WO2011078010A1

WO2011078010A1 - 絶縁基板、絶縁基板の製造方法、配線の形成方法、配線基板および発光素子

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Publication number: WO2011078010A1
Application number: PCT/JP2010/072463
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Inventors: 優介畠中; 堀田　吉則; 上杉　彰男
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Priority date: 2009-12-25
Filing date: 2010-12-14
Publication date: 2011-06-30
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Also published as: US20120256224A1; CN102666940A; EP2518190A1; KR20120109573A

Abstract

　アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜と、を備え、前記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である絶縁基板を提供する。また、アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を備え、前記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜中において円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法を提供する。

Description

絶縁基板、絶縁基板の製造方法、配線の形成方法、配線基板および発光素子

　本発明は、発光素子に用いられる絶縁基板に関し、詳しくは発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という。）に用いられる絶縁基板に関する。

　一般的に、ＬＥＤは、蛍光灯と比較して、電力使用量が１／１００、寿命が４０倍（４００００時間）と言われている。このような省電力かつ長寿命という特徴が、環境重視の流れの中でＬＥＤが採用される重要な要素となっている。
　特に白色ＬＥＤは、演色性に優れ、蛍光灯に比べて電源回路が簡便であるというメリットもあることから、照明用光源としての期待が高まっている。
　近年、照明用光源として要求される発光効率の高い白色ＬＥＤ（３０～１５０Ｌｍ／Ｗ）も続々と登場し、実用時における光の利用効率の点では、蛍光灯（２０～１１０Ｌｍ／Ｗ）を逆転している。
　これにより、蛍光灯にかわり白色ＬＥＤの実用化の流れが一気に高まり、液晶表示装置のバックライトや照明用光源として白色ＬＥＤが採用されるケースも増えつつある。

　ところで、高輝度化を達成するためにＬＥＤチップに電流を大量に流すと、発熱量が増大して波長変換用蛍光体担持樹脂材料の経時劣化を促進し、その結果、長寿命という特徴が犠牲になるという問題点が指摘されている。
　実際、従来のＬＥＤにおいては、長時間駆動させたり発光輝度を高めるために高電流駆動させたりすると、ＬＥＤチップが著しく発熱して高温状態となり、熱劣化が生じている。

　このような問題を解消するため、アルミニウム基板の表面を陽極酸化皮膜で被覆した絶縁基板が提案されている（例えば、特許文献１～８を参照）。この場合、陽極酸化皮膜が絶縁性を有するとともに、アルミニウム基板が高い熱伝導性を有するため、良好な放熱性が得られる。

　また、従来、白色系ＬＥＤ発光素子として、ＲＧＢのカラーフイルタを用いてカラー表示を行う表示装置を照明するＬＥＤ発光素子が一般的に知られており、なかでも、多色混合型のＬＥＤ発光素子が用いられている。
　この多色混合型のＬＥＤ発光素子は、ＲＧＢの３色のＬＥＤを同時に発光させることによって白色光を発光させ、この白色光と表示装置のカラーフイルタによってカラー表示を行うものである。

　しかし、この多色混合型のＬＥＤ発光素子は、ＲＧＢの各ＬＥＤが発光しているため、各色純度が高く演色性にも優れているが、反面、白色光を得るためにＬＥＤの数を多く必要とし、価格が高くなるという問題があった。

　この問題を解決するＬＥＤ発光素子として、例えば、特許文献１や特許文献２等に開示されている蛍光体混色型のＬＥＤ発光素子が知られている。
　ここで、図２０は、特許文献９および１０に開示される蛍光体混色型の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式図である。図２０に示すように、白色系ＬＥＤ発光素子３００は、青色ＬＥＤ３１０がＹＡＧ系の蛍光粒子３５０を混入した透明樹脂３６０でモールドされており、ＹＡＧ系の蛍光粒子３５０によって励起された光と青色ＬＥＤ３１０の残光とにより、白色系光が発光されるものである。なお、青色ＬＥＤ３１０は、外部接続用の電極３２０，３３０を有する基板３４０にフェースダウンボンディングされている。

　このような従来公知の蛍光体混色型のＬＥＤ発光素子では、白色系の発光出力を高めるに、蛍光粒子が混入された透明樹脂の厚みを厚くしたり、透明樹脂の蛍光粒子含有量を増やしたりする等の手法が検討されている。

　また、このような従来公知の蛍光体混色型のＬＥＤ発光素子では、放熱性と絶縁性を考慮した基板として、アルミニウム基板の表面に陽極酸化処理を施して酸化アルミニウム膜を設けた金属基板が知られている（特許文献１１参照）。

特開２００７－２５０３１５号公報実開昭５５－１５４５６４号公報特開２００６－３４４９７８号公報特開平７－１４９３８号公報特開２００６－２４４８２８号公報特開２００９－１６４５８３号公報特表平１１－５０４３８７号公報特開平６－４５５１５号公報特許第２９９８６９６号明細書特開平１１－８７７８４号公報特開平６－４５５１５号公報

　本発明者は、特許文献１～８に記載の絶縁基板についてさらに検討を行った。その結果、陽極酸化皮膜を得るための陽極酸化処理の条件や使用するアルミニウム基板によっては良好な絶縁性が得られないことが明らかとなった。

　また、絶縁性（耐電圧）向上の観点から陽極酸化皮膜の膜厚を厚くすると、放熱性が低下してしまうことが明らかとなり、優れた絶縁性および放熱性を両立することが困難であることが分かった。

　また、特許文献９および１０に開示されるような従来公知の蛍光体混色型のＬＥＤ発光素子において、白色系の発光出力を高めるに、蛍光粒子が混入された透明樹脂の厚みを厚くしたり、透明樹脂の蛍光粒子含有量を増やしたりする等の手法を採用した場合、透明樹脂の厚みや透明樹脂の蛍光粒子含有量によっては、青色ＬＥＤからの青色光の透過性が弱くなり、かえって白色系の発光出力が低下する場合があった。

　また、特許文献１１に記載された金属基板では、絶縁性が十分ではなく、高出力での発光に際し、実装されたＬＥＤに接続されている金属配線からの漏れ電流が陽極酸化層を通り金属基板にリークしてショートしてしまう問題があった。

　そこで、本発明の第１の目的は、優れた放熱性を維持しつつ良好な絶縁性が得られる絶縁基板を提供することである。

　また、本発明の第２の目的は、絶縁性および放熱性のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁基板およびその製造方法ならびにそれを用いた発光素子を提供することである。

　また、本発明の第３の目的は、絶縁性および放熱性に優れ、白色系の発光出力を向上させた発光素子を提供することができる絶縁基板およびそれを用いた発光素子を提供することである。

　本発明者は、上記第１の目的を達成すべく鋭意検討した結果、陽極酸化皮膜中の円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である場合に、良好な絶縁性が得られることを見出し、本発明（第１態様）を完成させた。

　また、本発明者は、上記第２の目的を達成すべく鋭意検討した結果、陽極酸化皮膜の空隙率を所定の値以下とした絶縁層を有する絶縁基板を用いることにより、優れた絶縁性と放熱性を両立できることを見出し、本発明（第２態様）を完成させた。

　さらに、本発明者は、上記第３の目的を達成すべく鋭意検討した結果、絶縁基板全体の厚みと絶縁基板における絶縁層との厚みを所定の範囲および比率とし、かつ、絶縁層におけるマイクロポアの深さを所定の範囲とした絶縁基板を用いることにより、絶縁性と放熱性とを両立し、白色系の発光出力を向上させることができることを見出し、本発明（第３態様）を完成させた。
　すなわち、本発明は、以下の（１）～（３５）を提供する。

　（１）アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜と、を備え、上記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である絶縁基板。

　（２）さらに、上記アルミニウム基板の厚さ方向に貫通形成されたスルーホールを備え、上記スルーホールの内壁面が上記陽極酸化皮膜で被覆されている、上記（１）に記載の絶縁基板。

　（３）上記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、上記（１）または（２）に記載の絶縁基板。

　（４）ＬＥＤ用絶縁基板である、上記（１）～（３）のいずれかに記載の絶縁基板。

　（５）上記（１）に記載の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を備え、上記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜中において円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法。

　（６）上記（２）に記載の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、上記陽極酸化処理工程の前に、上記アルミニウム基板の厚さ方向にスルーホールを貫通形成するスルーホール形成工程を備える、上記（５）に記載の絶縁基板の製造方法。

　（７）上記陽極酸化処理工程の前に、上記アルミニウム基板に対して３５０～６００℃での焼鈍処理を施す焼鈍処理工程を備える、上記（５）または（６）に記載の絶縁基板の製造方法。

　（８）上記陽極酸化処理工程では、硫酸電解液を用いる、上記（５）～（７）のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。

　（９）上記硫酸電解液の硫酸濃度が、１０～６０ｇ／ｌである、上記（８）に記載の絶縁基板の製造方法。

　（１０）上記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、上記（５）～（９）のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。

　（１１）上記（１）～（３）のいずれかに記載の絶縁基板が備える上記陽極酸化皮膜上の所望部位に配線を形成する配線の形成方法であって、上記所望部位にのみ上記配線となる導体金属を選択的に供給する供給工程を備える、配線の形成方法。

　（１２）上記供給工程が、上記所望部位に上記導体金属を含む金属インクをインクジェット印刷法により供給する工程である、上記（１１）に記載の配線の形成方法。

　（１３）上記供給工程が、上記所望部位に上記導体金属を含む金属インクをスクリーン印刷法により供給する工程である、上記（１１）に記載の配線の形成方法。

　（１４）上記供給工程が、上記陽極酸化皮膜上の上記所望部位以外の部位にレジストを形成させた上記絶縁基板に対して、上記導体金属のイオンを含有する処理液を用いて無電解めっき処理および／または電解めっき処理を施す工程である、上記（１１）に記載の配線の形成方法。

　（１５）上記供給工程が、上記所望部位に金属還元能を有する金属還元層を形成し、形成された上記金属還元層に対して上記導体金属のイオンを含有する処理液を接触させる工程である、上記（１１）に記載の配線の形成方法。

　（１６）上記所望部位が上記絶縁基板の表裏両側に位置している、上記（１１）～（１５）のいずれかに記載の配線の形成方法。

　（１７）金属基板と、上記金属基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
　上記金属基板が、バルブ金属基板であり、
　上記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、
　上記陽極酸化皮膜の空隙率が、３０％以下である絶縁基板。

　（１８）上記陽極酸化皮膜の表面が、平均ピッチが０．５μｍ以下で、かつ、平均直径が１μｍ以上の凹凸を有する上記（１７）に記載の絶縁基板。

　（１９）上記陽極酸化皮膜が、マイクロポアを有し、
　上記マイクロポアの内部の少なくとも一部が、上記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質によって封孔されている上記（１７）または（１８）に記載の絶縁基板。

　（２０）上記陽極酸化皮膜が、マイクロポアを有し、
　上記マイクロポアが、その内部の少なくとも一部が上記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質によって封孔されているマイクロポアと、その内部が上記異なる物質により封孔されていないマイクロポアとで構成されている上記（１７）～（１９）のいずれかに記載の絶縁基板。

　（２１）上記異なる物質が、絶縁性である上記（１９）または（２０）に記載の絶縁基板。

　（２２）上記バルブ金属が、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマスおよびアンチモンからなる群から選択される少なくとも１種の金属である上記（１７）～（２１）のいずれかに記載の絶縁基板。

　（２３）上記バルブ金属が、アルミニウムである上記（２２）に記載の絶縁基板。

　（２４）上記絶縁基板が、ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板である上記（１７）～（２３）のいずれかに記載の絶縁基板。

　（２５）上記（１７）～（２４）のいずれかに記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、
　バルブ金属基板の表面に陽極酸化処理を施して、バルブ金属の陽極酸化皮膜をバルブ金属基板上に形成させる陽極酸化処理工程と、
　上記陽極酸化処理工程の後に、封孔処理を施して、上記陽極酸化皮膜の空隙率を３０％以下とする封孔処理工程とを有する絶縁基板の製造方法。

　（２６）上記陽極酸化処理により、マイクロポアを有する上記陽極酸化皮膜が形成され、
　上記封孔処理により、上記マイクロポアの内部の少なくとも一部が上記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質により封孔される、上記（２５）に記載の絶縁基板の製造方法。

　（２７）上記バルブ金属基板の厚さ方向にスルーホールを貫通形成するスルーホール形成工程を有する、上記（２５）または（２６）に記載の絶縁基板の製造方法。

　（２８）上記スルーホール形成工程の後に、上記バルブ金属基板を所望の形状で個片化可能にする個片化工程を有する上記（２７）に記載の絶縁基板の製造方法。

　（２９）上記（１７）～（２４）のいずれかに記載の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。

　（３０）上記（２９）に記載の配線基板と、上記配線基板の上記金属配線層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。

　（３１）アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
　上記絶縁層が、マイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜であり、
　上記絶縁基板の厚みが１５００μｍ以下であり、
　上記陽極酸化皮膜の厚みが５μｍ以上であり、
　上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が２．５～３００であり、
　上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち、上記マイクロポアが形成されていない部分の厚みが３０ｎｍ以上である絶縁基板。

　（３２）上記マイクロポアについて下記式（ｉ）により定義される規則化度が２０％以上である、上記（３１）に記載の絶縁基板。
　規則化度（％）＝Ｂ／Ａ×１００　　（ｉ）
　上記式（ｉ）中、Ａは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Ｂは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を６個含むことになる上記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。

　（３３）上記絶縁基板が、ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板である上記（３１）または（３２）に記載の絶縁基板。

　（３４）上記（３１）～（３３）のいずれかに記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、
　アルミニウム基板の一部に陽極酸化処理を施して、マイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜をアルミニウム基板上に形成させる第１陽極酸化処理工程と、
　上記第１陽極酸化処理工程の後に、ｐＨ２．５～１１．５の電解液を用いて陽極酸化処理を施して、上記マイクロポアの内部の一部を底方向から酸化アルミニウムで封孔する第２陽極酸化処理工程とを有する絶縁基板の製造方法。

　（３５）上記（３１）～（３３）のいずれかに記載の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。

　本発明によれば、優れた放熱性を維持しつつ良好な絶縁性が得られる絶縁基板を提供することができる。

　また、本発明によれば、絶縁性および放熱性のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁基板およびその製造方法ならびにそれを用いた発光素子を提供することができる。

　さらに、本発明によれば、絶縁性および放熱性に優れ、白色系の発光出力を向上させた発光素子を提供することができる絶縁基板およびそれを用いた発光素子を提供することができる。

本発明の絶縁基板の好適な実施形態の一例を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。本発明の絶縁基板の好適な実施形態の一例を示すフローチャートである。比較例Ｉ－１の絶縁基板を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。導通試験の状態を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。ルーティング加工を説明するための模式図である。本発明におけるルーティング加工の好適例を示す断面模式図である。ルーティング加工の一例を示す断面模式図である。絶縁基板への配線を説明するための断面模式図である。導体金属の供給を説明するための模式図である。配線パターンを示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は底面図を示す。マイクロポアにおける異なる物質の封孔態様を示す模式的な断面図である。本発明の絶縁基板の作製における陽極酸化処理に用いられる陽極酸化処理装置の概略図である。本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式的な断面図である。本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の他の構成例を示した模式的な断面図である。本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の他の構成例を示した模式的な断面図である。本発明の絶縁基板の好適な実施態様の一例を示す模式図である。マイクロポアの規則化度を算出する方法の説明図である。本発明の絶縁基板における絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）、陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）およびマイクロポアが形成されていない部分の陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｆ）を説明する図面である。本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式的な断面図である。従来の蛍光体混色型の白色系ＬＥＤ発光素子の一構成例を示した模式的な断面図である。

１．第１態様
［絶縁基板］
　以下に、本発明の絶縁基板について詳細に説明する。
　本発明の絶縁基板は、アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜と、を備え、上記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である絶縁基板である。
　次に、本発明の絶縁基板の構成について、図１を用いて説明する。

　図１は、本発明の絶縁基板の好適な実施形態の一例を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。
　図１に示すように、本発明の絶縁基板１は、アルミニウム基板２を主体に構成されている。アルミニウム基板２の全面は、陽極酸化皮膜３によって被覆されている。

　ここで、アルミニウム基板２の「全面」とは、アルミニウム基板２において外部雰囲気と接する全ての露出面をいい、図１に示すように、アルミニウム基板２が平板状である場合には、アルミニウム基板２の表裏面はもとより、アルミニウム基板の厚さを規定する面をも含む概念である。

　また、図１に示すように、アルミニウム基板２には、その厚さ方向に貫通させて、スルーホール４が形成されていてもよい。アルミニウム基板２の全面が陽極酸化皮膜３によって被覆されているため、スルーホール４の内壁面も同様に、陽極酸化皮膜３によって被覆されている。

　本発明の絶縁基板１では、陽極酸化皮膜３が絶縁層となる。そのため、絶縁基板１の表面に配置されるＬＥＤチップ（図示せず）に対して、絶縁基板１の裏面側から絶縁基板１の外周の陽極酸化皮膜３を沿わせて、電力供給のための配線（図示せず）を形成することができる。
　また、スルーホール４の内壁面も陽極酸化皮膜３によって被覆されているため、スルーホール４を通過させて、絶縁基板１の裏面側から表面側に向けて配線を形成することもできる。
　ＬＥＤチップを絶縁基板に表面実装する場合、電力供給のための配線を絶縁基板の裏面側から表面側に向けて形成する必要があるが、本発明の絶縁基板１によれば、これが可能となる。
　なお、配線は、例えば、後述するように、金属インクをインクジェット印刷法、スクリーン印刷法等により印刷し焼成する方法等によって形成することができる。
　このとき、アルミニウム基板２が高い熱伝導性を有するため、ＬＥＤチップが熱を帯びたとしても、優れた放熱性が得られる。

　以下に、本発明の絶縁基板を構成するアルミニウム基板、陽極酸化皮膜、スルーホール等について詳述する。

〔アルミニウム基板〕
　上記アルミニウム基板としては、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等を用いることもできる。

　上記アルミニウム基板の厚さは、特に限定されないが、実装部品の低背化の観点から、０．２～０．５ｍｍであるのが好ましい。なお、アルミニウム基板２を、所望の形状に加工することで、設計変更等にも柔軟に対応できる。

　上記アルミニウム基板のアルミニウム純度は、高い方が好ましい。具体的には、アルミニウム純度が、９９．９５質量％以上であるのが好ましく、９９．９９質量％以上であるのがより好ましい。
　アルミニウム純度が上記範囲であると、上記アルミニウム基板中のＳｉ、Ｆｅ等の不純物が極めて微量となり、後述する陽極酸化処理を施して形成される陽極酸化皮膜中に残存する金属間化合物の個数が低減する。

　また、上記アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施す場合、陽極酸化処理を施す面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましい。
　脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去することを目的として行われる。脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。
　鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の面の凹凸、例えば、アルミニウム基板の圧延時に発生した圧延筋等をなくすために行われる。鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。

