JPH0534839B2 - - Google Patents
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- JPH0534839B2 JPH0534839B2 JP58229205A JP22920583A JPH0534839B2 JP H0534839 B2 JPH0534839 B2 JP H0534839B2 JP 58229205 A JP58229205 A JP 58229205A JP 22920583 A JP22920583 A JP 22920583A JP H0534839 B2 JPH0534839 B2 JP H0534839B2
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- JP
- Japan
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- insulating layer
- layer
- wiring layer
- conductive wiring
- etching
- Prior art date
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は多層配線板の製造方法に関し、さらに
詳しくは半導体基体上に微細な導電性配線層を設
け、さらにその上に絶縁層を介して微細な導電性
配線層を積層する多層配線板の製造方法に関す
る。
詳しくは半導体基体上に微細な導電性配線層を設
け、さらにその上に絶縁層を介して微細な導電性
配線層を積層する多層配線板の製造方法に関す
る。
超LSIに代表される半導体デバイスの製造にお
いて、その集積度を高めるには導電性配線層を多
層構造とせざるを得ない。例えば半導体基体上に
第１の導電性配線層を設け、その上にプラズマ
CVDSiO2膜、スパツタSiO2膜、プラズマ
CVDSi3N4膜または低圧（LP）CVDPSG膜等の
絶縁層を形成し、さらにその上に第２の配線層を
形成するというふうにして導電性配線層を幾層も
設けることによつて集積度を高めるようにしてい
る。
いて、その集積度を高めるには導電性配線層を多
層構造とせざるを得ない。例えば半導体基体上に
第１の導電性配線層を設け、その上にプラズマ
CVDSiO2膜、スパツタSiO2膜、プラズマ
CVDSi3N4膜または低圧（LP）CVDPSG膜等の
絶縁層を形成し、さらにその上に第２の配線層を
形成するというふうにして導電性配線層を幾層も
設けることによつて集積度を高めるようにしてい
る。
しかしながら現状は導電性配線層には導電性の
高いアルミニウムまたはその合金を使用し、それ
がレリーフ状のパターンとして形成されている。
したがつてその上に絶縁層を上記したような方法
で形成したときには導電性配線層ひ応じた非平滑
な面となる。
高いアルミニウムまたはその合金を使用し、それ
がレリーフ状のパターンとして形成されている。
したがつてその上に絶縁層を上記したような方法
で形成したときには導電性配線層ひ応じた非平滑
な面となる。
半導体デバイスの集積度を上げるための第２の
導電性配線層はこうして得られた絶縁層上に設け
られる。それには通常アルミニウムを真空蒸着法
やスパツタリング蒸着法などの方法で絶縁層上の
一面にアルミニウムまたはその合金の薄膜を付着
させ、その上にホトレジスト層を設け、所望のマ
スクパターンを介して露光を行い、現像、エツチ
ング処理を経て第２の導電性配線層が形成され
る。
導電性配線層はこうして得られた絶縁層上に設け
られる。それには通常アルミニウムを真空蒸着法
やスパツタリング蒸着法などの方法で絶縁層上の
一面にアルミニウムまたはその合金の薄膜を付着
させ、その上にホトレジスト層を設け、所望のマ
スクパターンを介して露光を行い、現像、エツチ
ング処理を経て第２の導電性配線層が形成され
る。
そこで上記したように絶縁層が非平滑である
と、形成した導電性材料層の膜厚は絶縁層の表面
の状態に対応して不均一かつ非平滑となる。甚だ
しいときは絶縁層の突出した部分のエツヂ部には
導電性材料層が付着しないという場合が起こる。
かようなときには当然のことながら導電性配線層
に断線を生じ不良品の発生を引き起こす。また導
電性配線層の膜厚が不均一であることから、該材
料層上にホトレジスト層を設けてマスクパターン
を介して露光した際に該材料層表面からホトレジ
スト活性光が乱反射してマスクパターンに忠実な
導電性配線層が得られず、微細な配線、すなわち
高い集積度化が期待できない。
と、形成した導電性材料層の膜厚は絶縁層の表面
の状態に対応して不均一かつ非平滑となる。甚だ
しいときは絶縁層の突出した部分のエツヂ部には
