表面に酸化膜が形成されていても、上記レーザ及びデスミヤ処理で酸化膜を除去できるため、適正に接続を取ることができる。

更に、チップコンデンサ 8 2 0のセラミックから成る誘電体 8 2 3の表面には粗化層 8 2 3 ひが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ 8 2 0と樹脂からなる接続層 8 4 0との密着性が高く、ヒ一トサイクル試験を実施しても界面での接続層 8 4 0の剥離が発生することがない。

(第 5実施形態の第 3改変例）

引き続き、第 3改変例に係るプリント配線板の構成について第 6 9図及び第 1 8図を参照して説明する。

この第 3改変例のプリント配線板 8 1 0の構成は、上述した第 5実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板 8 3 0への収容されるチップコンデンサ 2 0が異なる。第 1 8図は、チップコンデンサの平面図を示している。第 1 8図（A)は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述した第 3改変例のプリント配線板では、第 1 8図（B) に平面図を示すようにチップコンデンザの側縁に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。第 1 8図（C) は、第 3改変例の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。第 3改変例のプリント配線板では、第 1 8図（D) に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。

この第 3改変例のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。なお、第 3改変例でも、チップコンデンサの表面は粗化処理が施されている。

(第 5実施形態の第 4改変例）

引き続き、本発明の第 4改変例に係るプリント配線板の構成について第 7 0図及び第 1 9図を参照して説明する。一 89— 第 7 0図は、第 4改変例のプリント配線板 8 1 0の断面を示し、第 6 8図は、該プリント配線板 8 1 0のコア基板 8 3 0に収容されるチップコンデンサ 2 0の平面図を示している。上述した第 5実施形態では、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第 4改変例では、マトリクス状に電極を形成した大容量の大判のチップコンデンサ 2 0をコア基板 8 3 0に収容してある。ここで、チップコンデンサ 2 0は、第 1電極 2 1と第 2電極 2 2と、誘電体 2 3と、第 1電極 2 1へ接続された第 1導電膜 2 4と、第 2電極 2 2側に接続された第 2 導電膜 2 5と、第 1導電膜 2 4及び第 2導電膜 2 5へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極 2 7とカゝら成る。この電極 2 7を介して I Cチップ側とドー夕ポード側とが接続されている。

この第 4改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板 8 1 0に反りが発生することがない。なお、第 4改変例でも、チップコンデンサの表面は粗化処理力 ¾Sされている。

(第 5実施形態の第 5改変例）

第 7 1図及び第 2 0図を参照して第 5改変例に係るプリント配線板について説明する。第 7 1図は、該プリント配線板の断面を示している。第 2 0図（A)は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、通常の裁断線を示し、第 2 0図（B) は、チップコンデンサの平面図を示している。第 2 0図（B) に示すように、この改変例では、多数個取り用のチップコンデンサを複数個（図中の例では 3枚）連結させて大判で用いている。

この第 5改変例では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ 2 0 を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板 8 1 0に反りが発生することがない。なお、第 5改変例でも、チップコンデンサの表面は粗化処理が施されている。

(第 5実施形態の第 6改変例）

第 7 2図を参照して第 6改変例に係るプリント配線板について説明する。第 7 一 90—

2図は、該プリント配線板の断面を示している。第 6 3図を参照して上述した第 5実施形態では、コァ基板 8 3 0の凹部 8 3 2にチップコンデンサ 8 2 0力 1個収容された。これに対して、第 6改変例では、凹部 8 3 2に複数個のチップコンデンサ 8 2 0が収容されている。この第 6改変例では、チップコンデンサの高密度で内蔵させることができる。なお、第 6改変例でも、チップコンデンサの表面は粗化処理が施されている。

上述した実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。また、上述した実施形態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。

ここで、第 2改変例のプリント配線板について、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ 2 0のインダク夕ンスと、プリント配線板の裏面（ドー夕ボード側コンデンサ単体の場合

埋め込み形 1 3 7pH

裏面実装形 2 8 7 pH コンデンサを 8個並列に接続した場合

埋め込み形 6 OpH

裏面実装形 7 2pH

' 以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデンサを内蔵することでィンダク夕ンスを低減できる。

次に、信頼性試験を行った結果について説明する。ここでは、第 2改変例のプリン卜配線板において、 1個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測定した。 - 91 -

(測定周波数 100Hz) (測定周波数 1kHz)