〔陽極酸化皮膜〕
　上記陽極酸化皮膜は、存在する円相当直径１μｍ以上の金属間化合物の個数が２０００個／ｍｍ³以下である酸化アルミニウム皮膜である。
　上記陽極酸化皮膜は、例えば、上記アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施すことにより、上記アルミニウム基板の全面に形成される。
　上記陽極酸化皮膜の厚さは、絶縁性の観点から、５～７５μｍであるのが好ましく、１０～５０μｍであるのがより好ましい。

　ここで、金属間化合物について説明する。
　本発明において、金属間化合物とは、上記アルミニウム基板中のアルミニウムとＳｉ、Ｆｅ等の不純物とによって構成される化合物である。後述する陽極酸化処理によって、一部の金属間化合物はアルミニウムとともに酸化され、別の一部の金属間化合物は残存すると言われている。
　本発明においては、上記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下であり、１０００個／ｍｍ³以下が好ましく、８００個／ｍｍ³以下がより好ましく、２００個／ｍｍ³以下がさらに好ましい。
　また、金属間化合物の個数は次のように測定した。まず、陽極酸化皮膜の外面と断面とを、加速電圧２ｋＶ、観察倍率１００００倍で、測定面積が０．０１ｍｍ^２となるように、複数視野をＦＥ－ＳＥＭ（日立製作所社製、Ｓ－４０００）で観察した。この観察結果から、陽極酸化皮膜外面の金属間化合物の存在確率Ｐｓ（個／ｍｍ^２）と、陽極酸化皮膜断面の金属間化合物の存在確率Ｐｃ（個／ｍｍ^２）とを求め、計算式｛（Ｐｓ×Ｐｃ）＾（３／４）｝から、有効数字を２桁として、陽極酸化皮膜中の金属間化合物の個数を、算術的に求めた。
　円相当直径とは、ＳＥＭ写真における金属間化合物の面積と同じ面積を有する円の直径として換算した値である。

　上記陽極酸化皮膜中の金属間化合物の個数が上記範囲であると、本発明の絶縁基板は、絶縁性に優れる。
　これは、上記陽極酸化皮膜中に残存している金属間化合物は絶縁破壊等の起点になると考えられるところ、本発明によれば、上記陽極酸化皮膜中の金属間化合物の絶対数が低く抑えられるため、絶縁破壊等が起こりにくくなるからであると考えられる。

　なお、本発明者は、金属間化合物がアルミニウム基板の芯部分で増えることを明らかにした。これは、アルミニウムの鋳造工程に起因すると推定される。
　したがって、アルミニウム基板の芯部分の面についても陽極酸化皮膜を形成する場合、この陽極酸化皮膜と他の位置の陽極酸化皮膜とでは、金属間化合物の個数に差異が生じ、絶縁性等の特性にも差異が生じやすいと考えられる。
　しかし、本発明においては、金属間化合物の個数が全体的に低減されているため、陽極酸化皮膜の位置の違いによる絶縁性等の特性の差異も生じにくくなると考えられる。

〔スルーホール〕
　所望により形成する上記スルーホールは、後述する陽極酸化処理によって上記陽極酸化皮膜が形成される前に、上記アルミニウム基板の厚さ方向に貫通形成される。これにより、上記スルーホールの内壁面も上記陽極酸化皮膜で被覆される。
　上記スルーホールの形状は、特に限定されないが、後述する陽極酸化処理が施される際の上記アルミニウム基板の体積膨張を考慮して、目的のホール径よりもわずかに大径に形成されることが好ましい。
　また、上記スルーホールが形成される個数は、実施態様に応じて変更されるため、特に限定されないが、例えば、個片化された上記アルミニウム基板に対して２個である。

［絶縁基板の製造方法］
　以下に、本発明の絶縁基板の製造方法について詳細に説明する。
　本発明の絶縁基板の製造方法は、上述した本発明の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を備え、上述した本発明の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法である。

　次に、本発明の絶縁基板の製造方法が備える各工程について、図２に基づいて説明する。図２は、本発明の絶縁基板の好適な実施形態の一例を示すフローチャートである。

〔陽極酸化処理工程〕
　陽極酸化処理工程は、上記アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施して、上記アルミニウム基板の全面を被覆する上記陽極酸化皮膜を形成する工程である。

　陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、平版印刷版用支持体の製造等で行われている従来の方法で陽極酸化処理を施すことができる。
　具体的には、陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができ、中でも硫酸、ホウ酸を用いることが好ましい。

　硫酸電解液を用いる場合、その硫酸濃度は、１０～６０ｇ／ｌであることが好ましく、２０～４０ｇ／ｌであることがより好ましい。硫酸濃度がこの範囲であると、陽極酸化皮膜に残存する金属間化合物の個数が低減するため、本発明の絶縁基板は、絶縁性により優れる。

　この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第２、第３の成分が添加されていても構わない。ここでいう第２、第３の成分としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属のイオン；アンモニウムイオン等の陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、０～１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。

　また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１～８０質量％、液温５～７０℃、電流密度０．５～６０Ａ／ｄｍ²、電圧１～１００Ｖ、電解時間１５秒～５０分であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。

　陽極酸化処理工程においては、硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよい。
　アルミニウム基板に直流を印加する場合、電流密度は１～６０Ａ／ｄｍ²であるのが好ましく、５～４０Ａ／ｄｍ²であるのがより好ましい。

　また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理を連続的に施す場合には、アルミニウム基板の一部に電流が集中していわゆる「焼け」が生じないように、陽極酸化処理の開始当初は、５～１０Ａ／ｄｍ²の低電流密度で電流を流し、陽極酸化処理が進行するにつれ、３０～５０Ａ／ｄｍ²またはそれ以上に電流密度を増加させるのが好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板に、電解液を介して給電する液給電方式により行うのが好ましい。

　また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、ある１つの処理条件で単独処理されてもよいが、２つ以上の条件の異なる陽極酸化処理を順次組み合わせて処理してもよい。

　例えば、硫酸電解液を用いた陽極酸処理の後に、ホウ酸およびホウ酸ナトリウムを含有する電解液を用いて陽極酸化処理（追加ホウ酸処理）を施してもよい。これにより、得られる絶縁基板について、陽極酸化皮膜中の金属間化合物の個数がより低減される。
　追加ホウ酸処理の条件は、特に限定されないが、ホウ酸濃度は、０．１～１Ｍが好ましく、０．３～０．６Ｍがより好ましい。また、ホウ酸ナトリウム濃度は、０．０１～０．１Ｍが好ましく、０．０３～０．０６Ｍがより好ましい。さらに、電圧は、２００～６００Ｖが好ましく、液温は、２０～６０℃が好ましい。

〔スルーホール形成工程〕
　本発明の絶縁基板の製造方法は、スルーホール形成工程を備えていてもよい。スルーホール形成工程は、上記陽極酸化処理工程の前に、上記アルミニウム基板の厚さ方向に上記スルーホールを貫通形成する工程である。
　上記スルーホールの形成に際しては、従来公知の方法を採用することができ、例えば、ドリル加工、レーザー加工、金型よる打ち抜き加工等を用いることができる。
　また、上述したように、上記スルーホールの形成に際しては、陽極酸化処理による上記アルミニウム基板の体積膨張を考慮して、目的のホール径よりもわずかに大径に形成することが好ましい。

〔個片化工程〕
　本発明の絶縁基板の製造方法は、個片化工程を備えていてもよい。個片化工程は、上記陽極酸化処理工程の前（上記スルーホール形成工程を備える場合には、上記スルーホール形成工程の後、または、上記スルーホール形成工程と同時）に、上記アルミニウム基板を所望の形状で個片化可能にする工程である。この際、従来公知の方法を採用することができ、例えば、金型による内抜き加工、ドリルやレーザを用いたルーティング加工等を採用することができる。

　＜ルーティング加工＞
　ここで、図５に基いて、ルーティング加工について説明する。ルーティング加工は、板状のアルミニウム基板２（図５（Ａ１）参照）から、複数個のアルミニウム基板であるチップ９（図５（Ａ２）参照）を得るために行われる。
　ルーティング加工では、各々のチップ９の周囲に、アルミニウム基板２を貫通する切欠部１１が形成される（図５（Ａ２）参照）。このとき、異なるチップ９同士またはチップ９とアルミニウム基板２とを連結する連結部１０を残しておくことは、チップ９がアルミニウム基板２から切り離されてバラバラとならず、チップ９をアルミニウム基板２と一体に扱うことができるため、好ましい。
　そして、ルーティング加工の後、上述した陽極酸化処理を施し（図５（Ａ３）参照）、連結部１０を切り離すことで、絶縁基板としてのチップ９が得られる（図５（Ａ４）参照）。
　ところで、連結部１０を切り離した後のチップ９の側面には、陽極酸化されていないアルミニウム部分である切離跡１２が出現することになる（図５（Ａ４）参照）。このような切離跡１２は、陽極酸化されていないため、切離跡１２を有する絶縁基板としてのチップ９の絶縁性は、不十分となるおそれがある。

　そこで、本発明においては、図６に示すように、ルーティング加工の際に、連結部１０を、チップ９よりも薄く形成する（図６（Ｂ１）参照）。具体的には、連結部１０の厚さを、陽極酸化処理によって形成される陽極酸化皮膜３の厚さの２倍以下にすることで、連結部１０における全ての部分を陽極酸化皮膜３が占めるようにする（図６（Ｂ２）参照）。
　そうすると、連結部１０におけるアルミニウム部分は全く無くなるため、連結部１０を切り離しても、絶縁基板であるチップ９の切離跡１２は出現しない（図６（Ｂ３）参照）。このようにして得られた絶縁基板としてのチップ９の絶縁性は、十分なものとなる。

　なお、連結部１０をチップ９よりも薄く形成するといっても、図７に示すように、連結部１０の厚さを、陽極酸化処理によって形成される陽極酸化皮膜３の厚さの２倍超にしてしまうと、連結部１０にアルミニウム部分が残ってしまう（図７（Ｃ２）参照）。この場合、連結部１０の切り離しにより、チップ９の側面には切離跡１２が僅かに出現してしまい（図７（Ｃ３）参照）、絶縁性は不十分となる。

〔焼鈍処理工程〕
　本発明の絶縁基板の製造方法は、焼鈍処理工程を備えていてもよい。焼鈍処理工程は、上記陽極酸化処理工程の前（上記スルーホール形成工程を備える場合は、上記スルーホール形成工程の前）に、上記アルミニウム基板に対して、焼鈍処理を施す工程である。
　焼鈍処理を施す場合は、３５０～６００℃で施すのが好ましく、４００～５００℃で施すのがより好ましい。また、１０～１００時間施すのが好ましい。具体的には、例えば、アルミニウム基板を焼鈍炉に入れる方法等が挙げられる。
　このような焼鈍処理を施すことにより、アルミニウム基板中の不純物を、その元素種にもよるが、基板中に固溶させることができるので、陽極酸化処理を施して形成される上記陽極酸化皮膜中の金属間化合物の個数が低減して、本発明の絶縁基板における絶縁性が、より良好になる。
　また、焼鈍処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法等が挙げられる。

〔その他の工程〕
　本発明の絶縁基板の製造方法は、上記陽極酸化処理工程の前（上記スルーホール形成工程または上記個片化工程を備える場合には、これらの工程の後）に、上記アルミニウム基板に対して、バリ、加工油分等の除去を目的としたエッチング処理を施すエッチング処理工程を備えることが好ましい。
　エッチング処理は、酸性の処理液でもアルカリ性の処理液でも用いることができ、例えば、リン酸、水酸化ナトリウム溶液等を用いることができる。この際、有機溶剤系の洗浄剤を併用してもよい。
　さらに、本発明の絶縁基板の製造方法は、上記エッチング処理工程の後であって上記陽極酸化処理工程の前に、陽極酸化処理時の均一性を確保する目的で、上記アルミニウム基板の全面を十分水洗する水洗工程を備えることが好ましい。そして、水洗後、陽極酸化処理までは、自然酸化皮膜の形成および空気中の不純物の付着を抑制するため、上記アルミニウム基板の全面を、空気中に暴露しないことが好ましい。

［配線の形成方法］
　以下に、本発明の配線の形成方法について詳細に説明する。
　本発明の配線の形成方法は、上述した本発明の絶縁基板が備える上記陽極酸化皮膜上の所望部位に配線を形成する配線の形成方法であって、上記所望部位にのみ上記配線となる導体金属を選択的に供給する供給工程を備える配線の形成方法である。

　図８は、絶縁基板への配線を説明するための断面模式図である。絶縁基板１が備える陽極酸化皮膜３上の所望部位に配線を形成する方法としては、図８（Ａ）に示すように、まず、陽極酸化皮膜３の全面に、接着剤を用いて導体金属７の貼付（銅貼り）を行い、その後、所望部位以外の不要部７ｂをエッチング処理等で除去し、残った残部７ａを配線とする方法が考えられる。
　しかしながら、この方法を採用する場合、不要部７ｂをエッチング処理等で除去する工程が必須となる；使用される接着剤が絶縁基板の放熱性を悪化させる；等の問題が生じてしまう。

　これに対し、本発明の配線の形成方法によれば、図８（Ｂ）に示すように、当初から所望部位にのみ導体金属７が選択的に供給されるため、不要部７ｂをエッチング処理等で除去すること等を必要とせずに所望部位に配線を形成することが可能となる。
　そして、本発明の配線の形成方法によって得られた配線については、陽極酸化皮膜３の全面に導体金属７を供給して得られた配線と同様な導通性を有し、特に、後述する第１～第４の配線の形成方法を採用することによって、接着剤が不要となり、絶縁基板の放熱性が維持される。

　図９は、導体金属の供給を説明するための模式図である。図９に基いて、導体金属を供給する場合について説明する。
　図９（Ａ）に示すように、絶縁基板１の形状が、段差のない平板状である場合には、本発明の配線の形成方法を用いることなく、絶縁基板１の陽極酸化皮膜（図９では図示せず）上に導体金属である金属箔層８を配置することができる。
　しかしながら、図９（Ｂ）～（Ｄ）に示すように、絶縁基板１の形状が、一面側に凹凸を有する形状（キャビティ形状）；チップ９同士を連結部１０が連結している形状（プラモデル形状）；チップ９にスルーホール４が形成されている形状（スルーホール形状）；等の段差を有する形状である場合には、金属箔層８をその形状に沿って配置することは困難である。
　そこで、絶縁基板１が段差を有する形状である場合には、所望部位にのみ導体金属７が選択的に供給される本発明の配線の形成方法を採用することにより、段差形状を有する絶縁基板１に対しても部分的に導体金属７を供給し配線とすることができる。このとき、図９（Ｄ）に示すように、配線が形成されることを所望する部位が絶縁基板１の表裏両側に位置していてもよい。
　なお、スルーホール形状の絶縁基板１に対しては、スルーホール４の内壁面にも導体金属７を供給する観点から、後述する第３の配線の形成方法または第４の配線の形成方法を採用することが好ましい。

　次に、本発明の配線の形成方法として、第１～第４の配線の形成方法について説明する。
〔第１の配線の形成方法〕
　第１の配線の形成方法における上記供給工程は、上記陽極酸化皮膜上の所望部位に導体金属を含む金属インクをインクジェット印刷法により供給する工程である。第１の配線の形成方法によれば、金属インクが配線パターンを形成し、この配線パターンがその後焼成されて配線となる。
　そして、本発明の絶縁基板のように、端面（側面）まで陽極酸化皮膜が形成されている絶縁基板に対しては、第１の配線の形成方法を採用することで、金属インクを供給しやすいという効果が期待できる。

　インクジェット印刷法に用いる機構としては、特に限定されず、従来公知の機構を用いることができる。
　金属インクとしては、例えば、バインダー、界面活性剤などを含む溶媒に導体金属の微粒子を均一分散させたもの等が挙げられる。この場合、溶媒は、導体金属に対する親和性と揮発性とを兼ね備えたものであることが必要である。

　金属インクに含まれる導体金属としては、銀、銅、金、白金、ニッケル、アルミニウム、鉄、パラジウム、クロム、モリブデン、タングステンなどの金属の微粒子；酸化銀、酸化コバルト、酸化鉄、酸化ルテニウムなどの金属酸化物の微粒子；Ｃｒ－Ｃｏ－Ｍｎ－Ｆｅ、Ｃｒ－Ｃｕ、Ｃｒ－Ｃｕ－Ｍｎ、Ｍｎ－Ｆｅ－Ｃｕ、Ｃｒ－Ｃｏ－Ｆｅ、Ｃｏ－Ｍｎ－Ｆｅ、Ｃｏ－Ｎｉ－Ｃｒ－Ｆｅなどの複合合金の微粒子；銀メッキ銅などのメッキ複合体の微粒子；等が挙げられ、これらを１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
　これらのうち、金属の微粒子が好ましく、銀、銅、金がより好ましく、耐酸化性に優れて高絶縁性酸化物を生成しにくく、低コストであり、配線パターンの焼成後における導電性が向上するという理由から、特に銀が好ましい。

　微粒子である導体金属の形状としては、特に限定されず、例えば、球状、粒状、鱗片状等が挙げられるが、微粒子同士の接触面積を大きくして導電性を向上させるという観点から、鱗片状が好ましい。

　金属インクに含まれる導体金属の平均サイズは、金属インクにより形成される配線パターン中の充填率を高めて導電性を向上させるという観点、本発明の絶縁基板が備える上記陽極酸化皮膜への供給という観点から、１～２０ｎｍが好ましく、５～１０ｎｍがより好ましい。

〔第２の配線の形成方法〕
　第２の配線の形成方法における上記供給工程は、上記陽極酸化皮膜上の所望部位に導体金属を含む金属インクをスクリーン印刷法により供給する工程である。第１の配線の形成方法と同様に、第２の配線の形成方法によれば、金属インクが配線パターンを形成し、この配線パターンがその後焼成されて配線となる。
　スクリーン印刷法による金属インクの供給は、配線パターンに従った透過部分をスクリーンに設け、金属インクをこの透過部分からスキージングすることにより行うことができる。
　導体金属を含む金属インクとしては、上述したインクジェット印刷法で用いたものを用いることができる。

〔第３の配線の形成方法〕
　第３の配線の形成方法における上記供給工程は、上記陽極酸化皮膜上の所望部位以外の部位にレジストを形成させた本発明の絶縁基板に対して、導体金属のイオンを含有する処理液を用いて無電解めっき処理および／または電解めっき処理を施す工程である。第３の配線の形成方法によれば、レジストが形成されていない上記陽極酸化皮膜上の所望部位にのみ導体金属を析出させて配線とすることができる。

　上記陽極酸化皮膜上にレジストを形成する方法としては、特に限定されず、例えば、レジスト液に浸漬させた本発明の絶縁基板を乾燥させて上記陽極酸化皮膜の全面にレジストを形成させ、配線パターンに従ってレジストを露光し、現像処理を行って不要なレジストを除去する方法等の従来公知の方法を用いることができる。