導電性材料層が付着しないという場合が起こる。
かようなときには当然のことながら導電性配線層
に断線を生じ不良品の発生を引き起こす。また導
電性配線層の膜厚が不均一であることから、該材
料層上にホトレジスト層を設けてマスクパターン
を介して露光した際に該材料層表面からホトレジ
スト活性光が乱反射してマスクパターンに忠実な
導電性配線層が得られず、微細な配線、すなわち
高い集積度化が期待できない。
かかる事情に対処する試みが特開昭58−93329
号公報に開示されている。それによれば絶縁層上
にポリメチルメタクリレートとフエノール樹脂と
を主成分とする混合レジストを主として絶縁層の
凹部に被着して表面を平滑化する工程と、フレオ
ン系ガスを反応性ガス源とした反応性イオンエツ
チングする工程により混合レジスト層および絶縁
層の表面をエツチングして絶縁層をほぼ平滑な面
としている。
号公報に開示されている。それによれば絶縁層上
にポリメチルメタクリレートとフエノール樹脂と
を主成分とする混合レジストを主として絶縁層の
凹部に被着して表面を平滑化する工程と、フレオ
ン系ガスを反応性ガス源とした反応性イオンエツ
チングする工程により混合レジスト層および絶縁
層の表面をエツチングして絶縁層をほぼ平滑な面
としている。
しかしながら、この方法においては該混合レジ
ストは対熱性が低く、したがつて絶縁層とのエツ
チング比に開きがあり、しかも絶縁層との接着強
度が弱いため全体的に均一に上部からエツチング
除去することができず、平滑さに欠けるという欠
点が依然として解消されず、満足するにたる域に
達していない。
ストは対熱性が低く、したがつて絶縁層とのエツ
チング比に開きがあり、しかも絶縁層との接着強
度が弱いため全体的に均一に上部からエツチング
除去することができず、平滑さに欠けるという欠
点が依然として解消されず、満足するにたる域に
達していない。
本発明は上記した従来の欠点を解消することを
目的としてなされたものである。すなわち本発明
は半導体デバイスにおける多層配線構造をもつた
微細な導電性配線層を形成し、しかも層間絶縁層
に信頼性の高い多層配線板の製造方法を提供する
ものである。
目的としてなされたものである。すなわち本発明
は半導体デバイスにおける多層配線構造をもつた
微細な導電性配線層を形成し、しかも層間絶縁層
に信頼性の高い多層配線板の製造方法を提供する
ものである。
本発明者らは非平滑な絶縁層上にシリコーン系
被膜形成用塗布液を被着することにより、従来技
術の欠点が解消され得ることを見出し、その知見
に基づいて本発明を完成した。すなわち本発明は
半導体基体上に第１の導電性配線層を設け、該基
体上全面に厚さが該配線層よりも厚い絶縁層を被
覆し、さらにその上にシリコーン系被膜形成用塗
布液を被着し、それによつてほぼ平坦な表面を形
成した後、上部から上記導電性配線層が裸出しな
い程度に蝕刻して平坦化し、第２の導電性配線層
を設け、さらに必要ならば以下同様にして多層化
することを特徴とする多層配線板の製造方法を提
供するものである。
被膜形成用塗布液を被着することにより、従来技
術の欠点が解消され得ることを見出し、その知見
に基づいて本発明を完成した。すなわち本発明は
半導体基体上に第１の導電性配線層を設け、該基
体上全面に厚さが該配線層よりも厚い絶縁層を被
覆し、さらにその上にシリコーン系被膜形成用塗
布液を被着し、それによつてほぼ平坦な表面を形
成した後、上部から上記導電性配線層が裸出しな
い程度に蝕刻して平坦化し、第２の導電性配線層
を設け、さらに必要ならば以下同様にして多層化
することを特徴とする多層配線板の製造方法を提
供するものである。
まず半導体基体上に常法によりアルミニウム、
白金シリサイド、タングステン等の導電性材料に
よる配線が形成され、その上に絶縁層として例え
ばリンケイ酸ガラス（PSG）、ホウケイ酸ガラス
（BSG）、あるいはシリコン窒化物等をCVD法
（ケミカル ベーパー デポジシヨン法）あるい
はプラズマCVD法等により形成する。このとき
前記の導電性配線層の厚みよりも多少絶縁層の方
を厚くすることが好ましい。得られた絶縁層の形
状は半導体基体上に導電性配線層が形成されて得
られた凹凸の形状に類似している。この凹凸の形
状における凹部に本発明の特徴とするシリコーン
系被膜形成用塗布液を用いて塗布する。このよう
なと塗布法は凹部を埋めるのに有効である。
白金シリサイド、タングステン等の導電性材料に
よる配線が形成され、その上に絶縁層として例え
ばリンケイ酸ガラス（PSG）、ホウケイ酸ガラス
（BSG）、あるいはシリコン窒化物等をCVD法
（ケミカル ベーパー デポジシヨン法）あるい
はプラズマCVD法等により形成する。このとき