Steam 168時間： 0.3% 0.4%

HAST 100時間： -0.9% . -0.9%

TS lOOOcycles: 1.1% 1.3%

Steam試験は、蒸気に当て湿度 1 0 0 %に保った。また、 HA S T試験では、相対湿度 1 0 0 %、印加電圧 1 . 3 V、温度 1 2 1 で 1 0 0時間放置した。 T S試験では、 _ 1 2 51:で 3 0分、 5 5 で 3 0分放置する試験を 1 0 0 0回線り返した。 '

上記信頼性試験において、チップコンデンサを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが分かつた。また、上述したように、 T S試験において、セラミックから成るコンデンザと、樹脂からなるコア基板及び層間樹脂緣層の熱膨張率の違いから、内部応力力発生しても、チップコンデンサの端子とバイァホールとの間に断線、チップコンデンザと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂! &緣層にクラックが発生せず、長期に渡り高い信頼性を達成できることが判明した。

第 5実施形態の構造により、ィンダク夕ンスを起因とする電気特性の低下することはない。

また、信頼性条件下においても、電気特性やプリント配線板に剥離やクラックなどを引き起こさない。そのため、コンデンサとバイァホール間での不具合が生じないからである。

Claims

一 92— 請求の範囲

1 . コア基板に樹脂絶縁層と導体回路を積層してなるプリント配線板であって、前記コア基板内に、凹部を形成し、前記凹部の中に複数個のコンデンサを収容させたことを特徴とするプリント配線板。

2. 前記凹部内の複数個のコンデンサ間に、コア基板よりも熱膨張率の小さい樹脂を充填したことを特徴とする請求項 1に記載のプリント配線板。

3 . 前記樹脂層に、通孔を穿設してスルーホールを形成したことを特徴とする請求項 1又は請求項 2に記載のプリント配線板。

4. 前記コンデンサの電極に金属膜を形成し、前記金属膜を形成させた電極へめっきにより電気的接続を取ったことを特徴とする請求項 1又は請求項 2に記載のプリント配線板。

5. 前記チップコデンサの電極に形成した金属膜は、銅を主とするめつき膜であることを特徴とする請求項 4に記載のプリント配線板。

6. 前記コンデンサの電極の被覆層の少なくとも一部を露出させて、前記被覆層から露出した電極にめっきにより電気接続を取ったことをことを特徴とする請求項 1又は請求項 2のプリント配線板。

7. 前記コンデンサとして、外縁の内側に電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項 1〜請求項 6の内 1に記載のプリント配線板。

8. 前記コンデンサとして、マトリクス状に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項 1〜請求項 8の内 1に記載のプリント配線板

9. 前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを特徴とする請求項 1〜請求項 8の内 1に記載のプリント配線板。

1 0. 少なくとも以下（a) ~ ( c ) の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：

( a ) コア基板に、凹部を形成する工程；

' (b ) 前記凹部の中に複数個のコンデンサを載置する工程；

( c ) 前記コンデンサ間に、樹脂を充填する工程。一 93—

1 1 . 前記（b)工程の後に、前記凹部内の前記複数個のコンデンザの上面に、上から圧力を加え、前記コンデンサの上面の高さを揃える工程を備えることを特徵とする請求項 6に記載のプリント配線板の製造方法。

1 2. 前記（c ) 工程の後に、前記樹脂層に通孔を穿設してスルーホールを形成する工程を備えることを特徴とする請求項 6に記載のプリント配線板の製造方法。

1 3. 少なくとも以下（a ) 〜（d ) の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：

( a ) 心材となる樹脂を含有させてなる樹脂材料に通孔を形成する工程； (b) 前記通孔を形成した樹脂材料に、樹脂材料を貼り付けて、凹部を有するコァ基板を形成する工程；

( c ) 前記コア基板の凹部に複数個のコンデンサを載置する工程；

( d) 前記コンデンサ間に樹脂を充填する工程。

.

1 4. 前記（ c )工程の後に、前記凹部内の前記複数個のコンデンサの上面に、上から圧力を加え、前記コンデンサの上面の高さを揃える工程を備えることを特徵とする請求項 1 3に記載のプリント配線板の製造方法。