　レジストとしては、上記陽極酸化皮膜を被覆することができるものであれば特に限定されず、従来公知のレジストを用いることができる。なお、フィルムタイプのレジストを用いることは、本発明の絶縁基板が上記スルーホールを備える等により段差を有する場合には、好ましくない。
　また、レジストは、本発明の絶縁基板を使用する際には、除去されていても残存していてもよい。レジストを残存させる場合には、本発明の絶縁基板の放熱性を損なわせないために、アルミナ、シリカ、チタニアなどの酸化物フィラーをレジストに含有させることが好ましい。

　無電解めっき処理で用いる処理液としては、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ等の導体金属のイオンを含有する処理液が挙げられ、中でも、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕイオンを含有する処理液が好ましい。
　電解めっき処理で用いる処理液としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ等の導体金属のイオンを含有する処理液が挙げられ、中でも、Ｃｕイオンを含有する処理液が好ましい。
　無電解めっき処理および／または電解めっき処理の条件としては、析出する導体金属が電気伝導可能な膜厚となるまで成長すれば特に限定されず、本発明の絶縁基板を無電解めっき処理液に長時間浸漬させて導体金属が所望膜厚となるまで無電解めっき処理のみを施してもよいし、無電解めっき処理を施して導体金属を一定膜厚まで成長させた後に電解めっき処理を施してこの導体金属をさらに成長させてもよい。

〔第４の配線の形成方法〕
　第４の配線の形成方法における上記供給工程は、上記陽極酸化皮膜上の所望部位に金属還元能を有する金属還元層を形成し、形成された上記金属還元層に対して導体金属のイオンを含有する処理液を接触させる工程である。第４の配線の形成方法によれば、金属還元層が形成された所望部位にだけ導体金属を析出させて配線とすることができる。

　上記金属還元層は、例えば、金属捕捉能を有する官能基を含有するカップリング剤に金属還元能を有する金属をあらかじめ補足させて得られる処理液を、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法などの印刷法を用いて、上記陽極酸化皮膜上の所望部位に印刷し、乾燥させることで形成される。
　上記カップリング剤としては、上記陽極酸化皮膜上の水酸基と反応する官能基を有していればよく、反応性の高いシラノール基を生成し得るシランカップリング剤が好ましい。
　上記カップリング剤が含有する金属捕捉能を有する官能基としては、メルカプト基、カルボキシ基、２－ヒドロキシフェニル基、３－ヒドロキシフェニル基、４－ヒドロキシフェニル基、エステル基、アミド基、イミダゾール基、エーテル基等が挙げられ、中でも、金属捕捉能により優れるという理由から、メルカプト基が好ましい。
　このような上記カップリング剤としては、例えば、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン［（ＣＨ₃Ｏ）₃ＳｉＣ₃Ｈ₆ＳＨ］等が挙げられる。
　上記カップリング剤に捕捉される金属還元能を有する金属としては、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ等が挙げられ、中でも、金属還元能により優れるという理由から、Ｐｄ（パラジウム）が好ましい。

　上記金属還元層に対して接触させる処理液に含有される導体金属のイオンとしては、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属イオンが挙げられ、中でも、Ｃｕが好ましい。
　このような処理液としては、上述した無電解めっき処理で用いる処理液を好ましく用いることができる。

２．第２態様
［絶縁基板］
　以下に、本発明の絶縁基板について詳細に説明する。
　本発明の絶縁基板は、金属基板と、上記金属基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、上記金属基板がバルブ金属基板であり、上記絶縁層がバルブ金属の陽極酸化皮膜であり、上記陽極酸化皮膜の空隙率が３０％以下である絶縁基板である。
　次に、本発明の絶縁基板を構成する金属基板（バルブ金属基板）および絶縁層（バルブ金属の陽極酸化皮膜）について説明する。

〔金属基板〕
　本発明の絶縁基板に用いられる金属基板は、バルブ金属からなる基板である。
　ここで、バルブ金属とは、陽極酸化により金属表面がその金属の酸化物の皮膜で覆われる特性を有し、更にその酸化皮膜が、電流を一方方向にのみ流して逆方向には非常に流しにくい特性を有する金属のことであり、その具体例としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。
　これらのうち、発光素子における光源の透過性が良好となり、加工性および強度にも優れる理由から、アルミニウム基板であるのが好ましい。

　＜アルミニウム基板＞
　本発明の絶縁基板に好適に用いられるアルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等を用いることもできる。
　ここで、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、１０質量％以下であるのが好ましい。

　このように本発明の絶縁基板に好適に用いられるアルミニウム基板は、その組成が特定されるものではなく、例えば、アルミニウムハンドブック第４版（１９９０年、軽金属協会発行）に記載されている従来公知の素材、例えば、ＪＩＳＡ１０５０、ＪＩＳＡ１１００、ＪＩＳＡ１０７０、Ｍｎを含むＪＩＳＡ３００４、国際登録合金３１０３Ａ等のＡｌ－Ｍｎ系アルミニウム基板を適宜利用することができる。また、引張強度を増す目的で、これらのアルミニウム合金に０．１質量％以上のマグネシウムを添加したＡｌ－Ｍｇ系合金、Ａｌ－Ｍｎ－Ｍｇ系合金（ＪＩＳＡ３００５）を用いることもできる。更に、ＺｒやＳｉを含むＡｌ－Ｚｒ系合金やＡｌ－Ｓｉ系合金を用いることもできる。更に、Ａｌ－Ｍｇ－Ｓｉ系合金を用いることもできる。

　ＪＩＳ１０５０材に関しては、特開昭５９－１５３８６１号、特開昭６１－５１３９５号、特開昭６２－１４６６９４号、特開昭６０－２１５７２５号、特開昭６０－２１５７２６号、特開昭６０－２１５７２７号、特開昭６０－２１６７２８号、特開昭６１－２７２３６７号、特開昭５８－１１７５９号、特開昭５８－４２４９３号、特開昭５８－２２１２５４号、特開昭６２－１４８２９５号、特開平４－２５４５４５号、特開平４－１６５０４１号、特公平３－６８９３９号、特開平３－２３４５９４号、特公平１－４７５４５号、特開昭６２－１４０８９４号、特公平１－３５９１０号および特公昭５５－２８８７４号の各公報に記載されている。

　ＪＩＳ１０７０材に関しては、特開平７－８１２６４号、特開平７－３０５１３３号、特開平８－４９０３４号、特開平８－７３９７４号、特開平８－１０８６５９号および特開平８－９２６７９号の各公報に記載されている。

　Ａｌ－Ｍｇ系合金に関しては、特公昭６２－５０８０号、特公昭６３－６０８２３号、特公平３－６１７５３号、特開昭６０－２０３４９６号、特開昭６０－２０３４９７号、特公平３－１１６３５号、特開昭６１－２７４９９３号、特開昭６２－２３７９４号、特開昭６３－４７３４７号、特開昭６３－４７３４８号、特開昭６３－４７３４９号、特開昭６４－１２９３号、特開昭６３－１３５２９４号、特開昭６３－８７２８８号、特公平４－７３３９２号、特公平７－１００８４４号、特開昭６２－１４９８５６号、特公平４－７３３９４号、特開昭６２－１８１１９１号、特公平５－７６５３０号、特開昭６３－３０２９４号、特公平６－３７１１６号、特開平２－２１５５９９号および特開昭６１－２０１７４７号の各公報に記載されている。

　Ａｌ－Ｍｎ系合金に関しては、特開昭６０－２３０９５１号、特開平１－３０６２８８号、特開平２－２９３１８９号、特公昭５４－４２２８４号、特公平４－１９２９０号、特公平４－１９２９１号、特公平４－１９２９２号、特開昭６１－３５９９５号、特開昭６４－５１９９２号および特開平４－２２６３９４号の各公報、米国特許第５，００９，７２２号明細書、同第５，０２８，２７６号明細書等に記載されている。

　Ａｌ－Ｍｎ－Ｍｇ系合金に関しては、特開昭６２－８６１４３号、特開平３－２２２７９６号、特公昭６３－６０８２４号、特開昭６０－６３３４６号、特開昭６０－６３３４７号および特開平１－２９３３５０号の各公報、欧州特許第２２３，７３７号、米国特許第４，８１８，３００号、英国特許第１，２２２，７７７号の各明細書等に記載されている。

　Ａｌ－Ｚｒ系合金に関しては、特公昭６３－１５９７８号、特開昭６１－５１３９５号、特開昭６３－１４３２３４号および特開昭６３－１４３２３５号の各公報等に記載されている。

　Ａｌ－Ｍｇ－Ｓｉ系合金に関しては、英国特許第１，４２１，７１０号明細書等に記載されている。

　アルミニウム合金を板材とするには、例えば、下記の方法を採用することができる。
　まず、所定の合金成分含有量に調整したアルミニウム合金溶湯に、常法に従い、清浄化処理を行い、鋳造する。清浄化処理には、溶湯中の水素等の不要ガスを除去するために、フラックス処理、アルゴンガス、塩素ガス等を用いる脱ガス処理、セラミックチューブフィルタ、セラミックフォームフィルタ等のいわゆるリジッドメディアフィルタや、アルミナフレーク、アルミナボール等をろ材とするフィルタや、グラスクロスフィルタ等を用いるフィルタリング処理、あるいは、脱ガス処理とフィルタリング処理を組み合わせた処理が行われる。

　これらの清浄化処理は、溶湯中の非金属介在物、酸化物等の異物による欠陥や、溶湯に溶け込んだガスによる欠陥を防ぐために実施されることが好ましい。溶湯のフィルタリングに関しては、特開平６－５７４３２号、特開平３－１６２５３０号、特開平５－１４０６５９号、特開平４－２３１４２５号、特開平４－２７６０３１号、特開平５－３１１２６１号、特開平６－１３６４６６号の各公報等に記載されている。また、溶湯の脱ガスに関しては、特開平５－５１６５９号公報、実開平５－４９１４８号公報等に記載されている。本出願人も、特開平７－４００１７号公報において、溶湯の脱ガスに関する技術を提案している。

　ついで、上述したように清浄化処理を施された溶湯を用いて鋳造を行う。鋳造方法に関しては、ＤＣ鋳造法に代表される固定鋳型を用いる方法と、連続鋳造法に代表される駆動鋳型を用いる方法がある。
　ＤＣ鋳造においては、冷却速度が０．５～３０℃／秒の範囲で凝固する。１℃未満であると粗大な金属間化合物が多数形成されることがある。ＤＣ鋳造を行った場合、板厚３００～８００ｍｍの鋳塊を製造することができる。その鋳塊を、常法に従い、必要に応じて面削を行い、通常、表層の１～３０ｍｍ、好ましくは１～１０ｍｍを切削する。その前後において、必要に応じて、均熱化処理を行う。均熱化処理を行う場合、金属間化合物が粗大化しないように、４５０～６２０℃で１～４８時間の熱処理を行う。熱処理が１時間より短い場合には、均熱化処理の効果が不十分となることがある。

　その後、熱間圧延、冷間圧延を行ってアルミニウム基板の圧延板とする。熱間圧延の開始温度は３５０～５００℃が適当である。熱間圧延の前もしくは後、またはその途中において、中間焼鈍処理を行ってもよい。中間焼鈍処理の条件は、バッチ式焼鈍炉を用いて２８０～６００℃で２～２０時間、好ましくは３５０～５００℃で２～１０時間加熱するか、連続焼鈍炉を用いて４００～６００℃で６分以下、好ましくは４５０～５５０℃で２分以下加熱するかである。連続焼鈍炉を用いて１０～２００℃／秒の昇温速度で加熱して、結晶組織を細かくすることもできる。

　以上の工程によって、所定の厚さ、例えば、０．１～０．５ｍｍに仕上げられたアルミニウム基板は、更にローラレベラ、テンションレベラ等の矯正装置によって平面性を改善してもよい。平面性の改善は、アルミニウム基板をシート状にカットした後に行ってもよいが、生産性を向上させるためには、連続したコイルの状態で行うことが好ましい。また、所定の板幅に加工するため、スリッタラインを通してもよい。また、アルミニウム基板同士の摩擦による傷の発生を防止するために、アルミニウム基板の表面に薄い油膜を設けてもよい。油膜には、必要に応じて、揮発性のものや、不揮発性のものが適宜用いられる。

　一方、連続鋳造法としては、双ロール法（ハンター法）、３Ｃ法に代表される冷却ロールを用いる方法、双ベルト法（ハズレー法）、アルスイスキャスターＩＩ型に代表される冷却ベルトや冷却ブロックを用いる方法が、工業的に行われている。連続鋳造法を用いる場合には、冷却速度が１００～１０００℃／秒の範囲で凝固する。連続鋳造法は、一般的には、ＤＣ鋳造法に比べて冷却速度が速いため、アルミマトリックスに対する合金成分固溶度を高くすることができるという特徴を有する。連続鋳造法に関しては、本出願人によって提案された技術が、特開平３－７９７９８号、特開平５－２０１１６６号、特開平５－１５６４１４号、特開平６－２６２２０３号、特開平６－１２２９４９号、特開平６－２１０４０６号、特開平６－２６３０８号の各公報等に記載されている。

　連続鋳造を行った場合において、例えば、ハンター法等の冷却ロールを用いる方法を用いると、板厚１～１０ｍｍの鋳造板を直接、連続鋳造することができ、熱間圧延の工程を省略することができるというメリットが得られる。また、ハズレー法等の冷却ベルトを用いる方法を用いると、板厚１０～５０ｍｍの鋳造板を鋳造することができ、一般的に、鋳造直後に熱間圧延ロールを配置し連続的に圧延することで、板厚１～１０ｍｍの連続鋳造圧延板が得られる。

　これらの連続鋳造圧延板は、ＤＣ鋳造について説明したのと同様に、冷間圧延、中間焼鈍、平面性の改善、スリット等の工程を経て、所定の厚さ、例えば、０．１～０．５ｍｍの板厚に仕上げられる。連続鋳造法を用いた場合の中間焼鈍条件および冷間圧延条件については、本出願人によって提案された技術が、特開平６－２２０５９３号、特開平６－２１０３０８号、特開平７－５４１１１号、特開平８－９２７０９号の各公報等に記載されている。

　アルミニウム基板の結晶組織は、化学的粗面化処理や電気化学的粗面化処理を行った場合、アルミニウム基板の表面の結晶組織が面質不良の発生の原因となることがあるので、表面においてあまり粗大でないことが好ましい。アルミニウム基板の表面の結晶組織は、幅が２００μｍ以下であるのが好ましく、１００μｍ以下であるのがより好ましく、５０μｍ以下であるのが更に好ましく、また、結晶組織の長さが５０００μｍ以下であるのが好ましく、１０００μｍ以下であるのがより好ましく、５００μｍ以下であるのが更に好ましい。これらに関して、本出願人によって提案された技術が、特開平６－２１８４９５号、特開平７－３９９０６号、特開平７－１２４６０９号の各公報等に記載されている。

　アルミニウム基板の合金成分分布は、化学的粗面化処理や電気化学的粗面化処理を行った場合、アルミニウム基板の表面の合金成分の不均一な分布に起因して面質不良が発生することがあるので、表面においてあまり不均一でないことが好ましい。これらに関して、本出願人によって提案された技術が、特開平６－４８０５８号、特開平５－３０１４７８号、特開平７－１３２６８９号の各公報等に記載されている。

　アルミニウム基板の金属間化合物は、その金属間化合物のサイズや密度が、化学的粗面化処理や電気化学的粗面化処理に影響を与える場合がある。これらに関して、本出願人によって提案された技術が、特開平７－１３８６８７号、特開平４－２５４５４５号の各公報等に記載されている。

　本発明においては、上記に示されるようなアルミニウム基板をその最終圧延工程等において、積層圧延、転写等により凹凸を形成させて用いることもできる。

　本発明の絶縁基板に好適に用いられるアルミニウム基板は、アルミニウムウェブであってもよく、枚葉状シートであってもよい。
　アルミニウムウェブの場合、アルミニウムの荷姿としては、例えば、鉄製パレットにハードボードとフェルトとを敷き、製品両端に段ボールドーナツ板を当て、ポリチュ－ブで全体を包み、コイル内径部に木製ドーナツを挿入し、コイル外周部にフェルトを当て、帯鉄で絞め、その外周部に表示を行う。また、包装材としては、ポリエチレンフィルム、緩衝材としては、ニードルフェルト、ハードボードを用いることができる。この他にもいろいろな形態があるが、安定して、キズも付かず運送等が可能であればこの方法に限るものではない。

　本発明の絶縁基板に好適に用いられるアルミニウム基板の厚みは、０．１～２．０ｍｍ程度であり、０．１５～１．５ｍｍであるのが好ましく、０．２～１．０ｍｍであるのがより好ましい。この厚さは、ユーザーの希望等により適宜変更することができる。

〔絶縁層〕
　本発明の絶縁基板に用いられる絶縁層は、上記金属基板（バルブ金属基板）の表面に設けられる層であって、上述したバルブ金属の陽極酸化皮膜である。
　上記絶縁層は、上記バルブ金属基板とは別のバルブ金属基材の陽極酸化皮膜であってもよいが、絶縁層の形成欠陥を防ぐ観点から、上記バルブ金属基板の一部（表面）に後述する陽極酸化処理を施すことによってバルブ金属基板上に形成される陽極酸化皮膜であるのが好ましい。

　本発明においては、上記陽極酸化皮膜の空隙率が３０％以下であり、１５％以下であるのが好ましく、５％以下であるのがより好ましい。
　ここで、陽極酸化皮膜の空隙率とは、下記式により算出される値をいう。なお、下記式中、バルブ金属酸化物の密度（ｇ／ｃｍ³）は、化学便覧等に記載された密度をいい、例えば、酸化アルミニウムであれば３．９８であり、酸化チタンであれば４．２３である。
　　空隙率（％）＝〔１－（酸化皮膜密度／バルブ金属酸化物の密度）〕×１００
　（式中、酸化皮膜密度（ｇ／ｃｍ³）は、「単位面積あたりの酸化皮膜質量／酸化皮膜膜厚」を表す。）

　このような空隙率を有する陽極酸化皮膜を絶縁層に用いることにより、絶縁性および放熱性がいずれも優れる発光素子を提供することができる。
　これは、陽極酸化皮膜の組成や膜厚に影響を与えずに、陽極酸化皮膜の空隙に存在する空気量が減ることになる結果、陽極酸化皮膜の優れた絶縁性を保持しつつ熱伝導率も高くすることができたためと考えられる。