前記の導電性配線層の厚みよりも多少絶縁層の方
を厚くすることが好ましい。得られた絶縁層の形
状は半導体基体上に導電性配線層が形成されて得
られた凹凸の形状に類似している。この凹凸の形
状における凹部に本発明の特徴とするシリコーン
系被膜形成用塗布液を用いて塗布する。このよう
なと塗布法は凹部を埋めるのに有効である。
本発明で用いることのできるシリコーン系被膜
形成用塗布液としては、種々の物が使用できる
が、具体的にはアルコキシシラノール、オルガノ
シラノール、シイコンラダーポリマー、シリコー
ンポリマー、アルコキシシランプレポリマーがあ
り、これらは通常有機溶媒に溶解された塗布液と
して用いられる。これらの塗布液は適用性の点か
ら、スピンナーにより基体に塗布するのが好まし
い。
形成用塗布液としては、種々の物が使用できる
が、具体的にはアルコキシシラノール、オルガノ
シラノール、シイコンラダーポリマー、シリコー
ンポリマー、アルコキシシランプレポリマーがあ
り、これらは通常有機溶媒に溶解された塗布液と
して用いられる。これらの塗布液は適用性の点か
ら、スピンナーにより基体に塗布するのが好まし
い。
多層配線板とするには前述した理由により前記
絶縁層の凹部を埋めなければ微細パターンの配線
を形成することができないので、シリコーン系被
膜は導電性配線層の厚みよりも厚くなるような被
膜形成用塗布液を選択する必要がある。特に厚い
被膜を形成するには被膜にクラツクの発生が少な
いものを選ぶべきで、特開昭58−98367号公報記
載の水酸基を３個有するシラノール化合物を主体
とし、さらに水酸基を２個有するシラノール化合
物を含む混合物を有機溶剤に溶解し、これを加熱
してシラノール化合物を濃縮し、かつ脱水縮合さ
せて得られるシリコーン系オリゴマーを含有する
塗布液を使用するのが好ましく、それに該当する
ものとしてOCDType−７（東京応化工業(株)製）
が実用的である。絶縁層の凹部にシリコーン系被
膜が形成されると表面がほぼ平坦化する。
絶縁層の凹部を埋めなければ微細パターンの配線
を形成することができないので、シリコーン系被
膜は導電性配線層の厚みよりも厚くなるような被
膜形成用塗布液を選択する必要がある。特に厚い
被膜を形成するには被膜にクラツクの発生が少な
いものを選ぶべきで、特開昭58−98367号公報記
載の水酸基を３個有するシラノール化合物を主体
とし、さらに水酸基を２個有するシラノール化合
物を含む混合物を有機溶剤に溶解し、これを加熱
してシラノール化合物を濃縮し、かつ脱水縮合さ
せて得られるシリコーン系オリゴマーを含有する
塗布液を使用するのが好ましく、それに該当する
ものとしてOCDType−７（東京応化工業(株)製）
が実用的である。絶縁層の凹部にシリコーン系被
膜が形成されると表面がほぼ平坦化する。
次にシリコーン系被膜を通常の方法、例えば軟
式のプラズマあるいはリアクテイブ イオンエツ
チング法（RIE）または湿式のエツチング液に浸
漬する方法により蝕刻する。これは絶縁層表面を
平坦化するためのもので上部からエツチング除去
するが望ましくは凹部の絶縁層が現出し、しかも
第１の導電性配線層が裸出しなうようにエツチン
グを終了させれば絶縁層で覆われたままとなつて
半導体デバイスの多層配線板を製作するのに有利
である。また上部からのエツチング除去の過程に
おいて、第１の導電性配線層が裸出したときには
絶縁層をその上にあらためて設ければ本発明の目
的を達成することができる。半導体デバイスにお
いて耐電圧が強く望まれる場合にはエツチング後
にCVD法等により絶縁層をより厚くすることが
好ましい。プラズマエツチングの１例を示せばエ
ツチングガスとして、フレオン系ガスに酸素ガス
あるいは窒素ガス、アルゴンガス等を適宜混合し
て導入し、プラズマ化してエツチングする。また
湿式のエツチング方法としては、フツ化水素酸、
フツ化アンモニウムおよび界面活性剤を混合して
なる溶液に浸漬し、必要によりかきまぜることに
より、絶縁層とシリコーン系被膜をほぼ同程度の
エツチング速度でエツチングすることができる。
式のプラズマあるいはリアクテイブ イオンエツ
チング法（RIE）または湿式のエツチング液に浸
漬する方法により蝕刻する。これは絶縁層表面を
平坦化するためのもので上部からエツチング除去
するが望ましくは凹部の絶縁層が現出し、しかも
第１の導電性配線層が裸出しなうようにエツチン
グを終了させれば絶縁層で覆われたままとなつて
半導体デバイスの多層配線板を製作するのに有利
である。また上部からのエツチング除去の過程に
おいて、第１の導電性配線層が裸出したときには
絶縁層をその上にあらためて設ければ本発明の目
的を達成することができる。半導体デバイスにお
いて耐電圧が強く望まれる場合にはエツチング後
