JPS63201932A - 光記録媒体製造方法 - Google Patents
光記録媒体製造方法Info
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- JPS63201932A JPS63201932A JP62034835A JP3483587A JPS63201932A JP S63201932 A JPS63201932 A JP S63201932A JP 62034835 A JP62034835 A JP 62034835A JP 3483587 A JP3483587 A JP 3483587A JP S63201932 A JPS63201932 A JP S63201932A
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- selenium
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野ゴ
本発明は、光記録媒体製造方法、特に、レーザ光によっ
て情報を記録再生することのできる光記録媒体を製造す
るための光記録媒体製造方法に関する。
て情報を記録再生することのできる光記録媒体を製造す
るための光記録媒体製造方法に関する。
一般、レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生
する光デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容
量記録装置として浸れた特徴を有している。この光記録
媒体材料としては、最初にタンタルと鉛が使用された（
サイエンス（５ｃｉｅｎｃｅ）１５４．１５５０．１９
６６））。それ以来種々の材料が使用されているが、テ
ルル等のカルコゲン元素またはこれらの化合物はよく使
用されており（特公昭４７−２６８９７号公報）、とく
にテルル−セレン系合金はよく便用されている（特公昭
５４−４１９０２号公報、特公昭５７−７９１９号公報
、特公昭５７−５６０５８号公報）。
する光デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容
量記録装置として浸れた特徴を有している。この光記録
媒体材料としては、最初にタンタルと鉛が使用された（
サイエンス（５ｃｉｅｎｃｅ）１５４．１５５０．１９
６６））。それ以来種々の材料が使用されているが、テ
ルル等のカルコゲン元素またはこれらの化合物はよく使
用されており（特公昭４７−２６８９７号公報）、とく
にテルル−セレン系合金はよく便用されている（特公昭
５４−４１９０２号公報、特公昭５７−７９１９号公報
、特公昭５７−５６０５８号公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が８０００λ前後であるが、テルル−セレン系°
合金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率
と適度な吸収率が得られる（フイツク・スティタス・ソ
リダイ、 ７．１８９゜１ｇ６４（ｐｈｙｓ−ｓｔａｔ
−ｓｏｌ−ヱ、１８９．１９６４））。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が８０００λ前後であるが、テルル−セレン系°
合金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率
と適度な吸収率が得られる（フイツク・スティタス・ソ
リダイ、 ７．１８９゜１ｇ６４（ｐｈｙｓ−ｓｔａｔ
−ｓｏｌ−ヱ、１８９．１９６４））。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた本発
明および従来の光記録媒体製造方法によって製造される
光記録媒体の一例は第１図に示すような構成和なってい
る。
明および従来の光記録媒体製造方法によって製造される
光記録媒体の一例は第１図に示すような構成和なってい
る。
子なわち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりな
る記録層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板
１を通して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形
成される。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレ
フィン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂
等の合成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピットが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記
録されるように通常、案内溝が設けられている。
る記録層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板
１を通して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形
成される。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレ
フィン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂
等の合成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピットが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記
録されるように通常、案内溝が設けられている。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるよう忙サーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常０．３〜１．３μｍであ抄、溝の深さ
は使用するレーザ波長の１／２０から１／４の範囲に設
定される。集光に関しても同様にサーボ系が構成されて
いる。
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるよう忙サーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常０．３〜１．３μｍであ抄、溝の深さ
は使用するレーザ波長の１／２０から１／４の範囲に設
定される。集光に関しても同様にサーボ系が構成されて
いる。
情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレー
ザ光をビット上を通過するように照射することによね１
ビツトの有無に起因する反射率の変化を検出して行なう
。
ザ光をビット上を通過するように照射することによね１
ビツトの有無に起因する反射率の変化を検出して行なう
。
しかしながら、テルル−セレン合金膜では良好な品質の
記録再生信号が得られなかった。
記録再生信号が得られなかった。
本発明は以上のような問題点を解決するためになされた
ものであり、耐候性がよくかつ高感度で良好な品質の信
号を得ることのできる光記録媒体の製造方法を提供する
ことを目的とする。
ものであり、耐候性がよくかつ高感度で良好な品質の信
号を得ることのできる光記録媒体の製造方法を提供する
ことを目的とする。
本発明の光記録媒体製造方法は、基板と、レーザ光によ
って一部が選択的に除去されて情報を記録する前記基板
上に形成された記録層とを少なくとも有する光記録媒体