　また、本発明においては、絶縁性をより良好とする観点から、図１１に示すように、上記陽極酸化皮膜１４が有するマイクロポア１５の内部の少なくとも一部が、上記陽極酸化皮膜１４を構成する物質とは異なる物質１６によって封孔されているのが好ましく（図１１（Ａ）参照）、更に後述する金属配線層との密着性も良好にする観点から、上記陽極酸化皮膜１４が有するマイクロポアが、その内部の少なくとも一部が上記陽極酸化皮膜１４を構成する物質とは異なる物質１６によって封孔されているマイクロポア１５ａとともに、その内部が上記異なる物質により封孔されていないマイクロポア１５ｂとで構成されているのがより好ましい（図１１（Ｂ）参照）。
　ここで、上記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質は、絶縁性であるのが好ましく、その具体例としては、上記陽極酸化皮膜がアルミニウムの陽極酸化皮膜（酸化アルミニウム）である場合、具体的には、例えば、水酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、および、これらの水和物等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　これらのうち、酸化アルミニウムと屈折率が近く、発光素子における光源の透過性が良好となる理由ならびに酸化アルミニウムとの吸着性および絶縁性に優れる理由から、水酸化アルミニウムおよびその水和物であるのが好ましい。

　更に、本発明においては、発光素子の用途に応じて、上記絶縁層を上記金属基板の両面に設けていてもよく、上記金属基板の端面に設けていてもよい。

　このような本発明の絶縁基板を構成する金属基板および絶縁層の表面は、特に白色ＬＥＤ用の絶縁基板として使用する場合において、光の拡散反射成分を高める観点から、所定の表面形状を設けることができる。
　表面形状としては、平均波長０．０１～１００μｍの凹凸を有する形状が好ましく、また、異なる波長の凹凸が重畳された形状であってもよい。
　このような表面形状を有すると、光拡散効果が向上し、発光吸収効果および干渉効果（反射としてのロスとなりうる効果）を抑えることができると推定される。
　このような表面形状を設ける処理は、例えば、特開２００７－２４５１１６号公報の段落［００４９］～［００７６］に記載されているような、機械的／電気的／化学的な各種処理条件で施すのが好ましい。

　特に、本発明の絶縁基板を構成する絶縁層（陽極酸化皮膜）の表面は、ＬＥＤ実装を考慮して設けられる後述する金属配線層との密着性が良好となり、非配線部分の反射特性の劣化を抑制できる理由から、平均ピッチが０．５μｍ以下で、かつ、平均直径が１μｍ以上の凹凸を有しているのが好ましい。
　本発明においては、上記凹凸は、上記陽極酸化皮膜が有するマイクロポアの内部の一部（例えば、８～９割程度）に上記異なる物質を封孔することによっても形成することができる。

［絶縁基板の製造方法］
　以下に、本発明の絶縁基板の製造方法について詳細に説明する。
　本発明の絶縁基板の製造方法は、上述した本発明の絶縁基板を製造する方法であって、
　バルブ金属基板の表面に陽極酸化処理を施して、バルブ金属の陽極酸化皮膜をバルブ金属基板上に形成させる陽極酸化処理工程と、
　上記陽極酸化処理工程の後に、封孔処理を施して、上記陽極酸化皮膜の空隙率を３０％以下とする封孔処理工程とを有する絶縁基板の製造方法である。
　次に、陽極酸化処理工程および封孔処理工程について説明する。

〔陽極酸化処理工程〕
　陽極酸化処理工程は、上記金属基板の表面に陽極酸化処理を施すことにより、金属基板表面に多孔質または非孔質部分を有する絶縁層を形成する処理工程である。

　酸化処理工程における陽極酸化処理は、平版印刷版用支持体の製造等で行われている従来の方法で陽極酸化処理を施すことができる。
　具体的には、陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等や、水酸化ナトリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属／アルカリ土類金属の水酸化物等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第２、第３の成分が添加されていても構わない。ここでいう第２、第３の成分としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属のイオン；アンモニウムイオン等の陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、０～１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。

　また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１～８０質量％、液温５～７０℃、電流密度０．５～６０Ａ／ｄｍ²、電圧１～６００Ｖ、電解時間１５秒～２０時間であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。

　更に、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、特開昭５４－８１１３３号、特開昭５７－４７８９４号、特開昭５７－５１２８９号、特開昭５７－５１２９０号、特開昭５７－５４３００号、特開昭５７－１３６５９６号、特開昭５８－１０７４９８号、特開昭６０－２００２５６号、特開昭６２－１３６５９６号、特開昭６３－１７６４９４号、特開平４－１７６８９７号、特開平４－２８０９９７号、特開平６－２０７２９９号、特開平５－２４３７７号、特開平５－３２０８３号、特開平５－１２５５９７号、特開平５－１９５２９１号の各公報等に記載されている方法を使用することもできる。

　中でも、特開昭５４－１２８５３号公報および特開昭４８－４５３０３号公報に記載されているように、電解液として硫酸溶液を用いるのが好ましい。電解液中の硫酸濃度は、１０～３００ｇ／Ｌであるのが好ましく、また、アルミニウムイオン濃度は、１～２５ｇ／Ｌであるのが好ましく、２～１０ｇ／Ｌであるのがより好ましい。このような電解液は、例えば、硫酸濃度が５０～２００ｇ／Ｌである希硫酸に硫酸アルミニウム等を添加することにより調製することができる。

　陽極酸化皮膜が多孔質である場合、マイクロポアの平均ポア径が５～１０００ｎｍ程度であり、平均ポア密度が１×１０⁶～１×１０¹⁰／ｍｍ²程度である。また、このマイクロポアの陽極酸化皮膜における割合と近似する陽極酸化皮膜の空隙率は、後述する封孔処理が容易となる観点から、１～９０％であることが好ましく、５～８０％がより好ましく、１０～７０％が特に好ましい。なお、空隙率の算出方法は、上述した通りである。

　陽極酸化皮膜の厚さは１～２００μｍであるのが好ましい。１μｍ未満であると絶縁性に乏しく耐電圧が低下し、一方、２００μｍを超えると製造に多大な電力が必要となり、経済的に不利になる。陽極酸化皮膜の厚さは、２～１００μｍであるのがより好ましく、１０～５０μｍであるのが更に好ましい。

　陽極酸化処理に用いられる電解装置としては、特開昭４８－２６６３８号、特開昭４７－１８７３９号、特公昭５８－２４５１７号の各公報等に記載されているものを用いることができる。中でも、図１２に示す装置が好適に用いられる。図１２は、アルミニウム基板の表面を陽極酸化処理する装置の一例を示す概略図である。陽極酸化処理装置４１０において、アルミニウム基板４１６は、図１２中矢印で示すように搬送される。電解液４１８が貯溜された給電槽４１２にてアルミニウム基板４１６は給電電極４２０によって（＋）に荷電される。そして、アルミニウム基板４１６は、給電槽４１２においてローラ４２２によって上方に搬送され、ニップローラ４２４によって下方に方向変換された後、電解液４２６が貯溜された電解処理槽４１４に向けて搬送され、ローラ４２８によって水平方向に方向転換される。ついで、アルミニウム基板４１６は、電解電極４３０によって（－）に荷電されることにより、その表面に陽極酸化皮膜が形成され、電解処理槽４１４を出たアルミニウム基板４１６は後工程に搬送される。上記陽極酸化処理装置４１０において、ローラ４２２、ニップローラ４２４およびローラ４２８によって方向転換手段が構成され、アルミニウム基板４１６は、給電槽４１２と電解処理槽４１４との槽間部において、上記ローラ４２２、４２４および４２８により、山型および逆Ｕ字型に搬送される。給電電極４２０と電解電極４３０とは、直流電源４３４に接続されている。

　図１２の陽極酸化処理装置４１０の特徴は、給電槽４１２と電解処理槽４１４とを１枚の槽壁４３２で仕切り、アルミニウム基板４１６を槽間部において山型および逆Ｕ字型に搬送したことにある。これによって、槽間部におけるアルミニウム基板４１６の長さを最短にすることができる。よって、陽極酸化処理装置４１０の全体長を短くできるので、設備費を低減することができる。また、アルミニウム基板４１６を山型および逆Ｕ字型に搬送することによって、各槽４１２および４１４の槽壁４３２にアルミニウム基板４１６を通過させるための開口部を形成する必要がなくなる。よって、各槽４１２および４１４内の液面高さを必要レベルに維持するのに要する送液量を抑えることができるので、稼働費を低減することができる。

　また、陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、ある１つの処理条件で単独処理されてもよいが、陽極酸化皮膜の、場所による形状、あるいは深さ方向における形状、等のように形状を制御したい場合には、２つ以上の条件の異なる陽極酸化処理を順次組み合わせて処理してもよい。

　また、後述する封孔処理工程における封孔のバラツキを抑制する観点から、例えば、特許第３，７１４，５０７号、特開２００２－２８５３８２号公報、特開２００６－１２４８２７号公報、特開２００７－２３１３３９号公報、特開２００７－２３１４０５公報、特開２００７－２３１３４０号公報、特開２００７－２３８９８８号公報等に記載されている方法により、ハニカム状に配列したマイクロポアを形成する陽極酸化処理が好ましい。
　これらの処理は、各特許および公報の処理条件にて記載されている処理が好ましい。

〔封孔処理工程〕
　封孔処理工程は、上記陽極酸化処理工程の後に、封孔処理を施して、上記陽極酸化皮膜の空隙率を３０％以下とし、本発明の絶縁基板を得る工程である。

　封孔処理工程における封孔処理は、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。例えば、特公昭５６－１２５１８号公報、特開平４－４１９４号公報、特開平５－２０２４９６号公報、特開平５－１７９４８２号公報等に記載されている装置および方法で封孔処理を行ってもよい。

　本発明においては、上記陽極酸化皮膜がマイクロポアを有している場合、上記陽極酸化皮膜の空隙率をより小さくし、放熱性をより良好とする観点から、陽極酸化皮膜の表面だけではなく、沸騰水処理、熱水処理、ケイ酸ソーダ処理等の処理液をマイクロポアの内部まで浸透させるのが好ましい。

　また、本発明においては、上記陽極酸化皮膜がマイクロポアを有している場合、絶縁性をより良好にする観点から、上述したように、上記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質によって封孔されているのが好ましい。
　このような異なる物質を封孔させる封孔処理としては、例えば、上述した沸騰水処理、熱水処理、ケイ酸ソーダ処理等の処理液をマイクロポアの内部まで浸透させることにより、マイクロポアの内壁を構成する物質（例えば、酸化アルミニウム等）を変質（例えば、水酸化アルミニウム等に変質）させる方法であってもよいが、特開平６－３５１７４号公報の段落［００１６］～［００３５］に記載されているようなゾルゲル法による封孔処理等も好適に挙げられる。
　ここで、ゾルゲル法とは、一般に金属アルコキシドからなるゾルを加水分解・重縮合反応により流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物を形成する方法である。
　上記金属アルコキシドは、特に限定されないが、マイクロポアの内部への封孔が容易である観点から、Ａｌ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｂａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｂｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｃａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｆｅ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｇａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｇｅ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｈｆ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｉｎ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｋ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｌａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｌｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｍｇ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｍｏ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｎａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｎｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｎ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｒ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｔａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｔｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｖ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｗ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｙ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｚｎ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｚｒ（Ｏ－Ｒ)ｎ等が好適に例示される。なお、上記例示中、Ｒは、置換基を有してもよい、直鎖状、分枝状もしくは環状の炭化水素基または水素原子を表し、ｎは任意の自然数を示す。
　これらのうち、上記絶縁層がアルミニウムの陽極酸化皮膜である場合、酸化アルミニウムとの反応性に優れ、ゾルゲル形成性に優れた、酸化チタン、酸化珪素系の金属アルコキシドが好ましい。
　また、ゾルゲルをマイクロポアの内部に形成する方法は特に限定されないが、マイクロポアの内部への封孔が容易である観点から、ゾル液を塗布して加熱する方法が好ましい。
　また、ゾル液の濃度は、０．１～９０質量％が好ましく、１～８０質量％がより好ましく、５～７０質量％が特に好ましい。
　また、空隙率を低下させるために、繰り返し重ねて処理してもよい。

　一方、このような異なる物質を封孔させる他の封孔処理として、上記陽極酸化皮膜が有するマイクロポアに入る大きさの絶縁性粒子をマイクロポア内部に充填させてもよい。
　このような絶縁性粒子としては、分散性およびサイズの観点からコロイダルシリカが好ましい。
　コロイダルシリカは、ゾル－ゲル法で調製して使用することもでき、市販品を利用することもできる。ゾル－ゲル法で調製する場合には、ＷｅｒｎｅｒＳｔｏｂｅｒｅｔａｌ；Ｊ．ＣｏｌｌｏｉｄａｎｄＩｎｔｅｒｆａｃｅＳｃｉ．，２６，６２－６９（１９６８）、ＲｉｃｋｅｙＤ．Ｂａｄｌｅｙｅｔａｌ；Ｌａｎｇｍｕｉｒ６，７９２－８０１（１９９０）、色材協会誌，６１［９］４８８－４９３（１９８８）などを参照できる。
　また、コロイダルシリカは、二酸化ケイ素を基本単位とするシリカの水または水溶性溶媒の分散体であり、その粒子径は１～４００ｎｍであることが好ましく、１～１００ｎｍであることがより好ましく、５～５０ｎｍであることが特に好ましい。粒子径が１ｎｍより小さい場合は、塗液の貯蔵安定性が悪く、４００ｎｍより大きい場合は、マイクロ孔への充填性が悪くなる。
　上記範囲の粒子径のコロイダルシリカは、水性分散液の状態で、酸性、塩基性のいずれであっても用いることができ、混合する水性分散体の安定領域に応じて、適宜選択することができる。
　水を分散媒体とする酸性のコロイダルシリカとしては、例えば、日産化学工業社製のスノーテックス（登録商標。以下同様。）－Ｏ、スノーテックス－ＯＬ、旭電化工業社製のアデライト（登録商標。以下同様。）ＡＴ－２０Ｑ、クラリアントジャパン社製クレボゾール（登録商標。以下同様。）２０Ｈ１２、クレボゾール３０ＣＡＬ２５等の市販品を使用することができる。

　塩基性のコロイダルシリカとしては、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、アミンの添加で安定化したシリカがあり、例えば、日産化学工業社製のスノーテックス－２０、スノーテックス－３０、スノーテックス－Ｃ、スノーテックス－Ｃ３０、スノーテックス－ＣＭ４０、スノーテックス－Ｎ、スノーテックス－Ｎ３０、スノーテックス－Ｋ、スノーテックス－ＸＬ、スノーテックス－ＹＬ、スノーテックス－ＺＬ、スノーテックスＰＳ－Ｍ、スノーテックスＰＳ－Ｌ；旭電化工業社製のアデライトＡＴ－２０、アデライトＡＴ－３０、アデライトＡＴ－２０Ｎ、アデライトＡＴ－３０Ｎ、アデライトＡＴ－２０Ａ、アデライトＡＴ－３０Ａ、アデライトＡＴ－４０、アデライトＡＴ－５０；クラリアントジャパン社製のクレボゾール３０Ｒ９、クレボゾール３０Ｒ５０、クレボゾール５０Ｒ５０；デュポン社製のルドックス（登録商標。以下同様。）ＨＳ－４０、ルドックスＨＳ－３０、ルドックスＬＳ、ルドックスＳＭ－３０；等の市販品を使用することができる。

　また、水溶性溶剤を分散媒体とするコロイダルシリカとしては、例えば、日産化学工業社製のＭＡ－ＳＴ－Ｍ（粒子径：２０～２５ｎｍ、メタノール分散タイプ）、ＩＰＡ－ＳＴ（粒子径：１０～１５ｎｍ、イソプロピルアルコール分散タイプ）、ＥＧ－ＳＴ（粒子径：１０～１５ｎｍ、エチレングリコール分散タイプ）、ＥＧ－ＳＴ－ＺＬ（粒子径：７０～１００ｎｍ、エチレングリコール分散タイプ）、ＮＰＣ－ＳＴ（粒子径：１０～１５ｎｍ、エチレングリコールモノプロピルエーテール分散タイプ）等の市販品を使用することができる。
　また、これらコロイダルシリカは、一種または二種類以上組み合わせてもよく、少量成分として、アルミナ、アルミン酸ナトリウムなどを含んでいてもよい。
　また、コロイダルシリカは、安定剤として無機塩基（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニアなど）や有機塩基（テトラメチルアンモニウムなど）を含んでいてもよい。

　本発明においては、上記封孔処理において、上記マイクロポアの内部に上記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質を封孔した場合、空隙率が３０％を超えない限度において、上記陽極酸化皮膜の表層（表面）付近に存在する上記異なる物質を除去するのが好ましい。
　表層付近に存在する上記異なる物質を除去することにより、上記陽極酸化皮膜の表面に、平均ピッチが０．５μｍ以下で、かつ、平均直径が１μｍ以上の凹凸を形成することが容易となり、これにより後述する金属配線層との密着性が良好になる。
　また、表層付近に存在する上記異なる物質を除去する方法は特に限定されないが、例えば、後述する実施例に示す酵素プラズマ処理、水酸化ナトリウム水溶液による浸漬処理等の他、機械的研磨処理や化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）処理等により表層部分のみを除去する方法が好適に挙げられる。

〔スルーホール形成工程／個片化工程〕
　本発明の絶縁基板の製造方法においては、スルーホール形成工程を備えていてもよい。スルーホール形成工程は、上記金属基板の厚さ方向に上記スルーホールを貫通形成する工程である。
　また、本発明の絶縁基板の製造方法においては、個片化工程を備えていてもよい。個片化工程は、上記スルーホール形成工程を備える場合には上記スルーホール形成工程の後に、上記金属基板を所望の形状（例えば、最終製品に必要な加工シロを加えたもの等）で個片化可能にする工程であり、ルーティング加工ともいう。
　これらの工程は、上述した陽極酸化処理工程の前に行っても後に行ってもよい。陽極酸化処理工程の前に行うと、陽極酸化処理により形成される絶縁層への亀裂を防ぎ、これらの工程により生じる基板端面部への絶縁性を保持することができる。陽極酸化処理工程の後に行うと、陽極酸化処理の効率を上げられ、また最終製品のサイズに精度よく加工することができる。

　スルーホール形成工程により形成されるスルーホールの形状は、配線が必要な複数の層間の長さを有し、必要な配線をその中に入れて確保できる大きさ（径）であれば特に限定されないが、最終的なチップの大きさや、より確実な配線の形成を考えると、円形であることが好ましく、具体的には、０．０１～２ｍｍφが好ましく、０．０５～１ｍｍφがより好ましく、０．１～０．８ｍｍφが特に好ましい。

　また、個片化工程において個片化するサイズは、最終的なチップの大きさや形状を考慮する必要があるが、方形型のチップを想定した場合、チップのコンパクト性および加工適性の観点から、１辺が０．１～５０ｍｍが好ましく、０．２～４０ｍｍがより好ましく、０．４～３０ｍｍが特に好ましい。特に、メインパッケージ用の反射基板を想定する場合には、現在の形状規格例である、３．２ｍｍ×２．８ｍｍ、１．６ｍｍ×０．８ｍｍ等の大きさにルーティングすることが好ましい。
　また、個片化した後のチップ部には、上述した陽極酸化処理工程を個片化工程の後に行う場合は、陽極酸化処理により絶縁層を設けるために、チップ部への電気導通性を施す形状に加工しておくことが好ましい。好適な方法としては、導通部を設けた状態でルーティング加工する方法、導通ワイヤ等によりチップ部を接続しておく方法等が挙げられるがこれらに限定されない。