にCVD法等により絶縁層をより厚くすることが
好ましい。プラズマエツチングの１例を示せばエ
ツチングガスとして、フレオン系ガスに酸素ガス
あるいは窒素ガス、アルゴンガス等を適宜混合し
て導入し、プラズマ化してエツチングする。また
湿式のエツチング方法としては、フツ化水素酸、
フツ化アンモニウムおよび界面活性剤を混合して
なる溶液に浸漬し、必要によりかきまぜることに
より、絶縁層とシリコーン系被膜をほぼ同程度の
エツチング速度でエツチングすることができる。
このようにして得られた平坦化された絶縁層上
に導電性材料の被膜を形成し、ホトリソグラフイ
法により所望のパターンを形成して第２の導電性
配線層を設けるように順次処理することによつて
多層配線板を得ることができる。
に導電性材料の被膜を形成し、ホトリソグラフイ
法により所望のパターンを形成して第２の導電性
配線層を設けるように順次処理することによつて
多層配線板を得ることができる。
本発明方法によれば半導体デバイスの製造工程
で生じるすべての段差を平坦化するのに有効であ
る。例えば素子分離用の溝を完全に絶縁膜で埋め
込み、その表面を平坦にすることも可能である。
また多層配線板としたときの層間における信頼性
は大であることは勿論である。
で生じるすべての段差を平坦化するのに有効であ
る。例えば素子分離用の溝を完全に絶縁膜で埋め
込み、その表面を平坦にすることも可能である。
また多層配線板としたときの層間における信頼性
は大であることは勿論である。
次に本発明を具体的に示すために実施例を示す
が、これによつて本発明は何ら制限を受けるもの
ではない。
が、これによつて本発明は何ら制限を受けるもの
ではない。
実施例 １
酸化被膜を有するシリコンウエハ（半導体基
体）１上にアルミニウムを蒸着法にて1.0μｍの厚
みに被着し、しかる後にホノリソグラフイ法によ
り所望の配線パターン２を形成する（第１導電性
配線層）。この基板の上にCVDPSG膜３を約1.5μ
ｍの厚みとなるように形成し、次にシリコーン系
被膜形成用塗布液（OCDType−７）４をスピン
コーテイングし、150℃中でプレベーキングして
塗布液中の有機溶媒を揮散せしめ、さらに窒素ガ
ス雰囲気中で300℃に保存された加熱炉に移して
焼成硬化せしめ、約1μｍのシリコーン系被膜を
得た。このときの表面はほぼ平坦化されていた。
体）１上にアルミニウムを蒸着法にて1.0μｍの厚
みに被着し、しかる後にホノリソグラフイ法によ
り所望の配線パターン２を形成する（第１導電性
配線層）。この基板の上にCVDPSG膜３を約1.5μ
ｍの厚みとなるように形成し、次にシリコーン系
被膜形成用塗布液（OCDType−７）４をスピン
コーテイングし、150℃中でプレベーキングして
塗布液中の有機溶媒を揮散せしめ、さらに窒素ガ
ス雰囲気中で300℃に保存された加熱炉に移して
焼成硬化せしめ、約1μｍのシリコーン系被膜を
得た。このときの表面はほぼ平坦化されていた。
次に97重量％のCF4と３重量％のO2とからなる
混合ガスを用いてRIE（カソード カツプリング）
を行つた。このときの条件は東京応化工業(株)製プ
ラズマエツチング装置のOAPM−400を用い、真
空度を0.15Torrで12分間行つた。その結果は上
部から0.84μｍエツチングされていたが表面Ａは
極めて平滑であつた。また第１の導電性配線層は
裸出していなかつた。
混合ガスを用いてRIE（カソード カツプリング）
を行つた。このときの条件は東京応化工業(株)製プ
ラズマエツチング装置のOAPM−400を用い、真
空度を0.15Torrで12分間行つた。その結果は上
部から0.84μｍエツチングされていたが表面Ａは
極めて平滑であつた。また第１の導電性配線層は
裸出していなかつた。
その後常法により第２の導電性配線層を設ける
ことにより２層の多層配線板が得られた。
ことにより２層の多層配線板が得られた。
実施例 ２
実施例１と同様に処理されて形成された凹凸形
状を有するPSG膜上に、信越化学(株)製シリコー
ン系ポリマーKR9218の10ｇおよび東京応化工業
(株)製酸化ケイ素系被膜形成用塗布液のOCDType
−６ 100ｇを2000rpmでスピンコーテイングし、
150℃で60分間プレベークした。続いて窒素雰囲
気中250℃で30分間焼成し、ほぼ平坦な表面を得
た。
状を有するPSG膜上に、信越化学(株)製シリコー
ン系ポリマーKR9218の10ｇおよび東京応化工業
(株)製酸化ケイ素系被膜形成用塗布液のOCDType
−６ 100ｇを2000rpmでスピンコーテイングし、
150℃で60分間プレベークした。続いて窒素雰囲
気中250℃で30分間焼成し、ほぼ平坦な表面を得
た。