1 5. 前記（d) 工程の後に、前記樹脂層に通孔を穿設してスルーホールを形成する工程を備えることを特徴とする請求項 1 3に記載のプリント配線板の製造方法。

1 6. コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であつて、

前記コア基板は、少なくとも 1層以上である絶縁樹脂層で形成された接続層とザダリ部にコンデンサを収納した収容層とからなることを特徴とするプリント配線板。

1 7. 前記収容層は、心材に樹脂を含浸させた樹脂基板からなり、前記接続層は心材を有しない樹脂基板からなることを特徴とする請求項 1 6のプリント配線板。

1 8. 前記接続層と前記コンデンサとは、導電性接着剤を介して接続されていることを特徴とする請求項 1 6又は請求項 1 7に記載のプリント配線板。 -94-

1 9. 前記コア基板において、接続層と収容層の間に、前記導電性接着剤へ接続される回路が設けられていることを特徴とする請求項 1 8に記載のプリント配線板。

2 0. プリント配線板の表面側に配設される I Cチップと前記コンデンサの端子とは、前記接続層に設けられたバイァホールを介して接続され、

プリント配線板の裏面側に配設される外部基板と前記コンデンサの端子とは、前記バイァホール及びコア基板に形成されたスルーホールを介して接続されることを特徴とする請求項 1 7に記載のプリント配線板。

2 1 . 前記コンデンサを複数個収容し、コンデンサ間に I Cチップと外部基板との接続用配線を配設したことを特徴とする請求項 1 6〜請求項 2 0の内 1に記載のプリント配線板。

2 2 . 前記コンデンサとして、外縁の内側に電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項 1 6〜請求項 2.1の内 1に記載のプリント配線板。

2 3. 前記コンデンサとして、マトリクス状に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項 1 6〜請求項 2 2の内 1に記載のプリント配線板

2 4. 前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを特徴とする請求-項 1 6〜請求項 2 3の内 1に記載のプリント配線板。

2 5 . 前記表面のチップコンデンサの静電容量は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であることを特徴とする請求項 2 4に記載のプリント配線板。

2 6. 前記表面のチップコンデンサのインダクタンスは、内層のチップコンデンサのィンダクタンス以上であることを特徴とする請求項 2 4に記載のプリン卜配線板。

2 7 . 前記チップコンデンサの電極に、銅を主とするめつき膜で金属膜を設けたことを特徴とする請求項 1 6〜請求項 2 5のいずれか 1に記載のプリント配線板。

2 8. 前記コア基板のザダリ部と前記チップコンデンサとの間に、コア基板よりも熱膨張率の小さい樹脂を充填したことを特徵とする請求項 1 6〜請求項 2 6 - 95 - のいずれか 1に記載のプリント配線板。

2 9. 少なくとも以下 ( a ) 〜（c ) の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：

( a) 片面あるいは両面に回路パターンを形成した樹脂板に、接着材料を介して前記回路パターンにコンデンサを接続する工程；

(b) 前記樹脂板に、前記コンデンサを収容するキヤビティを形成した樹脂基板を貼り付け、コア基板を形成する工程；

3 0. 前記（c ) 工程の貼り付けの際、基板の両面から圧力をかけることを特徴とする請求項 2 9に記載のプリント配線板の製造方法。

3 1 . 前記（c ) 工程の前後に、前記樹脂板に前記樹脂基板を貼り付けてなる前記コア基板に、通孔を穿設してスルーホールとする工程を経ることを特徴とする請求項 2 9または請求項 3 0に記載のプリント配線板の製造方法。

3 2. コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であつて、

前記コア基板は、少なくとも 1層以上である絶縁樹脂層で形成された接続層と、コンデンサ収納し 2層以上の樹脂層からなる収容層と、から構成されることを特徵とするプリント配線板。

3 3. コア基板に樹脂縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であつて、

前記コア基板は、少なくとも 1層以上である絶縁樹脂層で形成された接続層と、コンデンサ収納し 2層以上の樹脂層からなる収容層でから構成され、両面にコンデンサと接続させるビアが形成されていることを特徴とするプリント配線板。

3 4. 前記コア基板に形成されたバイァホールは、めっきあるいはスパッ夕、蒸着から選ばれる金属膜からなることを特徵とする請求項 3 3のプリント配線板。

3 5. 前記収容層と前記コンデンサとは絶縁性接着剤で接合されていることを特徴とする請求項 3 2〜請求項 3 4のいずれか 1に記載のプリント配線板。

3 6. 前記コンデンサを複数個収容し、コンデンサ間に I Cチップと外部基板 - 96 - との接続用配線を配設したことを特徴とする請求項 3 2〜請求項 3 5の内 1に記載のプリント配線板。

3 7 . 前記コンデンザとして、外縁の内側に電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項 3 2〜請求項 3 6の内 1に記載のプリント配線板。

3 8 . 前記コンデンサとして、マトリクス状に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項 3 2〜請求項 3 7の内 1に記載のプリント配線板

3 9. 前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを特徴とする請求項 3 2〜請求項 3 8の内 1に記載のプリント配線板。