　本発明においては、スルーホール形成工程および個片化工程を施す好適な方法としては、ドリル加工、金型によるプレス加工、ダイサーによるダイシング加工、レーザー加工、等が挙げられるが、これらに限定されない。

〔保護処理〕
　更に、本発明の絶縁基板の製造方法においては、上述したスルーホール形成工程や個片化工程、後述するＬＥＤへの電気信号伝送のための金属配線層形成加工やＬＥＤ実装部への金属層形成加工等で使用する各種溶剤に対応させるべく、保護処理を施すことができる。
　保護処理としては、具体的には、例えば、特開２００８－９３６５２号公報、特開２００９－６８０７６号公報等に記載のように、陽極酸化皮膜表面の親／疎水性（親／疎油性）の性質を適宜変えることができるほか、酸／アルカリ等に耐性を付与する方法も、適宜用いることができる。

〔その他の処理〕
　更に、本発明の絶縁基板の製造方法においては、必要に応じて絶縁基板の表面に種々の処理を施すことができる。
　例えば、反射基板の白色性を高めるために、酸化チタン等の白色性絶縁性材料からなる無機絶縁層、白色レジスト等の有機絶縁層を設けてもよい。
　また、上記白色以外にも、例えば電着処理により、酸化アルミニウムよりなる絶縁層に所望の色を着色することができる。具体的には、「陽極酸化」金属表面技術協会編．金属表面技術講座Ｂ（１９６９　ＰＰ．１９５～２０７）、「新アルマイト理論」カロス出版（１９９７　ＰＰ．９５～９６）等に記載されているような有色染色性のイオン種、具体的には、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ａｕイオン、Ｐｂイオン、Ａｇイオン、Ｓｅイオン、Ｓｎイオン、Ｎｉイオン、Ｃｕイオン、Ｂｉイオン、Ｍｏイオン、Ｓｂイオン、Ｃｄイオン、Ａｓイオン等を電解液に混入して、電解処理することにより、着色を施すことができる。

［配線基板］
　以下に、本発明の配線基板について詳細に説明する。
　本発明の配線基板は、上述した本発明の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる配線層とを有する配線基板である。

　上記金属配線層の材料は、電気を通す素材であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられ、これらを１種単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。
　これらのうち、電気抵抗が低い理由からＣｕを用いるのが好ましい。なお、Ｃｕによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Ａｕ層やＮｉ／Ａｕ層を設けていてもよい。

　また、上記金属配線層の厚さは、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、０．５～１０００μｍが好ましく、１～５００μｍがより好ましく、５～２５０μｍが特に好ましい。

　上記金属配線層の形成方法としては、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理の他、スパッタリング処理、蒸着処理、金属箔の真空貼付処理、接着層を設けての接着処理等が挙げられる。
　これらのうち、耐熱性が高い観点から、金属のみの層形成であることが好ましく、厚膜／均一形成化および高密着性の観点から、めっき処理による層形成が特に好ましい。

　上記めっき処理は、非導電性物質（絶縁基板）に対するめっき処理になるため、シード層と呼ばれる還元金属層を設けた後、その金属層を利用して厚い金属層を形成する手法を用いるのが好ましい。
　また、上記シード層の形成には、無電解めっきが用いるのが好ましく、めっき液としては、主成分（例えば、金属塩、還元剤等）と補助成分（例えば、ｐＨ調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等）から構成される溶液を用いるのが好ましい。なお、めっき液としては、ＳＥ－６５０・６６６・６８０、ＳＥＫ－６７０・７９７、ＳＦＫ－６３（いずれも日本カニゼン社製）、メルプレートＮＩ－４１２８、エンプレートＮＩ－４３３、エンプレートＮＩ－４１１（いずれもメルテックス社製）等の市販品を適宜用いることができる。
　また、上記金属配線層の材料として銅を用いた場合、硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよび界面活性剤を主成分とし、その他各種添加剤を加えた種々の電解液を用いることができる。

　このようにして形成される金属配線層は、ＬＥＤ実装の設計に応じ、公知の方法でパターン形成される。また、実際にＬＥＤが実装される箇所には、再度金属層（半田も含む）を設け、熱圧着や、フリップチップ、ワイヤボンディング等で、接続しやすい用に適宜加工することができる。
　好適な金属層としては、半田、または、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属素材が好ましく、加熱によるＬＥＤの実装の観点では、半田、または、Ｎｉを介してのＡｕ、Ａｇを設ける方法が接続信頼性の観点から好ましい。

　具体的には、パターンが形成された銅（Ｃｕ）配線上に、ニッケル（Ｎｉ）を介して金（Ａｕ）を形成する方法としては、Ｎｉストライクめっきを施し、その後にＡｕめっきを施す方法が挙げられる。
　ここで、Ｎｉストライクめっきは、Ｃｕ配線層の表面酸化層の除去とＡｕ層密着性確保を目的に施される。
　また、Ｎｉストライクめっきには、一般的なＮｉ／塩酸混合液を用いてもよく、ＮＩＰＳ－１００（日立化成工業製）等の市販品を用いてもよい。
　一方、Ａｕめっきは、Ｎｉストライクめっきを施した後に、ワイアボンディングや半田の濡れ性を向上させる目的で施される。
　また、Ａｕめっきは無電解めっきで生成させるのが好ましく、ＨＧＳ－５４００（日立化成工業社製）、ミクロファブＡｕシリーズ、ガルバノマイスターＧＢシリーズ、プレシャスハブＩＧシリーズ（いずれも田中貴金属社製）等の市販の処理液を用いることができる。

［白色系ＬＥＤ発光素子］
　以下に、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子について詳細に説明する。
　本発明の白色系ＬＥＤ発光素子は、上述した本発明の配線基板と、上記配線基板の上記金属配線層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子である。
　なお、上述した本発明の配線基板は、使用される発光素子の形状やＬＥＤの種類等に限定はなく、種々の用途に用いることができる。
　次に、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の構成を図面を用いて説明する。

　図１３は、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。
　ここで、図１３に示す白色系ＬＥＤ発光素子１００は、青色ＬＥＤ１１０がＹＡＧ系の蛍光粒子１５０を混入した透明樹脂１６０でモールドされており、ＹＡＧ系の蛍光粒子１５０によって励起された光と青色ＬＥＤ１１０の残光とにより、白色系光が発光されるものであり、青色ＬＥＤ１１０が、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層１２０，１３０を有する本発明の配線基板１４０にフェースダウンボンディングされている。

　また、図１４は、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。
　ここで、図１４に示す白色系ＬＥＤ発光素子１００は、蛍光体混色型の白色系ＬＥＤ発光素子として構成されており、絶縁層３２と金属基板３３と金属配線層３４とを有する本発明の配線基板と、配線基板の金属配線層３４側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子２２と、青色ＬＥＤ発光素子２２の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体２６とを具備するものである。
　また、図１４に示すように、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子は、青色ＬＥＤ発光素子２２が樹脂２４で封止されているのが好ましい。
　また、本発明においては、蛍光発光体２６として、特願２００９－１３４００７号明細書および特願２００９－１３９２６１号明細書に記載した蛍光発光ユニットを用いることができる。

　また、図１５は、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の他の構成例を示した模式的な断面図である。
　ここで、図１５に示す白色系ＬＥＤ発光素子１００は、図１３に示す白色系ＬＥＤ発光素子と同様、青色ＬＥＤ３７がＹＡＧ系の蛍光粒子１５０を混入した透明樹脂１６０でモールドされており、青色ＬＥＤ３７が、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層１２０，１３０を有する本発明の配線基板にフェースダウンボンディングされている。
　また、図１５に示すように、本発明の配線基板にはスルーホール３５が設けられ、青色ＬＥＤ３７の下部に位置する金属基板３３は、他の基板部分より厚みがある形状に成型されヒートシンク３９としてもよい。
　なお、図１５には明示されていないが、絶縁層３２部分におけるスルーホール３５の内部は、陽極酸化処理されて絶縁層であるのが好ましい。

　ここで、図１３および図１５に示す青色ＬＥＤは、基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。
　半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。

　また、図１３および図１５に示す透明樹脂の材質は熱硬化性樹脂が好ましい。
　熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
　また、透明樹脂は、青色ＬＥＤを保護するため硬質のものが好ましい。
　また、透明樹脂は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。
　また、透明樹脂は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも１種を混合することもできる。

　更に、図１３および図１５に示す蛍光粒子は、青色ＬＥＤからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。
　蛍光粒子としては、具体的には、例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、βサイアロン系蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系、Ｍｎ等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体；Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体；Ｅｕ等のランタノイド系元素で主に付活される有機錯体；等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

　一方、本発明の配線基板は、紫外～青色ＬＥＤとそれを吸収し可視光領域で蛍光を発する蛍光発光体とを用いた蛍光体混色型白色系ＬＥＤ発光素子の配線基板として用いることもできる。
　これらの蛍光発光体が青色ＬＥＤからの青色光を吸収して蛍光（黄色系蛍光）を生じ、この蛍光と青色ＬＥＤの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。
　上述した方式は、青色ＬＥＤ光源チップと黄色蛍光体１種とを組み合わせたいわゆる「擬似白色発光型」であるが、このほかにも、例えば紫外～近紫外ＬＥＤ光源チップと赤色／緑色／青色蛍光体等を数種組み合わせた「紫外～近紫外光源型」、及び、赤色／緑色／青色３光源で白色発光させる「ＲＧＢ光源型」、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットの発光素子の基板に本発明の配線基板を用いることができる。

　本発明の配線基板にＬＥＤ素子を実装する方法は加熱による実装を伴うが、半田リフローを含めての熱圧着、およびフリップチップによる実装方法では、均一かつ確実な実装を施す観点から、最高到達温度は２２０～３５０℃が好ましく、２４０～３２０℃がより好ましく、２６０～３００℃が特に好ましい。
　これらの最高到達温度を維持する時間としては、同観点から２秒～１０分が好ましく、５秒～５分がより好ましく、１０秒～３分が特に好ましい。
　また、金属基板と陽極酸化皮膜との熱膨張率差に起因して陽極酸化皮膜内に発生するクラックを抑制する観点から、上記最高到達温度に到達する前に、所望の一定温度で５秒～１０分、より好ましくは１０秒～５分、特に好ましくは２０秒～３分の熱処理を施す方法をとることもできる。所望の一定温度としては、８０～２００℃であることが好ましく、１００～１８０℃がより好ましく、１２０～１６０℃が特に好ましい。

　また、ワイヤボンディングでの実装時の温度としては、確実な実装を施す観点から、８０～３００℃が好ましく、９０～２５０℃がより好ましく、１００～２００℃が特に好ましい。加熱時間としては、２秒～１０分が好ましく、５秒～５分がより好ましく、１０秒～３分が特に好ましい。

３．第３態様
［絶縁基板］
　以下に、本発明の絶縁基板について詳細に説明する。
　本発明の絶縁基板は、アルミニウム基板と、上記アルミニウム基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、上記絶縁層が、マイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜であり、上記絶縁基板の厚みが１５００μｍ以下であり、上記陽極酸化皮膜の厚みが５μｍ以上であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が２．５～３００であり、上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち、上記マイクロポアが形成されていない部分の厚みが３０ｎｍ以上である絶縁基板である。
　次に、本発明の絶縁基板の構成について、図１６を用いて説明する。

　図１６は、本発明の絶縁基板の好適な実施態様の一例を示す模式図である。
　図１６に示すように、本発明の絶縁基板１７は、アルミニウム基板１８と、アルミニウム基板１８の表面に設けられる絶縁層１９とを有するものである。
　また、絶縁層１９は、図１６に示すように、マイクロポア２０を有するものである。
　以下に、アルミニウム基板および絶縁層（アルミニウムの陽極酸化皮膜）のそれぞれについて、材料、寸法、形成方法等について詳述する。

〔アルミニウム基板〕
　本発明の絶縁基板を構成するアルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板；低純度のアルミニウム（例えば、リサイクル材料）に高純度アルミニウムを蒸着させた基板；シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板；アルミニウムをラミネートした樹脂基板；等を用いることもできる。
　なお、本発明においては、シリコンウエハーや樹脂基板等にアルミニウムを被覆（ラミネート）させたアルミニウム基板を用いた場合、シリコンウエハーや樹脂基板の厚みは、本発明の絶縁基板の厚み（１５００μｍ以下）に含まないものとする。

　本発明においては、アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施す場合、陽極酸化処理を施す表面は、アルミニウムの純度が高い方が好ましい。
　具体的には、アルミニウムの純度が、９９．５質量％以上であるのが好ましく、９９．９質量％以上であるのがより好ましく、９９．９９質量％以上であるのが更に好ましい。
　特に、アルミニウム純度が上記範囲であると、陽極酸化処理を施して形成される絶縁層に存在するマイクロポアのポア配列の規則性が十分となり、発光素子の透過型の回折格子部や透過型の光散乱層として使用した場合に、発光素子の輝度の均一性が向上する。

　また、本発明においては、アルミニウム基板に対して後述する陽極酸化処理を施す場合、陽極酸化処理を施す表面は、あらかじめ脱脂処理および鏡面仕上げ処理が施されるのが好ましく、特に、ポア配列の規則性を向上させる観点から、熱処理が施されるのが好ましい。
　更に、本発明においては、本発明の絶縁基板を実装するＬＥＤ素材の用途に応じて、例えば、光を散乱させる表面を形成する観点からアルミニウム基板の表面に粗面化処理を施すこともできる。

　＜熱処理＞
　熱処理を施す場合は、２００～３５０℃で３０秒～２分程度施すのが好ましい。具体的には、例えば、アルミニウム基板を加熱オーブンに入れる方法等が挙げられる。
　このような熱処理を施すことにより、後述する陽極酸化処理により生成するマイクロポアの配列の規則性が向上する。
　また、熱処理後のアルミニウム基板は、急速に冷却するのが好ましい。冷却する方法としては、例えば、水等に直接投入する方法等が挙げられる。

　＜脱脂処理＞
　脱脂処理は、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いて、アルミニウム基板表面に付着した、ほこり、脂、樹脂等の有機成分等を溶解させて除去し、有機成分を原因とする後述の各処理における欠陥の発生を防止することを目的として行われる。

　脱脂処理としては、具体的には、例えば、各種アルコール（例えば、メタノール等）、各種ケトン（例えば、メチルエチルケトン等）、ベンジン、揮発油等の有機溶剤を常温でアルミニウム基板表面に接触させる方法（有機溶剤法）；石けん、中性洗剤等の界面活性剤を含有する液を常温から８０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（界面活性剤法）；濃度１０～２００ｇ／Ｌの硫酸水溶液を常温から７０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０～８０秒間接触させ、その後、水洗する方法；濃度５～２０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を常温でアルミニウム基板表面に３０秒間程度接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１～１０Ａ／ｄｍ²の直流電流を流して電解し、その後、濃度１００～５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；各種公知の陽極酸化処理用電解液を常温でアルミニウム基板表面に接触させつつ、アルミニウム基板表面を陰極にして電流密度１～１０Ａ／ｄｍ²の直流電流を流して、または、交流電流を流して電解する方法；濃度１０～２００ｇ／Ｌのアルカリ水溶液を４０～５０℃でアルミニウム基板表面に１５～６０秒間接触させ、その後、濃度１００～５００ｇ／Ｌの硝酸水溶液を接触させて中和する方法；軽油、灯油等に界面活性剤、水等を混合させた乳化液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に接触させ、その後、水洗する方法（乳化脱脂法）；炭酸ナトリウム、リン酸塩類、界面活性剤等の混合液を常温から５０℃までの温度でアルミニウム基板表面に３０～１８０秒間接触させ、その後、水洗する方法（リン酸塩法）；等が挙げられる。

　これらのうち、アルミニウム基板表面の脂分を除去しうる一方で、アルミニウムの溶解がほとんど起こらない観点から、有機溶剤法、界面活性剤法、乳化脱脂法、リン酸塩法が好ましい。

　また、脱脂処理には、従来公知の脱脂剤を用いることができる。具体的には、例えば、市販されている各種脱脂剤を所定の方法で用いることにより行うことができる。

　＜鏡面仕上げ処理＞
　鏡面仕上げ処理は、アルミニウム基板の表面の凹凸、例えば、アルミニウム基板の圧延時に発生した圧延筋等をなくして、後述する封孔処理の均一性や再現性を向上させるために行われる。
　鏡面仕上げ処理は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、機械研磨、化学研磨、電解研磨が挙げられる。

　機械研磨としては、例えば、各種市販の研磨布で研磨する方法、市販の各種研磨剤（例えば、ダイヤ、アルミナ）とバフとを組み合わせた方法等が挙げられる。具体的には、研磨剤を用いる場合、使用する研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更して行う方法が好適に例示される。この場合、最終的に用いる研磨剤としては、＃１５００のものが好ましい。これにより、アルミニウム基板表面の可視光領域（波長３００～８００ｎｍ）の全反射率を８０％以上とすることができる。

　化学研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４－１６５に記載されている各種の方法等が挙げられる。
　また、リン酸－硝酸法、Ａｌｕｐｏｌ　Ｉ法、Ａｌｕｐｏｌ　Ｖ法、Ａｌｃｏａ　Ｒ５法、Ｈ₃ＰＯ₄－ＣＨ₃ＣＯＯＨ－Ｃｕ法、Ｈ₃ＰＯ₄－ＨＮＯ₃－ＣＨ₃ＣＯＯＨ法が好適に挙げられる。中でも、リン酸－硝酸法、Ｈ₃ＰＯ₄－ＣＨ₃ＣＯＯＨ－Ｃｕ法、Ｈ₃ＰＯ₄－ＨＮＯ₃－ＣＨ₃ＣＯＯＨ法が好ましい。
　化学研磨により、アルミニウム基板表面の可視光領域（波長３００～８００ｎｍ）の全反射率を８０％以上とすることができる。

　電解研磨としては、例えば、「アルミニウムハンドブック」，第６版，（社）日本アルミニウム協会編，２００１年，ｐ．１６４－１６５に記載されている各種の方法；米国特許第２７０８６５５号明細書に記載されている方法；「実務表面技術」，ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．３，１９８６年，ｐ．３２－３８に記載されている方法；等が好適に挙げられる。
　電解研磨により、アルミニウム基板表面の可視光領域（波長３００～８００ｎｍ）の全反射率を８０％以上とすることができる。

　これらの方法は、適宜組み合わせて用いることができる。具体的には、例えば、研磨剤を粗い粒子から細かい粒子へと経時的に変更する機械研磨を施し、その後、電解研磨を施す方法が好適に挙げられる。

　鏡面仕上げ処理により、例えば、平均表面粗さＲ_a０．１μｍ以下、全反射率８０％以上の表面を得ることができる。平均表面粗さＲ_aは、０．０３μｍ以下であるのが好ましく、０．０２μｍ以下であるのがより好ましい。また、全反射率は８５％以上であるのが好ましく、９０％以上であるのがより好ましい。

