JPS5886767A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5886767A JPS5886767A JP56186024A JP18602481A JPS5886767A JP S5886767 A JPS5886767 A JP S5886767A JP 56186024 A JP56186024 A JP 56186024A JP 18602481 A JP18602481 A JP 18602481A JP S5886767 A JPS5886767 A JP S5886767A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layers
- semiconductor device
- terminals
- wiring
- layer
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/23—Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は槓ｌ−構造の半導体装置における配線端子に
関するものである。
関するものである。
従来、この種の装置の基礎となる半導体素子として第１
図に示すものがあった。図において、１１１は半導体基
板、（２）は機能素子層、（３）は上記機能系：ｆ−１
ｍ ＋２１上に設けられた配、ｌＩ！４子である。
図に示すものがあった。図において、１１１は半導体基
板、（２）は機能素子層、（３）は上記機能系：ｆ−１
ｍ ＋２１上に設けられた配、ｌＩ！４子である。
従来の半導体系子は以上のように構成されている−ので
、チップ面積が大きくなる欠点があった。
、チップ面積が大きくなる欠点があった。
また、ａｌ能素子ｒｖ４ ｆ２１を多１−に厘ねる横り
一構造では、′６機龍檻子ｌ−の特性を評価するために
は多数の端子が必要になり、それぞれ各層よＶ＊子衣表
面配＃Ｉ喘子まＣ配線しなければならず、集積度が上が
らなかったり、断線し勿い等の欠点があった。
一構造では、′６機龍檻子ｌ−の特性を評価するために
は多数の端子が必要になり、それぞれ各層よＶ＊子衣表
面配＃Ｉ喘子まＣ配線しなければならず、集積度が上が
らなかったり、断線し勿い等の欠点があった。
この発明は上記のような従来／）ものの欠点を猷去する
ためになされたもので、配線端子を各ａ能系子層の側面
に設けた半導体装置を提供することを目的としている。
ためになされたもので、配線端子を各ａ能系子層の側面
に設けた半導体装置を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図において、（１１は半導体基板、（２）は第１の機能
索子１−１（６）は配線端子、（４）は第２の機能水子
１−１（５）は第３の機能素子層である。各配線端子（
３）は、各機能系子１ｍ Ｌ２１ 、 （４１、ｔ５＋
の側面に設けである。
図において、（１１は半導体基板、（２）は第１の機能
索子１−１（６）は配線端子、（４）は第２の機能水子
１−１（５）は第３の機能素子層である。各配線端子（
３）は、各機能系子１ｍ Ｌ２１ 、 （４１、ｔ５＋
の側面に設けである。
なお、上記実施例では、谷戟能索子１−の各側面にそれ
ぞれ配線端子を設けたが、各ｍ能索子１−にわたって配
線端子を設けても上記実施例と同様の効果を奏する。
ぞれ配線端子を設けたが、各ｍ能索子１−にわたって配
線端子を設けても上記実施例と同様の効果を奏する。
また、Ｆ記実施例では、機能素子層が３層の場合につい
て説明した・％、２層あるいは４層以上の場合でも上記
実施例と同様の効果を葵する。
て説明した・％、２層あるいは４層以上の場合でも上記
実施例と同様の効果を葵する。
以上のように、この発明によれば、ｌＩｔｔｔｍ半導体
装置の配ＩＩ端子を側面に構成し之のＣ１装置を小型に
Ｃき、ま、を信頼性の高い配線を形成できる効果がある
。
装置の配ＩＩ端子を側面に構成し之のＣ１装置を小型に
Ｃき、ま、を信頼性の高い配線を形成できる効果がある
。
第１図は従来の半導体装置を示す断面図、第２図はこの
発明の一実翔例による半導体装置をボす曲面図である。 ｆｉｌ °°・半導体基板、（２）・・・第１の機能素
子！−１（３） ”’配線端子、（４）・・・第２の機
能菓子層、＋５１・・・第３の機能素子層。 なお、図中、同−符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２１／ｌ
発明の一実翔例による半導体装置をボす曲面図である。 ｆｉｌ °°・半導体基板、（２）・・・第１の機能素
子！−１（３） ”’配線端子、（４）・・・第２の機
能菓子層、＋５１・・・第３の機能素子層。 なお、図中、同−符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２１／ｌ
Claims (1)
- 複数のＳ能系子ノーを債ｒｔｌ Ｌ、てなる半導体装置
において、配線端子を１ｉｌｌ１面に設は之ことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186024A JPS5886767A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186024A JPS5886767A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5886767A true JPS5886767A (ja) | 1983-05-24 |
Family
ID=16181053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56186024A Pending JPS5886767A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5886767A (ja) |
-
1981
- 1981-11-18 JP JP56186024A patent/JPS5886767A/ja active Pending
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