4 0. 前記表面のチップコンデンザの静電容量は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であることを特徴とする請求項 3 9に記載のプリント配線板。

4 1 . 前記表面のチップコンデンサのィンダク夕ンスは、内層のチップコンデンサのィンダク夕ンス以上であることを特徵とする請求項 3 9に記載のプリント配線板。

4 2. 前記コンデンザの電極に金属膜を形成し、前記金属膜を形成させた電極へめつきにより電気的接続を取ったことを特徴とする請求項 3 2〜請求項 4 1のいずれか 1のプリント配線板。

4 3. 前記コンデンサの電極に形成した金属膜は、銅を主とするめつき膜であることを特徴とする請求項 4 2に記載のプリント配線板。

4 4. 前記コンデンサの電極の被覆層の少なくとも一部を露出させて、前記被覆層から露出した電極にめっきにより電気接続を取ったことをことを特徴とする請求項 3 2〜請求項 4 1の内の 1に記載のプリント配線板。

4 5 . 前記絶縁性接着剤は、前記収容層よりも熱膨張率が小さいことを特徴とする請求項 3 5に記載のプリン卜配線板。

4 6. 少なくとも以下（a ) 〜（e ) の工程を備えることを特徴とするプリン卜配線板の製造方法：

( a) 心材に樹脂を含有させてなる第 1の樹脂材料にコンデンサ収容用の通孔を -97- 形成する工程；

(b) 前記通孔を形成した第 1の樹脂材料に、第 2の樹脂材料を貼り付けて、コンデンサ収容部を有する収容層を形成する工程；

( c ) 前記収容層にコンデンサを収納する工程；

(d) 前記（c) 工程の収容層に第 3の絶縁樹脂層を張り付けてコア基板を形成する工程；

47. 少なくとも以下（a) 〜（e) の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：

(a) 心材に樹脂を含有させてなる第 1の樹脂材料にコンデンサ収容用の通孔を形成する工程；

(b) 第 2の樹脂材料に、前記第 1の樹脂材料のコンデンサ収容部に該当する位置へコンデンサを配設させる工程；

(c) 前記 (a) 工程を経た第 1の樹脂材料と前記（b) 工程を経た第 2の樹脂材料を貼り付けてコンデンサを収納した収容層を形成する工程；

■ (d) 前記収容層に第 3の絶縁樹脂層を張り付けコア基板を形成する工程；

( e ) 前記第 3の絶縁樹脂層に前記コンデンザの電極へ至る開口を設けてバイ 7 ホールを形成する工程。

48. 少なくとも以下（a) 〜（f) の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：

(b) 第 2の樹脂材料にバイァホールとなる.貫通孔を設けて、前記第 1の樹脂材料のコンデンサ収容部に該当する位置へコンデンサを配設させる工程；

(c) 前記（a) 工程を経た第 1の樹脂材料と前記（b) 工程を経た第 2の樹脂材料を貼り付けてコンデンサを収納した収容層を形成する工程；

(d) 前記収容層に第 3の絶縁樹脂層を張り付けコア基板を形成させる工程；

(e) 前記第 3の絶縁樹脂層に前記コンデンサの電極へ至る開口を設ける工程； — 98—

4 9 . 前記（d ) 工程の貼り付けの際、基板の両面から圧力をかけることを特徵とする請求項 4 6〜請求項 4 8の内 1に記載のプリン卜配線板の製造方法。

5 0 . コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であつて、

前記コア基板は、通孔部にコンデンサを収納した収容層と、前記収容層の表面及び裏面に配設された镓樹脂層よりなる接続層と、からなることを特徵とするプリント配線板。

5 1 . 前記収容層は、心材に樹脂を含浸させた樹脂基板からなり、前記接続層は心材を有しない樹脂基板からなることを特徴とする請求項 5 0のプリン卜配線板。

5 2. 前記コンデンサは、前記収容層の通孔に絶縁性接着剤を介して固定されていることを特徴とする請求項 5 0又は請求項 5 1に記載のプリント配線板。

5 3 . 前記収容層の表面及び裏面に配設された接続層には、それぞれ I Cチップ、外部基板に接続するためのバイァホールが配設されていることを特徴とする請求項 5 0〜請求項 5 2の内の 1に記載のプリント配線板。

5 4. 前記コンデンサを複数個収容し、コンデンサ間にチップと外部基板との接続用配線を配設したことを特徴とする請求項 5 0〜請求項 5 3の内 1に記載のプリント配線板。

5 5. 前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを特徴とする請求項 5 0〜請求項 5 4の内 1に記載のプリン卜配線板。