　＜粗面化処理＞
　粗面化処理は、上述したように、本発明の絶縁基板を実装するＬＥＤ素材の用途に応じて、光を散乱させる表面を形成することを目的として行われる。
　粗面化処理としては、例えば、特開２００７－２４５１１６号公報の［００４６］～［００７６］段落に記載された方法等により、適宜、所望の正反射率に調整しながら粗面化することができる。
　なお、粗面化処理を施す場合であっても、可視光領域の全反射率は８０％以上であるのが好ましく、９０％以上であるのがより好ましい。また、正反射率は２０％以下であるのが好ましく、１０％以下であるのがより好ましい。

〔絶縁層〕
　本発明の絶縁基板を構成する絶縁層は、上記アルミニウム基板の表面に設けられる層であって、深さ方向の一部にマイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜である。
　上記絶縁層は、上記アルミニウム基板とは別のアルミニウム基材の陽極酸化皮膜であってもよいが、絶縁層の形成欠陥を防ぐ観点から、上記アルミニウム基板の一部に後述する陽極酸化処理を施すことによりアルミニウム基板上に形成される陽極酸化皮膜であるのが好ましい。

　本発明においては、上記マイクロポアについて下記式（ｉ）により定義される規則化度が２０％以上であるのが好ましく、４０％以上であるのがより好ましく、７０％以上であるのが特に好ましい。
　マイクロポアの規則化度が上記範囲であると、本発明の絶縁基板の全反射特性が向上し、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の輝度が向上する。

　規則化度（％）＝Ｂ／Ａ×１００　　（ｉ）
　上記式（ｉ）中、Ａは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Ｂは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を６個含むことになる上記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。

　ここで、図１７は、マイクロポアの規則化度を算出する方法の説明図である。図１７を用いて、上記式（ｉ）をより具体的に説明する。
　図１７（Ａ）に示されるマイクロポア１０１は、マイクロポア１０１の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円１０３（マイクロポア１０２に内接している。）を描いた場合に、円３の内部にマイクロポア１０１以外のマイクロポアの重心を６個含んでいる。したがって、マイクロポア１０１は、Ｂに算入される。
　図１７（Ｂ）に示されるマイクロポア１０４は、マイクロポア１０４の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円１０６（マイクロポア１０５に内接している。）を描いた場合に、円１０６の内部にマイクロポア１０４以外のマイクロポアの重心を５個含んでいる。したがって、マイクロポア１０４は、Ｂに算入されない。
　また、図１７（Ｂ）に示されるマイクロポア１０７は、マイクロポア１０７の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円１０９（マイクロポア１０８に内接している。）を描いた場合に、円１０９の内部にマイクロポア１０７以外のマイクロポアの重心を７個含んでいる。したがって、マイクロポア１０７は、Ｂに算入されない。

　本発明の絶縁基板は、上述したアルミニウム基板と、このアルミニウム基板の表面に設けられる上述した絶縁層とを有する絶縁基板である。
　また、本発明の絶縁基板は、上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）が１５００μｍ以下であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）が５μｍ以上であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が２．５～３００である。
　更に、本発明の絶縁基板は、上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）が３０ｎｍ以上である。

　ここで、図１８に示すように、上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）とはアルミニウム基板１８および絶縁層１９の合計の厚みであり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）とは絶縁層１９の厚みであり、上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）とは絶縁層１９の厚みからマイクロポア２０の深さ分を除いた厚みである。
　なお、上記厚み（Ｔ_Ａ）は接触型の厚膜計等や破断面のＦＥ－ＳＥＭ観察等により直接計測することができ、上記厚み（Ｔ_Ｏ）は渦電流式膜厚計や破断面のＦＥ－ＳＥＭ観察等により計測することができ、上記厚み（Ｔ_Ｆ）は破断面のＦＥ－ＳＥＭ観察等により計測することができる。

　そして、上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）および上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）を上述した範囲内とした本発明の絶縁基板を用いると、絶縁性および放熱性に優れ、白色系の発光出力を向上させた発光素子を提供することができる。
　これは、後述する実施例の結果から推測できるように、上記厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記厚み（Ｔ_Ａ）のバランスが良好となるため放熱性が良好となり、かつ、上記厚み（Ｔ_Ｆ）により耐電圧が向上し、絶縁性が良好になったと考えられる。
　そのため、本発明の絶縁基板は、ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板として用いるのが好ましい。
　なお、上記厚み（Ｔ_Ａ）が上記値よりも大きい場合は、基板が大きすぎるため、ＬＥＤを実装した際のコンパクト性、配線を設けるためのスルーホール加工性、基板をチップ化する際のルーティング加工性等の観点から好ましくない。
　また、上記厚み（Ｔ_Ｏ）が上記値よりも小さい場合は、基板の絶縁性が低下する観点から好ましくない。
　また、上記厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が上記範囲を上回る場合は、相対的にアルミニウム基板が厚くなるためスルーホール加工性やルーティング加工性の観点から好ましくなく、上記範囲を下回る場合は、相対的にアルミニウム部分が薄くなるため実装されるＬＥＤからの発熱を放熱しにくくなる理由から好ましくない。
　また、上記厚み（Ｔ_Ｆ）が上記値よりも小さい場合は、基板の絶縁性が低下する観点から好ましくない。

　本発明においては、絶縁性および放熱性がより良好となり、白色系の発光出力を更に向上できる理由から、上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）が１０００μｍ以下であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）が５μｍ以上であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が４～２５０であるのが好ましい。
　また、同様の理由から、上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）が８００μｍ以下であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）が５μｍ以上であり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が５～１６０であるのがより好ましい。
　更に、絶縁性が極めて良好となる理由から、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）が２０～７０μｍであり、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が８～１２であるのが特に好ましい。

　また、本発明においては、絶縁性がより良好となり、上記陽極酸化皮膜の欠陥も補修できる理由から、上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）が１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００ｎｍ以上であることがより好ましく、３００ｎｍ以上であることが特に好ましい。
　一方、上記厚み（Ｔ_Ｆ）の上限値は、後述する本発明の絶縁基板の製造方法に示す第２陽極酸化処理工程においても第１陽極酸化処理工程で形成した陽極酸化皮膜の形状を保持できる理由から、１５００ｎｍ以下であるのが好ましく、１２００ｎｍであるのがより好ましく、１０００ｎｍ以下であるのが更に好ましい。

［絶縁基板の製造方法］
　以下に、本発明の絶縁基板の製造方法について詳細に説明する。
　本発明の絶縁基板の製造方法は、上述した本発明の絶縁基板を製造する方法であって、
　アルミニウム基板の一部に陽極酸化処理を施して、マイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜をアルミニウム基板上に形成させる第１陽極酸化処理工程と、
　上記第１陽極酸化処理工程の後に、ｐＨ２．５～１１．５の電解液を用いて陽極酸化処理を施して、上記マイクロポアの内部の一部を底方向から酸化アルミニウムで封孔する第２陽極酸化処理工程とを有する絶縁基板の製造方法である。
　次に、第１陽極酸化処理工程および第２陽極酸化処理工程について説明する。

　＜第１陽極酸化処理工程＞
　第１陽極酸化処理工程は、上記アルミニウム基板に陽極酸化処理を施すことにより、アルミニウム基板表面にマイクロポアを有する、多孔質または非孔質部分を有する絶縁層を形成する処理工程である。

　第１陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、平版印刷版用支持体の製造等で行われている従来の方法で陽極酸化処理を施すことができる。
　具体的には、陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第２、第３の成分が添加されていても構わない。ここでいう第２、第３の成分としては、例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属のイオン；アンモニウムイオン等の陽イオン；硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、０～１００００ｐｐｍ程度の濃度で含まれていてもよい。

　また、第１陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度１～８０質量％、液温５～７０℃、電流密度０．５～６０Ａ／ｄｍ²、電圧１～１００Ｖ、電解時間１５秒～５０分であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。

　更に、第１陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、特開昭５４－８１１３３号、特開昭５７－４７８９４号、特開昭５７－５１２８９号、特開昭５７－５１２９０号、特開昭５７－５４３００号、特開昭５７－１３６５９６号、特開昭５８－１０７４９８号、特開昭６０－２００２５６号、特開昭６２－１３６５９６号、特開昭６３－１７６４９４号、特開平４－１７６８９７号、特開平４－２８０９９７号、特開平６－２０７２９９号、特開平５－２４３７７号、特開平５－３２０８３号、特開平５－１２５５９７号、特開平５－１９５２９１号の各公報等に記載されている方法を使用することもできる。

　第１陽極酸化処理工程においては、硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよい。
　アルミニウム基板に直流を印加する場合、電流密度は１～６０Ａ／ｄｍ²であるのが好ましく、５～４０Ａ／ｄｍ²であるのがより好ましい。

　また、第１陽極酸化処理工程における陽極酸化処理を連続的に施す場合には、アルミニウム基板の一部に電流が集中していわゆる「焼け」が生じないように、陽極酸化処理の開始当初は、５～１０Ａ／ｄｍ²の低電流密度で電流を流し、陽極酸化処理が進行するにつれ、３０～５０Ａ／ｄｍ²またはそれ以上に電流密度を増加させるのが好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、アルミニウム基板に、電解液を介して給電する液給電方式により行うのが好ましい。

　陽極酸化皮膜が多孔質である場合、その平均ポア径が５～１０００ｎｍ程度であり、平均ポア密度が１×１０⁶～１×１０¹⁰／ｍｍ²程度である。

　陽極酸化皮膜の厚さは５～７５μｍであるのが好ましい。５μｍ未満であると絶縁性に乏しく耐電圧が低下し、一方、７５μｍを超えると全反射率が低下不利となる。陽極酸化皮膜の厚さは、１０～５０μｍであるのがより好ましい。

　陽極酸化処理に用いられる電解装置としては、特開昭４８－２６６３８号、特開昭４７－１８７３９号、特公昭５８－２４５１７号の各公報等に記載されているものを用いることができる。中でも、図１２に示す装置が好適に用いられる。

　また、第１陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、ある１つの処理条件で単独処理されてもよいが、陽極酸化皮膜の、場所による形状、あるいは深さ方向における形状、等のように形状を制御したい場合には、２つ以上の条件の異なる陽極酸化処理を順次組み合わせて処理してもよい。

　一方、上述したマイクロポアの規則化度が高くなる陽極酸化処理としては、従来公知の方法を用いることができるが、マイクロポアの独立性の観点から、例えば、特許第３，７１４，５０７号、特開２００２－２８５３８２号公報、特開２００６－１２４８２７号公報、特開２００７－２３１３３９号公報、特開２００７－２３１４０５公報、特開２００７－２３１３４０号公報、特開２００７－２３１３４０号公報、特開２００７－２３８９８８号公報等に記載されている、自己規則化陽極酸化処理が好ましい。
　更に、特開２００８－０６３６４３号公報、特開２００８－１５６７０５号公報等に記載の方法が、深さ方向に対して略直管形状をしたマイクロポアを形成するうえで好ましい。
　これらの処理は、各特許および公報の処理条件にて記載されている処理が好ましい。

　なお、アルミニウム基板の表面にマイクロポアを形成するその他の方法としては、例えば、インプリント法（突起を有する基板またはロールをアルミニウム基板に圧接し、凹部を形成する、転写法、プレスパターニング法）を用いる方法が挙げられる。具体的には、複数の突起を表面に有する基板をアルミニウム基板の表面に押し付けて窪みを形成させる方法が挙げられる。例えば、特開平１０－１２１２９２号公報に記載されている方法を用いることができる。
　また、アルミニウム基板の表面にポリスチレン球を稠密状態で配列させ、その上からＳｉＯ₂を蒸着した後、ポリスチレン球を除去し、蒸着されたＳｉＯ₂をマスクとして基板をエッチングして窪みを形成させる方法も挙げられる。

　また、その他の方法として粒子線法が挙げられる。粒子線法は、アルミニウム基板の表面に粒子線を照射して窪みを形成させる方法である。粒子線法は、窪みの位置を自由に制御することができるという利点を有する。
　粒子線としては、例えば、荷電粒子ビーム、集束イオンビーム（ＦＩＢ：ＦｏｃｕｓｅｄＩｏｎＢｅａｍ）、電子ビームが挙げられる。
　粒子線法としては、例えば、特開２００１－１０５４００号公報に記載されている方法を用いることもできる。

　そのほか、ブロックコポリマー法も挙げられる。ブロックコポリマー法は、アルミニウム基板の表面にブロックコポリマー層を形成させ、熱アニールによりブロックコポリマー層に海島構造を形成させた後、島部分を除去して窪みを形成させる方法である。
　ブロックコポリマー法としては、例えば、特開２００３－１２９２８８号公報に記載されている方法を用いることができる。

　そのほか、レジストパターン・露光・エッチング法も挙げられる。レジストパターン・露光・エッチング法は、フォトリソグラフィあるいは電子ビームリソグラフィ法によりアルミニウム基板の表面のレジストに露光および現像を施し、レジストパターンを形成した後これをエッチングする。レジストを設け、エッチングしてアルミニウム基板の表面まで貫通した窪みを形成させる方法である。

　このような、インプリント法、粒子線法、ブロックコポリマー法、レジストパターン・露光・エッチング法を使用する場合には、これらの処理でアルミニウム基板の表面に電解起点を与えた後に陽極酸化処理することにより、マイクロポアを有する陽極酸化皮膜を形成することができる。
　このような、インプリント法、粒子線法、ブロックコポリマー法、レジストパターン・露光・エッチング法を使用する場合には、特開２００８－１５６７１６号公報に記載の方法が深さ方向に対して略直管形状をしたマイクロポアを形成するうえで好ましい。

　＜第２陽極酸化処理工程＞
　第２陽極酸化処理工程は、上記第１陽極酸化処理工程の後に、ｐＨ２．５～１１．５の電解液を用いて陽極酸化処理を施して、上記マイクロポアの内部の一部を底方向から酸化アルミニウムで封孔する処理工程であり、本工程により、本発明の絶縁基板における上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）を３０ｎｍ以上とすることができる。

　第２陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、ｐＨ２．５～１１．５の中性付近の電解液を用いる。
　ここで、中性付近の電解液に用いる酸は、第１陽極酸化処理工程と同様、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等を用いることができるが、陽極酸化処理における電流密度の観点から電解液の濃度を高濃度化しても、中性の特性を示し、上記第１陽極酸化処理工程で形成した陽極酸化皮膜を溶解しにくい理由から、ホウ酸を用いるのが好ましい。

　また、第２陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、基本的には第１陽極酸化処理と同様、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、中性付近の電解液を用いるため、電解液濃度１～４０質量％、液温１～７０℃、電流密度０．０５～３０Ａ／ｄｍ²、電圧１～１０００Ｖ、電解時間５秒～６０分であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。

　＜封孔処理＞
　本発明の絶縁基板の製造方法においては、必要に応じて陽極酸化皮膜が多孔質の場合、存在するマイクロポアを封じる封孔処理を行ってもよい。
　封孔処理は、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。例えば、特公昭５６－１２５１８号公報、特開平４－４１９４号公報、特開平５－２０２４９６号公報、特開平５－１７９４８２号公報等に記載されている装置および方法で封孔処理を行ってもよい。
　なお、本発明においては、このような封孔処理によりマイクロポアを封じた場合、上記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）を算出するにあたっては、封孔処理を施す前のマイクロポアの底（マイクロポアの深さ）を基準として算出するものとする。

　＜水洗処理＞
　また、本発明の絶縁基板の製造方法においては、上述した各処理の工程終了後には水洗を行うのが好ましい。水洗には、純水、井水、水道水等を用いることができる。処理液の次工程への持ち込みを防ぐためにニップ装置を用いてもよい。

　＜その他の処理＞
　更に、本発明の絶縁基板の製造方法においては、必要に応じて絶縁基板の表面に種々の処理を施すことができる。
　例えば、反射基板の白色性を高めるために、酸化チタン等の白色性絶縁性材料からなる無機絶縁層、白色レジスト等の有機絶縁層を設けてもよい。
　また、上記白色以外にも、例えば電着処理により、酸化アルミニウムよりなる絶縁層に所望の色を着色することができる。具体的には、「陽極酸化」金属表面技術協会編．金属表面技術講座Ｂ（１９６９　ＰＰ．１９５～２０７）、「新アルマイト理論」カロス出版（１９９７　ＰＰ．９５～９６）等に記載されているような有色染色性のイオン種、具体的には、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ａｕイオン、Ｐｂイオン、Ａｇイオン、Ｓｅイオン、Ｓｎイオン、Ｎｉイオン、Ｃｕイオン、Ｂｉイオン、Ｍｏイオン、Ｓｂイオン、Ｃｄイオン、Ａｓイオン等を電解液に混入して、電解処理することにより、着色を施すことができる。

　また、同様に酸化アルミニウムよりなる絶縁層に、更に絶縁性および高反射性を高めるため、例えば、特開平６－３５１７４号公報の段落［００１６]～［００３５]に記載されているような、ゾルゲル法による層を設けることもできる。
　ここで、ゾルゲル法とは、一般に金属アルコキシドからなるゾルを加水分解・重縮合反応により、流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物層（セラミック層）を形成する方法である。
　また、上記金属アルコキシドは、特に限定されないが、厚さが均一性の良い層を形成させる観点から、Ａｌ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｂａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｂｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｃａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｆｅ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｇａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｇｅ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｈｆ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｉｎ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｋ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｌａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｌｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｍｇ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｍｏ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｎａ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｎｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐｏ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｐ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｂ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｉ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｎ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｓｒ（Ｏ－Ｒ)ｎ、Ｔａ（Ｏ－Ｒ）ｎ、Ｔｉ（Ｏ－Ｒ）ｎ、Ｖ（Ｏ－Ｒ）ｎ、Ｗ（Ｏ－Ｒ）ｎ、Ｙ（Ｏ－Ｒ）ｎ、Ｚｎ（Ｏ－Ｒ）ｎ、Ｚｒ（Ｏ－Ｒ）ｎ等が挙げられる（文章中Ｒは、置換基を有してもよい、鎖状、分枝状、および、環状の、炭化水素基、ｎは任意の自然数を示す。）。
　中でも、絶縁層との反応性に優れ、ゾルゲル層形成性に優れた、Ｓｉ（Ｏ－Ｒ）ｎ系がより好ましい。

　本発明においては、ゾルゲル層を形成する方法は特に限定されないが、層の厚さを制御する観点から、ゾル液を塗布して加熱する方法が好ましい。
　また、ゾル液の濃度としては、０．１～９０質量％が好ましく、１～８０質量％がより好ましく、５～７０質量％が特に好ましい。
　また、本発明においてゾルゲル層を形成する際には、その厚さは、高反射率、絶縁性の観点から、０．０１μｍ～２０μｍが好ましく、０．０５μｍ～１５μｍがより好ましく、０．１μｍ～１０μｍが特に好ましい。この範囲より厚くなると、高反射率の観点から好ましくなく、この範囲より薄くなると絶縁性の観点から好ましくない。なお、層を厚くするために、繰り返し重ねて塗布してもよい。