次に実施例１と同様にエツチングしたところ、
表面の平滑性が向上した。
表面の平滑性が向上した。
実施例 ３
実施例１におけるエツチングを次の組成からな
るエツチング液を用いて10分間処理した以外は実
施例１と同様に行つた。
るエツチング液を用いて10分間処理した以外は実
施例１と同様に行つた。
25重量％フツ化水素酸 10ｇ
フツ化アンモニウム 50ｇ
エチレングリコールモノメチルエーテル 80ｇ
その結果エツチング前より平滑度が一層向上し
た。
た。
この後常法により第２の導電性配線層を設けて
多層配線板が得られた。
多層配線板が得られた。
第１図〜第３図は本発明の第１の導電性配線層
を設けて平坦化するまでの状況を示す断面図であ
る。 １……基体、２……第１の導電性配線層、３…
…絶縁層、４……塗布液、Ａ……蝕刻後の表面。
を設けて平坦化するまでの状況を示す断面図であ
る。 １……基体、２……第１の導電性配線層、３…
…絶縁層、４……塗布液、Ａ……蝕刻後の表面。
Claims (1)
- １ 半導体基体上に、第１の導電性配線層を設
け、該基体上全面に厚さが該配線層よりも厚い絶
縁層を被覆し、さらにその上にシリコーン系被膜
形成用塗布液を被着し、それによつてほぼ平坦な
表面を形成した後、上部から上記導電性配線層が
裸出しない程度に蝕刻して平坦化し、第２の導電
性配線層を設け、さらに必要ならば以下同様にし
て多層化することを特徴とする多層配線板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22920583A JPS60121795A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 多層配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22920583A JPS60121795A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 多層配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121795A JPS60121795A (ja) | 1985-06-29 |
| JPH0534839B2 true JPH0534839B2 (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=16888461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22920583A Granted JPS60121795A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 多層配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60121795A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682657B2 (ja) * | 1986-04-23 | 1994-10-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN111093335B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子设备、电路板及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133575A (en) * | 1974-09-17 | 1976-03-22 | Nippon Telegraph & Telephone | Tasohaisenkozo |
| JPS5892239A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5893328A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Toshiba Corp | 絶縁層の平担化方法 |
| JPS5895839A (ja) * | 1981-12-01 | 1983-06-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-06 JP JP22920583A patent/JPS60121795A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60121795A (ja) | 1985-06-29 |
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