5 6. 前記表面のチップコンデンサの静電容量は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であることを特徴とする請求項 5 5に記載のプリント配線板。

5 7. 前記表面のチップコンデンサのインダク夕ンスは、内層のチップコンデンサのィンダク夕ンス以上であることを特徴とする請求項 5 5に記載のプリント酉己線板。

5 8 · 前記コンデンザとして、外縁の内側に電極力形成されたチップコンデン - 99 -

サを用いたことを特徴とする請求項 5 0〜請求項 5 5の内 1に記載のプリント配線板。

5 9. 前記コンデンサとして、マトリクス状に電極形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項 5 0〜請求項 5 5の内 1に記載のプリント配線板

6 0. 前記コンデンサの電極に金属膜を形成し、前記金属膜を形成させた電極へめつきにより電気的接続を取ったことを特徴とする請求項 5 0〜請求項 5 9のいずれか 1のプリント配線板。

6 1 . 前記チップコンデンサの電極に形成した金属膜は、銅を主とするめつき膜であることを特徴とする請求項 6 0に記載のプリント配線板。

6 2. 前記コンデンサの電極の被覆層の少なくとも一部を露出させて、前記被覆層から露出した電極にめっきにより電気接続を取ったことをことを特徴とす ' る請求項 5 0〜請求項 5 8の内の 1に記載のプリント配線板。

6 3. 前記絶縁性接着剤は、前記収容層よりも熱膨張率が小さいことを特徴とする請求項 5 2に記載のプリント配線板。

6 4. 少なくとも以下 ( a) 〜（d ) の工程を備えることを特徵とするプリント配線板の製造方法：

( a) 心材に樹脂を含浸させてなる第 1の樹脂材料にコンデンサ収容用の通孔を形成する工程；

( c ) 前記第 1の樹脂材料に第 2の樹脂材料を貼り付け、コア基板を形成するェ程；

(d) 前記コア基板の第 2の樹脂材料に前記コンデンサの電極へ至る開口を設けてバイァホールを形成する工程。

6 5. 前記（d) 工程の前あるいは後に、前記コア基板に、通孔を穿設してスル一ホールとする工程を経ることを特徴とする請求項 6 4に記載のプリント配線板の製造方法。

6 6 . 前記（c ) 工程の貼り付けの際、基板の両面から圧力をかけることを特 - 100 - 徵とする請求項 6 4又は 5 3に記載のプリント配線板の製造方法。

6 7. コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であつて、

前記コア基板内にコンデンサを収容させたことを特徴とするプリン卜配線板。 6 8. コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であつて、

チップコンデンサの電極の被覆層を少なくとも一部を露出させて、前記プリント配線板に収容し、前記被覆層から露出した電極にめっきにより電気的接続を取つたことを特徴とするプリント配線板。

6 9. 前記チップコンデンサから露出した電極は、銅を主とする金属であることを特徴とする請求項 6 8.に記載のプリント配線板。

7 0. コア基板に棚旨絶録肩と導体回路とを積層してなるプリント配線板であつて、

チップコンデンサの電極に金属膜を形成させて前記プリント配線板に収容し、前記金属膜を形成させた電極へめっきにより電気的接続を取ったことを特徴とするプリン卜配線板。

7 1 . 前記チップコンデンサの電極に形成した金属膜は、銅を主とするめつき膜であることを特徴とする請求項 7 0に記載のプリント配線板。

7 2 . 前記コンデンサとして、外縁の内側に電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項 6 7〜請求項 7 0の内 1に記載のプリント配線板。

7 3. 前記チップコンデンサとして、マトリクス状に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項 6 7〜請求項 7 2の内 1に記載のプリント配線板

7 4. 前記コンデンサとして、多数個取り用のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特徴とする請求項 6 7〜請求項 7 3の内 1に記載のプリン卜配線板。 .

7 5 . 'コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であつて、 - 101 - 前記コア基板内にチップコンデンサを収容させて、力つ、前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを特徴とするプリント配線板。

7 6 . 前記表面のチップコンデンサの静電容量は、コア基板内のチップコンデンサの静電容量以上であることを特徴とする請求項 7 5に記載のプリント配線板。 7 7 . 前記表面のチップコンデンサのインダク夕ンスは、内層のチップコンデンサのィンダク夕ンス以上であることを特徴とする請求項 7 5に記載のプリント配線板。

7 8 . チップコンデンサのメタライズ電極の表面に銅めつき膜を被覆したことを特徴とするプリント配線板の内蔵用のコンデンサ。