〔白色系ＬＥＤ発光素子〕
　以下に、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子について詳細に説明する。
　本発明の白色系ＬＥＤ発光素子は、上述した本発明の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、上記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子である。
　なお、上述した本発明の絶縁基板は、使用される発光素子の形状やＬＥＤの種類等に限定はなく、種々の用途に用いることができる。
　次に、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の構成を図面を用いて説明する。

　図１９は、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。
　ここで、図１９に示す白色系ＬＥＤ発光素子２００は、蛍光体混色型の白色系ＬＥＤ発光素子として構成されており、絶縁層２３２とアルミニウム基板２３３とを有する絶縁基板２３０と、絶縁基板２３０の絶縁層２３２側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子２２２と、青色ＬＥＤ発光素子２２２の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体２２６とを具備するものである。
　また、図１９に示すように、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子は、青色ＬＥＤ発光素子２２２が樹脂２２４で封止されているのが好ましい。
　また、本発明においては、蛍光発光体２２６として、特願２００９－１３４００７号明細書および特願２００９－１３９２６１号明細書に記載した蛍光発光ユニットを用いることができる。

　一方、図２０は、［背景技術］の欄で説明したように、公知の白色系ＬＥＤ発光素子の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図であるが、図２０に示す基板３４０の代わりに本発明の絶縁基板を用いることで、本発明の白色系ＬＥＤ発光素子とすることができる。

　以下に、実施例を示して第１態様に係る本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。

　（実施例Ｉ－１）
　アルミニウム純度９９．９５質量％のアルミニウム基板（日本軽金属社製、厚さ０．４ｍｍ）について、ドリル加工によりスルーホール（ホール径０．２ｍｍφ）を形成し、ルーティング加工によって個片化可能とした。
　次に、このアルミニウム基板について、硫酸電解液（硫酸濃度５０ｇ／ｌ）を用いて、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で１時間陽極酸化処理を施して、厚さ１０μｍの均一な陽極酸化皮膜で全面が被覆された絶縁基板を得た。

　（実施例Ｉ－２）
　アルミニウム純度９９．９９質量％のアルミニウム基板（日本軽金属社製、厚さ０．４ｍｍ）を用いた以外は、実施例Ｉ－１と同様にして、絶縁基板を得た。

　（実施例Ｉ－３）
　実施例Ｉ－１と同じアルミニウム基板について、まず、焼鈍処理を施した。具体的には、焼鈍炉において４００℃で１２時間施し、その後、水に直接投入して急冷させた。
　そして、焼鈍処理後のアルミニウム基板について、実施例Ｉ－１と同様にして、スルーホールを形成し、ルーティング加工によって個片化可能とした。
　その後の陽極酸化処理についても実施例Ｉ－１と同様にして、絶縁基板を得た。

　（実施例Ｉ－４）
　陽極酸化処理に用いる硫酸電解液の硫酸濃度を３０ｇ／ｌとした以外は、実施例Ｉ－２と同様にして、絶縁基板を得た。

　（実施例Ｉ－５）
　得られた実施例Ｉ－４の絶縁基板に対して、０．５Ｍホウ酸および０．０５Ｍホウ酸ナトリウムを含む電解液を用いて、陽極酸化皮膜のポア内部のみを１μｍ深さだけ充填し、電圧４００Ｖ、液温４０℃にて、陽極酸化処理を１０分間さらに施して、実施例Ｉ－５とした。

　（比較例Ｉ－１）
　実施例Ｉ－１と同じアルミニウム基板について、まず、実施例Ｉ－１と同様にして、陽極酸化処理を施した。その後、実施例Ｉ－１と同様にして、スルーホール（ホール径０．２ｍｍφ）を形成し、ルーティング加工によって個片化可能とした。
　図３は、比較例Ｉ－１の絶縁基板を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。比較例Ｉ－１の絶縁基板１については、陽極酸化処理を施した後にスルーホール４が形成されるため、図３に示すように、スルーホール４の内壁面は陽極酸化皮膜３で被覆されていない。

　（比較例Ｉ－２）
　陽極酸化処理に用いる硫酸電解液の硫酸濃度を３００ｇ／ｌとした以外は、実施例Ｉ－１と同様にして、絶縁基板を得た。

　＜金属間化合物の個数測定＞
　各例の絶縁基板について、上述したＦＥ－ＳＥＭの観察による方法によって、陽極酸化皮膜中に存在する円相当直径１μｍ以上の金属間化合物の個数（個／ｍｍ³）を測定した。結果を第１表に示す。

　＜耐電圧＞
　各例の絶縁基板について、ＪＩＳ　Ｃ２１１０－１９９４の手法に従い、耐電圧を計測した。結果を第１表に示す。

　＜導通試験＞
　図４は、導通試験の状態を示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は断面図を示す。各例の絶縁基板１について、図４に示すようにして、一対のスルーホール４に銅配線５を充填し、これに絶縁抵抗計（メガー）の電極６を接触させ、電圧を負荷した状態で導通を確認した。結果を第１表に示す。
　最大２５０Ｖの電圧を負荷しても絶縁破壊がなく、他電極へのリークも観察されなかった場合には「○」を記載し、電圧負荷により絶縁が保てずに導通してしまった場合には「×」を記載した。

　第１表に示す結果から、陽極酸化皮膜中に存在する円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である実施例Ｉ－１～５の絶縁基板は、耐電圧が高く、良好な絶縁性を有することが分かった。
　また、アルミニウム基板のアルミニウム純度を９９．９９質量％とした実施例Ｉ－２は、アルミニウム純度が９９．９５質量％である実施例Ｉ－１と比較して、金属間化合物の個数が減少して、耐電圧が上昇し、より良好な絶縁性を得られることが分かった。
　また、アルミニウム基板に対して焼鈍処理を施した実施例Ｉ－３は、焼鈍処理を施さない実施例Ｉ－１と比較して、金属間化合物の個数が減少して、耐電圧が上昇し、より良好な絶縁性を得られることが分かった。
　また、陽極酸化処理で用いる電解液の硫酸濃度を３０ｇ／ｌとした実施例Ｉ－４は、硫酸濃度が５０ｇ／ｌである実施例Ｉ－２と比較して、金属間化合物の個数が減少して、耐電圧が上昇し、より良好な絶縁性を得られることが分かった。
　また、追加ホウ酸処理を施した実施例Ｉ－５は、当該処理を施さない実施例Ｉ－４と比較して金属間化合物の個数が低減して、耐電圧が上昇し、より良好な絶縁性が得られることが分かった。

　これに対して、スルーホールの内壁面が陽極酸化皮膜で被覆されていない比較例Ｉ－１は、導通試験により絶縁破壊が生じてしまい、絶縁性が担保されていないことが分かった。
　また、陽極酸化皮膜中に存在する円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が３２００個／ｍｍ³である比較例Ｉ－２は、耐電圧が低く、絶縁性に劣ることが分かった。

　次に、実施例Ｉ－２の絶縁基板に、上述した第１～第４の配線の形成方法によって、図１０に示す配線パターンに従った配線を形成した。図１０は、配線パターンを示す模式図であり、（Ａ）は平面図を示し、（Ｂ）は底面図を示す。図１０中、１３が配線パターンである。

　（実施例Ｉ－６）
　Ａｕナノ粒子（ナノテック、シーアイ化成社製）５０ｇをキシレン５０ｇに加えた後に８時間常温で撹拌を行うことにより、安定したＡｕインク分散液を得た。当該インク分散液を固形粉分析したところ、金の含有量は２６．８質量％であった。そして、上記インク分散液の２質量％のシランカップリング剤（ＫＢＭ６０３、信越ポリマー社製）を、当該インク分散液に追加混合することにより、金属インクを調製した。調製された金属インクの粘度は、１０ｃｐｓであった。
　次に、調製された金属インクを、ダイマティックス・マテリアルプリンター　ＤＭＰ－２８３１（富士フイルムダイマティックス社製）を用いて、図１０に示す配線パターンに従って、実施例Ｉ－２の絶縁基板にインクジェット印刷法により供給し、１６０℃に設定された熱風乾燥機により約５分間熱風乾燥し、Ａｕ金属配線を得た。

　（実施例Ｉ－７）
　実施例Ｉ－６と同様にして調製された金属インクを、スクリーン印刷機（ＴＵ２０３０－Ｂ、セリテック社製）を用いて、図１０に示す配線パターンに従って、実施例Ｉ－２の絶縁基板にスクリーン印刷法により供給し、１６０℃に設定された熱風乾燥機により約５分間熱風乾燥し、Ａｕ金属配線を得た。

　（実施例Ｉ－８）
　実施例Ｉ－２の絶縁基板を、レジスト液（ＤＳＲ３３０Ｐ、タムラ化研社製）に２５℃で５分間浸漬し、８０℃で１０分間乾燥し、露光装置（ＦＬ－３Ｓ、ウシオライティング社製）と図１０に示す配線パターンを形成したマスクとを用いて露光を行い、１質量％炭酸ナトリウム水溶液を用いて３０℃で９０秒間現像処理を行って不要なレジストを除去した。
　次に、不要なレジストが除去された絶縁基板を、銅の無電解めっき処理液（ＭＫ－４６０ノーシアン厚付け無電解銅めっき液、室町化学社製）に２０分間浸漬し、配線を得た。

　（実施例Ｉ－９）
　シランカップリング剤としてのγ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ８０３、信越化学工業社製）１０ｇをメタノール８０ｇで希釈させたものに、塩化パラジウム（８０７１１００００１、メルク社製）１ｇを滴下して、シランカップリング剤のメルカプト基にＰｄを捕捉させ、８時間放置したものをインク（処理液）として得た。
　得られたインクを、ダイマティックス・マテリアルプリンター　ＤＭＰ－２８３１（富士フイルムダイマティックス社製）を用いて、図１０に示す配線パターンに従って、実施例Ｉ－２の絶縁基板にインクジェット印刷法により供給し、１６０℃に設定された熱風乾燥機により約５分間熱風乾燥し、金属還元層を形成させた。
　次に、金属還元層が形成された絶縁基板を、銅の無電解めっき処理液（ＭＫ－４６０ノーシアン厚付け無電解銅めっき液、室町化学社製）に２０分間浸漬し、配線を得た。

　実施例Ｉ－６～９について、得られた配線に絶縁抵抗計の電極を接触させて、３Ｖの電圧を負荷したところ、導通が確認され、十分な実用性を有することが分かった。

　次に、実施例を示して第２態様に係る本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
（実施例ＩＩ－１～８）
　＜アルミニウム基板の作製＞
　Ｓｉ：０．０６質量％、Ｆｅ：０．３０質量％、Ｃｕ：０．００５質量％、Ｍｎ：０．００１質量％、Ｍｇ：０．００１質量％、Ｚｎ：０．００１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％を含有し、残部はＡｌと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ５００ｍｍ、幅１２００ｍｍの鋳塊をＤＣ鋳造法で作成した。
　次いで、表面を平均１０ｍｍの厚さで面削機により削り取った後、５５０℃で、約５時間均熱保持し、温度４００℃に下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ２．７ｍｍの圧延板とした。
　更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を５００℃で行った後、冷間圧延で、厚さ０．２４ｍｍに仕上げ、ＪＩＳ１０５０材のアルミニウム基板を得た。
　このアルミニウム基板を幅１０３０ｍｍにした後、以下に示す陽極酸化処理および封孔処理に供した。

　＜陽極酸化処理＞
　上記で作製したアルミニウム基板に対して、図１２に示す構造の陽極酸化装置を用いて陽極酸化処理を行った。電解液の条件、電圧、形成後の陽極酸化皮膜の厚さを下記第２表に示す。なお、陽極酸化皮膜の厚さに関しては、断面方向からＳＥＭによる１０００～５０００倍での倍率での観察から求めた。

　＜封孔処理＞
　上記で得られた陽極酸化皮膜からなる絶縁層に、後述する封孔処理（１）～（６）のいずかを施し、絶縁基板を作製した。なお、各実施例で施す封孔処理の種類は、下記第２表に示す通りである。

　封孔処理（１）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、８０℃の純水に１分間浸漬した後、浸漬させた状態で１１０℃の雰囲気下で１０分間加熱した。

　封孔処理（２）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、６０℃の純水に１分間浸漬した後、浸漬させた状態で１３０℃の雰囲気下で２５分間加熱した。

　封孔処理（３）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、８０℃の塩化リチウム５％水溶液に１分間浸漬した後、浸漬させた状態で１１０℃の雰囲気下で１０分間加熱した。

　封孔処理（４）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、１００℃／５００ｋＰａの水蒸気に１分間さらす処理を施した。

　封孔処理（５）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、２５℃の処理液Ａ（下記参照）に１５分間浸漬し、その後５００℃の雰囲気下で１分間加熱処理を施した。
　（処理液Ａ）
　・チタンテトライソプロポキシド　　５０．００ｇ
　・濃硝酸　　　　　　　　　　　　　　０．０５ｇ
　・純水　　　　　　　　　　　　　　２１．６０ｇ
　・メタノール　　　　　　　　　　　１０．８０ｇ

　封孔処理（６）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、２５℃の処理液Ｂ（下記参照）に１時間浸漬処理を施した。
　（処理液Ｂ）
　・２０ｎｍ径コロイダルシリカ　（日産化学工業（株）製ＭＡ－ＳＴ－Ｍ）０．０１ｇ
　・エタノール　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００．００ｇ

　封孔処理（７）：
　陽極酸化皮膜からなる絶縁層を有するアルミニウム基板を、２５℃の処理液Ｂ（［０１０３］参照）に３時間浸漬処理を施した。

（比較例ＩＩ－１～３）
　封孔処理を施さなかった以外は実施例ＩＩ－１、３および６と同様の方法により、それぞれ比較例ＩＩ－１、２および３の絶縁基板を作製した。

　＜空隙率＞
　作製した各絶縁基板について、陽極酸化皮膜の空隙率を下記式から算出した。結果を下記第２表に示す。
　　空隙率（％）＝〔１－（酸化皮膜密度／３．９８）〕×１００
　（式中、酸化皮膜密度（ｇ／ｃｍ³）は、「単位面積あたりの酸化皮膜質量／酸化皮膜膜厚」を表し、３．９８は酸化アルミニウムの密度（ｇ／ｃｍ³）を表す。）

　＜熱伝導率＞
　作製した各絶縁基板について、アルバック理工社製ＴＣ－９０００／レーザーフラッシュ型熱拡散率測定装置を用い、ｔ１／２法に従い熱拡散率を計算し、熱伝導率を下記式から算出した。結果を第２表に示す。
　　熱伝導率λ＝α×Ｃｐ×ρ
　（式中、αは熱拡散率、Ｃｐは比熱、ρは密度、をそれぞれ表す。）

　＜絶縁破壊電圧＞
　得られた絶縁基板について、ＪＩＳＣ２１１０規格の方法に従い、絶縁破壊電圧を計測した。結果を第２表に示す。

　＜全反射率の測定＞
　得られた絶縁基板について、エックスライト社製ＳＰ６４を用いて４００～７００ｎｍの全反射率を計測した。計測は、１０ｎｍ毎に測定し、その平均値を算出した。結果を第２表に示す。

　第２表に示す結果から、まず、比較例ＩＩ－１と比較例ＩＩ－２とを対比すると、絶縁性（耐電圧）向上の観点から陽極酸化皮膜を厚くすると、放熱性（熱伝導率）が低くなることが分かった。
　これに対し、封孔処理を施して、陽極酸化皮膜の空隙率が３０％以下とした絶縁基板（実施例ＩＩ－１～８）は、陽極酸化皮膜の厚くしても放熱性の低減を抑制することができ、絶縁性および放熱性のいずれにも優れることが分かった。
　特に、陽極酸化皮膜の形成条件および膜厚が同じ値となる実施例ＩＩ－１と比較例ＩＩ－１とを対比すると、封孔処理を施して陽極酸化皮膜の空隙率を３０％以下とすることにより、耐電圧と平均反射率を維持したまま、熱伝導率を向上できることが分かった。実施例ＩＩ－３と比較例ＩＩ－２との対比および実施例ＩＩ－６と比較例ＩＩ－３との対比からも同様のことが分かる。

　（実施例ＩＩ－９）
　実施例ＩＩ－３で作製した絶縁基板（空隙率：５％）に対し、圧力を管理しながら酸素プラズマ処理を更に施し、実施例ＩＩ－９の絶縁基板を作製した。
　酸素プラズマ処理は、ヤマト科学社製のプラズマリアクターＰＲ３００を用い、８０ｍＬ／分の酸素を流し、－０．１ＭＰａになるように圧力を調整しながら、１００Ｗの条件で４分間施した。
　酸素プラズマ処理により、封孔処理によりマイクロポアの内部に封孔された水酸化アルミニウムの水酸基とイオン化した酸素とが反応して水として脱離され、表面層に存在していた水酸化アルミニウムは、酸化アルミニウムに変質し、体積収縮により除去された。
　酸素プラズマ処理を施した後、絶縁基板表面をＳＥＭで観察したところ、表面から２μｍ程度までの変質が観察され、次いで、ＡＦＭで５μｍ四方をタッピングモードで測定した結果、平均深さ１．８μｍの凹部が平均ピッチ１１０ｎｍの周期で存在していることが分かった。なお、実施例ＩＩ－３で作製した絶縁基板表面をＡＦＭで測定したところ、深さが０．３μｍを超える凹部は観察されず、明確なピッチも検出できなかった。
　また、上述した方法により酸素プラズマ処理後の陽極酸化皮膜の空隙率を算出したところ、空隙率は９％であった。

　（実施例ＩＩ－１０）
　実施例ＩＩ－３で作製した絶縁基板（空隙率：５％）に対し、更に１％ＮａＯＨ溶液（液温：１０℃）を用いてアルカリ処理を１分間施し、実施例ＩＩ－１０の絶縁基板を作製した。
　アルカリ処理の後、１０分間の水洗処理を施して乾燥させた後、絶縁基板表面をＳＥＭで観察したところ、表面から約１０μｍ程度までの変質が観察され、次いで、ＡＦＭで５μｍ四方をタッピングモードで測定した結果、平均深さ２μｍの凹部が平均ピッチ１００ｎｍの周期で存在していることが分かった。
　また、上述した方法によりアルカリ処理後の陽極酸化皮膜の空隙率を算出したところ、空隙率は１２％であった。