の製造方法であって、高周波電力によってプラズマ化さ
れた窒素ガスまたは窒素ガスを含む混合ガス中を、テル
ルおよびセレンを含む蒸気を通過させるととＫより、テ
ルルとセレンと窒素とを主成分とする記録層を作製する
ように構成される。
って一部が選択的に除去されて情報を記録する前記基板
上に形成された記録層とを少なくとも有する光記録媒体
の製造方法であって、高周波電力によってプラズマ化さ
れた窒素ガスまたは窒素ガスを含む混合ガス中を、テル
ルおよびセレンを含む蒸気を通過させるととＫより、テ
ルルとセレンと窒素とを主成分とする記録層を作製する
ように構成される。
記録層をテルルとセレンと窒素とを主成分とするととく
より、耐候性がよくかつ高感度でかつ良好な品質の信号
の光記録媒体が得られる。この光記録媒体が高感度でか
つ良好な品質の信号が得られる理由は、膜中に窒素とカ
ルコゲン元素との化合物が生成されるととＫより、ピッ
ト形成記録の初期段階である小穴の形成が比較的低い記
録パワー照射で行なわれるためである。
より、耐候性がよくかつ高感度でかつ良好な品質の信号
の光記録媒体が得られる。この光記録媒体が高感度でか
つ良好な品質の信号が得られる理由は、膜中に窒素とカ
ルコゲン元素との化合物が生成されるととＫより、ピッ
ト形成記録の初期段階である小穴の形成が比較的低い記
録パワー照射で行なわれるためである。
次に、本発明の実施例について説明する。
本発明の光記録媒体製造方法の一具体例は、１００℃で
２時間アニール処理した内径１５圓、厚さ１．２画の案
内溝付きポリカーボネート樹脂ディスク基板を真空装置
内に入れ、５×１０″＠Ｔｏｒｒ以下忙排気した。蒸発
源としては、第１の抵抗加熱用ボートにテルルを入れ、
第２の抵抗加熱用ボートにセレンを入れた。窒素とアル
ゴンとの混合ガスを導入し、高周波コイルに１３．５６
ＭＨｚの高周波電力を印加してプラズマを発生させなが
ら、テルルとセレンとをそれぞれのボートから同時に蒸
発させ、該プラズマ中を通過させることによシ、テルル
およびセレンの一部を窒化して基板上にテルルとセレン
と窒素との比が原子数パーセントで７６対１９対５のテ
ルルとセレンと窒素とを生成分とする層を２６０に厚形
酸した。しかる後、温度８５℃、相対湿度９０％の環境
に１２時間保存して光記録媒体を作製した。この光記録
媒体は基板入射における波長８３００λの反射率を測定
したところ、約２９％であった。波長５ａｏｏ＆の半導
体レーザ光を基板を通して入射し、記録層上で１．６μ
ｍφ程度に絞り、媒体線速度５．６５ ｍ ／ ｓｅｃ
、記録周波数３．７７ＭＨｚ、記録パルス幅７０ｎｓ
ｅｃ 、記録パワー７．５ｍＷの条件で記録し、０．７
ｍＷで再生した。バンド＠３０ＫＨｚのキャリアーとノ
イズとの比（Ｃハ）は４８ｄＢと良好でめった。
２時間アニール処理した内径１５圓、厚さ１．２画の案
内溝付きポリカーボネート樹脂ディスク基板を真空装置
内に入れ、５×１０″＠Ｔｏｒｒ以下忙排気した。蒸発
源としては、第１の抵抗加熱用ボートにテルルを入れ、
第２の抵抗加熱用ボートにセレンを入れた。窒素とアル
ゴンとの混合ガスを導入し、高周波コイルに１３．５６
ＭＨｚの高周波電力を印加してプラズマを発生させなが
ら、テルルとセレンとをそれぞれのボートから同時に蒸
発させ、該プラズマ中を通過させることによシ、テルル
およびセレンの一部を窒化して基板上にテルルとセレン
と窒素との比が原子数パーセントで７６対１９対５のテ
ルルとセレンと窒素とを生成分とする層を２６０に厚形
酸した。しかる後、温度８５℃、相対湿度９０％の環境
に１２時間保存して光記録媒体を作製した。この光記録
媒体は基板入射における波長８３００λの反射率を測定
したところ、約２９％であった。波長５ａｏｏ＆の半導
体レーザ光を基板を通して入射し、記録層上で１．６μ
ｍφ程度に絞り、媒体線速度５．６５ ｍ ／ ｓｅｃ
、記録周波数３．７７ＭＨｚ、記録パルス幅７０ｎｓ
ｅｃ 、記録パワー７．５ｍＷの条件で記録し、０．７
ｍＷで再生した。バンド＠３０ＫＨｚのキャリアーとノ
イズとの比（Ｃハ）は４８ｄＢと良好でめった。
この光記録媒体を７０℃、８０％の高漬高湿度の環境に
６０時間保存した後、上記特性を調べたが変化はなく、
耐候性に優れた光記録媒体であることが確認された。
６０時間保存した後、上記特性を調べたが変化はなく、
耐候性に優れた光記録媒体であることが確認された。
記録層の厚さは１００ｋから１０００＆の範囲が記録再
生特性の観点から望ましく、セレンの含有量は原子数パ
ーセントで２パーセン）［上４０パーセント未満の範囲
が記録再生特性、耐候性の観点から望ましく、窒素の含
有量は原子数パーセントで２パ一セント以上２０パーセ
ント未満が記録再生特性、耐候性の観点から望ましい。
生特性の観点から望ましく、セレンの含有量は原子数パ
ーセントで２パーセン）［上４０パーセント未満の範囲
が記録再生特性、耐候性の観点から望ましく、窒素の含
有量は原子数パーセントで２パ一セント以上２０パーセ
ント未満が記録再生特性、耐候性の観点から望ましい。
本発明の光記録媒体製造方法は、耐候性がよくかつ高感
度で信号品質が良好な光記録媒体を製造することができ
るという効果がある。
度で信号品質が良好な光記録媒体を製造することができ
るという効果がある。
第１図は本発明および従来の光記録媒体製造方法で製造
される光記録媒体の一例を示す部分断面図である。 ２２ヒ′、：、、ト
される光記録媒体の一例を示す部分断面図である。 ２２ヒ′、：、、ト
Claims (1)
- 基板を高周波電力によってプラズマ化された窒素ガスを
少なくとも含むガス雰囲気中に載置し、前記ガス雰囲気
中にテルルおよびセレンを含む蒸気を通過させ、前記基
板上にテルルとセレンと窒素とを主成分とする記録層を
作製することを特徴とする光記録媒体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62034835A JP2508053B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 光記録媒体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62034835A JP2508053B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 光記録媒体製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63201932A true JPS63201932A (ja) | 1988-08-22 |
| JP2508053B2 JP2508053B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=12425257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62034835A Expired - Lifetime JP2508053B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 光記録媒体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2508053B2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP62034835A patent/JP2508053B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2508053B2 (ja) | 1996-06-19 |
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