　作製した実施例ＩＩ－１～１０および比較例ＩＩ－１～３の絶縁基板に対して、以下に示す方法により実装に供する金属配線層を形成させた配線基板を作製した。
（１）Ｎｉシード層の形成
　まず、１０００ｍＬビーカーに硫酸ニッケル六水和物２５ｇと純水５００ｍＬとを入れ、硫酸ニッケル六水和物を溶解させた後、次亜リン酸ナトリウム２０ｇ、酢酸ナトリウム１０ｇおよびクエン酸ナトリウム１０ｇを入れて撹拌した。
　次いで、純水を加えて全量を１０００ｍＬとした後、硫酸でｐＨを５に調整し、撹拌しながら、浴温を８３℃に保持した。
　本溶液中に各絶縁基板を１分間浸漬させることで、Ｎｉシード層を形成した。
（２）Ｃｕめっき層の形成
　硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよびラウリル硫酸ナトリウムを調製した電解液中に、Ｎｉシード層を形成した上記基板を浸漬し、定電圧下で電解し、厚さ２０μｍのＣｕめっき層を形成した。
（３）金属配線の形成
　Ｃｕめっき層を形成した上記基板をレジスト液（ＤＳＲ３３０Ｐ、タムラ化研社製）に２５℃で浸漬時間５分の条件で浸漬させた後、乾燥温度８０℃、乾燥時間１０分にて乾燥させた。
　次いで、ＦＬ－３Ｓ（ウシオライティング社製）を用いて、配線パターンを形成したマスクを用いて露光を行い、現像液１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて３０℃下で９０秒間現像処理を施し、不要なレジスト層を除去した。
　次いで、上記方法でパターンが形成された基板を過酸化水素溶液に浸漬し、エッチング処理を施すことで非配線部のＣｕ層およびＮｉシード層を剥離した。
　次いで、残りのレジスト層を除去し、Ｃｕ配線が形成された配線基板を作製した。
（４）Ａｕめっき層の形成
　Ｃｕ配線が形成された配線基板に対して、ワイアボンディング適性を付与するためにＮｉストライクめっきを行い、更にＮｉストライクめっき層の上層にＡｕめっき層を設けた。
　Ｎｉストライクめっきは、Ｎｉ／塩酸混合液を用いて５分間処理した。
　その後、プレシャスハブＡＣＧ２０００（田中貴金属社製）の基本液と還元液とを１０：０．４の割合で調製した液中に、５０℃の条件で１０分間浸漬し、Ａｕめっき層を形成した。

　封孔処理を施さなかった比較例ＩＩ－１～３で作製した絶縁基板を用いた場合は、上記（３）および（４）に示す工程において、非配線部のＣｕ層のエッチング処理の際に、下地のＮｉシード層を剥離することができず、非配線部の反射率が低下し、かつ、Ａｕめっき層の形成時に全面にＡｕがめっきされてしまう問題が起こった。
　一方、実施例ＩＩ－１～８で作製した絶縁基板を用いた場合、上記のような問題は発生しなかったが、形成したＣｕ配線の細線部分との密着性がやや劣る結果が得られた。
　また、実施例ＩＩ－９および１０で作製した絶縁基板を用いた場合、上記のような問題は発生せず、かつ、形成したＣｕ配線の細線部分との密着性にも優れることが分かった。これは、実施例ＩＩ－９および１０で作製した絶縁基板の表面が有する凹凸形状により、Ｃｕ配線とのアンカー効果が生じているためと考えられる。

　（実施例ＩＩ－１１）
　まず、比較例ＩＩ－２で作製した絶縁基板（未封孔、空隙率：３６％）に対して、撥水性材料（パーフルオロヘキシルエチルメトキシシラン［ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₃］（Ｇｅｌｅｓｔ社製））を精製せずにそのままインクジェット装置（ＤＭＴ－２８３１、Ｄｉｍａｔｉｘ社製）を用いて配線状に突出、付着させた後に乾燥させた。
　その後、上述した封孔処理（１）と同様の封孔処理を施した。なお、上述した方法により陽極酸化皮膜の空隙率を算出したところ、空隙率は１８％であった。
　次いで、アルカリによる溶解処理（１％ＮａＯＨ溶液、液温度：３０℃、処理時間：２０秒間）を施し、ほぼ単層のフッ素（フルオロアルキルシラン）皮膜を除去した。
　この状態でＮｉを蒸着し、全面にＮｉシード層を形成した。
　引き続き、上記（２）～（４）に示す工程と同様の方法で、Ｃｕ配線基板を作製した。
　ここで、上記（３）に示す工程において、非配線部の封孔処理されていた部分はＮｉシード層の溶解が容易となり、かつ、上記（４）に示す工程で施されるＮｉストライクめっきおよびＡｕめっきにおいても非配線部への金属の析出は観察されなかった。

　次に、実施例を示して第３態様に係る本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
（実施例ＩＩＩ－１～１２、比較例ＩＩＩ－１および２）
　（１）アルミニウム基板の前処理工程（電解研磨処理）
　高純度アルミニウム基板（住友軽金属社製、純度９９．９９質量％、厚み０．４ｍｍ）を、１０ｃｍ四方の面積で陽極酸化処理できるようカットした後、以下組成の電解研磨液を用いて、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
　陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０－３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（ＡＳ　ＯＮＥ製）を用いて計測した。
　なお、実施例ＩＩＩ－８については、上記電解研磨処理を施さなかった。

　＜電解研磨液組成＞
　・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬）　　６６０ｍＬ
　・純水　　１６０ｍＬ
　・硫酸　　１５０ｍＬ
　・エチレングリコール　　３０ｍＬ

　（２）第１陽極酸化処理工程（陽極酸化処理）
　まず、電解研磨処理後のアルミニウム基板（実施例ＩＩＩ－８については高純度アルミニウム基板）に、０．３０ｍｏｌ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で１時間陽極酸化処理を施した。更に陽極酸化処理後のサンプルに、０．５ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液を用いて４０℃の条件で２０分間浸漬して脱膜処理を施した。
　次いで、これらと同様の処理をこの順に第３表記載の回数を繰り返した後、０．３０ｍｏｌ／Ｌ硫酸の電解液で、電圧２５Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）が第３表記載の厚さとなるよう陽極処理時間を設定して再陽極酸化処理を施し、更に、０．５ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液を用いて４０℃の条件で１５分間浸漬させて脱膜処理を施すことにより、アルミニウム基板表面に、マイクロポアが直管状で且つハニカム状に配列された陽極酸化皮膜を形成させた。
　なお、再陽極酸化処理の処理時間を決める基準とした陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）は、再陽極酸化処理後に脱膜処理を施した後の最終的な陽極酸化皮膜の厚みのことをいう。

　（３）第２陽極酸化処理工程（陽極酸化処理）
　第１陽極酸化処理工程の後、濃度０．５ｍｏｌ／Ｌのホウ酸、濃度０．０５ｍｏｌ／Ｌの四ホウ酸ナトリウムの混合水溶液にて、温度２０℃で５分間処理し、マイクロポアが形成されていない部分の陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｆ）が第３表記載の厚さとなるよう電圧を設定して陽極酸化皮膜を形成し、絶縁基板を作製した。
　なお、比較例ＩＩＩ－２については、上記第２陽極酸化処理工程（陽極酸化処理）を施さなかった。

　なお、第１陽極酸化処理工程および第２陽極酸化処理工程ともに、陰極はステンレス電極とし、電源は、ＧＰ０１１０－３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、冷却装置としては、ＮｅｏＣｏｏｌＢＤ３６（ヤマト科学社製）を用い、かくはん加温装置として、ペアスターラーＰＳ－１００（ＥＹＥＬＡ社製）を用いた。電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２－１０ＰＣＷ（ＡＳ　ＯＮＥ製）を用いて計測した。

　（Ｔ_Ａ、Ｔ_Ｏ、Ｔ_Ｆの算出）
　得られた絶縁基板について、絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）、陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）およびマイクロポアが形成されていない部分の上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｆ）を、それぞれ断面方向からのＦＥ－ＳＥＭの観察により、１０箇所の測定平均値から算出した。結果を第３表に示す。

　（マイクロポアの規則化度の算出）
　得られた絶縁基板について、ＦＥ－ＳＥＭによる表面写真（倍率２００００倍）の１μｍ×１μｍの視野で任意のマイクロポア３００個を用いて、上記式（ｉ）で定義される規則化度を求めた。結果を第３表に示す。

　（絶縁破壊電圧）
　得られた絶縁基板について、ＪＩＳＣ２１１０規格の方法に従い、絶縁破壊電圧を計測した。結果を第３表に示す。
　絶縁破壊電圧が１５０以上あれば、絶縁性に優れ、白色系の発光出力を向上させることができると評価できる。

　（熱伝導率）
　得られた絶縁基板について、アルバック理工社製ＴＣ－９０００／レーザーフラッシュ型熱拡散率測定装置を用い、ｔ１／２法に従い熱伝導率を計測した。結果を第３表に示す。
　熱伝導率が２００程度以上あれば、放熱性に優れ、白色系の発光出力を向上させることができると評価できる。

　（全反射率の測定）
　得られた絶縁基板について、エックスライト社製ＳＰ６４を用いて４００～７００ｎｍの全反射率を計測した。結果を第３表に示す。

　第３表に示す結果から、陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が小さい比較例ＩＩＩ－１で作製した絶縁基板は、熱伝導率が低く、放熱性に劣ることが分かった。
　また、陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち上記マイクロポアが形成されていない部分の厚み（Ｔ_Ｆ）が小さい比較例ＩＩＩ－２で作製した絶縁基板は、絶縁破壊電圧が低く、絶縁性に劣ることが分かった。
　一方、上記厚み（Ｔ_Ａ）、上記厚み（Ｔ_Ｏ）およびこれらの比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）ならびに上記厚み（Ｔ_Ｆ）の値がすべて所定範囲にある実施例ＩＩＩ－１～１２で作製した絶縁基板は、絶縁性および放熱性に優れ、白色系の発光出力を向上させた発光素子を提供できることが分かった。特に、マイクロポアの規則化度の高い実施例ＩＩＩ－１～１１で作製した絶縁基板は、全反射率も高く、発光素子の輝度を向上できることが分かった。また、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）が２０～７０μｍの範囲にあり、かつ、上記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する上記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が８～１２の範囲にある実施例ＩＩＩ－３～６および９～１１で作製した絶縁基材は、絶縁性が極めて高くなることが分かった。

　１　絶縁基板
　２　アルミニウム基板
　３　陽極酸化皮膜
　４　スルーホール
　５　銅配線
　６　電極
　７　導体金属
　７ａ　残部
　７ｂ　不要部
　８　金属箔層
　９　チップ
　１０　連結部
　１１　切欠部
　１２　切離跡
　１３　配線パターン
　１４　陽極酸化皮膜
　１５、１５ａ、１５ｂ　マイクロポア
　１６　異なる物質
　１７　絶縁基板
　１８　アルミニウム基板
　１９　絶縁層
　２０　マイクロポア
　２２　青色ＬＥＤ
　２４　樹脂
　２６　蛍光発光ユニット
　３２　絶縁層
　３３　金属基板
　３４　金属配線層
　３５　スルーホール
　３７　青色ＬＥＤ
　３９　ヒートシンク
　１００　発光素子
　１０１、１０２、１０４、１０５、１０７、１０８　マイクロポア
　１０３、１０６、１０９　円
　１１０　青色ＬＥＤ
　１２０，１３０　金属配線層（電極）
　１４０　配線基板
　１５０　蛍光粒子
　１６０　透明樹脂
　２００　発光素子
　２２２　青色ＬＥＤ発光素子
　２２４　樹脂
　２２６　蛍光発光体
　２３０　絶縁基板
　２３２　絶縁層
　２３３　アルミニウム基板
　３００　発光素子
　３１０　青色ＬＥＤ
　３２０，３３０　電極
　３４０　基板
　３５０　蛍光粒子
　３６０　透明樹脂
　４１０　陽極酸化処理装置
　４１２　給電槽
　４１４　電解処理槽
　４１６　アルミニウム基板
　４１８、４２６　電解液
　４２０　給電電極
　４２２、４２８　ローラ
　４２４　ニップローラ
　４３０　電解電極
　４３２　槽壁
　４３４　直流電源

Claims

　アルミニウム基板と、
　前記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜と、を備え、
　前記陽極酸化皮膜中において、円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である絶縁基板。
　さらに、前記アルミニウム基板の厚さ方向に貫通形成されたスルーホールを備え、
　前記スルーホールの内壁面が前記陽極酸化皮膜で被覆されている、請求項１に記載の絶縁基板。
　前記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、請求項１または２に記載の絶縁基板。
　ＬＥＤ用絶縁基板である、請求項１～３のいずれかに記載の絶縁基板。
　請求項１に記載の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、
　アルミニウム基板に対して陽極酸化処理を施す陽極酸化処理工程を備え、前記アルミニウム基板の全面を被覆する陽極酸化皮膜中において円相当直径１μｍ以上の金属間化合物が２０００個／ｍｍ³以下である絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法。
　請求項２に記載の絶縁基板を得る絶縁基板の製造方法であって、
　前記陽極酸化処理工程の前に、前記アルミニウム基板の厚さ方向にスルーホールを貫通形成するスルーホール形成工程を備える、請求項５に記載の絶縁基板の製造方法。
　前記陽極酸化処理工程の前に、前記アルミニウム基板に対して３５０～６００℃での焼鈍処理を施す焼鈍処理工程を備える、請求項５または６に記載の絶縁基板の製造方法。
　前記陽極酸化処理工程では、硫酸電解液を用いる、請求項５～７のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。
　前記硫酸電解液の硫酸濃度が、１０～６０ｇ／ｌである、請求項８に記載の絶縁基板の製造方法。
　前記アルミニウム基板のアルミニウム純度が９９．９５質量％以上である、請求項５～９のいずれかに記載の絶縁基板の製造方法。
　請求項１～３のいずれかに記載の絶縁基板が備える前記陽極酸化皮膜上の所望部位に配線を形成する配線の形成方法であって、前記所望部位にのみ前記配線となる導体金属を選択的に供給する供給工程を備える、配線の形成方法。
　前記供給工程が、前記所望部位に前記導体金属を含む金属インクをインクジェット印刷法により供給する工程である、請求項１１に記載の配線の形成方法。
　前記供給工程が、前記所望部位に前記導体金属を含む金属インクをスクリーン印刷法により供給する工程である、請求項１１に記載の配線の形成方法。
　前記供給工程が、前記陽極酸化皮膜上の前記所望部位以外の部位にレジストを形成させた前記絶縁基板に対して、前記導体金属のイオンを含有する処理液を用いて無電解めっき処理および／または電解めっき処理を施す工程である、請求項１１に記載の配線の形成方法。
　前記供給工程が、前記所望部位に金属還元能を有する金属還元層を形成し、形成された前記金属還元層に対して前記導体金属のイオンを含有する処理液を接触させる工程である、請求項１１に記載の配線の形成方法。
　前記所望部位が前記絶縁基板の表裏両側に位置している、請求項１１～１５のいずれかに記載の配線の形成方法。
　金属基板と、前記金属基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
　前記金属基板が、バルブ金属基板であり、
　前記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、
　前記陽極酸化皮膜の空隙率が、３０％以下である絶縁基板。
　前記陽極酸化皮膜の表面が、平均ピッチが０．５μｍ以下で、かつ、平均直径が１μｍ以上の凹凸を有する請求項１７に記載の絶縁基板。
　前記陽極酸化皮膜が、マイクロポアを有し、
　前記マイクロポアの内部の少なくとも一部が、前記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質によって封孔されている請求項１７または１８に記載の絶縁基板。
　前記陽極酸化皮膜が、マイクロポアを有し、
　前記マイクロポアが、その内部の少なくとも一部が前記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質によって封孔されているマイクロポアと、その内部が前記異なる物質により封孔されていないマイクロポアとで構成されている請求項１７～１９のいずれかに記載の絶縁基板。
　前記異なる物質が、絶縁性である請求項１９または２０に記載の絶縁基板。
　前記バルブ金属が、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマスおよびアンチモンからなる群から選択される少なくとも１種の金属である請求項１７～２１のいずれかに記載の絶縁基板。
　前記バルブ金属が、アルミニウムである請求項２２に記載の絶縁基板。
　前記絶縁基板が、ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板である請求項１７～２３のいずれかに記載の絶縁基板。
　請求項１７～２４のいずれかに記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、
　バルブ金属基板の表面に陽極酸化処理を施して、バルブ金属の陽極酸化皮膜をバルブ金属基板上に形成させる陽極酸化処理工程と、
　前記陽極酸化処理工程の後に、封孔処理を施して、前記陽極酸化皮膜の空隙率を３０％以下とする封孔処理工程とを有する絶縁基板の製造方法。
　前記陽極酸化処理により、マイクロポアを有する前記陽極酸化皮膜が形成され、
　前記封孔処理により、前記マイクロポアの内部の少なくとも一部が前記陽極酸化皮膜を構成する物質とは異なる物質により封孔される、請求項２５に記載の絶縁基板の製造方法。
　前記バルブ金属基板の厚さ方向にスルーホールを貫通形成するスルーホール形成工程を有する、請求項２５または２６に記載の絶縁基板の製造方法。
　前記スルーホール形成工程の後に、前記バルブ金属基板を所望の形状で個片化可能にする個片化工程を有する請求項２７に記載の絶縁基板の製造方法。
　請求項１７～２４のいずれかに記載の絶縁基板と、前記絶縁基板の前記絶縁層側の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。
　請求項２９に記載の配線基板と、前記配線基板の前記金属配線層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、前記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。
　アルミニウム基板と、前記アルミニウム基板の表面に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、
　前記絶縁層が、マイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜であり、
　前記絶縁基板の厚みが１５００μｍ以下であり、
　前記陽極酸化皮膜の厚みが５μｍ以上であり、
　前記陽極酸化皮膜の厚み（Ｔ_Ｏ）に対する前記絶縁基板の厚み（Ｔ_Ａ）の比率（Ｔ_Ａ／Ｔ_Ｏ）が２．５～３００であり、
　前記陽極酸化皮膜の深さ方向の厚みのうち、前記マイクロポアが形成されていない部分の厚みが３０ｎｍ以上である絶縁基板。
　前記マイクロポアについて下記式（ｉ）により定義される規則化度が２０％以上である、請求項３１に記載の絶縁基板。
　規則化度（％）＝Ｂ／Ａ×１００　　（ｉ）
　前記式（ｉ）中、Ａは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Ｂは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に前記一のマイクロポア以外のマイクロポアの重心を６個含むことになる前記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。
　前記絶縁基板が、ＬＥＤ発光素子の発光観測面側に設けられる基板である請求項３１または３２に記載の絶縁基板。
　請求項３１～３３のいずれかに記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、
　アルミニウム基板の一部に陽極酸化処理を施して、マイクロポアを有する、アルミニウムの陽極酸化皮膜をアルミニウム基板上に形成させる第１陽極酸化処理工程と、
　前記第１陽極酸化処理工程の後に、ｐＨ２．５～１１．５の電解液を用いて陽極酸化処理を施して、前記マイクロポアの内部の一部を底方向から酸化アルミニウムで封孔する第２陽極酸化処理工程とを有する絶縁基板の製造方法。
　請求項３１～３３のいずれかに記載の絶縁基板と、前記絶縁基板の前記絶縁層側の上部に設けられる青色ＬＥＤ発光素子と、前記青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系ＬＥＤ発光素子。